本發(fā)明涉及將晶片沿著分割預定線分割成各個芯片的分割裝置以及晶片的分割方法。

背景技術(shù)：

近年來，公知使晶片的分割預定線的線寬度變窄而使從1張晶片獲取芯片的量變多的方法(例如，參照專利文獻1)。在專利文獻1記載的晶片的分割方法中，照射對于晶片具有透過性的激光束而在晶片內(nèi)部形成沿著分割預定線的改質(zhì)層。之后，通過擴展裝置等對粘貼在環(huán)狀框架上的帶進行擴張，由此，對粘貼在該帶的上表面的晶片施加外力，并以改質(zhì)層為分割起點將晶片分割成各個芯片。

雖然芯片間隔因帶的擴張而擴大，但當使帶的擴張解除時，存在如下的可能性：在薄板上產(chǎn)生大的褶皺(松弛)從而相鄰的芯片彼此接觸而破損。因此，提出了如下的方法(例如，參照專利文獻2)：對晶片的外周與環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的帶進行加熱而使其熱收縮，由此，維持芯片間隔。并且，提出了如下的方法(例如，參照專利文獻3)：對在晶片的周圍產(chǎn)生的帶的褶皺進行把持而進行熱壓接，由此，將褶皺從帶去除。

專利文獻1：日本特開2005-129607號公報

專利文獻2：日本特開2002-334852號公報

專利文獻3：日本特開2013-239557號公報

但是，由于當將帶粘接在環(huán)狀框架上時，在帶的一個方向上施加有張力，所以在與張力所施加的一個方向垂直的其他方向上，帶的隔著晶片的對置位置容易變?yōu)樵趶较蛏纤沙诘鸟薨?。在該情況下，在專利文獻2的方法中，由于對晶片的外周與環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的帶進行均勻地加熱，所以不能充分地將褶皺從帶去除。在專利文獻3的方法中，需要用于將帶熱壓接在周向整個范圍內(nèi)的構(gòu)造，裝置結(jié)構(gòu)變得復雜。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于該點而完成的，其目的在于提供分割裝置以及晶片的分割方法，利用簡易的裝置機構(gòu)將褶皺從帶去除而適當?shù)鼐S持芯片間隔。

本發(fā)明的分割裝置，對工件套件的帶進行拉伸而使晶片在分割起點分割從而得到芯片，在該工件套件中，以封住環(huán)狀框架的開口部的方式粘接了具有熱收縮性的所述帶，并在該開口部的該帶上粘接了沿著分割預定線形成有所述分割起點的晶片，其中，該分割裝置具有：保持工作臺，其隔著該工件套件的該帶對晶片進行吸引保持；環(huán)狀框架保持部，其對該工件套件的該環(huán)狀框架進行保持；一對加熱器，它們對該工件套件的晶片的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的環(huán)狀的該帶的規(guī)定的部位進行加熱，并以晶片的中心為中心而對置配設；旋轉(zhuǎn)單元，其使該一對加熱器以晶片的中心為軸而旋轉(zhuǎn)；以及升降單元，其使該保持工作臺與該環(huán)狀框架保持部相對地進行上下動作，在該工件套件被該保持工作臺和該環(huán)狀框架保持部保持的狀態(tài)下，利用該升降單元使該保持工作臺向上升方向、該環(huán)狀框架保持部向下降方向相對地移動，而使該保持工作臺與該環(huán)狀框架保持部分離，從而對該帶進行拉伸而將晶片在該分割起點分割，在圓周方向或徑向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域?qū)υ摷訜崞麽槍耐庵芘c該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該環(huán)狀的該帶的加熱范圍進行加熱，使該帶按照該規(guī)定的加熱區(qū)域熱收縮而使該芯片分離。

本發(fā)明的晶片的分割方法使用了如下的分割裝置，該分割裝置對工件套件的帶進行拉伸而使晶片在分割起點分割從而得到芯片，在該工件套件中，以封住環(huán)狀框架的開口部的方式粘接了具有熱收縮性的所述帶，并在該開口部的該帶上粘接了沿著分割預定線形成有所述分割起點的晶片，該分割裝置具有：保持工作臺，其隔著該工件套件的該帶對晶片進行吸引保持；環(huán)狀框架保持部，其對該工件套件的該環(huán)狀框架進行保持；加熱器，其對該工件套件的晶片的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的環(huán)狀的該帶的規(guī)定的部位進行加熱；旋轉(zhuǎn)單元，其使該加熱器以晶片的中心為軸而旋轉(zhuǎn)；以及升降單元，其使該保持工作臺與該環(huán)狀框架保持部相對地進行上下動作，其中，該晶片的分割方法包含如下的工序：保持工序，利用該保持工作臺和該環(huán)狀框架保持部對該工件套件進行保持；分割工序，在該保持工序之后，利用該升降單元使該保持工作臺向上升方向、該環(huán)狀框架保持部向下降方向相對地移動，而使該保持工作臺與該環(huán)狀框架保持部分離，從而對該帶進行拉伸而將晶片在該分割起點分割；以及芯片分離工序，在該分割工序之后，在圓周方向或徑向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域?qū)υ摷訜崞麽槍耐庵芘c該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該環(huán)狀的該帶的加熱范圍進行加熱，使該帶熱收縮而使該芯片分離。

