技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種提高存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)保持力的方法，包括：第一步驟：在晶圓中制造存儲(chǔ)器單元的工藝中，執(zhí)行到浮柵的隔離側(cè)墻的沉積步驟；第二步驟：對(duì)晶圓執(zhí)行快速熱氧化處理；第三步驟：執(zhí)行在晶圓中制造存儲(chǔ)器單元的工藝的后續(xù)步驟以得到制成的存儲(chǔ)器單元。其中，所述浮柵的隔離側(cè)墻的沉積步驟采用SiH2Cl2作為氣體源來(lái)形成二氧化硅SiO2。本發(fā)明提供了一種提高存儲(chǔ)器單元的數(shù)據(jù)保持力的工藝方法，通過(guò)在浮柵的隔離側(cè)墻的沉積工藝步驟后加上快速熱氧化工藝可以有效提高浮柵的隔離側(cè)墻的膜質(zhì)，進(jìn)而有效改善數(shù)據(jù)保持力。

技術(shù)研發(fā)人員：魏代龍;曹子貴;湯志林;孫艷;付永琴;蘇步春;王卉;陳宏;徐濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號(hào)碼：201610884655
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.10
技術(shù)公布日：2017.02.22