本發(fā)明涉及電感器領(lǐng)域，具體涉及一種電壓控制的可調(diào)電感。

背景技術(shù)：

目前的手機(jī)設(shè)計(jì)需要支持的頻段越來越多，甚至已經(jīng)達(dá)到30頻的級(jí)別，這就意味著在一部手機(jī)上，要設(shè)計(jì)有30個(gè)射頻通路。每個(gè)射頻通路均由大量的元件組成，包括電感。為了保證每個(gè)射頻通路的正常運(yùn)行，需要對各個(gè)射頻通路進(jìn)行匹配調(diào)試，包括確定電感量適合的電感，以使得射頻通路的阻抗匹配，達(dá)到最佳狀態(tài)。

現(xiàn)有技術(shù)中，射頻通路的匹配調(diào)試所使用的電感為電感量固定的電感，當(dāng)射頻通路中的電感無法實(shí)現(xiàn)阻抗匹配時(shí)，工程師需要對當(dāng)前電感進(jìn)行手動(dòng)解焊，并選擇其他電感量的電感，將其重新焊接在射頻通路中。在匹配調(diào)試的過程中，工程師需要不斷通過解焊、焊接來更換射頻通路中的電感的電感量，直至實(shí)現(xiàn)射頻通路的阻抗匹配。

在射頻通路的匹配調(diào)試過程中，工程師需要手動(dòng)更換電感以確定合適的電感量，由于通常需要多次更換才能找到合適的電感量，因此工程師需要進(jìn)行多次的解焊、焊接，操作繁瑣，效率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電壓控制的可調(diào)電感，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中為確定合適的電感量而手動(dòng)更換電感導(dǎo)致的操作繁瑣問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明實(shí)施例的一方面提供了一種電壓控制的可調(diào)電感，包括：

場效應(yīng)晶體管和電感線圈，所述場效應(yīng)晶體管的電極包括源極、漏極和柵極，所述電感線圈由導(dǎo)電芯體和包裹于所述導(dǎo)電芯體表面的絕緣層組成，所述電感線圈包括線圈部分和電極部分；

所述線圈部分設(shè)置于所述場效應(yīng)晶體管內(nèi)部，所述電極部分的一端與所述線圈部分的一端相連，所述電極部分的另一端經(jīng)由所述場效應(yīng)晶體管的電極暴露在所述電壓控制的可調(diào)電感的外部，形成電感電極；

所述線圈部分的表面至少設(shè)置有兩個(gè)觸點(diǎn)，所述觸點(diǎn)處的導(dǎo)電芯體未覆蓋有所述絕緣層，所述觸點(diǎn)處的導(dǎo)電芯體覆蓋有第一半導(dǎo)體材料，所述第一半導(dǎo)體材料的類型與所述源極的摻雜區(qū)或所述漏極的摻雜區(qū)的半導(dǎo)體材料相同，當(dāng)所述場效應(yīng)晶體管中存在導(dǎo)電溝道時(shí)，所述觸點(diǎn)位于所述導(dǎo)電溝道中，并且隨著所述導(dǎo)電溝道寬度的變化，位于所述導(dǎo)電溝道中的所述觸點(diǎn)的數(shù)目發(fā)生變化。

結(jié)合第一方面，在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述線圈部分沿垂直于所述柵極的方向設(shè)置。

結(jié)合第一方面或第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一半導(dǎo)體材料與所述源極的摻雜區(qū)或所述漏極的摻雜區(qū)的半導(dǎo)體材料相同。

結(jié)合第一方面、第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式和第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式之中任意一種，在第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述線圈部分由超過2匝的線圈組成。

結(jié)合第一方面、第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式和第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式之中任意一種，在第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述線圈部分的每一匝線圈均設(shè)置有所述觸點(diǎn)。

結(jié)合第一方面、第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式和第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式之中任意一種，在第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述電感線圈的導(dǎo)電芯體材料為金、銅、銀或其合金。

結(jié)合第一方面、第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式和第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式之中任意一種，在第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述場效應(yīng)晶體管為絕緣柵型場效應(yīng)晶體管MOSFET。

