技術特征：

技術總結
一種半導體器件的制造方法，該方法包括以下步驟：交替地形成第一犧牲層和絕緣層；形成穿透所述第一犧牲層和所述絕緣層的溝道圖案；形成穿透所述第一犧牲層和所述絕緣層的狹縫；通過經(jīng)由所述狹縫去除所述第一犧牲層形成開口；以及在所述開口中分別形成導電層，所述導電層中的每一個包括具有傾斜內表面的第一阻擋圖案和在所述第一阻擋圖案中的金屬圖案。

技術研發(fā)人員：李起洪;李德儀
受保護的技術使用者：愛思開海力士有限公司
技術研發(fā)日：2016.09.30
技術公布日：2017.10.10