本發(fā)明涉及太陽能電池制備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種N型雙面電池的制備方法。

背景技術(shù)：

目前，太陽能光伏發(fā)電的主流產(chǎn)品是P型硅片電池，但是P型電池的效率提升空間有限，因?yàn)镹型硅片具有比P型硅片高的少子壽命，可制作成雙面受光的高效率、低衰減的太陽能電池，廣泛應(yīng)用于有湖水或者積雪地區(qū),現(xiàn)逐漸成為光伏行業(yè)研究的熱點(diǎn)。

N型雙面電池需要解決的一個重要點(diǎn)就是如何把兩次擴(kuò)散結(jié)合起來，且彼此沒有影響。早期的N型雙面電池是先進(jìn)行硼擴(kuò)散，快速去背面的PN結(jié)，利用正面的BSG做掩膜，再進(jìn)行磷擴(kuò)散?，F(xiàn)有通過旋涂、絲網(wǎng)印刷離子注入的方式在N型制絨后的硅片表面均勻涂上硼源，并在爐管中進(jìn)行硼擴(kuò)散，再進(jìn)行掩膜和磷擴(kuò)散。前者一般采用線滾輪流水線去背結(jié)，但是酸液或者堿液可能漫過硼擴(kuò)散后的硅片，難以控制對正面BSG的保留，有一定的腐蝕破壞，這樣就會起不到掩膜作用，嚴(yán)重影響最終電池的效率。后者旋涂或者離子注入所需設(shè)備較貴,目前只是研究階段，同樣也需要掩膜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種N型雙面電池的制備方法，無需刻蝕，保留了完整的絨面。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種N型雙面電池的制備方法，包括：

步驟1，對堿制絨后的N型硅片進(jìn)行濕氧氧化，形成雙面氧化硅層；

步驟2，對所述N型硅片的第一面均勻旋涂光刻膠層；

步驟3，去除所述N型硅片的第二面的氧化硅層；

步驟4，去除所述N型硅片的第一面表面的光刻膠層；

步驟5，對所述N型硅片的第二面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成硼硅玻璃層；

步驟6，對所述N型硅片的第二面旋涂光刻膠層；

步驟7，去除所述N型硅片的第一面的氧化硅層；

步驟8，去除所述N型硅片的第二面表面的光刻膠層；

步驟9，對所述N型硅片的第一面進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成磷硅玻璃層。

其中，所述氧化硅層的厚度為80nm～120nm。

其中，所述去除所述N型硅片的第二面的氧化硅層或所述去除所述N型硅片的第一面的氧化硅層為使用10％的氫氟酸浸泡40s～60s去除氧化硅層。

其中，所述去除所述N型硅片的第一面表面的光刻膠層或所述去除所述N型硅片的第二面表面的光刻膠層為使用1％的NaCO3溶液在50℃下浸泡1min～2min去除光刻膠層。

其中，所述光刻膠層為負(fù)膠層。

其中，還包括：

步驟10，去除所述硼硅玻璃層，并在所述第二面進(jìn)行AlOx、SiNx鈍化。

其中，還包括：

步驟11，去除所述磷硅玻璃層，并在所述第一面進(jìn)行SiNx鈍化。

其中，還包括：

步驟12，對完成第二面鈍化和第一面鈍化的N型硅片進(jìn)行雙面絲網(wǎng)印刷。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的N型雙面電池的制備方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供的N型雙面電池的制備方法，包括：

