本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域，具體涉及一種帶熱沉和磁屏蔽的MEMS封裝及其制備方法。

背景技術(shù)：

微機(jī)電系統(tǒng)(Microelectromechanical Systems.縮寫為MEMS)是將微電子技術(shù)與機(jī)械工程融合到一起的一種工業(yè)技術(shù)，它的操作范圍在微米范圍內(nèi)。比它更小的，在納米范圍的類似的技術(shù)被稱為納機(jī)電系統(tǒng)(美國稱謂)。作為微電子學(xué)與微機(jī)械學(xué)相互融合的產(chǎn)物，微機(jī)械電子系統(tǒng)將集成電路制造工藝中的硅微細(xì)加工技術(shù)和機(jī)械工業(yè)中的微機(jī)械加工技術(shù)結(jié)合起來，制造出機(jī)、電成一體甚至光、機(jī)、電成一體的新器件，有著廣闊的應(yīng)用前景，例如現(xiàn)在一些新型的小轎車中，已裝有多種MEMS器件，像溫度傳感器、壓力傳感器、加速度計(jì)、尾氣探測(cè)器和各種控制器等。但是只有經(jīng)過封裝的MEMS器件才能真正稱其為產(chǎn)品，才能投入使用，否則只能稱作“MEMS芯片”，目前，很多成功的MEMS芯片沒有作為產(chǎn)品得到實(shí)際應(yīng)用的主要原因就是MEMS的封裝技術(shù)滯后于器件研究，MEMS封裝技能的發(fā)展將直接影響到MEMS產(chǎn)品的進(jìn)一步發(fā)展和進(jìn)入市場(chǎng)，MEMS的本質(zhì)是機(jī)械運(yùn)動(dòng)，所以封裝和保護(hù)首先考慮的問題包括機(jī)械震動(dòng)與沖擊、加速度、顆粒、熱沉、磁干擾以及避免各種物理損傷，其次封裝管殼、基板的熱膨脹系數(shù)也是封裝中需要重點(diǎn)考慮的因素，對(duì)于不同的應(yīng)用要求，需要考慮不同的外殼要求，再者在信號(hào)界面、立體結(jié)構(gòu)、芯片鈍化以及可靠性方面也需要考慮。在保護(hù)性方面，MEMS器件對(duì)環(huán)境的影響極其敏感，MEMS封裝的各操作工序、劃片、燒結(jié)、互連、密封等需要采用特殊的處理方法，提供相應(yīng)的保護(hù)措施，防止可動(dòng)部件受機(jī)械損傷。系統(tǒng)的電路部分也必須與環(huán)境隔離保護(hù)，以免影響處理電路性能，要求封裝及其材料不應(yīng)對(duì)使用環(huán)境造成不良影響，在考慮電磁的影響同時(shí)將信號(hào)引出。

ASIC芯片是運(yùn)算量非常高的集成電路芯片，在正常工作時(shí)，由于其內(nèi)部電路高度密集，所以產(chǎn)熱量非常大，這就會(huì)給整個(gè)MEMS封裝系統(tǒng)內(nèi)部帶來溫度的梯度分布，所以當(dāng)將MEMS芯片與ASIC芯片一起封裝時(shí)需要考慮ASIC芯片產(chǎn)生的熱量對(duì)MEMS芯片的影響。

而MEMS封裝系統(tǒng)通常是多種材料組合而成的系統(tǒng)，溫度變化會(huì)導(dǎo)致不同材料間產(chǎn)生熱失配，進(jìn)而產(chǎn)生熱應(yīng)力。MEMS芯片通常對(duì)應(yīng)力都是高度敏感的。因此MEMS系統(tǒng)級(jí)封裝的散熱性能是非常關(guān)鍵的。

