優(yōu)先權(quán)主張

本申請(qǐng)要求于2016年3月2日提交的法國(guó)專利申請(qǐng)1651766的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容以引用的方式引入本申請(qǐng)。

本發(fā)明涉及電子設(shè)備領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

眾所周知，電子設(shè)備包含集成電路芯片，該集成電路芯片包括位于正面的光學(xué)傳感器、安裝在該正面上的玻璃板、位于集成電路芯片背面的背部電連接元件和穿過(guò)通孔連接背部電連接元件與光學(xué)傳感器的電連接。

這些電子設(shè)備以聚合的方式制造并且是切割包含主晶圓的最終晶圓的結(jié)果，該主晶圓包括原位(onsite)的集成電路芯片和安裝在主晶圓上的玻璃晶圓。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供了用于制造電子設(shè)備的方法。

該方法采用：主晶圓，其具有正面并且其包含具有位于該上正面上并分別位于位置中的光學(xué)元件的基底晶圓；和副晶圓，其具有，位于安裝表面的，分別形成在該副晶圓位置處的凹部，與主晶圓上的位置相對(duì)應(yīng)。

該方法包含：將主晶圓和副晶圓中的一個(gè)安裝在另一個(gè)頂部，以凹部位于主晶圓的側(cè)面并且位于光學(xué)元件的上方的方式將副晶圓的安裝表面匹配至主晶圓的正面，以副晶圓的剩余部分呈網(wǎng)格的形式并且在光學(xué)元件的上方限定出多個(gè)貫穿通道的方式，減小副晶圓的厚度，從與其安裝表面相對(duì)的面開(kāi)始，至少直到展現(xiàn)出凹部，并且沿位置的邊緣，貫穿主晶圓和呈網(wǎng)格形式的副晶圓剩余部分進(jìn)行切割。

減小副晶圓的厚度的步驟可以包含通過(guò)磨蝕、拋光進(jìn)行移除的機(jī)械操作和/或通過(guò)化學(xué)腐蝕進(jìn)行移除的操作。

減小副晶圓的厚度的步驟可以包含執(zhí)行機(jī)械移除操作，其不接觸凹部，此后執(zhí)行化學(xué)腐蝕操作，用于展現(xiàn)出凹部。

該方法包含，在安裝步驟之后以及減小副晶圓的厚度之前，處理主晶圓包括，在其背面的一側(cè)上，減小基底晶圓的厚度的操作和安裝電連接元件的操作。

處理主晶圓的步驟可以包括貫穿基底晶圓形成電連接通孔。

主晶圓可以包含，位于位置上的，包括在正面層中的電連接網(wǎng)絡(luò)。

基底晶圓和副晶圓由相同的材料組成。

基底晶圓和副晶圓可以由硅制成。

同時(shí)還提供了一種電子設(shè)備，其包含具有正面的光學(xué)集成電路芯片并且其包含基底晶圓，其具有位于該正面的一側(cè)上的光學(xué)元件，和安裝至芯片正面的副晶圓，該副晶圓呈在光學(xué)元件上方限定貫穿通道的環(huán)的形式，基底晶圓和副晶圓由相同材料組成。

基底晶圓和副晶圓可以由硅制成。

該電子設(shè)備可以包含電連接網(wǎng)絡(luò)，其包含在基底晶圓之上的層中。

該電子設(shè)備可以包含貫穿基底晶圓的電連接通孔，并且背面頂部上的電連接元件，其連接至該通孔。

附圖說(shuō)明

借助非限制的典型實(shí)施例，對(duì)電子設(shè)備和聚合制造模式進(jìn)行描述，并且在附圖中示出了該電子設(shè)備和聚合制造模式，其中：

-圖1示出了電子設(shè)備的俯視圖；

-圖2沿圖1中的ii-ii示出了電子設(shè)備的橫截面；

-圖3示出了最初分離的晶圓的橫截面；以及

-圖4至圖7示出了從圖3中的最初的晶圓開(kāi)始的電子設(shè)備聚合制造步驟的橫截面。

具體實(shí)施方式

在圖1和圖2中，示出了電子設(shè)備1，其包含具有正面3的光學(xué)集成電路芯片2，并且其包含支撐該正面3的側(cè)面的基底晶圓4，光學(xué)元件5和包括在覆蓋基底晶圓4的正面層7中的電連接網(wǎng)絡(luò)6，其中該網(wǎng)絡(luò)6包含若干金屬層。