步驟1，對堿制絨后的N型硅片進(jìn)行濕氧氧化，形成雙面氧化硅層；

步驟2，對所述N型硅片的第一面均勻旋涂光刻膠層；

步驟3，去除所述N型硅片的第二面的氧化硅層；

步驟4，去除所述N型硅片的第一面表面的光刻膠層；

步驟5，對所述N型硅片的第二面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成硼硅玻璃層；

步驟6，對所述N型硅片的第二面旋涂光刻膠層；

步驟7，去除所述N型硅片的第一面的氧化硅層；

步驟8，去除所述N型硅片的第二面表面的光刻膠層；

步驟9，對所述N型硅片的第二面進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成磷硅玻璃。

所述N型雙面電池的制備方法，通過在制絨后進(jìn)行濕氧氧化，在表面形成氧化硅作為掩膜，然后在進(jìn)行單面涂光刻膠后，將另一面的氧化硅腐蝕掉，進(jìn)行硼擴(kuò)散，同樣的方法，將另一面進(jìn)行磷擴(kuò)散。在此過程中將濕氧氧化和光刻膠結(jié)合，兩面輪流進(jìn)行擴(kuò)散，無需刻蝕設(shè)備，還能保留兩面絨面的完整。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的N型雙面電池的制備方法的一種具體實(shí)施方式步驟流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的N型雙面電池的制備方法的另一種具體實(shí)施方式步驟流程示意圖。

具體實(shí)施方式

正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有的N型雙面電池的制作方法的難點(diǎn)是：如何把兩次擴(kuò)散結(jié)合起來，且彼此沒有影響。

基于此，本發(fā)明實(shí)施例所提供了一種N型雙面電池的制備方法，包括：

步驟1，對堿制絨后的N型硅片進(jìn)行濕氧氧化，形成雙面氧化硅層；

步驟2，對所述N型硅片的第一面均勻旋涂光刻膠層；

步驟3，去除所述N型硅片的第二面的氧化硅層；

步驟4，去除所述N型硅片的第一面表面的光刻膠層；

步驟5，對所述N型硅片的第二面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成硼硅玻璃層；

步驟6，對所述N型硅片的第二面旋涂光刻膠層；

步驟7，去除所述N型硅片的第一面的氧化硅層；

步驟8，去除所述N型硅片的第二面表面的光刻膠層；

步驟9，對所述N型硅片的第二面進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成磷硅玻璃。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的N型雙面電池的制備方法，通過在制絨后進(jìn)行濕氧氧化，在表面形成氧化硅作為掩膜，然后在進(jìn)行單面涂光刻膠后，將另一面的氧化硅腐蝕掉，進(jìn)行硼擴(kuò)散，同樣的方法，將另一面進(jìn)行磷擴(kuò)散。在此過程中將濕氧氧化和光刻膠結(jié)合，兩面輪流進(jìn)行擴(kuò)散，無需刻蝕設(shè)備，還能保留兩面絨面的完整。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。

在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。

請參考圖1-2，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的N型雙面電池的制備方法的一種具體實(shí)施方式的步驟流程示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的N型雙面電池的制備方法的另一種具體實(shí)施方式的步驟流程示意圖。

在一種具體實(shí)施方式中，所述N型雙面電池的制備方法，包括：

步驟1，對堿制絨后的N型硅片進(jìn)行濕氧氧化，形成雙面氧化硅層；

步驟2，對所述N型硅片的第一面均勻旋涂光刻膠層；

步驟3，去除所述N型硅片的第二面的氧化硅層；

步驟4，去除所述N型硅片的第一面表面的光刻膠層；

步驟5，對所述N型硅片的第二面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成硼硅玻璃層；

步驟6，對所述N型硅片的第二面旋涂光刻膠層；

步驟7，去除所述N型硅片的第一面的氧化硅層；

步驟8，去除所述N型硅片的第二面表面的光刻膠層；

步驟9，對所述N型硅片的第一面進(jìn)行磷擴(kuò)散，形成磷硅玻璃層。

所述N型雙面電池的制備方法，通過在制絨后進(jìn)行濕氧氧化，在表面形成氧化硅作為掩膜，然后在進(jìn)行單面涂光刻膠后，將另一面的氧化硅腐蝕掉，進(jìn)行硼擴(kuò)散，同樣的方法，將另一面進(jìn)行磷擴(kuò)散。在此過程中將濕氧氧化和光刻膠結(jié)合，兩面輪流進(jìn)行擴(kuò)散，無需刻蝕設(shè)備，還能保留兩面絨面的完整。

