本發(fā)明涉及半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導體封裝及其制造方法，其中該半導體封裝例如為半導體集成電路(integratedcircuit，ic)封裝，并且該半導體封裝包括：具有涂層的接合線(coatedbondingwire)。

背景技術(shù)：

于集成電路封裝產(chǎn)業(yè)中，持續(xù)地期望為具有越來越多的i/o端子墊的半導體晶粒，提供密度越來越高的ic封裝。當使用已知的打線(bonding)接合封裝技術(shù)時，對于給定尺寸的晶粒，隨著其i/o(input/output，輸入/輸出)端子墊的數(shù)量的增加，相鄰的接合線之間的間距或者空間變得越來越小。

在塑料ic封裝的模塑(molding)或者封裝(encapsulation)期間，塑性模塑料熔化進入模腔，該塑性模塑料的流動對接合線施加足夠高的力，使得接合線移動或者變形。移動或變形容易引起相鄰的接合線彼此接觸，從而導致相鄰線之間的短路。

盡管已建議了各種各樣的方案來減少ic封裝的封裝工藝期間的接合線移動，但是，這些方案中的許多要求額外的工藝步驟或者要求特定設備。這些關(guān)于額外的工藝步驟或者特定設備的要求增加了封裝的生產(chǎn)成本，因此不受歡迎。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供了一種半導體封裝及其制造方法，可以解決封裝工藝期間相鄰接合線之間的短路問題。

本發(fā)明實施例提供了一種半導體封裝，包括：載體基底，具有表面；半導體晶粒，設置于該表面上；多條接合線，將該半導體晶粒連接至該載體基底；絕緣材料，覆蓋在該多條接合線上；以及模塑料，覆蓋該表面并且封裝該半導體晶粒、該多條接合線以及該絕緣材料。

其中，該絕緣材料覆蓋每條接合線的一部分。

其中，該絕緣材料還覆蓋該載體基底的該表面。

其中，該模塑料與該絕緣材料均包含環(huán)氧樹脂，并且，該絕緣材料不含有或含有低于預定含量的填充材料。

其中，該絕緣材料含有濃度小于50ppm的鹵素。

本發(fā)明實施例提供了一種半導體封裝的制造方法，包括：提供具有表面的載體基底；將半導體晶粒安裝于該表面上；形成多條接合線，以將該半導體晶粒連接至該載體基底；在該多條接合線上涂覆絕緣材料；以及形成覆蓋該表面并且封裝該半導體晶粒、該多條接合線以及該絕緣材料的模塑料。

其中，在該多條接合線涂覆該絕緣材料之后，該方法進一步包括：執(zhí)行固化工藝，以固化該絕緣材料。

其中，執(zhí)行該固化工藝包括：于爐內(nèi)或者光化輻射條件下執(zhí)行該固化工藝。

其中，在該多條接合線上涂覆該絕緣材料包括：使用噴射式噴霧器來將該絕緣材料涂覆在該多條接合線上；或者，使用浸漬工藝來將該絕緣材料涂覆在該多條接合線上。

其中，該絕緣材料僅覆蓋每條接合線的一部分；及/或，該絕緣材料還涂覆該載體基底的該表面。

其中，該模塑料與該絕緣材料均包含環(huán)氧樹脂，并且該絕緣材料不含有或含有低于預定含量的填充材料。

其中，該絕緣材料含有濃度小于50ppm的鹵素。

其中，在涂覆該絕緣材料之前，預先加熱該絕緣材料，或者預先加熱用于將該絕緣材料噴酒在該多條接合線上的噴霧器的噴嘴。

本發(fā)明實施例的有益效果是：

以上的半導體封裝，將絕緣材料覆蓋在接合線上，因此可以解決封裝工藝期間相鄰的接合線之間的短路問題。

附圖說明

包含附圖以提供對本發(fā)明的進一步的理解，并且該多個附圖納入進并構(gòu)成說明書的一部分。附圖連同下述描述說明了本發(fā)明的實施例并且用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝的橫截面示意圖，該半導體封裝包括：具有涂層的接合線；