MEMS傳感器通常敏感的對(duì)象都是非常微弱的信號(hào)，根據(jù)這些弱信號(hào)轉(zhuǎn)化而成的電信號(hào)也是我非常微弱的。而外界環(huán)境充斥的電磁信號(hào)，或磁信號(hào)會(huì)對(duì)MEMS傳感器檢測(cè)到的微弱信號(hào)產(chǎn)生巨大的干擾，使得MEMS傳感器無法正常工作，例如對(duì)于最常見的MEMS電容傳感器來說(MEMS加速度計(jì)、陀螺儀等諸多傳感器都是以此為原理制成的)，其檢測(cè)到的電容變化在pF/fF甚至aF量級(jí)，如此小的電容變化，很容易被外界電磁信號(hào)干擾，要想得到正確的檢測(cè)結(jié)果，就必須將干擾信號(hào)屏蔽。對(duì)于應(yīng)用于井下鉆探設(shè)備上的MEMES器件，在地下的應(yīng)用環(huán)境中需要面對(duì)復(fù)雜的電磁環(huán)境，因此器件的電磁屏蔽非常重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種帶熱沉和磁屏蔽的MEMS封裝及其制備方法，所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)包括封裝管殼、MEMS芯片和ASIC芯片，所述封裝管殼上設(shè)有磁屏蔽通路和快速導(dǎo)熱通道；

進(jìn)一步地，所述磁屏蔽通路包括金屬垂直通路、金屬蓋板和金屬底板，所述金屬蓋板、金屬垂直通路和金屬底板同時(shí)接地，其中；

所述金屬垂直通路用于屏蔽封裝管殼側(cè)壁的電磁影響；

所述金屬蓋板用于屏蔽封裝管殼頂端的電磁影響；

所述金屬底板用于屏蔽封裝管殼底端的電磁影響；

進(jìn)一步地，所述金屬垂直通路包括多個(gè)金屬條，所述多個(gè)金屬條在垂直方向平行內(nèi)置于所述封裝管殼的側(cè)壁上，所述多個(gè)金屬條包括信號(hào)金屬條和磁屏蔽金屬條；

進(jìn)一步地，所述信號(hào)金屬條用于所述MEMS芯片和ASIC芯片的信號(hào)傳輸，所述信號(hào)金屬條一端連接MEMS芯片或ASIC芯片，另一端連接封裝管殼外的輸出PAD上，所述信號(hào)金屬條中包括一條地信號(hào)金屬條，所述地信號(hào)金屬條一端與所述磁屏蔽金屬條相連，另一端接地；

進(jìn)一步地，所述磁屏蔽金屬條中至少有一根與金屬蓋板相連，至少有一根與金屬底板相連，所述磁屏蔽金屬條均連接至所述地信號(hào)金屬條；

進(jìn)一步地，所述金屬蓋板位于所述封裝管殼頂端，所述金屬蓋板通過磁屏蔽金屬條連接地信號(hào)金屬條；

進(jìn)一步地，所述金屬底板內(nèi)置于所述封裝管殼的底層，所述金屬底板通過磁屏蔽金屬條連接地信號(hào)金屬條；

進(jìn)一步地，所述MEMS封裝結(jié)構(gòu)還包括溫度傳感器，所述溫度傳感器位于所述MEMS芯片周側(cè)，所述溫度傳感器用于對(duì)MEMS芯片的實(shí)時(shí)溫度進(jìn)行測(cè)量；

進(jìn)一步地，所述溫度傳感器、MEMS芯片和ASIC芯片均置于所述封裝管殼內(nèi)，所述溫度傳感器、MEMS芯片和ASIC芯片均通過信號(hào)金屬條連接封裝管殼外的輸出PAD；

進(jìn)一步地，所述ASIC芯片底端通過所述快速導(dǎo)熱通道連接所述封裝管殼的底部，所述快速導(dǎo)熱通道包括第一貼片膠和導(dǎo)熱金屬柱，所述第一貼片膠一端連接ASIC芯片，另一端連接所述導(dǎo)熱金屬柱，所述導(dǎo)熱金屬柱貫穿封裝管殼底端并連接所述封裝管殼外部；

進(jìn)一步地，所述MEMS芯片底端設(shè)有第二貼片膠，所述第二貼片膠厚度高于第一貼片膠，并且面積小于第一貼片膠，所述MEMS芯片中心位置通過第二貼片膠連接封裝管殼底層，其余位置懸空；

進(jìn)一步地，所述第一貼片膠為導(dǎo)熱率大于所述第二貼片膠，所述導(dǎo)熱金屬柱面積大于所述第一貼片膠面積；

進(jìn)一步地，所述金屬底板為金屬平板或金屬網(wǎng)；

進(jìn)一步地，所述MEMS芯片底端設(shè)有第二貼片膠，所述第二貼片膠厚度高于第一貼片膠，并且面積小于第一貼片膠，所述MEMS芯片中心位置通過第二貼片膠連接封裝管殼底層，其余位置懸空；