在本發(fā)明中，通過在N型硅片的第二面進(jìn)行硼擴(kuò)散形成的硼硅玻璃(BSG)，可以作為磷擴(kuò)散的阻擋層，當(dāng)然如果是先在N型硅片的第一面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成磷硅玻璃(PSG)，可以作為硼擴(kuò)散的阻擋層。

需要說明的是，本發(fā)明對硼擴(kuò)散或磷擴(kuò)散的順序不做限定，可以是如上述先進(jìn)行硼擴(kuò)散，即將磷擴(kuò)散的一面先涂抹光刻膠保護(hù)起來，也可以先進(jìn)行磷擴(kuò)散，將硼擴(kuò)散的一面涂抹光刻膠保護(hù)起來。

而光刻膠的涂抹以及濕氧氧化都是半導(dǎo)體工藝中非常普通的工藝，對設(shè)備的要求非常低。

在本發(fā)明中氧化硅的作用就是相當(dāng)于一層掩膜，使得在另一面進(jìn)行磷擴(kuò)散或硼擴(kuò)散時，不影響具有氧化硅的這一面因此對其厚度不做具體限定，所述氧化硅層的厚度一般為80nm～120nm，這樣氧化硅的厚度很薄，濕氧氧化的時間可以縮短，后續(xù)的氫氟酸腐蝕過程時間也可以縮短，對硅片的破壞也越小，保留制絨面的完整性也越好。

去除所述N型硅片的第二面的氧化硅層或所述去除所述N型硅片的第一面的氧化硅層為使用10％的氫氟酸浸泡40s～60s去除氧化硅層。

所述去除所述N型硅片的第一面表面的光刻膠層或所述去除所述N型硅片的第二面表面的光刻膠層為使用1％的NaCO3溶液在50℃下浸泡1min～2min去除光刻膠層。

當(dāng)然，去除氧化硅層和去除光刻膠層還可以使用其它的溶液，本發(fā)明對此不做具體限定。

由于光刻膠的作用相對于氧化硅層來說，也相當(dāng)于一層掩膜，只要光刻膠在去除另一面的氧化硅層的過程中不被破壞即可，并沒有實(shí)際進(jìn)行光刻，光刻膠可以是正膠，也可以是負(fù)膠。

在完成磷擴(kuò)散和硼擴(kuò)散之后，就是設(shè)置鈍化層，然后制作電極。

制作鈍化層的過程如下：

步驟10，去除所述硼硅玻璃層，并在所述第二面進(jìn)行AlOx、SiNx鈍化；

步驟11，去除所述磷硅玻璃層，并在所述第一面進(jìn)行SiNx鈍化。

當(dāng)然，具體是先在第二面沉積氧化層，還是在第一面沉積氧化層，本發(fā)明對此不做具體限定，而對于具體沉積那些類型和厚度的鈍化層，本發(fā)明也不做具體限定，可以根據(jù)實(shí)際的需求設(shè)定。

在完成鈍化層的制作之后就是，電極的制作，具體過程如下:

步驟12，對完成第二面鈍化和第一面鈍化的N型硅片進(jìn)行雙面絲網(wǎng)印刷。

需要指出的是，本發(fā)明對N型硅片的正面電極、背面電極的形狀、厚度以及電極類型不做具體限定。

當(dāng)然，在制作電極之前，一般還會在鈍化層上開窗口，使得制作后的電極與擴(kuò)散層連接，具體的過程處，本發(fā)明在此不做具體限定。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的N型雙面電池的制備方法，通過在制絨后進(jìn)行濕氧氧化，在表面形成氧化硅作為掩膜，然后在進(jìn)行單面涂光刻膠后，將另一面的氧化硅腐蝕掉，進(jìn)行硼擴(kuò)散，同樣的方法，將另一面進(jìn)行磷擴(kuò)散。在此過程中將濕氧氧化和光刻膠結(jié)合，兩面輪流進(jìn)行擴(kuò)散，無需刻蝕設(shè)備，還能保留兩面絨面的完整。

以上對本發(fā)明所提供的N型雙面電池的制備方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹。本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。