本發(fā)明屬于LED封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種LED封裝用耐硫化耐UV涂層及其制備方法。
背景技術(shù)：
：LED目前所用封裝材料有環(huán)氧樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、玻璃、有機(jī)硅等高透明材料，其中環(huán)氧樹脂與有機(jī)硅材料作為主要的封裝材料，環(huán)氧樹脂內(nèi)應(yīng)力過(guò)大，黃變、耐高低溫性能差，耐老化性能差；而有機(jī)硅材料內(nèi)應(yīng)力小，耐高低溫性能好，不黃變，透光率也高于環(huán)氧樹脂，因此有機(jī)硅材料取代環(huán)氧樹脂，被廣泛用于LED封裝領(lǐng)域。但是有機(jī)硅材料，特別是低折射率有機(jī)硅材料，因其低交聯(lián)密度導(dǎo)致透氧透濕，在含硫氣體作用下，會(huì)部分穿透封裝材料，在銀層與硅膠界面無(wú)粘接性，易生成硫化銀，導(dǎo)致銀層發(fā)黑。另外，有機(jī)硅材料在經(jīng)過(guò)UV照射后，光通量迅速下降。因此制備高致密、耐硫化耐UV涂層迫在眉睫。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種LED封裝用耐硫化耐UV涂層及其制備方法。本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：一種LED封裝用耐硫化耐UV涂層，包括20-25重量份的全氫聚硅氮烷和75-80重量份的溶劑；其中，所述的全氫聚硅氮烷結(jié)構(gòu)式為所述的溶劑為四氫呋喃、乙醚或乙酸甲酯。上述LED封裝用耐硫化耐UV涂層的制備方法，步驟如下：(1)將20-25重量份的全氫聚硅氮烷溶解于75-80重量份的溶劑中，混合均勻；(2)將步驟(1)的混合物采用噴涂的方式噴涂至芯片表面,采用UV與加熱的方式分階段固化，控制UV固化時(shí)間為60秒，控制加熱溫度為100-120℃、加熱時(shí)間為60秒；(3)去除多余涂層材料，再點(diǎn)上LED封裝膠，加熱成型。本發(fā)明的LED封裝用耐硫化耐UV涂層的固化機(jī)理為：其中，n＝20-30。本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的全氫聚硅氮烷溶解于溶劑中，采用UV與加熱的方式后，在芯片表面形成一層致密的二氧化硅排列結(jié)構(gòu)，使得芯片的耐硫化和耐UV性能得到大大改善，光通量大大提高。具體實(shí)施方式以下結(jié)合實(shí)例對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明實(shí)施例的耐硫化耐UV性能測(cè)試方法為：取固化后成品10pcs測(cè)試光通量作為初始數(shù)據(jù)，用雙面膠貼在保鮮盒盒蓋上，支架膠面朝下，取尺寸為10cm*10cm*5cm的保鮮盒，將雙面膠一側(cè)貼在保鮮盒盒蓋內(nèi)側(cè)，另一側(cè)粘貼膠面。在保鮮盒內(nèi)加入硫粉2g，硫粉均勻鋪在盒子底部且成粉狀而非塊狀，將盒蓋蓋在盒體上，使保鮮盒密封。將保鮮盒置于80℃烘箱中,8h后取出；再將樣品放入U(xiǎn)V老化箱中，溫度為50℃，波長(zhǎng)280-400nm，放置24h后取出，測(cè)試光通量，計(jì)算光衰。實(shí)施例1將25份全氫聚硅氮烷溶解于75份無(wú)水乙醚中，混合均勻后，采用噴涂的方式噴涂至芯片表面,采用UV與加熱的方式分階段固化，UV固化時(shí)間為60秒，加熱溫度為100℃，加熱時(shí)間為60秒。清除去多余涂層材料，再點(diǎn)上LED封裝膠，加熱成型，測(cè)試耐硫化耐UV性能。實(shí)施例2將23份全氫聚硅氮烷溶解于77份無(wú)水四氫呋喃中，混合均勻后，采用噴涂的方式噴涂至芯片表面,采用UV與加熱的方式分階段固化，UV固化時(shí)間為60秒，加熱溫度為110℃，加熱時(shí)間為60秒。清除去多余涂層材料，再點(diǎn)上LED封裝膠，加熱成型，測(cè)試耐硫化耐UV性能。實(shí)施例3將20份全氫聚硅氮烷溶解于80份無(wú)水乙酸甲酯中，混合均勻后，采用噴涂的方式噴涂至芯片表面,采用UV與加熱的方式分階段固化，UV固化時(shí)間為60秒，加熱溫度為115℃，加熱時(shí)間為60秒。清除去多余涂層材料，再點(diǎn)上LED封裝膠，加熱成型，測(cè)試耐硫化耐UV性能。實(shí)施例4將21份全氫聚硅氮烷溶解于79份無(wú)水四氫呋喃中，混合均勻后，采用噴涂的方式噴涂至芯片表面,采用UV與加熱的方式分階段固化，UV固化時(shí)間為60秒，加熱溫度為120℃，加熱時(shí)間為60秒。清除去多余涂層材料，再點(diǎn)上LED封裝膠，加熱成型，測(cè)試耐硫化耐UV性能。實(shí)施例5將22份全氫聚硅氮烷溶解于78份無(wú)水乙酸甲酯中，混合均勻后，采用噴涂的方式噴涂至芯片表面,采用UV與加熱的方式分階段固化，UV固化時(shí)間為60秒，加熱溫度為105℃，加熱時(shí)間為60秒。清除去多余涂層材料，再點(diǎn)上LED封裝膠，加熱成型，測(cè)試耐硫化耐UV性能。實(shí)施例6將25份全氫聚硅氮烷溶解于75份無(wú)水乙醚中，混合均勻后，采用噴涂的方式噴涂至芯片表面,采用UV與加熱的方式分階段固化，UV固化時(shí)間為60秒，加熱溫度為120℃，加熱時(shí)間為60秒。清除去多余涂層材料，再點(diǎn)上LED封裝膠，加熱成型，測(cè)試耐硫化耐UV性能。表1為采用實(shí)施例1-6制得的涂層與未采用本發(fā)明涂層的光通量數(shù)據(jù)對(duì)照。表1未采用涂層實(shí)施例涂層實(shí)施例188.2％99.5％實(shí)施例288.1％99.1％實(shí)施例388.3％99.0％實(shí)施例488.0％99.1％實(shí)施例588.4％99.2％實(shí)施例688.4％99.4％由表1可以看出，采用本發(fā)明實(shí)施例制得的涂層，其光通量得到大大提高。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3