根據(jù)這些結(jié)構(gòu)，通過保持工作臺與環(huán)狀框架保持部的分離對帶進行拉伸，由此，晶片在分割起點被分割而分離成芯片。并且，當使帶的張力解除時，在晶片的外周與環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶上產(chǎn)生褶皺。此時，在圓周方向或徑向上以規(guī)定的加熱區(qū)域?qū)訜崞麽槍У募訜岱秶M行加熱。因此，與對環(huán)狀的帶整體進行均勻地加熱的情況相比，不會在帶上殘留大的褶皺。因此，能夠通過簡易的裝置結(jié)構(gòu)將褶皺從帶去除，適當?shù)鼐S持了晶片的分割后的芯片間隔。

在本發(fā)明的分割裝置中，在該旋轉(zhuǎn)單元中具有：角度識別部，其對旋轉(zhuǎn)角度進行識別；以及速度改變單元，其在預先設定的角度范圍內(nèi)一邊由該角度識別部對角度進行識別一邊改變使加熱器旋轉(zhuǎn)的速度，通過該速度改變單元而使旋轉(zhuǎn)速度改變并在圓周方向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域?qū)υ搸нM行加熱。

在本發(fā)明的晶片的分割方法中，該芯片分離工序包含如下的工序：第1收縮工序，利用該升降單元使該保持工作臺向下降方向、該環(huán)狀框架保持部向上升方向相對地移動，而使該保持工作臺與該環(huán)狀框架保持部接近，并對晶片的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該環(huán)狀的該帶上所產(chǎn)生的褶皺的部分進行限定性地加熱而使其熱收縮；以及第2收縮工序，在該第1收縮工序之后，利用該旋轉(zhuǎn)單元使該加熱器旋轉(zhuǎn)并對晶片的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該環(huán)狀的該帶進行整體性地加熱而使其熱收縮。

在本發(fā)明的晶片的分割方法中，該芯片分離工序包含如下的工序：接近工序，在該分割工序之后，利用該升降單元使該保持工作臺與該環(huán)狀框架保持部按照指定的量階段性地接近；以及第3收縮工序，在該接近工序之后，利用該旋轉(zhuǎn)單元使該加熱器旋轉(zhuǎn)并對晶片的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該環(huán)狀的該帶進行加熱而使其熱收縮，重復進行該接近工序和該第3收縮工序直到該保持工作臺與該環(huán)狀框架保持部最大程度接近為止。

在本發(fā)明的晶片的分割方法中，該分割裝置具有使該加熱器在晶片的徑向上進退的徑向進退單元，該芯片分離工序具有如下的第4收縮工序：利用該旋轉(zhuǎn)單元和該徑向進退單元使加熱器以描繪橢圓軌跡的方式運動，并對晶片的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該環(huán)狀的該帶進行加熱而使其熱收縮，其中，該橢圓軌跡通過了在晶片的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該環(huán)狀的該帶上所產(chǎn)生的褶皺的部分和該環(huán)狀的該帶的徑向的中間部分。

在本發(fā)明的晶片的分割方法中，在該旋轉(zhuǎn)單元中具有：角度識別部，其對旋轉(zhuǎn)角度進行識別；以及速度改變單元，其在預先設定的角度范圍內(nèi)一邊由該角度識別部對角度進行識別一邊改變使加熱器旋轉(zhuǎn)的速度，在該芯片分離工序中，利用該角度識別部對加熱器的旋轉(zhuǎn)角度進行識別并在預先設定的各個角度范圍內(nèi)利用該速度改變單元來改變該旋轉(zhuǎn)單元的旋轉(zhuǎn)速度，并對晶片的外周與該環(huán)狀框架的內(nèi)周之間的該環(huán)狀的該帶進行加熱而使其熱收縮。

根據(jù)本發(fā)明，利用加熱器在圓周方向或徑向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域?qū)訜崞麽槍У募訜岱秶M行加熱而使帶熱收縮，由此，能夠利用簡易的裝置結(jié)構(gòu)將帶的褶皺去除，適當?shù)鼐S持了晶片分割后的芯片間隔。

附圖說明

圖1是本實施方式的分割裝置的立體圖。

圖2是本實施方式的工件套件的俯視圖。

圖3是本實施方式的熱收縮單元的立體圖。

圖4的(a)、(b)是本實施方式的晶片的第1分割方法的說明圖。

圖5的(a)～(c)是本實施方式的晶片的第1分割方法的說明圖。

圖6的(a)～(c)是本實施方式的晶片的第2分割方法的說明圖。

圖7是示出本實施方式的第2分割方法的加熱區(qū)域的變化的圖。

圖8是本實施方式的晶片的第3分割方法的說明圖。

圖9是本實施方式的晶片的第4分割方法的說明圖。

標號說明

1：分割裝置；10：保持工作臺；20：環(huán)狀框架保持部；40：升降單元；50：熱收縮單元；51：加熱器；52：旋轉(zhuǎn)單元；65：角度識別部；66：速度改變單元；81：改質(zhì)層(分割起點)；82：褶皺；83：中間部分；c：芯片；f：環(huán)狀框架；l：分割預定線；t：帶；w：晶片；ws：工件套件。

