技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及單晶硅片的清洗領(lǐng)域。本發(fā)明在行業(yè)內(nèi)常用的槽式和鏈式清洗設(shè)備基礎(chǔ)上，使用常見酸堿對砂漿切割片進行清洗。清洗后的硅片外觀光亮，顯微鏡下成方塊結(jié)構(gòu)，總體刻蝕量控制在9μm，設(shè)備操作和工藝控制簡單，清洗后的硅片外觀變化明顯。兩次清洗工藝對現(xiàn)有槽式機和鏈式機的清洗工藝進行簡單修改，不需要額外增加特殊的清洗設(shè)備和特殊設(shè)計。不使用雙氧水等強氧化性對設(shè)備由損傷的化學品。最終對砂漿切割單晶電池片，少子壽命可以提高30μs，電池片鈍化后開路電壓Uoc提高10mV，相比普通工藝，單晶電池轉(zhuǎn)換效率提高0.8%。

技術(shù)研發(fā)人員：郭衛(wèi);董建明;劉進;張之棟
受保護的技術(shù)使用者：山西潞安太陽能科技有限責任公司
文檔號碼：201610838749
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.22
技術(shù)公布日：2017.02.15