圖2為圖1中沒有模塑料時的兩相鄰的接合線的透視圖；

圖3為兩相鄰的接合線及涂覆的絕緣材料的橫截面示意圖；

圖4至圖7為根據(jù)本發(fā)明實施例的橫截面示意圖，示出了半導體封裝的制造方法，其中該半導體封裝包括：具有涂層的接合線；

圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝的俯視圖，示出了位于半導體晶粒附近的區(qū)域，其中，將絕緣材料噴射在該區(qū)域中；以及

圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的橫截面示意圖，示出了用于將絕緣材料涂覆至接合線上的浸漬工藝。

具體實施方式

在本發(fā)明實施例的以下詳細描述中，參考了附圖，其構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并且于附圖中，示出本發(fā)明可實踐的特定優(yōu)選實施例。

足夠詳細地描述這些實施例以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵺`他們，并且可以理解的是：可以使用其他的實施例并且在不脫離本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)，對其做出機械地、化學地、電性地或者程序上的改變。因此，以下詳細描述不應視為限制，并且本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求來限定。

參考圖1與圖2。圖1為橫截面示意圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝，該半導體封裝包括：具有涂層的接合線。為清楚起見，圖2為圖1中沒有模塑料時的兩條相鄰的接合線的透視示意圖。

如圖1與圖2所示，該半導體封裝1包括：載體基底10，具有上表面10a。半導體晶粒20安裝于該上表面10a上。該半導體晶粒20具有主動面20a，多個i/o墊210分布于該主動面20a上。根據(jù)示意的實施例，該半導體晶粒20通過多條接合線30電性連接至載體基底10的上表面10a的接合手指(bondfinger)110。根據(jù)所示的實施例，該多條接合線30可以包括：銅、金、銀、或者任意適合的導電材料。根據(jù)所示的實施例，載體基底110可以包括：封裝基底，插入層基底或者引線框基底，但不限于此。

根據(jù)所示的實施例，絕緣材料40可以涂覆接合線30的部分。根據(jù)所示的實施例，該絕緣材料40可以包括：聚合物、環(huán)氧樹脂或者樹脂，但不限于此?？梢怨袒扛苍诮雍暇€30上的絕緣材料40以提供具有額外機械支撐的接合線30。該絕緣材料40可以于半導體封裝1的封裝工藝期間，保護接合線30以及能夠阻止接合線30移動。根據(jù)所示的實施例，該絕緣材料40具有低的介電常數(shù)(低k值)，該具有低的介電常數(shù)的絕緣材料40可以阻止相鄰線之間的短路以及減輕相鄰線之間的串擾。在其他實施例中，絕緣材料40可以涂覆接合線30的全部，以提供更加滿意的隔離效果。

根據(jù)所示的實施例，該半導體封裝1進一步包括：模塑料50，位于該載體基底10的上表面10a上。該模塑料50封裝接合線30、絕緣材料40以及半導體晶粒20。根據(jù)所示的實施例，模塑料50可以包括：環(huán)氧樹脂。除此之外，該模塑料50還可以包括填充材料，但不限于此。根據(jù)所示的實施例，絕緣材料40與模塑料50可以具有相同的環(huán)氧樹脂組合物(epoxycomposition)，但是絕緣材料40不包含填充材料或者具有很低含量(例如低于預定值)的填充材料。根據(jù)所示的實施例，絕緣材料40含有濃度小于50ppm(partspermillion，百萬分之)的鹵素，以阻止接合線30的腐蝕。根據(jù)另一實施例，絕緣材料40與模塑料50具有不同的成分。

如圖2所示，為了簡單起見，僅示意了兩條相鄰的接合線30a與30b。絕緣材料40部分地涂覆在兩條相鄰的接合線30a與30b的部分上，接合線30a與30b為線移動期間最容易短路的相鄰線，該線移動發(fā)生在半導體封裝1的封裝工藝期間。根據(jù)所示的實施例，絕緣材料40也可以形成在載體基底10的上表面10a上或者半導體封裝1中的其他位置。形成于載體基底10的上表面10a上的絕緣材料40可以增強模塑料50與載體基底10之間的界面黏合強度。

兩條相鄰的接合線30a與30b可以具有不同的弧線高度(loopheight)。由于涂覆在接合線30a與30b上的絕緣材料40可以于封裝工藝期間，避免異常的線移動并且可提供顯著的隔離效果，因此使用本發(fā)明是有優(yōu)勢的。另外，可以降低兩條相鄰的接合線30a與30b的弧線高度，使得相同的空間內(nèi)可以設置更多的線。