具體實施方式

以下，對使用了分割裝置的晶片的分割方法進行說明。圖1是本實施方式的分割裝置的立體圖。另外，本實施方式的分割裝置并不僅限于圖1所示的結(jié)構(gòu)。只要分割裝置采用了能夠一邊階段性地使帶的擴張狀態(tài)解除一邊通過加熱來去除帶的褶皺的結(jié)構(gòu)，則無論怎樣的結(jié)構(gòu)都可以。

如圖1所示，分割裝置1構(gòu)成為通過帶t的擴張將隔著帶t被環(huán)狀框架f支承的晶片w分割成各個芯片。并且，分割裝置1構(gòu)成為：在維持芯片間隔的狀態(tài)下使帶t的擴張解除，在使帶t的擴張解除時，通過熱收縮(heatshrink)來去除產(chǎn)生在晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的褶皺。這樣，僅使帶t被拉伸而松弛的部位熱收縮，從而維持芯片間隔以使晶片w的分割后的芯片彼此不會接觸而破損。

在晶片w的正面上設置有格子狀的分割預定線l，在由分割預定線l劃分的各區(qū)域內(nèi)形成有各種器件(未圖示)。另外，晶片w可以是在硅、砷化鎵等半導體基板上形成有ic、lsi等器件的半導體晶片，也可以是在陶瓷、玻璃、藍寶石類的無機材料基板上形成有l(wèi)ed等光器件的光器件晶片。晶片w被粘接在帶t上，該帶t被粘貼在環(huán)狀框架f上，將由晶片w、環(huán)狀框架f和帶t構(gòu)成的工件套件ws搬入到分割裝置1中。

工件套件ws的環(huán)狀框架f的開口部被具有熱收縮性的帶t封住，在開口部的內(nèi)側(cè)的帶t上粘接有晶片w。在晶片w的內(nèi)部，形成有沿著分割預定線l的作為分割起點的改質(zhì)層81(參照圖4)。另外，晶片w的內(nèi)部的密度、折射率、機械強度或其他的物理的特性因激光的照射而變成與周圍不同的狀態(tài)，可以說改質(zhì)層81是與周圍相比強度降低的區(qū)域。改質(zhì)層81例如是熔融處理區(qū)域、裂紋區(qū)域、絕緣破壞區(qū)域、折射率變化區(qū)域，也可以是混合了這些區(qū)域的區(qū)域。

并且，在以下的說明中，雖然作為分割起點例示了形成在晶片w的內(nèi)部的改質(zhì)層81(參照圖4)，但并不限定于該結(jié)構(gòu)。分割起點只要能夠成為晶片w分割時的起點即可，例如，可以由激光加工槽、切削槽或劃線(scribeline)構(gòu)成。進而，帶t只要具有伸縮性并且具有熱收縮性即可，材質(zhì)并沒有特別地限定。

在分割裝置1中配置有能夠隔著工件套件ws的帶t對晶片w進行吸引保持的保持工作臺10，在保持工作臺10的周圍配置有對工件套件ws的環(huán)狀框架f進行保持的環(huán)狀框架保持部20。保持工作臺10由多個支柱部11支承，在保持工作臺10的上表面配置有多孔質(zhì)的多孔板13。在保持工作臺10的上表面形成有通過該多孔質(zhì)的多孔板13對晶片w進行吸引保持的保持面14。保持面14通過保持工作臺10內(nèi)的流路而與吸引源30(參照圖4)連接，通過在保持面14上產(chǎn)生的負壓來吸引保持晶片w。

并且，在從保持面14與吸引源30連接的流路上設置有開關(guān)閥31(參照圖4)，通過開關(guān)閥31來切換對保持面14的吸引保持和吸引解除。在保持工作臺10的外周邊緣的整周上設置有多個輥部15。在晶片w被保持在保持面14上的狀態(tài)下，多個輥部15從下側(cè)與晶片w的周圍的帶t滾動接觸。多個輥部15與帶t滾動接觸，由此抑制了當對帶t進行擴張時產(chǎn)生在保持工作臺10的外周邊緣的摩擦。

關(guān)于環(huán)狀框架保持部20，利用蓋板22從上方夾住載置工作臺21上的環(huán)狀框架f，從而將環(huán)狀框架f保持在載置工作臺21上。在載置工作臺21和蓋板22的中央分別形成有比保持工作臺10的直徑大的圓形開口23、24。當將蓋板22蓋在載置工作臺21上時，通過蓋板22和載置工作臺21來保持環(huán)狀框架f，并且晶片w和帶t的一部分從載置工作臺21和蓋板22的圓形開口23、24朝向外部露出。

在環(huán)狀框架保持部20的蓋板22被蓋在載置工作臺21上的環(huán)狀框架f上的狀態(tài)下，例如，通過未圖示的夾持部將蓋板22固定在載置工作臺21上。環(huán)狀框架保持部20由升降單元40支承，該升降單元40使保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20相對地上下動作。升降單元40由對載置工作臺21的四個角進行支承的4個電動缸構(gòu)成。通過對升降單元40的氣缸桿41的突出量進行控制來調(diào)節(jié)保持工作臺10上的晶片w與環(huán)狀框架保持部20的距離。