光學(xué)元件5配置在芯片2的中心區(qū)域，并且電連接網(wǎng)絡(luò)6，一般而言，位于光學(xué)元件5的外邊緣與芯片2的外邊緣之間的區(qū)域中。

光學(xué)元件5可以是光學(xué)傳感器。

電子設(shè)備1進(jìn)一步包含安裝在芯片2的正面3上的副正面晶圓8。該副晶圓8采用(例如，方形或矩形的)正面環(huán)9的形狀，在其內(nèi)部限定了在光學(xué)元件5上方延伸的貫穿通道10。更確切地說(shuō)，環(huán)9固定在芯片2的正面3的外圍部上并且以一定距離環(huán)繞光學(xué)元件5的外圍。

芯片2和正面環(huán)9具有對(duì)應(yīng)的輪廓，使得電子設(shè)備2采用平行六面體的形式，例如，具有方形外圍輪廓，并且環(huán)9的分支(或側(cè)部)具有相等的寬度。

正面環(huán)9通過(guò)粘結(jié)的方式，例如，借助聚合物粘合劑，或通過(guò)分子附著力固定在芯片2上。

芯片2包含從基底晶圓4的背面12貫穿基底晶圓4形成的多個(gè)電連接通孔11(tvs)，這些通孔11朝向正面延伸并且選擇性地連接至電連接網(wǎng)絡(luò)6。

基底晶圓4和正面環(huán)9由相同的材料制成，更具體地，由半導(dǎo)體材料制成，諸如硅。

電子設(shè)備1進(jìn)一步包含多個(gè)外部電連接元件13，例如，金屬凸出連接，其安裝在芯片2的背面12的頂部上并且選擇性地借助布置在基底晶圓4的背面12的頂部上的電連接網(wǎng)絡(luò)14連接至通孔11。

電子設(shè)備1可以借助電連接元件13安裝至接收設(shè)備上(未示出)。

正面環(huán)9構(gòu)成了用于為芯片4提供強(qiáng)化和機(jī)械保護(hù)的結(jié)構(gòu)。此外基底晶圓4和正面環(huán)9，由硅制成，展現(xiàn)出一致的機(jī)械行為特性，更確切地說(shuō)，延展的機(jī)械行為特性，使得當(dāng)溫度變化時(shí)芯片4不會(huì)在正面環(huán)9的影響下經(jīng)受任何彎曲或扭轉(zhuǎn)的力。

正面環(huán)9形成了支架元件并且能夠，以推入配合的方式或通過(guò)粘接在其正面15上，接收外部元件(未示出)，例如光學(xué)鏡頭。

電子設(shè)備1能夠通過(guò)聚合制造進(jìn)行生產(chǎn)，其將針對(duì)多個(gè)電子設(shè)備1的產(chǎn)品進(jìn)行描述。

如圖3所示，提供最初預(yù)制主晶圓100，其具有正面101并且其包含由硅制成的基底晶圓102，在正面101的側(cè)面上和相應(yīng)地多個(gè)相鄰位置103的每一個(gè)中，其具有光學(xué)元件5和包含在正面層104中的電連接網(wǎng)絡(luò)6。

