本發(fā)明涉及存儲盤技術(shù)領(lǐng)域，具體的說是涉及一種同基板兼容多種接口的多層疊加存儲盤及其封裝工藝。

背景技術(shù)：

隨者電子產(chǎn)品的逐漸普及，伴隨產(chǎn)品搭配運用的存儲卡，其制造技術(shù)除了在儲存容量上有大幅的提升之外，也在實用性方面有顯著改善，卡片本身即提供了更佳的兼容性讓消費者于實際運用時更為方便。

存儲盤適用于USB標準接口，存儲盤上設(shè)有可與USB標準接口電連接的USB金手指。一般的存儲盤為了對USB金手指進行保護，通常設(shè)有外殼及密封外殼的外蓋，外蓋可將USB金手指收容其內(nèi)。使用存儲盤的時候，打開外蓋，露出USB金手指，不使用時，則蓋上外蓋。

存儲盤，全稱USB閃存盤，它是一種使用USB接口的無需物理驅(qū)動器的微型高容量移動存儲產(chǎn)品，通過USB接口與電腦連接，實現(xiàn)即插即用，目前，市場上的存儲盤種類多樣，功能不一，但攜帶方式過于普通、單一，便攜性不強。因此，傳統(tǒng)的存儲盤插口需要改進，不再使用USB插口，而且，封裝結(jié)構(gòu)也作了進一步的改進。

USB接頭是常用的電子器件，但是傳統(tǒng)的USBType-C接頭存在如下的不足：

1、傳統(tǒng)USBType-C接頭貼裝工藝復雜，組裝工序多，成本較高；

2、傳統(tǒng)USBType-C接頭兼容性差；

3、傳統(tǒng)的USBType-C接頭的屏蔽殼由五金件彎折后焊接而成，使得USBType-C接頭厚度較厚，不能滿足用戶追求體積更小及超薄的要求。

另外，芯片堆疊技術(shù)可讓兩芯片更為靠近，由此實現(xiàn)兩芯片間更快數(shù)據(jù)傳輸及消耗較少的能量。存儲芯片可堆疊一起，以獲得具有更大儲存空間的存儲盤模塊。傳統(tǒng)上，施加在存儲盤芯片堆疊中的信號是流經(jīng)導線(wires)，長導線會造成信號延遲，且會占據(jù)較多的空間，導致制作出大的存儲盤芯片堆疊。

因此，需要一種Type C高速公頭的存儲盤來解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供了一種同基板兼容多種接口的多層疊加存儲盤及其封裝工藝。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明通過以下方案來實現(xiàn)：一種同基板兼容多種接口的多層疊加存儲盤，該存儲盤包括TypeC高速公頭、與TypeC高速公頭連接的封裝體及置于封裝體內(nèi)部的層疊式存儲盤體；

所述TypeC高速公頭包括9 pin的端子、焊盤、上蓋、下蓋，所述上蓋與下蓋的蓋合面設(shè)置有端子槽，所述端子固定在端子槽內(nèi)，所述焊盤為10pin焊盤，該焊盤上設(shè)置有偵測電阻，所述上蓋與下蓋蓋合后，封裝于外殼與帶有前蓋的主體組成的腔體內(nèi)，所述9 pin的端子電性連接10pin焊盤；

所述封裝體包括基板、存儲單元、電子元器件、MCU處理芯片、封裝接口，所述封裝接口連接TypeC高速公頭接口；所述存儲單元置于基板內(nèi)部底面，在其周圍及其上部使用封裝膠填充，其引腳露出于封裝膠外部，在固化后的封裝膠上表面設(shè)置有一層PCB電路板；所述存儲單元通過電路連接MCU處理芯片，所述MCU處理芯片連接電子元器件及TypeC高速公頭接口內(nèi)端的金手指；所述MCU處理芯片、電子元件設(shè)置在PCB電路板上；所述基板上部區(qū)域填充封裝膠，使封裝膠覆蓋整個基板內(nèi)腔，待封裝膠固化后，使用蓋板進行密封；

