技術總結
本發(fā)明涉及一種通過硅片自旋轉及振蕩機構改善蝕刻率的測試方法，包括以下步驟：1)將蝕刻制程槽補液到規(guī)定液位，進行制程槽化學液加熱，加熱時保證化學液在循環(huán)管路上利用石英在線式加熱器進行加熱；2)從25片硅片中隨機抽取6片，在每一片上標記13個測試點，測量蝕刻前的厚度；將測試片分別置于上貨區(qū)，自動機械手臂夾取至蝕刻制程槽，蝕刻后移至DI清洗槽；3)在原先標記的13個測試點測試硅片厚度，得硅片被蝕刻掉的厚度，計算得到每一點的蝕刻速率，從而計算得到每一片硅片的蝕刻均勻性，進而計算6片測試片的蝕刻均勻性；本發(fā)明對蝕刻均勻性有比較明顯的改善，并且不同的上下振蕩速率及硅片旋轉速率對蝕刻均勻性有比較明顯的影響。

技術研發(fā)人員：趙晗;江獻茂
受保護的技術使用者：冠禮控制科技（上海）有限公司
文檔號碼：201610821134
技術研發(fā)日：2016.09.13
技術公布日：2017.01.04