結(jié)合第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述線圈部分的第一部分設(shè)置于所述MOSFET的源極或柵極的摻雜區(qū)，所述線圈部分的第二部分設(shè)置于所述柵極的摻雜區(qū)，所述觸點(diǎn)設(shè)置于所述第二部分的外側(cè)；

所述電極部分經(jīng)由所述源極或所述漏極暴露在所述電壓控制的可調(diào)電感的外部，形成電感電極。

結(jié)合第一方面、第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式、第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式和第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式之中任意一種，在第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述場效應(yīng)晶體管為結(jié)型場效應(yīng)晶體管JFET。

結(jié)合第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述線圈部分設(shè)置于所述源極的摻雜區(qū)或所述漏極的摻雜區(qū)；

所述電極部分經(jīng)由所述柵極暴露在所述電壓控制的可調(diào)電感的外部，形成電感電極。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明提供的電壓控制的可調(diào)電感由場效應(yīng)晶體管和電感線圈組成，電感線圈由導(dǎo)電芯體和包裹于導(dǎo)電芯體表面的絕緣層組成，電感線圈包括線圈部分和電極部分，線圈部分設(shè)置于場效應(yīng)晶體管內(nèi)部，電極部分的一端與線圈部分的一端相連，電極部分的另一端經(jīng)由場效應(yīng)晶體管的電極暴露在電壓控制的可調(diào)電感的外部，形成電感電極，線圈部分的表面至少設(shè)置有兩個(gè)觸點(diǎn)，觸點(diǎn)處的導(dǎo)電芯體未覆蓋有絕緣層，觸點(diǎn)處的導(dǎo)電芯體覆蓋有第一半導(dǎo)體材料，第一半導(dǎo)體材料的類型與源極的摻雜區(qū)或漏極的摻雜區(qū)的半導(dǎo)體材料相同，當(dāng)場效應(yīng)晶體管中存在導(dǎo)電溝道時(shí)，觸點(diǎn)位于導(dǎo)電溝道中，并且隨著導(dǎo)電溝道寬度的變化，位于導(dǎo)電溝道中的觸點(diǎn)的數(shù)目發(fā)生變化，通過改變加在柵極的電壓，可以改變場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電溝道的寬度，改變線圈部分位于導(dǎo)電溝道中的觸點(diǎn)的數(shù)目，當(dāng)電感電極和源極或漏極(電感電極未經(jīng)由的電極)接入交流電路時(shí)，可以改變線圈部分接入交流電路的長度，從而改變可調(diào)電感的電感量。在射頻通路的匹配調(diào)試過程中，工程師不需要手動(dòng)解焊、焊接來更換電感，便可以改變其電感量，以確定合適的電感量，簡化操作，提高效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明MOSFET型電壓控制的可調(diào)電感一個(gè)實(shí)施例示意圖；

圖2為本發(fā)明MOSFET型電壓控制的可調(diào)電感一個(gè)工作原理圖；

圖3為本發(fā)明JFET型電壓控制的可調(diào)電感一個(gè)實(shí)施例示意圖；

圖4為本發(fā)明JFET型電壓控制的可調(diào)電感一個(gè)工作原理圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電壓控制的可調(diào)電感，用于通過電壓調(diào)節(jié)電感的電感量，方便確定適合的電感量。

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的實(shí)施例能夠以除了在這里圖示或描述的內(nèi)容以外的順序?qū)嵤?。此外，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

目前的手機(jī)設(shè)計(jì)需要支持的頻段越來越多，甚至已經(jīng)達(dá)到30頻的級(jí)別，這就意味著在一部手機(jī)上，要設(shè)計(jì)有30個(gè)射頻通路。每個(gè)射頻通路均由大量的元件組成，包括電感、電阻、開關(guān)等。為了保證每個(gè)射頻通路正常運(yùn)行，需要對各個(gè)射頻通路進(jìn)行匹配調(diào)試，確定電感量適合的電感，以使得射頻通路的阻抗匹配，達(dá)到最佳狀態(tài)。