在環(huán)狀框架保持部20的上方設置有使帶t的褶皺熱收縮的熱收縮單元50。在熱收縮單元50中，以晶片w的中心為中心而對置配置有一對加熱器51，它們對工件套件ws的晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t的規(guī)定的部位進行加熱。加熱器51例如以光斑的方式照射難以被金屬材料吸收且以3μm～25μm為峰值波形的遠紅外線，由此，抑制對裝置各部分的加熱，能夠僅對晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t的規(guī)定的部位進行加熱。并且，在熱收縮單元50中設置有：旋轉(zhuǎn)單元52，其使一對加熱器51以晶片w的中心為軸進行旋轉(zhuǎn)；以及徑向進退單元53，其使一對加熱器51在晶片w的徑向上進退。

并且，在分割裝置1上設置有對裝置各部分進行集中控制的控制單元70?？刂茊卧?0由用于各種處理的處理器和存儲器等構(gòu)成。存儲器根據(jù)用途由rom(readonlymemory：只讀存儲器)、ram(randomaccessmemory：隨機存取存儲器)等一個或多個存儲介質(zhì)構(gòu)成。在控制單元70中設置有對升降單元40的階段動作進行控制的階段動作單元71、對旋轉(zhuǎn)單元52進行控制的旋轉(zhuǎn)控制部72、對徑向進退單元53的進退移動進行控制的進退控制部73以及對加熱器51的加熱時間點進行控制的加熱器控制部74等。

在這樣的分割裝置1中，環(huán)狀框架保持部20在保持有環(huán)狀框架f的狀態(tài)下下降，由此，保持工作臺10從蓋板22和載置工作臺21的圓形開口23、24突出。與環(huán)狀框架保持部20相比，保持工作臺10被相對地頂起，由此，帶t在徑向上被擴張而將晶片w分割成各個芯片。并且，當使環(huán)狀框架保持部20上升而使帶t的擴張解除時，帶t的張力減弱。此時，為了不使晶片w的周圍的帶t變成褶皺，通過加熱器51對帶t進行加熱而使其熱收縮。

但是，當在晶片w的分割之后解除了帶t的擴張時，在晶片w的周圍的帶t上并不是產(chǎn)生均勻的褶皺。例如，當以在一個方向上施加了張力的狀態(tài)將帶t粘接在環(huán)狀框架f上時，根據(jù)帶t的張力的不同，在容易變成褶皺的部位和難以變成褶皺的部位的方面存在偏差。具體地說，如圖2所示，在施加了張力的一個方向上在隔著晶片w的對置部位p1處，帶t難以變成褶皺82，在與該一個方向垂直的其他方向上在隔著晶片w的對置部位p2處，帶t容易變成褶皺82。并且，在因聚合物的取向而具有方向性的帶t中，在沿著帶t的方向性而在一個方向上容易變成褶皺的部位和難以變成褶皺的部位的方面存在偏差。

因此，即使一邊利用旋轉(zhuǎn)單元52(參照圖1)來使加熱器51旋轉(zhuǎn)，一邊均勻地對晶片w的周圍的帶t進行加熱，帶t難以變成褶皺82的部位p1會適當?shù)責崾湛s，但帶t容易變成褶皺82的部位p2卻難以熱收縮。因此，在本實施方式的晶片w的分割方法中，為了不使熱收縮后在帶t上殘留褶皺而將加熱器51針對帶t的規(guī)定的加熱范圍設計為，在圓周方向或徑向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域使規(guī)定的加熱范圍熱收縮。

以下，參照圖3到圖9，對由分割裝置進行的晶片的分割方法進行詳細地說明。圖3是本實施方式的熱收縮單元的立體圖。圖4和圖5是本實施方式的晶片的第1分割方法的說明圖。另外，圖4的(a)示出了保持工序的一例，圖4的(b)示出了分割工序的一例。圖5的(a)示出了芯片分離工序的第1收縮工序的一例，圖5的(b)示出了芯片分離工序的第2收縮工序的一例，圖5的(c)示出了加熱器對帶的加熱區(qū)域的一例。并且，在晶片的內(nèi)部沿著分割預定線形成有作為分割起點的改質(zhì)層。

如圖3所示，熱收縮單元50構(gòu)成為：通過旋轉(zhuǎn)單元52使由臂55的兩端側(cè)支承的一對加熱器51繞著鉛直軸旋轉(zhuǎn)，而使晶片w(參照圖2)的周圍的帶t(參照圖2)熱收縮。旋轉(zhuǎn)單元52與旋轉(zhuǎn)軸56連結(jié)，在旋轉(zhuǎn)軸56的下端固定有對臂55進行支承的支承板57。在支承板57的下表面和臂55的前表面設置有固定塊58，在固定塊58內(nèi)安裝有使一對加熱器51在晶片w的徑向上進退移動的一對徑向進退單元53。各徑向進退單元53由在氣缸桿54的前端固定了加熱器51的電動缸構(gòu)成。

在臂55的兩端側(cè)的前表面上設置有在進退方向上引導加熱器51的一對引導件59。在各引導件59中設置有固定在加熱器51的支承軸61上的滑塊62。通過對徑向進退單元53的氣缸桿54的突出量進行控制，加熱器51沿著引導件59在晶片w的徑向上進退移動。并且，旋轉(zhuǎn)軸56被定位在晶片w的中心，通過旋轉(zhuǎn)單元52來使一對加熱器51繞著通過晶片w的中心的鉛直軸而旋轉(zhuǎn)。在該情況下，加熱器51并不限定于旋轉(zhuǎn)1圈的結(jié)構(gòu)，加熱器51也可以在規(guī)定的角度范圍(擺動角)內(nèi)擺動。

