技術(shù)總結(jié)
一種隱形切割制備倒梯形臺狀襯底的LED芯片的方法，包括：在襯底的正面生長外延層，并形成多個LED單元；將所述襯底減?。粚⒓す饨裹c(diǎn)聚焦在襯底的內(nèi)部，切割，形成第一道改質(zhì)層及第二道改質(zhì)層；使形成的跑道左向及右向多道改質(zhì)層位于跑道左側(cè)及右側(cè)的同一斜面內(nèi)，形成基片；將基片背面粘在藍(lán)膜上，置于裂片機(jī)上；將劈刀對準(zhǔn)跑道中線進(jìn)行裂片；其中Δx是激光焦點(diǎn)沿水平方向移動的單位距離，Δz是激光焦點(diǎn)沿豎直方向移動的單位距離。本發(fā)明具有工藝簡單及效率高的優(yōu)點(diǎn)，可有效提高LED的光提取效率。

技術(shù)研發(fā)人員：郭亞楠;曹峻松;謝海忠;張韻;王軍喜;李晉閩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心
文檔號碼：201610825825
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.14
技術(shù)公布日：2017.01.11