本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD主要包括液晶顯示面板、時(shí)序控制器以及驅(qū)動(dòng)集成電路(Integrated Circuit，IC)，其中，TFT-LCD的液晶顯示面板由成盒在一起的陣列基板、彩膜基板以及位于其中的液晶分子組成，陣列基板上的顯示區(qū)域內(nèi)形成有多條縱橫交錯(cuò)的柵線和數(shù)據(jù)線、以及多個(gè)顯示單元，每個(gè)顯示單元對(duì)應(yīng)一個(gè)TFT，通過TFT可控制對(duì)應(yīng)的顯示單元內(nèi)液晶分子的反轉(zhuǎn)，從而達(dá)到顯示圖像的目的。TFT-LCD的驅(qū)動(dòng)IC包括源極驅(qū)動(dòng)IC及柵極驅(qū)動(dòng)IC。其中，柵極驅(qū)動(dòng)IC通過柵線將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送至每個(gè)TFT的柵極，以控制每行TFT的打開和關(guān)閉；源極驅(qū)動(dòng)IC在TFT打開時(shí)，通過數(shù)據(jù)線將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳送至每列TFT的源極，以控制每個(gè)TFT源極的輸入電壓，而漏極與像素電極電連接，可以達(dá)到對(duì)像素充電顯示的目的。

現(xiàn)有的一種ADS模式的TFT-LCD顯示器的結(jié)構(gòu)中，如圖1所示，包括位于襯底基板11上的像素電極12、位于像素電極12上的絕緣層13，位于絕緣層13上的TFT的漏極14，覆蓋漏極14和絕緣層13的鈍化層15。其中，漏極14與像素電極12有交疊區(qū)域，為了給像素電極12提供電信號(hào)，漏極14和像素電極12之間需要通過過孔搭接，其中一種工藝就是使用單過孔搭接，需要在像素電極上的絕緣層中刻蝕搭接過孔，以便搭接漏極的一端，由于鈍化層中也需要刻蝕許多其它的過孔，可以同時(shí)刻蝕該搭接過孔，以節(jié)省掩膜版。如圖1所示，在鈍化層15上對(duì)光刻膠薄膜16進(jìn)行曝光顯示，在像素電極上方包含交疊區(qū)域的區(qū)域處形成開口，然后刻蝕搭接過孔，但是由于刻蝕工藝不易控制，刻蝕搭接過孔時(shí)，容易將該漏極14的一端與像素電極12正對(duì)的區(qū)域的絕緣層13刻蝕掉，如圖2所示，導(dǎo)致漏極14的一端下存在孔洞17，即存在底切不良的問題，容易引起搭接過孔中的搭接引線斷裂。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種顯示基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置，用于解決采用現(xiàn)有技術(shù)中的工藝制作的像素電極與漏極的搭接過孔時(shí)存在底切不良的問題。

本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種顯示基板的制作方法，該方法包括：

在襯底基板上依次形成層疊的像素電極的圖形、絕緣層薄膜、漏極的圖形、鈍化層薄膜、以及光刻膠薄膜；其中，所述像素電極的圖形包括與所述漏極的圖形交疊的區(qū)域和無交疊的區(qū)域；

利用半色調(diào)掩膜版對(duì)所述光刻膠薄膜進(jìn)行曝光顯影，在所述光刻膠薄膜中形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全保留區(qū)域；所述光刻膠完全去除區(qū)域位于所述光刻膠薄膜中與所述無交疊的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域內(nèi)，并且所述光刻膠完全去除區(qū)域在所述襯底基板的正投影，與所述交疊區(qū)域在所述襯底基板的正投影的最小距離大于第一預(yù)設(shè)距離；所述光刻膠部分保留區(qū)域覆蓋所述交疊區(qū)域及從該區(qū)域至所述光刻膠完全去除區(qū)域之間的區(qū)域；