這樣，通過旋轉(zhuǎn)單元52來使一對加熱器51繞著鉛直軸旋轉(zhuǎn)，并通過徑向進退單元53來使一對加熱器51在晶片w(參照圖2)的徑向上進退移動，由此，能夠在圓周方向或徑向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域?qū)的加熱范圍進行加熱。通過在圓周方向或徑向上改變加熱區(qū)域，利用加熱器51對難以熱收縮的部位進行集中地加熱。在晶片w的第1分割方法中，在限定性地對因帶t的褶皺而難以熱收縮的部位進行加熱之后，對從晶片w的外周和環(huán)狀框架f的內(nèi)周露出的環(huán)狀的帶t整體進行加熱。

以下，對晶片w的第1分割方法進行說明。如圖4的(a)所示，首先實施保持工序。在保持工序中，利用保持工作臺10和環(huán)狀框架保持部20對工件套件ws進行保持。即，在保持工作臺10上隔著帶t而載置晶片w，并通過環(huán)狀框架保持部20對晶片w的周圍的環(huán)狀框架f進行保持。此時，保持工作臺10的直徑比晶片w的大，保持工作臺10的外周邊緣的輥部15從下側(cè)與帶t接觸，該帶t位于晶片w與環(huán)狀框架f之間。并且，關(guān)閉開關(guān)閥31，阻斷來自吸引源30的針對保持工作臺10的吸引力。

如圖4的(b)所示，在保持工序之后實施分割工序。在分割工序中，利用升降單元40使環(huán)狀框架保持部20向下降方向移動，保持工作臺10被相對地頂起。保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20分離，帶t在放射方向上被擴張，從而借助帶t對晶片w的改質(zhì)層81(參照圖4的(a))施加外力。以強度降低的改質(zhì)層81為分割起點將晶片w分割成各個芯片c。并且，帶t被拉伸直至相鄰的芯片c完全分離的程度，在多個芯片c之間形成有間隔。

此時，在環(huán)狀框架保持部20向下降方向移動而使帶t擴張的期間，關(guān)閉開關(guān)閥31，不會因保持工作臺10的吸引力而阻礙帶t的擴張。并且，在晶片w被分割成各個芯片c而在多個芯片c之間形成有間隔之后，打開開關(guān)閥31而在保持工作臺10上產(chǎn)生吸引力(參照圖5)。在帶t被拉伸的狀態(tài)下，利用保持工作臺10來隔著帶t對芯片c進行吸引保持，因此，帶t不會收縮而能夠維持相鄰的芯片c之間的間隔。

如圖5的(a)所示，在分割工序之后實施芯片分離工序的第1收縮工序。在第1收縮工序中，利用升降單元40來使環(huán)狀框架保持部20向上升方向移動，由此，保持工作臺10相對地接近環(huán)狀框架保持部20而使帶t的擴張解除。此時，晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的帶t的張力減弱，在晶片w的周圍的帶t上產(chǎn)生褶皺82(參照圖5的(c))。由于環(huán)狀框架保持部20以帶t被吸引保持在保持工作臺10上的狀態(tài)移動，所以即使晶片w的周圍的帶t的張力減弱也不會在保持工作臺10上的帶t上產(chǎn)生褶皺82。

將一對加熱器51定位于產(chǎn)生在該帶t上的褶皺82的部分的上方，通過一對加熱器51來限定性地對褶皺82的部分進行加熱而使其熱收縮。更詳細地說，在晶片w的周圍在帶t容易變成褶皺82的部位，將加熱器51針對帶t的加熱區(qū)域r1設定為圓弧狀(參照圖5的(c))。并且，為了使加熱器51在加熱區(qū)域r1的上方擺動，以如下方式進行控制：通過旋轉(zhuǎn)控制部72(參照圖1)來使旋轉(zhuǎn)單元52(參照圖3)以預先設定的角度范圍(擺動角)進行旋轉(zhuǎn)動作。由此，通過加熱器51對因帶t的褶皺82而難以熱收縮的部位進行集中地加熱而使其有效地熱收縮。

如圖5的(b)所示，在第1收縮工序之后實施芯片分離工序的第2收縮工序。在第2收縮工序中，利用旋轉(zhuǎn)單元52(參照圖3)來使一對加熱器51旋轉(zhuǎn)，對晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的帶t進行整體地加熱而使其熱收縮。在該情況下，在晶片w的周圍，加熱器51針對帶t的加熱區(qū)域r2被設定為圓狀(參照圖5的(c))。對晶片w的周圍的帶t的整周進行加熱，由此，對于難以熱收縮的部位以外的部位也通過加熱器51來進行加熱而使其有效地熱收縮。

在第1、第2收縮工序中，在晶片w的周圍的帶t的熱收縮過程中，帶t被吸引保持在保持工作臺10上而維持了芯片c的間隔。此時，由于僅使晶片w的周圍的帶t熱收縮，所以即使解除了保持工作臺10的吸引保持，也以維持了芯片c的間隔的狀態(tài)固定。在第2收縮工序之后，關(guān)閉開關(guān)閥31并解除由保持工作臺10進行的帶t的吸引而使工件套件ws的搬送成為可能。

