技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：

第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；

有源層，設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上，并且包括：

多個量子壘層；和

多個量子阱層，包含In，所述多個量子壘層和所述多個量子阱層彼此交替地堆疊，所述多個量子阱層包括第一量子阱層和第二量子阱層；以及

第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，設(shè)置在有源層上，

其中，第一量子阱層設(shè)置成比第二量子阱層較接近于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，其中，第二量子阱層設(shè)置成比第一量子阱層較接近于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，

其中，第二量子阱層的厚度大于第一量子阱層的厚度，其中，第一量子阱層和第二量子阱層中的每個包括具有變化的量的In成分的至少一個分級層，第二量子阱層的所述至少一個分級層具有比第一量子阱層的所述至少一個分級層大的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一量子阱層和第二量子阱層中的每個包括：

第一分級層，在朝著第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的方向上具有增大的量的In成分；以及

第二分級層，在朝著第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的方向上具有減小的量的In成分，

其中，第二量子阱層的第一分級層和第二分級層中的至少一個具有比第一量子阱層的第一分級層和第二分級層中的相應(yīng)的一個大的厚度。

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二量子阱層的第一分級層和第二分級層分別具有比第一量子阱層的第一分級層和第二分級層大的厚度。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一量子阱層的第一分級層的厚度等于第一量子阱層的第二分級層的厚度，

其中，第二量子阱層的第一分級層的厚度等于第二量子阱層的第二分級層的厚度。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二量子阱層的第一分級層的厚度大于第一量子阱層的第一分級層的厚度，

其中，第一量子阱層的第二分級層的厚度等于第二量子阱層的第二分級層的厚度。

6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二量子阱層的第二分級層的厚度大于第一量子阱層的第二分級層的厚度，

其中，第一量子阱層的第一分級層的厚度等于第二量子阱層的第一分級層的厚度。

7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一量子阱層和第二量子阱層中的每個還包括具有恒定的In成分并且設(shè)置在第一量子阱層和第二量子阱層中的每個的第一分級層和第二分級層之間的內(nèi)量子阱層。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一量子阱層的內(nèi)量子阱層的厚度等于第二量子阱層的內(nèi)量子阱層的厚度。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二量子阱層的內(nèi)量子阱層的厚度小于第一量子阱層的內(nèi)量子阱層的厚度。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二量子阱層的第二分級層設(shè)置成比第二量子阱層的第一分級層較接近于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，

其中，第二量子阱層的第一分級層的厚度和第二量子阱層的第二分級層的厚度大于第二量子阱層的內(nèi)量子阱層的厚度。

11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一量子阱層的第一分級層設(shè)置成比第一量子阱層的第二分級層較接近于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，

其中，第一量子阱層的第一分級層的厚度和第一量子阱層的第二分級層的厚度小于第一量子阱層的內(nèi)量子阱層的厚度。

12.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一量子阱層和第二量子阱層中的每個的第一分級層的能帶具有能帶的帶隙在朝著第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的方向上減小的第一斜率，

其中，第一量子阱層和第二量子阱層中的每個的第二分級層的能帶具有能帶的帶隙在朝著第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的方向上增大的第二斜率，

其中，第二量子阱層的第一斜率和第二斜率中的至少一個的絕對值小于第一量子阱層的第一斜率和第二斜率中的至少一個的絕對值。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二量子阱層的第一斜率和第二斜率的絕對值小于第一量子阱層的第一斜率和第二斜率的絕對值，

其中，第一量子阱層的第一斜率的絕對值等于第一量子阱層的第二斜率的絕對值。

14.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二量子阱層的第一斜率和第二斜率中的一個的絕對值小于第一量子阱層的第一斜率和第二斜率中的相應(yīng)的一個的絕對值，

其中，第二量子阱層的第一斜率和第二斜率中的另一個等于第一量子阱層的第一斜率和第二斜率中的相應(yīng)的一個。

15.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個量子阱層包括多個組，每個組包括多個第一分級層和多個第二分級層，

其中，第一組的第一分級層和第二分級層中的一個的厚度不同于第二組的第一分級層和第二分級層中的相應(yīng)的一個的厚度。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第二組設(shè)置成比第一組較接近于第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，

其中，第二組的第一分級層和第二分級層的厚度大于第一組的第一分級層和第二分級層的厚度。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，在每個組中，第一分級層和第二分級層具有彼此相同的厚度。

18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，第一組的第一分級層和第二分級層中的一個的厚度大于第二組的第一分級層和第二分級層中的相應(yīng)的一個的厚度，

其中，第一組的第一分級層和第二分級層中的另一個的厚度等于第二組的第一分級層和第二分級層中的相應(yīng)的一個的厚度。

19.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：

第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層；

有源層，設(shè)置在第一導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層上，并且具有包括GaN的多個量子壘層以及包括In_xGa_1-xN的多個量子阱層，所述多個量子壘層和所述多個量子阱層彼此交替地堆疊，所述多個量子阱層包括第一量子阱層和第二量子阱層，其中，0<x≤1；以及

第二導(dǎo)電型氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在有源層上并且具有包括Al_yGa_1-yN的電子阻擋層，其中，0<y≤1，

其中，第二量子阱層設(shè)置成比第一量子阱層較接近于電子阻擋層，

其中，第一量子阱層和第二量子阱層中的每個包括：第一分級層，在朝著第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的方向上具有增大的量的In成分；第二分級層，在朝著第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的方向上具有減小的量的In成分，

其中，第二量子阱層的第一分級層和第二分級層中的至少一個具有比第一量子阱層的第一分級層和第二分級層中的相應(yīng)的一個大的厚度。

20.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，所述半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：

n型氮化物半導(dǎo)體層；

有源層，設(shè)置在n型氮化物半導(dǎo)體層上，并且具有包括GaN的多個量子壘層以及包括In_xGa_1-xN的多個量子阱層，量子壘層和量子阱層彼此交替地堆疊，所述多個量子阱層包括第一量子阱層和第二量子阱層，其中，0<x≤1；以及

p型氮化物半導(dǎo)體層，設(shè)置在有源層上并且具有包括Al_yGa_1-yN的電子阻擋層，其中，0<y≤1，

其中，第一量子阱層和第二量子阱層中的每個包括第一分級層和第二分級層，

其中，第二量子阱層的第一分級層具有在朝著電子阻擋層的方向上減小的帶隙，

其中，第二量子阱層的第二分級層具有在朝著電子阻擋層的方向上增大的帶隙，

其中，第二量子阱層的第一分級層和第二分級層中的至少一個具有比第一量子阱層的第一分級層和第二分級層中的相應(yīng)的一個大的厚度。