利用刻蝕工藝和所述光刻膠薄膜，在所述鈍化層薄膜和所述絕緣層薄膜中刻蝕形成所述像素電極的圖形和所述漏極的圖形的搭接過孔。

較佳地，利用刻蝕工藝和所述光刻膠薄膜，在所述鈍化層薄膜和所述絕緣層薄膜中刻蝕形成所述像素電極的圖形和所述漏極的圖形的搭接過孔，包括：

利用刻蝕工藝和所述光刻膠完全去除區(qū)域，刻蝕位于所述鈍化層薄膜的過孔和所述絕緣層薄膜中的過孔；其中，在所述鈍化層薄膜中刻蝕的過孔所在區(qū)域在所述襯底基板的正投影，與所述交疊區(qū)域在所述襯底基板的正投影的最小距離大于第二預(yù)設(shè)距離；

對(duì)光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠薄膜進(jìn)行灰化處理，完全去除光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠薄膜以暴露出所述交疊區(qū)域內(nèi)的鈍化層薄膜，同時(shí)部分去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠薄膜；

利用刻蝕工藝刻蝕所述交疊區(qū)域內(nèi)的鈍化層薄膜，暴露出所述漏極的圖形的一端，以形成所述搭接過孔。

較佳地，所述第一預(yù)設(shè)距離不小于刻蝕所述鈍化層薄膜時(shí)的橫向刻蝕量。

較佳地，所述鈍化層薄膜為氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；所述鈍化層薄膜的厚度的范圍為所述刻蝕所述鈍化層薄膜時(shí)的橫向刻蝕量為1μm～2μm。

較佳地，所述第二預(yù)設(shè)距離不小于刻蝕所述絕緣層薄膜時(shí)的橫向刻蝕量。

較佳地，所述絕緣層薄膜為氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；所述絕緣層薄膜的厚度的范圍為所述刻蝕所述絕緣層薄膜時(shí)的橫向刻蝕量為0.5μm～1.5μm。

一種顯示基板，所述顯示基板是采用以上任一項(xiàng)所述的方法制作得到的。

一種顯示面板，所述顯示面板包括如以上所述的顯示基板。

一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如以上所述的顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置中，由于制作顯示基板的過程中，光刻膠薄膜中的完全去除區(qū)域距離像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域有一定距離，這樣，可以限制刻蝕范圍無法到達(dá)像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜，起到了阻擋作用，保護(hù)了該區(qū)域的絕緣層薄膜不被刻蝕，避免了像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜出現(xiàn)孔洞，降低了底切不良的風(fēng)險(xiǎn)，提高了產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)搭接過孔刻蝕的過程中，光刻膠薄膜曝光顯影后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中搭接過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作方法流程圖。

圖4a～圖4f為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示基板的制作過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種顯示基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置進(jìn)行更詳細(xì)地說明。

本發(fā)明實(shí)施例中，提供一種顯示基板的制作方法，如圖3所示，至少包括如下步驟：

步驟310、在襯底基板上依次形成層疊的像素電極的圖形、絕緣層薄膜、漏極的圖形、鈍化層薄膜、以及光刻膠薄膜；其中，像素電極的圖形包括與漏極的圖形交疊的區(qū)域和無交疊的區(qū)域。

步驟320、利用半色調(diào)掩膜版對(duì)光刻膠薄膜進(jìn)行曝光顯影，在光刻膠薄膜中形成光刻膠完全去除區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全保留區(qū)域；光刻膠完全去除區(qū)域位于光刻膠薄膜中與上述無交疊的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域內(nèi)，并且光刻膠完全去除區(qū)域在襯底基板的正投影，與上述交疊區(qū)域在襯底基板的正投影的最小距離大于第一預(yù)設(shè)距離；光刻膠部分保留區(qū)域覆蓋上述交疊區(qū)域及從該區(qū)域至光刻膠完全去除區(qū)域之間的區(qū)域。

步驟330、利用刻蝕工藝和光刻膠薄膜，在鈍化層薄膜和絕緣層薄膜中刻蝕形成像素電極的圖形和漏極的圖形的搭接過孔。

本發(fā)明實(shí)施例中，由于制作顯示基板的過程中，光刻膠薄膜中的完全去除區(qū)域距離像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域有一定距離，這樣，可以限制刻蝕范圍無法到達(dá)像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜，起到了阻擋作用，保護(hù)了該區(qū)域的絕緣層薄膜不被刻蝕，避免了像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜出現(xiàn)孔洞，降低了底切不良的風(fēng)險(xiǎn)，提高了產(chǎn)品良率。