這樣，在晶片w的第1分割方法中，將晶片w的周圍的帶t難以熱收縮的部位設為圓弧狀的加熱區(qū)域r1，將晶片w的周圍的帶t整體設為圓狀的加熱區(qū)域r2，而在徑向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域使加熱器51的加熱范圍熱收縮。對因帶t的褶皺82而難以熱收縮的部位進行集中地加熱，由此，使帶t有效地熱收縮而維持了分割后的晶片w的芯片間隔。

另外，晶片的分割也可以按照如下所示的晶片的第2分割方法來實施。參照圖6和圖7對晶片的第2分割方法進行說明。圖6是本實施方式的晶片的第2分割方法的說明圖。圖7是示出本實施方式的第2分割方法的加熱區(qū)域的變化的圖。另外，晶片的第2分割方法僅在芯片分離工序中與第1分割方法不同。因此，這里僅對芯片分離工序進行說明。圖6的(a)和圖6的(c)是示出芯片分離工序的接近工序的一例，圖6的(b)是示出第3收縮工序的一例。

如圖6的(a)所示，在分割工序之后實施芯片分離工序的接近工序。在接近工序中，利用升降單元40來使保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20按照指定的量階段性地接近，從而漸漸使帶t的擴張解除。即，通過階段動作單元71(參照圖1)來控制升降單元40的階段動作，并使環(huán)狀框架保持部20在稍微上升了的位置處停止。由此，晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的帶t的張力以1個階段的量減弱，在晶片w的周圍的帶t上產(chǎn)生小的褶皺82(參照圖2)。另外，由于環(huán)狀框架保持部20以帶t被吸引保持在保持工作臺10上的狀態(tài)移動，所以即使晶片w的周圍的帶t的張力減弱也不會在保持工作臺10上的帶t上產(chǎn)生褶皺82。

如圖6的(b)所示，在接近工序之后實施芯片分離工序的第3收縮工序。在第3收縮工序中，利用旋轉(zhuǎn)單元52(參照圖3)來使一對加熱器51旋轉(zhuǎn)，對晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的帶t進行加熱而使其熱收縮。由此，通過加熱器51在帶t的整周上進行加熱，使在接近工序中產(chǎn)生的小的褶皺82(參照圖2)熱收縮。在該情況下，也可以是加熱器51瞄準帶t的環(huán)狀框架f側(cè)而照射遠紅外線。由此，能夠抑制因加熱器51的遠紅外線的照射而造成的晶片w的損傷。

如圖6的(c)所示，在第3收縮工序之后再次實施接近工序。在第二次接近工序中，環(huán)狀框架保持部20再次上升并在比第一次接近工序更接近保持工作臺10的位置處使環(huán)狀框架保持部20停止。由此，晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的帶t的張力再次以1個階段的量減弱，在晶片w的周圍的帶t上產(chǎn)生新的褶皺82(參照圖2)。并且，再次實施第3收縮工序而通過加熱器51在帶t的整周上進行加熱，并使在第二次接近工序中新產(chǎn)生的小的褶皺82熱收縮。

重復進行該接近工序和第3收縮工序直到保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20最大程度接近為止。另外，保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20最大程度接近是指恢復到分割前的初期狀態(tài)的位置關(guān)系。晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的帶t在多個階段中階段性地減弱，通過加熱器51對在各階段中產(chǎn)生的小的褶皺82(參照圖2)進行加熱而使其熱收縮。由此，帶t的褶皺82不會變大，通過加熱器51來使帶t的褶皺82漸漸熱收縮。

在第3收縮工序中，在晶片w的周圍的帶t的熱收縮中，帶t被吸引保持在保持工作臺10上而維持了芯片c的間隔。并且，由于僅使晶片w的周圍的帶t熱收縮，所以即使解除了保持工作臺10的吸引保持，也以維持了芯片c的間隔的狀態(tài)固定。在保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20最大程度接近之后，關(guān)閉開關(guān)閥31并解除由保持工作臺10進行的帶t的吸引從而使工件套件ws的搬送成為可能。

并且，如圖7所示，在第2分割方法中，在保持工作臺10(參照圖6的(a))與環(huán)狀框架保持部20(參照圖6的(a))最大程度遠離的狀態(tài)下，由于帶t被較大地拉伸，所以利用加熱器51對遠離晶片w的外周的帶t的位置p3進行加熱。當保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20接近而使帶t收縮時，利用加熱器51對以帶t收縮的量與晶片w的外周接近的帶t的位置p4進行加熱。即，雖然在晶片w的周圍，加熱器51針對帶t的加熱區(qū)域(未圖示)被設定為圓狀，但每當保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20接近時，從晶片w的外周到加熱區(qū)域為止的距離都變短。

這樣，在晶片w的第2分割方法中，將圓狀的加熱區(qū)域設定為距晶片w的外周處于不同距離，在徑向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域?qū)進行加熱而使其階段性地熱收縮。由此，一邊使帶t的張力階段性地減弱，一邊在帶t的褶皺82(參照圖2)變大之前通過由加熱器51進行的加熱來使褶皺82階段性地熱收縮。因此，不會在因帶t的褶皺82而難以熱收縮的部位上殘留大的褶皺82，使帶t有效地熱收縮而維持了分割后的晶片w的芯片間隔。