進(jìn)一步地，所述第一貼片膠為導(dǎo)熱率大于所述第二貼片膠，所述導(dǎo)熱金屬柱面積大于所述第一貼片膠面積；

進(jìn)一步地，所述金屬底板為金屬平板或金屬網(wǎng)；

進(jìn)一步地，一種帶熱沉和磁屏蔽的MEMS封裝的其制備方法，所述制備方法包括：

S1：制備封裝管殼；

S2：置入MEMS芯片和溫度傳感器并固定MEMS芯片和溫度傳感器，通過連接線分別連接MEMS芯片與信號(hào)金屬條以及溫度傳感器和信號(hào)金屬條，所述溫度傳感器位于所述MEMS芯片周側(cè)；

S3：置入ASIC芯片并固定在快速導(dǎo)熱通道上，并通過連接線連接ASIC芯片與信號(hào)金屬條；

S4:封裝金屬蓋板；

進(jìn)一步地，所述S2包括：

S201：在封裝管殼底部涂覆第二貼片膠，且涂膠的位置遠(yuǎn)離快速導(dǎo)熱通道、所述第二貼片膠的面積小于MEMS芯片，厚度大于所述第一貼片膠；

S202：MEMS芯片的中心位置對(duì)準(zhǔn)第二貼片膠的圓心，在第二貼片膠上放置MEMS芯片；

S203：對(duì)S202中所述第二貼片膠進(jìn)行固化；

S204：通過連接線連接MEMS芯片與信號(hào)金屬條，與此同時(shí)，在MEMS芯片周側(cè)通過第二貼片膠固定放置溫度傳感器，并連接溫度傳感器與信號(hào)金屬條；

進(jìn)一步地，所述S3包括：

S301：在導(dǎo)熱金屬柱上涂覆第一貼片膠，所述第一貼片膠為高導(dǎo)熱性貼片膠，面積大于所述ASIC芯片底部面積，小于所述導(dǎo)熱金屬柱面積，厚度小于所述第二貼片膠；

S302：在所述第一貼片膠上放置ASIC芯片；

S303：對(duì)S302中所述第一貼片膠進(jìn)行固化；

S304：通過連接線連接ASIC芯片與封裝管殼；

本發(fā)明的有益效果如下：

1)封裝管殼側(cè)壁內(nèi)置密集的金屬垂直通路一部分用來屏蔽來自側(cè)面的電磁影響，另一部分與MEMS芯片或ASIC芯片相連將MEMS和ASIC的信號(hào)引出；

2)金屬蓋板與金屬底板對(duì)封裝管殼的上方和下方同時(shí)進(jìn)行磁屏蔽，配合金屬垂直通路在所有方向?qū)崿F(xiàn)對(duì)整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的磁屏蔽；

3)ASIC通過導(dǎo)熱性好的膠連接貫穿封裝底板的導(dǎo)熱柱體，通過熱沉裝置實(shí)現(xiàn)散熱，減小熱量帶來的影響，MEMS芯片下的膠厚度較大，且點(diǎn)膠面積小，部分位置懸空，可以有效隔熱，并減小ASIC散熱對(duì)MEMS芯片的影響；

4)通過金屬垂直通道的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了ASIC芯片熱源與外界溫度場(chǎng)快速熱交換，極大地縮短了熱平衡時(shí)間，從而縮短了MEMS傳感器的warm-up(熱啟動(dòng))時(shí)間；

5)金屬垂直通路、金屬蓋板與金屬底板最終均與地信號(hào)金屬條連接，保證三者均接地；

6)整個(gè)結(jié)構(gòu)簡單易生產(chǎn)，使用最少的材料實(shí)現(xiàn)最大效果的磁屏蔽。

附圖說明

圖1為本發(fā)明MEMS封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例一的俯視圖；

圖2為本發(fā)明MEMS封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例二的俯視圖；

圖3為本發(fā)明MEMS封裝結(jié)構(gòu)的實(shí)施例一、二的側(cè)視圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。相反，本發(fā)明涵蓋任何由權(quán)利要求定義的在本發(fā)明的精髓和范圍上做的替代、修改、等效方法以及方案。進(jìn)一步，為了使公眾對(duì)本發(fā)明有更好的了解，在下文對(duì)本發(fā)明的細(xì)節(jié)描述中，詳盡描述了一些特定的細(xì)節(jié)部分。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細(xì)節(jié)部分的描述也可以完全理解本發(fā)明。