現(xiàn)有技術(shù)中，射頻通路的匹配調(diào)試所使用的電感為電感量固定的電感，并且由于射頻通路需要設(shè)計(jì)在有限的PCB板空間上，因此使用的電感尺寸較小，常見尺寸一般為0.2mm×0.1mm。當(dāng)焊接在射頻通路中的電感無法實(shí)現(xiàn)阻抗匹配時(shí)，工程師需要對當(dāng)前使用的電感進(jìn)行手動(dòng)解焊，并選擇其他電感量的電感，將其重新焊接在射頻通路中。由于電感尺寸較小，工程師在電感的焊接過程中容易出現(xiàn)虛焊等不良焊接情況，良率較低。并且，在匹配調(diào)試的過程中，工程師通常需要嘗試多個(gè)電感量的電感之后，方能找到合適的電感量，在這個(gè)過程中需要進(jìn)行多次的解焊、焊接操作來更換射頻通路中的電感，操作繁瑣，工作量大，大量焊接操作對工程師的身體健康造成不利影響。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種電壓控制的可調(diào)電感，只需要改變電壓便能調(diào)節(jié)電感的電感量，以確定合適的電感量，不需要進(jìn)行多次的解焊、焊接操作，簡化工程師的操作，減少工作量，且提高效率?？烧{(diào)電感作為電感器的一種，在實(shí)際生活中有很多的應(yīng)用，比如在收音機(jī)中、電視中等均有廣泛的應(yīng)用，因此，本發(fā)明提供的可調(diào)電感還可以用于其他場合，而不限定于應(yīng)用在手機(jī)的射頻通路匹配調(diào)試中。

本發(fā)明提供的可調(diào)電感，是由固定電感量的電感和場效應(yīng)晶體管組成的，場效應(yīng)晶體管的電極包括源極、漏極和柵極，本發(fā)明的主要思想是利用場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電溝道的寬度會(huì)隨加在柵極的電壓的變化而改變的原理來調(diào)節(jié)源極和漏極間的電感。將電感線圈嵌入場效應(yīng)晶體管的源極的摻雜區(qū)或者漏極的摻雜區(qū)，將線圈的外邊緣設(shè)置于柵極的摻雜區(qū)，并將設(shè)置于柵極的摻雜區(qū)的線圈表面的絕緣材料去除，形成多個(gè)接入導(dǎo)電通路的觸點(diǎn)。通過改變柵極電壓可以改變溝道寬度，溝道寬度的改變可以改變接入導(dǎo)電通路的電感線圈的觸點(diǎn)位置，從而改變可調(diào)電感的電感量。和現(xiàn)有技術(shù)中的機(jī)械式可調(diào)電感不同，具有不易磨損、體積小的特點(diǎn)。

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，本發(fā)明通過以下實(shí)施例對本發(fā)明提供的技術(shù)方案進(jìn)行說明。請參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例中電壓控制的可調(diào)電感一個(gè)實(shí)施例包括：

場效應(yīng)晶體管和電感線圈。場效應(yīng)晶體管的電極包括源極、漏極和柵極，電感線圈由導(dǎo)電芯體和包裹于導(dǎo)電芯體表面的絕緣層組成，電感線圈包括線圈部分和電極部分。

線圈部分設(shè)置于場效應(yīng)晶體管內(nèi)部，電極部分的一端與線圈部分的一端相連，電極部分的另一端經(jīng)由場效應(yīng)晶體管的電極暴露在電壓控制的可調(diào)電感的外部，形成電感電極。

線圈部分的表面至少設(shè)置有兩個(gè)觸點(diǎn)，觸點(diǎn)處的導(dǎo)電芯體未覆蓋有絕緣層，觸點(diǎn)處的導(dǎo)電芯體覆蓋有第一半導(dǎo)體材料，第一半導(dǎo)體材料的類型與源極的摻雜區(qū)或漏極的摻雜區(qū)的半導(dǎo)體材料相同，當(dāng)場效應(yīng)晶體管中存在導(dǎo)電溝道時(shí)，觸點(diǎn)位于導(dǎo)電溝道中，并且隨著導(dǎo)電溝道寬度的變化，位于導(dǎo)電溝道中的觸點(diǎn)的數(shù)目發(fā)生變化。