另外，在上述的第1、第2分割方法中，采用了以恒定的速度使加熱器旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。例如，如圖8所示，也可以一邊改變旋轉(zhuǎn)速度一邊旋轉(zhuǎn)加熱器。以下，對晶片的第3分割方法進行說明。圖8是本實施方式的晶片的第3分割方法的說明圖。另外，晶片的第3分割方法僅在芯片分離工序中與第1、第2分割方法不同。因此，這里僅對芯片分離工序進行說明。

如圖8所示，在晶片w的周圍，帶t的隔著晶片w的對置部位因褶皺82而變得難以熱收縮。在該情況下，雖然也考慮了使旋轉(zhuǎn)單元52的旋轉(zhuǎn)速度下降而使由加熱器51進行的對帶t的整周的加熱時間變長，但每單位時間的生產(chǎn)性(uph:unitperhour，每小時件數(shù))降低。因此，將旋轉(zhuǎn)單元52的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)成：在產(chǎn)生于晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t上的褶皺82的部分，加熱器51以低速運動，在產(chǎn)生于褶皺82以外的部分，加熱器51以高速運動。

在該情況下，在旋轉(zhuǎn)單元52內(nèi)設置有：角度識別部65，其對旋轉(zhuǎn)角度進行識別；以及速度改變單元66，一邊由角度識別部在預先設定的角度范圍(加熱區(qū)域)內(nèi)對角度進行識別，一邊由該速度改變單元66對使加熱器51旋轉(zhuǎn)的速度進行改變。這些角度識別部65、速度改變單元66由控制單元70的旋轉(zhuǎn)控制部72(參照圖1)進行控制。利用角度識別部65來識別加熱器51的旋轉(zhuǎn)角度，利用速度改變單元66在預先設定的各個角度范圍內(nèi)改變旋轉(zhuǎn)單元52的旋轉(zhuǎn)速度，從而對晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t進行加熱而使其熱收縮。

即，在針對晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t的規(guī)定的加熱區(qū)域、即規(guī)定的角度范圍內(nèi)，對加熱器51的速度進行改變而進行加熱。在帶t上，在產(chǎn)生了褶皺82并難以熱收縮的角度范圍(加熱區(qū)域)θ1內(nèi)，通過速度改變單元66使旋轉(zhuǎn)單元52(參照圖3)的旋轉(zhuǎn)速度下降而使加熱器51以低速通過產(chǎn)生在帶t上的褶皺82的上方，通過加熱器51對褶皺82進行較長時間地加熱。并且，在帶t容易熱收縮的角度范圍(加熱區(qū)域)θ2內(nèi)，通過速度改變單元66使旋轉(zhuǎn)單元52的旋轉(zhuǎn)速度上升而使加熱器51以高速通過帶t的上方，通過加熱器51以較短的時間對帶t進行加熱。由此，通過加熱器51對因帶t的褶皺82而難以熱收縮的部位進行集中地加熱，從而使帶t有效地熱收縮而維持分割后的晶片w的芯片間隔。并且，由于能夠使旋轉(zhuǎn)速度局部地上升，提高了每單位時間的生產(chǎn)性。這樣，在加熱區(qū)域(角度范圍θ1、θ2)內(nèi)對加熱器51的旋轉(zhuǎn)速度進行改變而使帶t有效地熱收縮，從而維持了分割后的晶片w的芯片間隔。

并且，在上述的第1～第3分割方法中，采用了以描繪圓狀的軌跡的方式來使加熱器旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。例如，如圖9所示，也可以以描繪橢圓狀的軌跡的方式使加熱器旋轉(zhuǎn)。以下，對晶片的第4分割方法進行說明。圖9是本實施方式的晶片的第4分割方法的說明圖。另外，晶片的第4分割方法僅在芯片分離工序中與第1～第3分割方法不同。因此，這里僅對芯片分離工序進行說明。

如圖9所示，在晶片w的周圍，在帶t的隔著晶片w的對置位置處，與晶片w的外周接近的部位因褶皺82而難以熱收縮。然而，如上述那樣，并不優(yōu)選由從加熱器51照射的紅外線對晶片w進行加熱。因此，在芯片分離工序的第4收縮工序中，利用旋轉(zhuǎn)單元52和徑向進退單元53以形成橢圓軌跡85的方式使一對加熱器51在旋轉(zhuǎn)方向和徑向上運動，其中，該橢圓軌跡85通過了在晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t上所產(chǎn)生的褶皺82的部分和環(huán)狀的帶t的徑向的中間部分83。

在該情況下，在旋轉(zhuǎn)單元52內(nèi)設置有對旋轉(zhuǎn)角度進行識別的角度識別部65。角度識別部65由旋轉(zhuǎn)控制部72(參照圖1)控制，徑向進退單元53由進退控制部73(參照圖1)控制。利用角度識別部65來識別加熱器51的旋轉(zhuǎn)角度，利用徑向進退單元53在預先設定的各個角度范圍內(nèi)使加熱器51沿徑向移動，從而對晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t進行加熱而使其熱收縮。

