技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種單層石墨烯薄膜基復(fù)合結(jié)構(gòu)、制備方法及半導(dǎo)體器件，該結(jié)構(gòu)包括單層石墨烯薄膜和在單層石墨烯薄膜表面的納米線垂直陣列；該納米線垂直陣列包括至少兩層納米線子陣列，至少兩層納米線子陣列的頂部高度不相同，并且相同層的納米線子陣列的頂部高度相同，使得納米線垂直陣列具有高低起伏的頂部。本發(fā)明的單層石墨烯薄膜基復(fù)合結(jié)構(gòu)，兼具快速載流子遷移率、高的比表面積的優(yōu)點(diǎn)，并且可以提高單位時(shí)間內(nèi)的吸附或釋放電荷的數(shù)量以及增大電荷存儲(chǔ)量。

技術(shù)研發(fā)人員：汪際軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：全普光電科技（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201610879181
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.08
技術(shù)公布日：2017.02.22