1.一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，以帶有低溫u-GaN修復(fù)層及基底的襯底作為生長(zhǎng)基礎(chǔ)，然后，在平整的u-GaN修復(fù)層表面依次生長(zhǎng)其他各層外延，制備得到紫光LED外延片；最后將紫光LED外延片制成垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，包括以下步驟：
2.1)紫光LED外延片的P-GaN表面清洗后，對(duì)襯底進(jìn)行研磨拋光，在P-GaN表面進(jìn)行涂膠及激光劃片，再去除P-GaN表面的氧化層，用去離子水PM清洗干凈，氮?dú)獯蹈桑?/p>
2.2)在P-GaN表面進(jìn)行PM蒸鍍反射鏡電極，然后用光刻膠作P電極掩膜，進(jìn)行PM腐蝕和去膠，然后用電子束蒸發(fā)臺(tái)帶膠蒸發(fā)沉積形成兼作歐姆接觸層和反射鏡的金屬層，再用去膠劑剝離光刻膠以形成P型金屬電極圖形，然后進(jìn)行快速退火，退火溫度為350～450℃；
2.3)利用高溫金屬鍵合工藝，在N2環(huán)境下加壓將P-GaN面鍵合在硅或銅或鎢銅合金基板上；
2.4)利用激光剝離技術(shù)剝離襯底，剝離后進(jìn)行清洗；
2.5)先對(duì)u-GaN進(jìn)行刻蝕處理，對(duì)u-GaN面采用酸堿進(jìn)行粗化處理，然后再對(duì)u-GaN表面處理，先采用光刻膠沉積二氧化硅掩膜作N電極，然后進(jìn)行劃片槽光刻，經(jīng)過(guò)曝光后對(duì)劃片槽蝕刻，去膠去二氧化硅后再進(jìn)行二氧化硅沉積，然后進(jìn)行電極光刻，曝光后蝕刻二氧化硅；
2.6)再用電子束蒸發(fā)臺(tái)帶膠蒸發(fā)沉積形成N型電極金屬，再用去膠劑剝離光刻膠以形成N型金屬電極圖形，最終得到垂直結(jié)構(gòu)的LED。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，2.3)中，在紫光LED外延片的P-GaN表面、硅或銅或鎢銅合金基板表面分別蒸鍍一層1～2um的鍵合金屬，然后將預(yù)鍵合的樣品放入晶圓鍵合機(jī)中，在N2保護(hù)下按照設(shè)定的溫度及壓力參數(shù)進(jìn)行鍵合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述晶圓鍵合機(jī)中鍵合溫度為200～800℃，鍵合壓力為300N，時(shí)間為1h。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述鍵合過(guò)程中一邊清洗襯底，一邊對(duì)所述紫光LED芯片進(jìn)行POD蒸度，然后將襯底和芯片外延層鍵合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，2.5)中，所述刻蝕具體為采用電感耦合等離子體蝕刻u-GaN外延片表面，ICP的功率為400～700W，反應(yīng)壓力為500～800Pa，反應(yīng)氣體為50sccm的Cl2和50sccm的氧氣，刻蝕時(shí)間為3200s，刻蝕后的u-GaN表面粗糙度RMS為0.15～0.18nm，再進(jìn)行粗化處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述粗化處理具體為：
3.1)將u-GaN外延片清洗：依次放入丙酮超聲清洗2～5分鐘、酒精超聲清洗2～3分鐘，去離子水中進(jìn)行超聲清洗2～3分鐘；
3.2)將u-GaN外延片使用加熱到200～260℃，后將加熱到熔融狀態(tài)的KOH均勻涂抹在GaN外延片表面，將微波加熱使溫度穩(wěn)定在250℃，持續(xù)腐蝕8～10分鐘；
3.3)關(guān)閉加熱，自然冷卻到室溫后再用去離子水清洗GaN外延片表面的KOH。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述激光剝離技術(shù)具體為：采用逐點(diǎn)剝離工藝，波長(zhǎng)248nm、光斑尺寸為2mm×2mm的正方形光斑、能量密度為500mJ/cm2的KrF準(zhǔn)分子激光器的激光作輻照光源，從藍(lán)寶石一側(cè)掃描整個(gè)樣品，移動(dòng)速度為1.55mm/s，激光掃描完樣品后，藍(lán)寶石襯底脫落，用1：1的HCI浸泡樣品，除去GaN上的金屬Ga。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述紫光LED外延片的制備包括以下步驟：
1.1)在1070～1090℃溫度下、壓力為150torr下通N2烘烤10～30min，氮化藍(lán)寶石、SiC或Si襯底，襯底厚度為430～450μm；
1.2)將步驟1氮化后的藍(lán)寶石、SiC或Si襯底降溫至515～535℃、壓力為800torr，然后在襯底上生長(zhǎng)厚度為15～35nm的基底，隨后升溫至1030～1050℃、壓力為400torr使基底重新結(jié)晶，再生長(zhǎng)1.8～2.5μm的u-GaN修復(fù)層；
1.3)升溫至1070～1090℃、壓力為200torr先生長(zhǎng)輕Si摻雜的n-GaN層，厚度為500～600nm，再生長(zhǎng)重Si摻雜的n-GaN層，厚度為300～400nm；
1.4)在所述重Si摻雜n-GaN層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)n-AlGaN電流擴(kuò)展層，厚度為80～240nm；
1.5)在n-AlGaN層的基礎(chǔ)上生長(zhǎng)Si摻雜的n+GaN層，厚度為2～4μm，隨后生長(zhǎng)不摻Si的n-GaN層500～600nm；
1.6)在阱的生長(zhǎng)溫度740～760℃，壘的生長(zhǎng)溫度為820-840℃、壓力為200torr下生長(zhǎng)10～20個(gè)周期的不摻雜Al的InGaN/GaN超晶格，再生長(zhǎng)8個(gè)周期Al摻雜的InGaN/AlGaN；所述多量子阱層厚度為250～350nm；
1.7)升溫至960～980℃，壓力為150torr生長(zhǎng)PAlGaN層，厚度為1～200nm；降溫至920～940℃，壓力為150torr生長(zhǎng)輕Mg摻雜的P+GaN層，厚度為0.1～0.2μm；生長(zhǎng)重Mg摻雜的P++GaN層，厚度為5～20nm；
1.8)生長(zhǎng)CTL層，厚度為10～30nm，生長(zhǎng)完畢后，降溫至700～730℃進(jìn)行退火60-120min，之后隨爐冷卻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的制備方法，其特征在于，1.6)中，所述先生長(zhǎng)10～20個(gè)周期厚度為80～120nm的不摻雜Al的InGaN/GaN超晶格，具體為：先生長(zhǎng)30～40nm的GaN-cap層，再生長(zhǎng)5～15nm的barrierGaN層，最后生長(zhǎng)1.5～5nm的InGaN阱層；
所述再生長(zhǎng)8個(gè)周期厚度為100～150nm的Al摻雜的InGaN/AlGaN，具體為：先生長(zhǎng)5～15nm的barrierInGaN層，再生長(zhǎng)1.5～5nm的AlGaN阱層，最后生長(zhǎng)30～40nm的GaN-cap層。