即，在晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t上的規(guī)定的加熱區(qū)域內(nèi)，即在規(guī)定的角度范圍內(nèi)在徑向上對加熱器51的位置進行改變而進行加熱。在帶t難以熱收縮的角度范圍(加熱區(qū)域)θ1內(nèi)，通過進退控制部73(參照圖1)的控制而利用徑向進退單元53來使一對加熱器51互相接近，并將一對加熱器51定位在產(chǎn)生于帶t上的褶皺82的部分的正上方。并且，在帶t容易熱收縮的角度范圍(加熱區(qū)域)θ2內(nèi)，通過進退控制部73(參照圖1)的控制而利用徑向進退單元53使一對加熱器51互相分離，將加熱器51定位在晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周的中間部分83。這樣，在加熱區(qū)域(角度范圍θ1、θ2)內(nèi)，在徑向上改變加熱器51的加熱位置而使帶t有效地熱收縮，從而維持了分割后的晶片w的芯片間隔。

另外，第4收縮工序也可以在保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20返回到相同的高度之后，即在帶t的張力完全地減弱之后實施。并且，也可以一邊使保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20接近一邊實施第4收縮工序。進而，如第2分割方法那樣，也可以是每當保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20按照一個階段接近時，便實施第4收縮工序。

如上所述，根據(jù)本實施方式的晶片w的分割方法，帶t因保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20的分離而被拉伸，由此，利用改質(zhì)層81將晶片w分割而分離出芯片c。并且，當使帶t的張力解除時，在晶片w的外周與環(huán)狀框架f的內(nèi)周之間的環(huán)狀的帶t上產(chǎn)生褶皺82。此時，在圓周方向或徑向上按照規(guī)定的加熱區(qū)域?qū)訜崞?1針對帶t的加熱范圍進行加熱。因此，與對環(huán)狀的帶t整體進行均勻地加熱的情況相比，不會在帶t上殘留大的褶皺82。因此，能夠通過簡易的裝置結(jié)構(gòu)從帶t中去除褶皺82，從而適當?shù)鼐S持晶片w的分割后的芯片間隔。

另外，本發(fā)明并不限定于上述實施方式，能夠?qū)嵤└鞣N變更。在上述實施方式中，在附圖中圖示的大小或形狀等并不僅限于此，能夠在發(fā)揮本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)進行適當?shù)淖兏?。另外，只要在不脫離本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)便能夠?qū)嵤┻m當?shù)淖兏?/p>

例如，在上述的本實施方式的各分割方法的分割工序中，采用了通過環(huán)狀框架保持部20的下降而使保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20分離的結(jié)構(gòu)，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。在分割工序中，只要保持工作臺10向上升方向而環(huán)狀框架保持部20向下降方向相對地移動而使保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20分離即可。例如，也可以通過保持工作臺10的上升來使保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20分離。

并且，雖然在上述的本實施方式的各分割方法中，例示并說明了由于在將帶t粘接在環(huán)狀框架f上時的帶t的張力而在帶t變成褶皺的部位方面產(chǎn)生偏差的結(jié)構(gòu)，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)?？梢允窃诰瑆的周圍的帶t上由于其他的原因而在變成褶皺82的部位方面產(chǎn)生偏差，也可以是在變成褶皺82的部位方面不產(chǎn)生偏差。并且，帶t變成褶皺82的部位并沒有特別地限定。

并且，在上述的本實施方式的各分割方法中，雖然升降單元40和徑向進退單元53由電動缸構(gòu)成，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)。升降單元40構(gòu)成為使保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20相對地上下動作即可。并且，徑向進退單元53構(gòu)成為使加熱器51在晶片w的徑向上進退即可。

并且，在上述的本實施方式的各分割方法中，也可以根據(jù)帶t上的褶皺82的產(chǎn)生原因來選擇并實施合適的分割方法。并且，也可以將第3分割方法與第4分割方法組合而通過加熱器51來形成橢圓軌跡并且使旋轉(zhuǎn)單元52的旋轉(zhuǎn)速度改變。即，也可以是在帶t難以熱收縮的角度范圍(加熱區(qū)域)內(nèi)，使一對加熱器51互相接近并且使旋轉(zhuǎn)單元52的旋轉(zhuǎn)速度下降，在帶t容易熱收縮的角度范圍(加熱區(qū)域)內(nèi)，使一對加熱器51互相遠離并且使旋轉(zhuǎn)單元52的旋轉(zhuǎn)速度上升。

并且，在上述的本實施方式的第1分割方法中，在保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20的接近過程中實施第1收縮工序，在接近后實施第2收縮工序，但并不僅限于該結(jié)構(gòu)?？梢栽诘?收縮工序之后實施第2收縮工序，也可以在保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20的接近過程中實施第2收縮工序。

并且，在上述的本實施方式的第2分割方法的第3收縮工序中，也可以是每當保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20接近時加熱器51便在徑向上移動。

并且，在上述的本實施方式的第2分割方法的接近工序中，采用了利用升降單元40來使保持工作臺10與環(huán)狀框架保持部20按照指定的量并階段性地接近的結(jié)構(gòu)，按照指定的量并不一定僅限于一定的量。例如，也可以以不同的量來階段性地接近，比如在接近3mm之后再接近4mm的情況那樣。

如以上說明的那樣，本發(fā)明具有能夠利用簡易的裝置結(jié)構(gòu)將褶皺從帶去除而適當?shù)鼐S持芯片間隔的效果，尤其對半導體晶片或光器件晶片的分割方法以及分割裝置有用。