本發(fā)明通過改變加在柵極的電壓，改變場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電溝道的寬度，并且當(dāng)導(dǎo)電溝道的寬度發(fā)生變化時(shí)，可以改變線圈部分位于導(dǎo)電溝道中的觸點(diǎn)的位置，若電感電極經(jīng)由源極暴露在可變電感的外部，將電感電極和漏極接入交流回路后，可以改變線圈部分接入交流回路的長度，從而改變可調(diào)電感的電感量。在射頻通路的匹配調(diào)試過程中，通過將固定電感更換為本發(fā)明的電壓控制的可調(diào)電感，工程師不需要手動(dòng)解焊、焊接來更換電感，便可以改變其電感量，以確定合適的電感量，簡化操作，提高效率。

在實(shí)際使用時(shí)，場效應(yīng)晶體管可以使用絕緣柵型場效應(yīng)晶體管MOSFET，包括三個(gè)電極：G(柵極)、S(源極)及D(漏極)，柵極G與漏極D及源極S之間是絕緣的，漏極D與源極S之間有兩個(gè)PN結(jié)。MOSFET包括N溝道增強(qiáng)型、N溝道耗盡型、P溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型，本發(fā)明以N溝道MOSFET(增強(qiáng)型N-MOSFET)舉例說明，請參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例中電壓控制的可調(diào)電感另一個(gè)實(shí)施例包括：

N-MOSFET101和電感線圈102，電感線圈102由導(dǎo)電芯體和包裹于芯體表面的絕緣層組成，電感線圈102包括線圈部分1021和電極部分1022，線圈部分1021設(shè)置于N-MOSFET101內(nèi)部，電極部分1022的一端與線圈部分1021的一端相連，電極部分1022的另一端經(jīng)由源極S或漏極D暴露在電壓控制的可調(diào)電感的外部，形成電感電極1023。線圈部分1021的第一部分位于N-MOSFET101的N型區(qū)，線圈部分1021的第二部分位于N-MOSFET101的源極S和漏極D之間的中部柵極的摻雜區(qū)1011，第二部分為線圈部分1021的一側(cè)外邊緣，使得線圈部分1021中的多匝線圈能夠同時(shí)位于中部柵極的摻雜區(qū)1011。為了使得位于中部柵極的摻雜區(qū)1011的第二部分能夠形成接入導(dǎo)電通路的多個(gè)觸點(diǎn)1024，可以去除線圈部分1021的第二部分的絕緣層，為了防止各觸點(diǎn)1024在中部柵極的摻雜區(qū)1011相互短路，可以在未包裹有絕緣層的導(dǎo)電芯體表面覆蓋N型半導(dǎo)體材料。

優(yōu)選的，未包裹有絕緣層的導(dǎo)電芯體表面覆蓋的N型半導(dǎo)體材料與N型摻雜區(qū)的半導(dǎo)體材料相同。

優(yōu)選的，線圈部分1021的每一匝線圈均在中部柵極的摻雜區(qū)1011形成觸點(diǎn)，這樣可以增大電感線圈102的電感量調(diào)節(jié)范圍，提高調(diào)節(jié)精度。

電感線圈102的導(dǎo)電芯體可以為導(dǎo)體，優(yōu)選的，電感線圈102的導(dǎo)電芯體材料為為金、銅、銀或其合金，因?yàn)榉€(wěn)定性較高。

電感線圈102的絕緣層材料可根據(jù)N-MOSFET的制作工藝來決定，比如，若制作工藝包括磁控濺射、刻蝕，那么選用的絕緣層材料需要為耐高溫且耐腐蝕的材料，比如陶瓷材料。

