1.一種掩模圖案的形成方法，將掩模圖案形成于基板，包括：
準備工序，準備在第1面具備感光性的保護膜的基板；
曝光工序，對所述保護膜的至少一部分進行曝光；
貼附工序，在所述曝光工序之后，將保護片貼附于所述第1面的所述保護膜；
研磨工序，在所述貼附工序之后，對與所述第1面對置的第2面進行研磨來使所述基板薄化；
剝離工序，在所述研磨工序之后，將所述保護片剝離來使所述第1面的所述保護膜露出；和
顯影工序，在所述剝離工序之后，通過使保護膜與選擇性地溶解被曝光的保護膜和未被曝光的保護膜的任意一者的顯影液接觸，來將保護膜圖案化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模圖案的形成方法，其中，
所述保護片具備不透過使所述保護膜感光的光的透過防止層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模圖案的形成方法，其中，
所述透過防止層由金屬構(gòu)成。
4.一種掩模圖案的形成方法，將掩模圖案形成于基板，包括：
準備工序，準備在第1面具備感光性的保護膜的基板；
貼附工序，在所述準備工序之后，將保護片貼附于所述第1面的所述保護膜；
曝光工序，在所述貼附工序之后，透過所述保護片來對所述保護膜的至少一部分進行曝光；
研磨工序，對與所述第1面對置的第2面進行研磨來使所述基板薄化；
剝離工序，在所述研磨工序之后，將所述保護片剝離來使所述第1面的所述保護膜露出；和
顯影工序，在所述剝離工序之后，通過使保護膜與選擇性地溶解被曝光的保護膜和未被曝光的保護膜的任意一者的顯影液接觸，來將保護膜圖案化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模圖案的形成方法，其中，
作為所述保護片而使用熱剝離性的保護片，
在所述剝離工序中，通過對所述基板進行加熱來降低所述保護片的粘著力。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模圖案的形成方法，其中，
作為所述保護片而使用具備光固化性的粘合層的保護片，
在所述貼附工序中，通過所述粘合層來將所述保護片貼附于所述基板的外緣部的所述保護膜，
在所述剝離工序中，通過對所述外緣部照射使所述粘合層固化的波長的光來降低所述保護片的粘著力。
7.一種元件芯片的制造方法，通過蝕刻而將基板單片化來制造元件芯片，包括：
準備工序，準備在第1面具備感光性的保護膜的基板；
曝光工序，對所述保護膜的至少一部分進行曝光；
貼附工序，在所述曝光工序之后，將保護片貼附于所述第1面的所述保護膜；
研磨工序，在所述貼附工序之后，對與所述第1面對置的第2面進行研磨來使所述基板薄化；
剝離工序，在所述研磨工序之后，將所述保護片剝離來使所述第1面的所述保護膜露出；
顯影工序，在所述剝離工序之后，通過使保護膜與選擇性地溶解被曝光的保護膜和未被曝光的保護膜的任意一者的顯影液接觸，來將保護膜圖案化；和
單片化工序，將圖案化后的所述保護膜作為掩模來對基板進行蝕刻，從而將所述基板單片化為多個元件芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件芯片的制造方法，其中，
所述保護片具備不透過使所述保護膜感光的光的透過防止層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的元件芯片的制造方法，其中，
所述透過防止層由金屬構(gòu)成。
10.一種元件芯片的制造方法，通過蝕刻而將基板單片化來制造元件芯片，包括：
準備工序，準備在第1面具備感光性的保護膜的基板；
貼附工序，在所述準備工序之后，將保護片貼附于所述第1面的所述保護膜；
曝光工序，在所述貼附工序之后，透過所述保護片來對所述保護膜的至少一部分進行曝光；
研磨工序，對與所述第1面對置的第2面進行研磨來使所述基板薄化；
剝離工序，在所述研磨工序之后，將所述保護片剝離來使所述第1面的所述保護膜露出；
顯影工序，在所述剝離工序之后，通過使保護膜與選擇性地溶解被曝光的保護膜和未被曝光的保護膜的任意一者的顯影液接觸，來將保護膜圖案化；和
單片化工序，將圖案化后的所述保護膜作為掩模來對基板進行蝕刻，從而將所述基板單片化為多個元件芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件芯片的制造方法，其中，
作為所述保護片而使用熱剝離性的保護片，
在所述剝離工序中，通過對所述基板進行加熱來降低所述保護片的粘著力。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的元件芯片的制造方法，其中，
作為所述保護片而使用具備光固化性的粘合層的保護片，
在所述貼附工序中，通過所述粘合層來將所述保護片貼附于所述基板的外緣部的所述保護膜，
在所述剝離工序中，通過對所述外緣部照射使所述粘合層固化的波長的光來降低所述保護片的粘著力。