本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，涉及一種AMOLED顯示裝置及其陣列基板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱OLED)顯示裝置的技術(shù)日見成熟，已經(jīng)越來越多的應(yīng)用在各個(gè)顯示領(lǐng)域。

AMOLED顯示裝置中最基本的子像素單元如圖1所示，由兩個(gè)薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱TFT)和一個(gè)存儲(chǔ)電容Cst組成也成為2T1C結(jié)構(gòu)。其中，第一薄膜晶體管的柵極輸入掃描信號(hào)Vgate，第一薄膜晶體管的源極輸入數(shù)據(jù)信號(hào)Vdata，第一薄膜晶體管的漏極連接第二薄膜晶體管的柵極。第二薄膜晶體管的源極連接正極性電源Vdd，第二薄膜晶體管的漏極連接數(shù)字地Vss，存儲(chǔ)電容Cst設(shè)置在第二薄膜晶體管的柵極與源極之間，發(fā)管二極管串聯(lián)在第二薄膜晶體管的漏極與數(shù)字地Vss之間。

為了向每個(gè)子像素單元傳輸正極性電源Vdd，就需要設(shè)置相應(yīng)的電源線。如圖2所示，現(xiàn)有的AMOLED顯示裝置中，在陣列基板上設(shè)置有網(wǎng)狀的電源線，且該電源線分為兩層設(shè)置，橫向的電源線10直接形成于陣列基板的襯底基板上，縱向的電源線20形成于絕緣層(圖中未示出)上，絕緣層隔在橫向的電源線10與縱向的電源線20之間。但是，網(wǎng)狀的電源線占用的布局空間過大，會(huì)限制子像素單元的數(shù)量，導(dǎo)致AMOLED顯示裝置的每英寸像素?cái)?shù)(Pixels Per Inch，簡(jiǎn)稱PPI)較低的技術(shù)問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種AMOLED顯示裝置及其陣列基板，能夠有效提高AMOLED顯示裝置的PPI。

本發(fā)明提供一種AMOLED顯示裝置的陣列基板，包括襯底基板、面狀電源線、點(diǎn)狀電源線，以及位于所述面狀電源線與所述點(diǎn)狀電源線之間的若干絕緣層；

所述面狀電源線和所述點(diǎn)狀電源線用于為發(fā)光二極管提供正極性電源；

所述面狀電源線形成于所述襯底基板上，所述點(diǎn)狀電源線形成于所述若干絕緣層上，且所述面狀電源線與所述點(diǎn)狀電源線之間通過過孔電連接。

進(jìn)一步的是，該陣列基板還包括形成于所述陣列基板的板邊區(qū)域的金屬引線，用于將電源信號(hào)引入所述面狀電源線。

在一種實(shí)施方式中，所述金屬引線與所述面狀電源線位于同一圖層，且所述金屬引線與所述面狀電源線一體成型。

在另一種實(shí)施方式中，所述金屬引線與所述點(diǎn)狀電源線位于同一圖層，所述金屬引線與所述面狀電源線通過過孔電連接。

進(jìn)一步的是，該陣列基板還包括對(duì)應(yīng)于每個(gè)自像素單元的薄膜晶體管；

所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層。

在一種實(shí)施方式中，所述若干絕緣層中，包括由下至上依次形成的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層；

所述柵極形成于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間，所述有源層形成于所述第二絕緣層與所述第三絕緣層之間。

在另一種實(shí)施方式中，所述若干絕緣層中，包括由下至上依次形成的第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層；

所述柵極形成于所述第二絕緣層與所述第三絕緣層之間，所述有源層形成于所述第一絕緣層與所述第二絕緣層之間。

優(yōu)選的是，所述源極和所述漏極與所述點(diǎn)狀電源線位于同一圖層。

進(jìn)一步的是，所述源極和所述漏極通過過孔與所述有源層連接。

本發(fā)明還提供一種AMOLED顯示裝置，其中包括上述的陣列基板。

本發(fā)明帶來了以下有益效果：本發(fā)明提供的AMOLED顯示裝置的陣列基板中，包括用于為發(fā)光二極管提供正極性電源的面狀電源線和點(diǎn)狀電源線。其中，面狀電源線形成于襯底基板上，面狀電源線上形成有若干絕緣層，點(diǎn)狀電源線形成在絕緣層上，且所述面狀電源線與所述點(diǎn)狀電源線之間通過過孔電連接，以實(shí)現(xiàn)正極性電源信號(hào)的傳輸。

因?yàn)楸景l(fā)明提供的陣列基板中，將底層的電源線設(shè)置為面狀電源線，所以能夠?qū)㈨攲拥碾娫淳€設(shè)置為點(diǎn)狀電源線，減小了頂層電源線占用的空間，因此能夠在有限的空間內(nèi)設(shè)置更多、更密集的自像素單元，從而提高了AMOLED顯示裝置的PPI。