圖3為橫截面示意圖，示出了兩條相鄰的接合線及涂覆的絕緣材料。如圖3所示，根據(jù)示意的實施例，當從接合線30的橫截面觀察時，絕緣材料40可以僅覆蓋每條接合線30的至少一部分，例如上半部分。根據(jù)示意的實施例，每條接合線30的下半部分未被絕緣材料40覆蓋。但是，可以理解的是，在一些實施例中，絕緣材料40可以環(huán)繞每條接合線30。

圖4至圖7為橫截面示意圖，示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體封裝的制造方法，該制造出的半導體封裝包括：具有涂層(如絕緣材料層)的接合線。其中，相同的數(shù)字標號表示相同的層、區(qū)域或者組件。如圖4所示，半導體晶粒20安裝于載體基底10的上表面10a上。根據(jù)所示的實施例，載體基底10可包括：封裝基底、插入層基底或者引線框基底，但不限于此。通過使用黏合劑(未明確示出)可將半導體晶粒20附著至上表面10a，但不限于此。根據(jù)所示實施例，半導體晶粒20通過多條接合線30電性連接至位于載體基底10的上表面10a的接合手指110。

在線接合工藝之后，將絕緣材料40噴射在位于預定區(qū)域內(nèi)的接合線30上。例如，參考圖8，在半導體晶粒20周圍示范的區(qū)域140?？梢詫⒔^緣材料40噴射至位于區(qū)域140中的接合線30上，該區(qū)域140中的接合線30在封裝工藝期間，最有可能與相鄰的接合線短路。根據(jù)所示的實施例，可以將絕緣材料40噴射至載體基底10的上表面10a上或者噴射至半導體晶粒20的主動面20a上，以增強模塑料與基底表面/晶粒表面之間的界面黏合強度?？梢岳斫獾氖?，圖8所示的區(qū)域140是出于說明目的而不是對本發(fā)明的限制。

根據(jù)所示的實施例，通過使用噴射式噴霧器(jetsprayer)400或類似物來將絕緣材料40噴射至接合線30上，如圖5所示。但是，在一些實施例中，可以通過使用浸漬工藝(dippingprocess)來將絕緣材料40涂覆至接合線30上。例如，參考圖9，容器500包括：處于液態(tài)的絕緣材料40。翻轉(zhuǎn)封裝1并將接合線30部分地浸漬至絕緣材料40中，以涂覆接合線30。接著，執(zhí)行干燥工藝或者烘烤工藝以移除溶劑。需要說明的是，在將絕緣材料40涂覆(如噴灑或浸漬)至接合線30上之前，可以預先加熱該絕緣材料40，以軟化材料而增加流動性。另外，也可以采用預先加熱噴霧器的噴頭的方式，從而使噴出的絕緣材料40被加熱。另外，也可以不對絕緣材料40進行加熱，而在常溫下執(zhí)行上述的涂覆(如噴灑或浸漬)操作。

如圖6所示，在噴射了絕緣材料40之后，可以執(zhí)行可選的固化工藝600來固化絕緣材料40。根據(jù)所示實施例，固化工藝600可以在爐內(nèi)或者在光化輻射(actinicradiation)條件下執(zhí)行，但不限制于此。例如，該固化工藝600可以為在uv(ultraviolet，紫外)或者ir(infrared，紅外)照射下的快速固化工藝。可以理解的是，在一些實施例中，可以跳過固化工藝600，并且絕緣材料40可以在更后的階段與模塑料一起固化。

如圖7所示，在載體基底10的上表面10a上形成模塑料50，以封裝接合線30、絕緣材料40以及半導體晶粒20。根據(jù)所示的實施例，模塑料50可以包括：環(huán)氧樹脂和填充材料，但不限于此。根據(jù)所示的實施例，絕緣材料40與模塑料50可以具有相同的環(huán)氧樹脂組合物，但是絕緣材料40不包含填充材料或者具有很低含量的填充材料。根據(jù)所示的實施例，絕緣材料40含有濃度小于50ppm的鹵素，以防止接合線30的腐蝕。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。