圖2對應(yīng)的實(shí)施例中的可調(diào)電感接入回路之后，通過改變電壓調(diào)節(jié)可調(diào)電感的電感量的原理可以參閱圖3。為了方便說明，N-MOSFET為增強(qiáng)型，線圈部分1021的第一部分設(shè)置于源極的摻雜區(qū)，線圈部分1021遠(yuǎn)離源極S的一端與導(dǎo)電部分1022相連，線圈部分1021由6匝線圈組成，按照越靠近源極S其編號(hào)越小的規(guī)則對各匝線圈進(jìn)行編號(hào)，得到第1匝、第2匝……第6匝線圈，各匝線圈在中部柵極的摻雜區(qū)相應(yīng)的分別設(shè)有第1觸點(diǎn)、第2觸點(diǎn)……第6觸點(diǎn)。為柵極G加正向電壓V_G，電感電極1023和漏極D接入目標(biāo)電路，目標(biāo)電路的電源可以為交流電源AC。當(dāng)V_G小于門限電壓時(shí)，N-MOSFET101未導(dǎo)通，目標(biāo)電路開路。增大V_G至V₁時(shí)，V₁大于門限電壓，中部柵極的摻雜區(qū)形成導(dǎo)電溝道，將此時(shí)的導(dǎo)電溝道稱為第一導(dǎo)電溝道1012，N-MOSFET101內(nèi)部在源極S和漏極D之間導(dǎo)通，目標(biāo)電路形成導(dǎo)通回路。假設(shè)此時(shí)只有第1觸點(diǎn)位于第一導(dǎo)電溝道中，那么線圈部分1021接入回路的電感量主要由第1匝至第6匝線圈決定，記為L1。繼續(xù)增大V_G至V₂時(shí)，將此時(shí)形成的導(dǎo)電溝道稱為第二導(dǎo)電溝道1013，由于V₂>V₁，第二導(dǎo)電溝道1013的寬度大于第一導(dǎo)電溝道1012的寬度，第二導(dǎo)電溝道1013中包括的觸點(diǎn)數(shù)目增加，假設(shè)此時(shí)第1觸點(diǎn)至第4觸點(diǎn)均位于導(dǎo)電溝道中，那么接入回路的電感量主要由第5匝至第6匝這兩匝線圈決定，記為L2，容易得出L2<L1。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易根據(jù)上述說明得到其他三種類型的MOSFET結(jié)構(gòu)的可調(diào)電感的電感量調(diào)節(jié)過程及原理，此處不再贅述。

綜上所述，通過改變可調(diào)電感中MOSFET的柵極電壓，可以改變MOSFET中導(dǎo)電溝道的寬度，進(jìn)而改變可調(diào)電感中電感線圈的觸點(diǎn)位置，從而改變接入電路的電感線圈的長度，最終改變可調(diào)電感的電感量。

在實(shí)際使用時(shí)，場效應(yīng)晶體管還可以使用結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor，JFET)，JFET是由p-n結(jié)柵極G與源極S和漏極D構(gòu)成的一種具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通過電壓改變溝道的導(dǎo)電性來實(shí)現(xiàn)對輸出電流的控制。JFET包括N溝道JFET和P溝道JFET，本發(fā)明以N溝道JFET(N-JFET)舉例說明，請參閱圖3，本發(fā)明實(shí)施例中電壓控制的可調(diào)電感另一個(gè)實(shí)施例包括：

N-JFET301和電感線圈302，電感線圈302由導(dǎo)電芯體和包裹于芯體表面的絕緣層組成，電感線圈302包括線圈部分3021和電極部分3022，線圈部分3021設(shè)置于源極的摻雜區(qū)或者說是漏極的摻雜區(qū)，即N-JFET的N型摻雜區(qū)3011中，電極部分3022的一端與線圈部分3021的一端相連，電極部分3021的另一端經(jīng)由柵極G暴露在電壓控制的可調(diào)電感的外部，形成電感電極3023。為了使得電感線圈302上形成接入導(dǎo)電通路的多個(gè)觸點(diǎn)3024，可以去除電感線圈部分表面的絕緣層，并在未包裹有絕緣層的導(dǎo)電芯體表面覆蓋N型半導(dǎo)體材料，形成兩個(gè)或兩個(gè)以上的觸點(diǎn)3024，不同觸點(diǎn)3024在線圈部分302上的位置不同。觸點(diǎn)3024數(shù)目越多，電感量的調(diào)節(jié)精度越高。當(dāng)N-JFET301中存在導(dǎo)電溝道時(shí)，兩個(gè)或兩個(gè)以上的觸點(diǎn)3024位于N-JFET301內(nèi)部的導(dǎo)電溝道中，并且通過改變導(dǎo)電溝道的寬度，可以改變導(dǎo)電溝道中觸點(diǎn)3024的數(shù)目。