需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中主要介紹的是刻蝕搭接過孔的方案，對(duì)于鈍化層中其它過孔的刻蝕，在此不做具體說明。

具體實(shí)施時(shí)，較佳地，上述步驟130中，利用刻蝕工藝和光刻膠薄膜，在鈍化層薄膜和絕緣層薄膜中刻蝕形成像素電極的圖形和漏極的圖形的搭接過孔，具體可以是：

利用刻蝕工藝和光刻膠完全去除區(qū)域，刻蝕位于鈍化層薄膜的過孔和絕緣層薄膜中的過孔；其中，在鈍化層薄膜中刻蝕的過孔所在區(qū)域在襯底基板的正投影，與交疊區(qū)域在襯底基板的正投影的最小距離大于第二預(yù)設(shè)距離；

對(duì)光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠薄膜進(jìn)行灰化處理，完全去除光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠薄膜以暴露出交疊區(qū)域內(nèi)的鈍化層薄膜，同時(shí)部分去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠薄膜；

利用刻蝕工藝刻蝕交疊區(qū)域內(nèi)的鈍化層薄膜，暴露出漏極的圖形的一端，以形成搭接過孔。

本實(shí)施例中，由于在鈍化層薄膜中刻蝕的過孔距離像素電極的圖形和漏極的圖形有一定距離，進(jìn)一步保證刻蝕像素電極的圖形與漏極的圖形交疊區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜時(shí)，限制刻蝕范圍無法到達(dá)像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜。

下面通過具體例子對(duì)以上流程進(jìn)行更加詳細(xì)地說明。

步驟一、如圖4a所示，在襯底基板21上依次形成層疊的像素電極的圖形22、絕緣層薄膜23、漏極的圖形24、鈍化層薄膜25、以及光刻膠薄膜26；其中，像素電極的圖形22包括與漏極的圖形24交疊的區(qū)域和無交疊的區(qū)域

步驟二、如圖4b所示，利用半色調(diào)掩膜版對(duì)光刻膠薄膜26進(jìn)行曝光顯影，在光刻膠薄膜26中形成光刻膠完全去除區(qū)域A、光刻膠部分保留區(qū)域B以及光刻膠完全保留區(qū)域C；光刻膠完全去除區(qū)域A位于光刻膠薄膜26中與上述無交疊的區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域內(nèi)，并且光刻膠完全去除區(qū)域A在襯底基板21的正投影，與上述交疊區(qū)域在襯底基板21的正投影的最小距離D大于第一預(yù)設(shè)距離；光刻膠部分保留區(qū)域B覆蓋上述交疊區(qū)域及從該區(qū)域至光刻膠完全去除區(qū)域A之間的區(qū)域。

本實(shí)施例中，采用的光刻膠為正性光刻膠，當(dāng)然也可以采用負(fù)性光刻膠，需要對(duì)相應(yīng)的掩膜版做調(diào)整。

步驟三、如圖4c所示，利用刻蝕工藝和光刻膠完全去除區(qū)域A，刻蝕位于鈍化層薄膜25的過孔和絕緣層薄膜23中的過孔；其中，在鈍化層薄膜25中刻蝕的過孔所在區(qū)域在襯底基板的正投影，與交疊區(qū)域在襯底基板的正投影的最小距離E大于第二預(yù)設(shè)距離。

步驟四、如圖4d所示，對(duì)光刻膠完全保留區(qū)域C和光刻膠部分保留區(qū)域B的光刻膠薄膜進(jìn)行灰化處理，完全去除光刻膠部分保留區(qū)域B對(duì)應(yīng)的光刻膠薄膜26以暴露出上述交疊區(qū)域內(nèi)的鈍化層薄膜25，同時(shí)部分去除光刻膠完全保留區(qū)域C的光刻膠薄膜26。