所述層疊式存儲盤體包括：PCB電路板、芯片晶元層、墊片，所述芯片晶元層設(shè)置在PCB電路板表面，它分為兩部分，每個部分都是由多個晶元層呈階梯式層疊在一起，其中下部分晶元層與PCB電路板接觸，上部分晶元層置于下部分晶元層上表面右側(cè)區(qū)域，上部分晶元層與下部分晶元層呈反向放置，右側(cè)部分與所述PCB電路板之間形成間隙；所述墊片置于所述上部分晶元層與所述PCB電路板之間的間隙處。

進一步的，所述9 pin的端子包括按順序排列的RX2-端子、RX2+端子、VBUS端子、D-端子、D+端子、CC端子、TX1-端子、TX1+端子、GND端子；

其中，所述TX1-端子、TX1+端子除焊接部分的金屬體外，其余金屬體置于其余端子的下層，所述TX1-端子、TX1+端子外接舌部分別置于RX2+端子、VBUS端子的外接舌部下方且彎部背向；

所述TX1-端子、TX1+端子呈Z型，其轉(zhuǎn)角處倒圓角；

所述上蓋與下蓋之間設(shè)置有墊塊；

所述外殼的端面為腰圓狀；

所述主體為一體結(jié)構(gòu)，其前蓋兩側(cè)設(shè)置有兩個L型邊耳，在外殼腔內(nèi)的主體部分前端兩側(cè)，設(shè)置有兩個卡腳；

所述外殼前端口部的左右內(nèi)側(cè)面分別設(shè)置有膠芯隔板層。

進一步的，所述基板的長度為8~15mm；

所述基板的規(guī)格包括：

11.3mm*24.8mm；

11.3mm*15mm；

11.3mm*10mm。

進一步的，所述墊片的上下表面分別與所述上部分晶元層下表面、所述PCB電路板上表面接觸；

所述PCB電路板上表面設(shè)置有基板層金手指，基板層金手指設(shè)置有兩處，分居于芯片晶元層兩邊；芯片晶元層的每個晶元層設(shè)置有晶元層金手指，晶元層金手指設(shè)置在晶元層的階梯處，每個相鄰的晶元層金手指通過金線連接；基板層金手指通過金線連接晶元層金手指，其中，左側(cè)的基板層金手指連接在最底部的下部分晶元層上的晶元層金手指，右側(cè)的基板層金手指連接在最底部的上部分晶元層上的晶元層金手指。

一種同基板兼容多種接口的多層疊加存儲盤的封裝工藝，該封裝工藝如下：

1）、取8mm、10mm、15mm中的任一長度的基板；

2）、在基板內(nèi)部底面鋪一較淺層的封裝膠，其厚度不要超過存儲單元的厚度；

3）、將存儲單元 置于淺層封裝膠處，使其引腳朝上；

4）、填充封裝膠，使膠水覆蓋存儲單元，但其高度不超過存儲單元上的引腳；

5）、PCB電路板上焊接好處理芯片、電子元件；

6）、待封裝膠固化后，在其上表面固定PCB電路板，使存儲單元引腳與PCB電路板連接；

7）、PCB電路板與金手指連接，金手指連接TypeC高速公頭接口。

8）、在基板內(nèi)腔填充滿封裝膠；

9）、待封裝膠固化后，蓋上蓋板，形成密封結(jié)構(gòu)。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果是：

1.本發(fā)明typeC公頭 SMT貼片焊接式 9pin含9pin以上，為滿足USB3.1快速傳輸要求之最少pin數(shù)設(shè)計方便貼裝，節(jié)約成本。

2.使用本發(fā)明typeC公頭對應到之線路板設(shè)計為10pin焊盤，可同時兼容USB 9pin公頭、TypeC、MicroUSB OTG、蘋果Lighting 公頭貼裝使用。