根據(jù)矩陣，例如，方形，對(duì)應(yīng)將要制造的電子設(shè)備1的輪廓，布置相鄰位置103。

基底晶圓102的厚度大于將要制造電子設(shè)備1的基板4的厚度。

同樣提供由硅制成的副最初預(yù)制晶圓105，在安裝表面106，具有分別形成在該副晶圓105上的位置103a中，對(duì)應(yīng)于主晶圓100上的位置103的凹部107。

凹部107的深度至少等于將要制造的電子設(shè)備1的貫穿通道10的深度，換句話說(shuō)，至少等于將要制造的電子設(shè)備1的環(huán)9的厚度。

凹部107具有對(duì)應(yīng)于將要制造的電子設(shè)備1的貫穿通道10的外圍內(nèi)壁。

在圖4中示出的安裝步驟中，主晶圓100和副晶圓105一個(gè)安裝在另一個(gè)頂部，以位置103和103a位于(即，朝向)彼此頂部以及凹部107位于主晶圓的一側(cè)并且在對(duì)應(yīng)的光學(xué)元件5上方的方式，副晶圓105的安裝表面106與主晶圓100的正面101匹配。

副晶圓105的安裝表面106通過(guò)分子附著力或粘結(jié)與主晶圓100的正面101匹配，例如借助聚合物粘合劑，該粘合劑層未在光學(xué)元件上方延伸。

在圖5中示出的后續(xù)步驟中，減小基底晶圓102的厚度，從其背面108開(kāi)始并且上升到基底晶圓102具有背面108a的點(diǎn)。該厚度減小操作可以通過(guò)機(jī)械磨蝕/拋光工藝和/或化學(xué)腐蝕來(lái)執(zhí)行。

根據(jù)圖6中示出的后續(xù)步驟，可以執(zhí)行主晶圓的處理。

更確切地說(shuō)，針對(duì)將要制造的電子設(shè)備1，該處理可以包含，分別在位置103中，形成穿過(guò)基底晶圓102的電連接通孔11，從背面108a開(kāi)始，并在該背面108a的頂部上形成電連接網(wǎng)絡(luò)14，連同安裝外部電連接元件13一起。

在圖7示出的后續(xù)步驟中，針對(duì)將要制造的電子設(shè)備1，執(zhí)行減小副晶圓105的厚度，從與其安裝表面106相對(duì)的其正面109開(kāi)始，至少展現(xiàn)出凹部107，使得副晶圓105的剩余部分105a隨后形成網(wǎng)格的形式，并且限定了貫穿通道10，其分別在光學(xué)元件5上方延伸。換句話說(shuō)，網(wǎng)格形式的剩余部分105a的支部，其剛性連接至主晶圓100，在分隔光學(xué)元件5的該主晶圓100的區(qū)域上方延伸。

副晶圓105厚度的這種減小可以通過(guò)機(jī)械磨蝕/拋光工藝和/或化學(xué)腐蝕來(lái)執(zhí)行?？蛇x擇地，可以在晶圓100的正面101的區(qū)域上對(duì)應(yīng)于晶圓105中的凹部107沉積臨時(shí)保護(hù)層。

副晶圓的厚度減小可以，例如，包含機(jī)械操作，用于磨蝕/拋光直至靠近凹部107，之后包含化學(xué)腐蝕操作直至展現(xiàn)出凹部107。

在必須移除上述保護(hù)層之后，進(jìn)一步的步驟包括，執(zhí)行切割操作，例如，通過(guò)沿與重疊的位置103和103a的邊緣相對(duì)應(yīng)的矩陣的線和列110進(jìn)行切割，貫穿主晶圓100和副晶圓105網(wǎng)格形式的剩余部分105支路中間。

多個(gè)電子設(shè)備1，如圖1和圖2所示出的那些，于是得以獲得。

鑒于基底晶圓102和副晶圓105由相同的材料，即，硅制成的事實(shí)，切割操作變得更為方便。

根據(jù)一個(gè)變形實(shí)施例，行和列區(qū)域110可以在將正副晶圓105粘接在主晶圓100的正面101期間免于膠粘劑。