技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體及微電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種制備高遷移率氧化銦薄膜晶體管的低溫溶液方法。包括如下步驟：稱取可溶性的銦鹽，量取溶劑，配置濃度為0.01?0.5摩爾/升的氧化銦前驅(qū)體溶液，經(jīng)過0.1?3小時的磁力攪拌和超聲分散形成澄清透明的氧化銦前驅(qū)體溶液；制備氧化銦薄膜：將氧化銦前驅(qū)體溶液涂覆到預(yù)先涂有介電層/柵極薄膜的襯底上形成氧化銦前驅(qū)體薄膜，進(jìn)行50?150?℃的預(yù)熱處理，然后經(jīng)過一定功率、時間和溫度的光波退火，根據(jù)氧化銦薄膜的厚度要求可多次涂覆前驅(qū)體氧化銦溶液并退火處理，即得到氧化銦透明半導(dǎo)體薄膜。在氧化銦透明半導(dǎo)體薄膜上沉積源漏電極，即得到氧化銦薄膜晶體管。本發(fā)明所得氧化銦薄膜晶體管性能高，在信息電子領(lǐng)域有重要應(yīng)用前景。通過本發(fā)明的工藝可以避免通常的高溫溶液工藝、工藝周期長或昂貴設(shè)備等，成本低，適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：夏國棟;王素梅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：齊魯工業(yè)大學(xué)
文檔號碼：201610821768
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.14
技術(shù)公布日：2017.01.11