優(yōu)選的，未包裹有絕緣層的導(dǎo)電芯體表面覆蓋的N型半導(dǎo)體材料與N型摻雜區(qū)3011的半導(dǎo)體材料相同。

電感線圈302的導(dǎo)電芯體可以為導(dǎo)體，優(yōu)選的，電感線圈302的導(dǎo)電芯體材料為銅或鉑，因?yàn)榉€(wěn)定性較高。

電感線圈302的絕緣層材料可根據(jù)N-JFET的制作工藝來決定，比如，若制作工藝包括磁控濺射、刻蝕，那么選用的絕緣層材料需要為耐高溫且耐腐蝕的材料，比如陶瓷材料。

優(yōu)選的，線圈部分3021設(shè)置于柵極G之間，且垂直于柵極G設(shè)置。

圖3對應(yīng)的實(shí)施例中的可調(diào)電感接入回路之后，通過改變電壓調(diào)節(jié)可調(diào)電感的電感量的原理可以參閱圖4。為了方便說明，線圈部分3021靠近柵極的一端與電極部分3022進(jìn)行導(dǎo)電連接，線圈部分3021由6匝線圈組成，按照越靠近柵極G其編號(hào)越小的規(guī)則對各匝線圈進(jìn)行編號(hào)，得到第1匝、第2匝……第6匝線圈，各匝線圈分別設(shè)有第1觸點(diǎn)、第2觸點(diǎn)……第6觸點(diǎn)。為柵極G加反向電壓V_G，電感電極3023和源極S接入目標(biāo)電路，目標(biāo)電路的電源可以為交流電源AC。當(dāng)V_G＝0時(shí)，N-JFET的導(dǎo)電溝道未出現(xiàn)耗盡，為柵極G加反向電壓，導(dǎo)電溝道開始出現(xiàn)耗盡，導(dǎo)電溝道寬度變小。當(dāng)繼續(xù)反向增大V_G至V₁時(shí)，形成第一耗盡區(qū)3012，將此時(shí)形成的導(dǎo)電溝道稱為第一導(dǎo)電溝道，假設(shè)此時(shí)第4至第6觸點(diǎn)均位于第一導(dǎo)電溝道中，由于線圈部分3021對交流電起阻抗作用，電阻很大，因此線圈部分3021內(nèi)的電流會(huì)從第4觸點(diǎn)流入第一導(dǎo)電溝道，而不流經(jīng)第4至第6匝線圈。而由于第1觸點(diǎn)至第3觸點(diǎn)均位于第一耗盡區(qū)3012，因此電流只能經(jīng)過第1至第3匝線圈，此時(shí)接入目標(biāo)電路的電感量主要由第1匝至第3匝線圈決定，記為L1。繼續(xù)反向增大V_G至V₂時(shí)，耗盡區(qū)繼續(xù)增大，導(dǎo)電溝道的寬度繼續(xù)減小，將此時(shí)形成的耗盡區(qū)稱作第二耗盡區(qū)3013，導(dǎo)電溝道稱為第二導(dǎo)電溝道。由于|V₂|>|V₁|，第二導(dǎo)電溝道的寬度小于第一導(dǎo)電溝道的寬度，第二導(dǎo)電溝道中包括的觸點(diǎn)數(shù)目減小，假設(shè)此時(shí)只有第6觸點(diǎn)位于導(dǎo)電溝道中，那么接入回路的電感量主要由第1匝至第5匝這五匝線圈決定，記為L2，容易得出L2>L1。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易根據(jù)上述說明得到P-JFET結(jié)構(gòu)的可調(diào)電感的電感量調(diào)節(jié)過程及原理，此處不再贅述。

綜上所述，通過改變可調(diào)電感中JFET的柵極G電壓，可以改變JFET中導(dǎo)電溝道的寬度，進(jìn)而改變可調(diào)電感中電感線圈的觸點(diǎn)位置，從而改變接入電路的電感線圈的長度，最終改變可調(diào)電感的電感量。

所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統(tǒng)，裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實(shí)施例中的對應(yīng)過程，在此不再贅述。

在本申請所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)，裝置和方法，可以通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，例如多個(gè)單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。

所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。

所述集成的單元如果以軟件功能單元的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷售或使用時(shí)，可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中?；谶@樣的理解，本發(fā)明的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說對現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分或者該技術(shù)方案的全部或部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括：U盤、移動(dòng)硬盤、只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，RandomAccess Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。