3.本發(fā)明COB封裝制程存儲體上使用10pin焊盤設(shè)計時，并將TypeC協(xié)會定義或業(yè)界標準之偵測電阻放置于10pin焊盤之上。辨識用偵測電阻利用10pin 焊盤中固定連接，不限定于焊盤內(nèi)任何位置。藉此固定電阻的基板同時可支持USB 9pin公頭、MicroUSB OTG、TypeC、蘋果接頭、Lighting轉(zhuǎn)接器等兼容共用。

4.本發(fā)明將晶元層設(shè)置成階梯式層疊在一起，使金手指之間的連接距離變短，減少信號損耗，同時也可以節(jié)約成本。

5.本發(fā)明將存儲盤接口改成TypeC高速公頭接口，同時封裝結(jié)構(gòu)改變，使存儲器與處理芯片、電子元件分成上下兩層，使整個存儲盤結(jié)構(gòu)寬度縮小，便于攜帶，而且封裝采用兩次封裝膠填充，使內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)更為穩(wěn)定，TypeC高速公頭接口相對于傳統(tǒng)的USB接口要小很多，因此，本發(fā)明存儲盤結(jié)構(gòu)小巧，更易攜帶。

附圖說明

圖1為本發(fā)明9 pin的端子正向示意圖；

圖2為本發(fā)明9 pin的端子反向示意圖；

圖3為本發(fā)明9 pin的端子安裝于上下蓋后示意圖；

圖4為本發(fā)明TypeC高速公頭立體圖；

圖5為本發(fā)明TypeC高速公頭俯視剖視圖；

圖6為本發(fā)明TypeC高速公頭側(cè)向剖視圖；

圖7為本發(fā)明TypeC高速公頭與外部線體連接示意圖；

圖8為本發(fā)明存儲盤封裝前俯視圖；

圖9為本發(fā)明存儲盤封裝前側(cè)向剖視圖。

圖10為本發(fā)明層疊式封裝結(jié)構(gòu)側(cè)邊截面圖。

圖11為圖10的左側(cè)放大圖；

圖12為圖10的右側(cè)放大圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

請參照附圖1~12，本發(fā)明的一種同基板兼容多種接口的多層疊加存儲盤，該存儲盤包括TypeC高速公頭、與TypeC高速公頭連接的封裝體及置于封裝體內(nèi)部的層疊式存儲盤體；所述TypeC高速公頭包括9 pin的端子101、焊盤、上蓋102、下蓋103，所述上蓋102與下蓋103的蓋合面設(shè)置有端子槽，所述端子101固定在端子槽內(nèi)，所述焊盤為10pin焊盤，該焊盤上設(shè)置有偵測電阻，所述上蓋102與下蓋103蓋合后，封裝于外殼104與帶有前蓋的主體105組成的腔體內(nèi)，所述9 pin的端子101電性連接10pin焊盤；所述封裝體包括基板501、存儲單元601、電子元器件301、MCU處理芯片401、封裝接口，所述封裝接口連接TypeC高速公頭接口；所述存儲單元601置于基板501內(nèi)部底面，在其周圍及其上部使用封裝膠填充，其引腳露出于封裝膠外部，在固化后的封裝膠上表面設(shè)置有一層PCB電路板1001；所述存儲單元601通過電路連接MCU處理芯片401，所述MCU處理芯片401連接電子元器件301及TypeC高速公頭接口內(nèi)端的金手指201；所述MCU處理芯片401、電子元件301設(shè)置在PCB電路板1001上；所述基板501上部區(qū)域填充封裝膠，使封裝膠覆蓋整個基板501內(nèi)腔，待封裝膠固化后，使用蓋板進行密封；所述層疊式存儲盤體包括：PCB電路板1001、芯片晶元層602、墊片603，所述芯片晶元層602設(shè)置在PCB電路板1001表面，它分為兩部分，每個部分都是由多個晶元層呈階梯式層疊在一起，其中下部分晶元層與PCB電路板1001接觸，上部分晶元層置于下部分晶元層上表面右側(cè)區(qū)域，上部分晶元層與下部分晶元層呈反向放置，右側(cè)部分與所述PCB電路板1001之間形成間隙；所述墊片603置于所述上部分晶元層與所述PCB電路板1001之間的間隙處。