本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說明

為了更清楚的說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要的附圖做簡(jiǎn)單的介紹：

圖1是AMOLED顯示裝置中的驅(qū)動(dòng)單元的電路圖；

圖2是現(xiàn)有的AMOLED顯示裝置中正極性電源線的示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的平面示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的截面示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的平面示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的截面示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種條形顯示屏的拼接式背板，以及使用該拼接式背板的條形顯示屏，能夠以拼接方式組裝條形顯示屏的背板，以降低條形顯示屏的生產(chǎn)成本。

實(shí)施例一：

如圖3和圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種AMOLED顯示裝置的陣列基板，包括襯底基板1、面狀電源線2、點(diǎn)狀電源線3，以及位于面狀電源線2與點(diǎn)狀電源線3之間的若干絕緣層。本實(shí)施例的若干絕緣層中，包括由下至上依次形成的第一絕緣層41、第二絕緣層42和第三絕緣層43。

面狀電源線2和點(diǎn)狀電源線3用于為發(fā)光二極管提供正極性電源。其中，面狀電源線2形成于襯底基板1上，點(diǎn)狀電源線3形成于若干絕緣層上，且面狀電源線2與點(diǎn)狀電源線3之間通過過孔21電連接。

進(jìn)一步的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板還包括形成于陣列基板的板邊區(qū)域的金屬引線5，用于將電源信號(hào)從外部引入面狀電源線2。本實(shí)施例中的金屬引線5與面狀電源線2位于同一圖層，且金屬引線5與面狀電源線2一體成型。

本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板還包括對(duì)應(yīng)于每個(gè)自像素單元的薄膜晶體管，每個(gè)薄膜晶體管中包括柵極61、源極62、漏極63和有源層64。本實(shí)施例中的薄膜晶體管采用底柵型結(jié)構(gòu)，即柵極61位于有源層64下方。

具體的，柵極形61成于第一絕緣層41與第二絕緣層42之間，有源層64形成于第二絕緣層42與第三絕緣層43之間，源極62和漏極63與點(diǎn)狀電源線3位于同一圖層，并且源極62和漏極63通過過孔與有源層64連接。當(dāng)柵極61接收到柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，源極62和漏極63通過有源層64導(dǎo)通。

本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED顯示裝置的陣列基板中，包括用于為發(fā)光二極管提供正極性電源的面狀電源線2和點(diǎn)狀電源線3。其中，面狀電源線2形成于襯底基板1上，面狀電源線2上形成有三層絕緣層，點(diǎn)狀電源線3形成在絕緣層上，且所述面狀電源線2與所述點(diǎn)狀電源線3之間通過過孔電連接，以實(shí)現(xiàn)正極性電源信號(hào)的傳輸。

因?yàn)楸景l(fā)明提供的陣列基板中，將底層的電源線設(shè)置為面狀電源線2，所以能夠?qū)㈨攲拥碾娫淳€設(shè)置為點(diǎn)狀電源線3，減小了頂層電源線占用的空間，因此能夠在有限的空間內(nèi)設(shè)置更多、更密集的自像素單元，從而提高了AMOLED顯示裝置的PPI。

實(shí)施例二：

本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED顯示裝置的陣列基板與實(shí)施例一基本相同，其不同點(diǎn)在于：如圖5和圖6所示，本實(shí)施例中，金屬引線5與點(diǎn)狀電源線3位于同一圖層，且金屬引線5與襯底基板1上的面狀電源線2通過過孔電連接。

此外，本實(shí)施例與實(shí)施例一之間的不同點(diǎn)還在于：如圖6所示，本實(shí)施例中的薄膜晶體管采用頂柵型結(jié)構(gòu)，即柵極位于有源層上方。

具體的，柵極形61成于第二絕緣層42與第三絕緣層43之間，有源層64形成于第一絕緣層41與第二絕緣層42之間，源極62和漏極63與點(diǎn)狀電源線3位于同一圖層，并且源極62和漏極63通過過孔與有源層64連接。當(dāng)柵極61接收到柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)時(shí)，源極62和漏極63通過有源層64導(dǎo)通。

本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED顯示裝置的陣列基板中，包括用于為發(fā)光二極管提供正極性電源的面狀電源線2和點(diǎn)狀電源線3。其中，面狀電源線2形成于襯底基板1上，面狀電源線2上形成有三層絕緣層，點(diǎn)狀電源線3形成在絕緣層上，且所述面狀電源線2與所述點(diǎn)狀電源線3之間通過過孔電連接，以實(shí)現(xiàn)正極性電源信號(hào)的傳輸。

因?yàn)楸景l(fā)明提供的陣列基板中，將底層的電源線設(shè)置為面狀電源線2，所以能夠?qū)㈨攲拥碾娫淳€設(shè)置為點(diǎn)狀電源線3，減小了頂層電源線占用的空間，因此能夠在有限的空間內(nèi)設(shè)置更多、更密集的自像素單元，從而提高了AMOLED顯示裝置的PPI。

實(shí)施例三：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種AMOLED顯示裝置，其中包括上述實(shí)施例一或?qū)嵤├峁┑年嚵谢濉?/p>

本發(fā)明實(shí)施例提供的AMOLED顯示裝置與上述實(shí)施例提供的陣列基板具有相同的技術(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問題，達(dá)到相同的技術(shù)效果。

雖然本發(fā)明所公開的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。