步驟五、如圖4e所示，利用刻蝕工藝刻蝕交疊區(qū)域內(nèi)的鈍化層薄膜25，暴露出漏極的圖形24的一端，以形成搭接過孔27。

步驟六、如圖4f所示，去除完全保留區(qū)域C的光刻膠薄膜26。

基于以上步驟，在具體實(shí)施時(shí)，上述第一預(yù)設(shè)距離的大小可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，只要能夠保證與像素電極的圖形與漏極的圖形交疊區(qū)域的對(duì)應(yīng)的絕緣層不被刻蝕導(dǎo)致出現(xiàn)孔洞就可以。本發(fā)明實(shí)施例中，刻蝕鈍化層薄膜和絕緣層薄膜采用的是干法刻蝕，一般，在對(duì)薄膜進(jìn)行刻蝕時(shí)，不僅在垂直薄膜的方向上會(huì)進(jìn)行刻蝕，在平行于薄膜的方向上也會(huì)有一定的刻蝕量，將該方向刻蝕的最大量稱為橫向刻蝕量，其大小與材料、薄膜的厚度都有關(guān)系。例如，在相同的條件下，對(duì)于容易刻蝕的材料，相應(yīng)的橫向刻蝕量較大，對(duì)于不容易刻蝕的材料，相應(yīng)的橫向刻蝕量較?。煌ǔ?，鈍化層薄膜的材料比絕緣層薄膜的材料容易刻蝕，且鈍化層薄膜會(huì)比絕緣層薄膜厚，因而，鈍化層薄膜的橫向刻蝕量就大于絕緣層薄膜的橫向刻蝕量?；诖?，本實(shí)施例中，第一預(yù)設(shè)距離可以不小于刻蝕鈍化層薄膜25時(shí)的橫向刻蝕量。這樣，在進(jìn)行步驟三時(shí)，可以限制刻蝕范圍無法達(dá)到像素電極的圖形與漏極的圖形交疊區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜，而絕緣層薄膜的橫向刻蝕量比鈍化層薄膜的橫向刻蝕量還小，最終也就可以限制刻蝕范圍無法達(dá)到像素電極的圖形與漏極的圖形交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜，也就不會(huì)在像素電極的圖形與漏極的圖形交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜中刻蝕出孔洞，避免了底切不良。

較佳地，鈍化層薄膜為氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；鈍化層薄膜的厚度的范圍為刻蝕鈍化層薄膜時(shí)的橫向刻蝕量為1μm～2μm。

以上僅是對(duì)鈍化層薄膜的材料、厚度、以及相應(yīng)的橫向刻蝕量進(jìn)行的舉例說明，而非限定。

同樣，上述第二預(yù)設(shè)距離可以不小于刻蝕絕緣層薄膜23時(shí)的橫向刻蝕量。這樣，在步驟五刻蝕像素電極的圖形與漏極的圖形交疊區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜時(shí)，步驟三中形成的鈍化層薄膜的過孔就可以限制刻蝕范圍無法達(dá)到像素電極的圖形與漏極的圖形交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜，在進(jìn)行步驟五時(shí)，也就不會(huì)在像素電極的圖形與漏極的圖形交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜中刻蝕出孔洞，避免了底切不良。

較佳地，絕緣層薄膜為氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅；絕緣層薄膜的厚度的范圍為刻蝕絕緣層薄膜時(shí)的橫向刻蝕量為0.5μm～1.5μm。

以上僅是對(duì)絕緣層薄膜的材料、厚度范圍，橫向刻蝕量的大小進(jìn)行的舉例說明，并非限定。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示基板，該顯示基板是采用以上任意實(shí)施例所述的方法制作得到的。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，該顯示面板包括以上實(shí)施例所述的顯示基板。

基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括如以上實(shí)施例所述的顯示面板。該顯示裝置可以應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置中，由于制作顯示基板的過程中，光刻膠薄膜中的完全去除區(qū)域距離像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域有一定距離，這樣，可以限制刻蝕范圍無法到達(dá)像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜，起到了阻擋作用，保護(hù)了該區(qū)域的絕緣層薄膜不被刻蝕，避免了像素電極的圖形與漏極的圖形的交疊區(qū)域?qū)?yīng)的絕緣層薄膜出現(xiàn)孔洞，降低了底切不良的風(fēng)險(xiǎn)，提高了產(chǎn)品良率。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。