所述9 pin的端子101包括按順序排列的RX2-端子8、RX2+端子9、VBUS端子1、D-端子2、D+端子3、CC端子4、TX1-端子6、TX1+端子7、GND端子5；

其中，所述TX1-端子6、TX1+端子7除焊接部分的金屬體外，其余金屬體置于其余端子的下層，所述TX1-端子6、TX1+端子7外接舌部分別置于RX2+端子9、VBUS端子1的外接舌部下方且彎部背向；

所述TX1-端子6、TX1+端子7呈Z型，其轉(zhuǎn)角處倒圓角；

所述上蓋102與下蓋103之間設(shè)置有墊塊107；

所述外殼104的端面為腰圓狀；

所述主體105為一體結(jié)構(gòu)，其前蓋兩側(cè)設(shè)置有兩個L型邊耳，在外殼104腔內(nèi)的主體部分前端兩側(cè)，設(shè)置有兩個卡腳；

所述外殼104前端口部的左右內(nèi)側(cè)面分別設(shè)置有膠芯隔板層106。

所述基板501的長度為8~15mm；

所述基板501的規(guī)格包括：

11.3mm*24.8mm；

11.3mm*15mm；

11.3mm*10mm。

所述墊片603的上下表面分別與所述上部分晶元層下表面、所述PCB電路板1001上表面接觸；

所述PCB電路板1001上表面設(shè)置有基板層金手指604，基板層金手指604設(shè)置有兩處，分居于芯片晶元層602兩邊；芯片晶元層602的每個晶元層設(shè)置有晶元層金手指606，晶元層金手指606設(shè)置在晶元層的階梯處，每個相鄰的晶元層金手指606通過金線605連接；基板層金手指604通過金線連接晶元層金手指606，其中，左側(cè)的基板層金手指604連接在最底部的下部分晶元層上的晶元層金手指606，右側(cè)的基板層金手指604連接在最底部的上部分晶元層上的晶元層金手指606。

一種以權(quán)利要求1~4任意一項所述的帶有Type C高速公頭的存儲盤封裝工藝，該封裝工藝如下：

1、取8mm、10mm、15mm中的任一長度的基板501；

2、在基板501內(nèi)部底面鋪一較淺層的封裝膠，其厚度不要超過存儲單元601的厚度；

3、將存儲單元601 置于淺層封裝膠處，使其引腳朝上；

4、填充封裝膠，使膠水覆蓋存儲單元601，但其高度不超過存儲單元601上的引腳；

5、PCB電路板1001上焊接好處理芯片、電子元件；

6、待封裝膠固化后，在其上表面固定PCB電路板，使存儲單元601引腳與PCB電路板1001連接；

7、PCB電路板1001與金手指連接，金手指連接TypeC高速公頭接口。

8、在基板501內(nèi)腔填充滿封裝膠；

9、待封裝膠固化后，蓋上蓋板，形成密封結(jié)構(gòu)。

按照上述結(jié)構(gòu)所設(shè)計的存儲盤芯片封裝結(jié)構(gòu)制作成本低，本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)將晶元層設(shè)置成階梯式層疊在一起，與基板設(shè)計使金手指之間的連接距離變短，減少信號損耗，同時也可以節(jié)約成本。

本發(fā)明存儲盤結(jié)構(gòu)小巧，更易攜帶。

本發(fā)明含有TypeC的偵測電阻10PIN基板設(shè)計，藉此固定電阻的基板同時可支持USB 9pin公頭、MicroUSB OTG、TypeC、蘋果接、Lighting轉(zhuǎn)接器等兼容共用。本發(fā)明可同時兼容USB 9pin公頭、 TypeC、MicroUSB OTG、蘋果Lighting 公頭貼裝使用。本發(fā)明typeC公頭 SMT貼片焊接式 9pin含9pin以上，為滿足USB3.1快速傳輸要求之最少pin數(shù)設(shè)計，方便貼裝、節(jié)約成本。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。