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。下面為本發(fā)明的舉出最佳實(shí)施例：

對(duì)于應(yīng)用于鉆探設(shè)備上的MEMES器件，在地下的應(yīng)用環(huán)境中需要面對(duì)復(fù)雜的電磁環(huán)境和溫度場(chǎng)環(huán)境，因此器件的熱匹配和電磁屏蔽非常重要，本發(fā)明提供了一種帶熱沉和磁屏蔽的MEMS封裝。

實(shí)施例一：

如圖1和圖3所示，一種帶熱沉和磁屏蔽的MEMS封裝，所述MEMS封裝包括封裝管殼1、MEMS芯片2、ASIC芯片3和溫度傳感器6，所述封裝管殼1為長方體結(jié)構(gòu)，包括四個(gè)側(cè)壁，所述封裝管殼設(shè)有磁屏蔽通路，所述磁屏蔽通路包括金屬垂直通路41、金屬蓋板42和金屬底板43，所述金屬底板43為金屬平板或金屬網(wǎng)，所述金屬垂直通路41包括多個(gè)金屬條，所述多個(gè)金屬條在垂直方向平行內(nèi)置于所述封裝管殼1的側(cè)壁上，所述多個(gè)金屬條包括信號(hào)金屬條411和磁屏蔽金屬條412，所述信號(hào)金屬條411和磁屏蔽金屬條412設(shè)置在同一層，所述信號(hào)金屬條411用于所述MEMS芯片2和ASIC芯片3與外界的信號(hào)傳輸，所述信號(hào)金屬條411一端連接MEMS芯片2或ASIC芯片3，另一端連接封裝管殼1外部的輸出PAD，所述信號(hào)金屬條411中包括一條地信號(hào)金屬條413，所述地信號(hào)金屬條413一端與所述磁屏蔽金屬條412相連，另一端通過管殼外部其中一個(gè)PAD，并在使用時(shí)接地，所述磁屏蔽金屬條412中至少有一根與金屬蓋板42相連，至少有一根與金屬底板43相連，所述磁屏蔽金屬條412均與所述地信號(hào)金屬條413相連(也可以是間接相連，如均連接在金屬底板上)，所述金屬蓋板42位于所述封裝管殼1頂端，所述金屬蓋板42通過磁屏蔽金屬條412連接地信號(hào)金屬條413，所述金屬底板43內(nèi)置于所述封裝管殼1的底層，所述金屬底板43通過磁屏蔽金屬條412連接地信號(hào)金屬條413，使得金屬底板43、金屬蓋板42以及磁屏蔽金屬條412處于等電位并接地，對(duì)整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)在所有方向上進(jìn)行完整磁屏蔽。

所述MEMS芯片2和ASIC芯片均3置于所述封裝管殼1內(nèi)的底端上方，所述MEMS芯片2和ASIC芯片3上均連有多根連接線5，所述MEMS芯片2、ASIC芯片3和溫度傳感器6均通過所述連接線5連接所述信號(hào)金屬條411，所述信號(hào)金屬條411將MEMS芯片2。ASIC芯片3和溫度傳感器6的信號(hào)傳出。

所述封裝管殼1內(nèi)還設(shè)置有快速導(dǎo)熱通道5，所述ASIC芯片3底端通過所述快速導(dǎo)熱通道5連接所述封裝管殼1的底層，所述快速導(dǎo)熱通道5包括第一貼片膠51和導(dǎo)熱金屬柱52，所述第一貼片膠51一端連接ASIC芯片3，另一端通過導(dǎo)熱金屬柱52連接封裝管殼1底層，所述導(dǎo)熱金屬柱52由封裝管殼底層內(nèi)表面貫穿至封裝管殼底層外表面，所述金屬是導(dǎo)熱性能好的金屬材料，所述第一貼片膠51為導(dǎo)熱性能較好的貼片膠，例如導(dǎo)熱硅脂，所述導(dǎo)熱金屬柱52面積不小于所述第一貼片膠51面積，所述第一貼片膠51面積不小于ASIC芯片面積，所述第一貼片膠51厚度薄，厚度值為5-100um。所述MEMS芯片2底端設(shè)有第二貼片膠53，所述第二貼片膠53厚度高于第一貼片膠51，厚度值為30-100um,并且面積較小，實(shí)際面積不大于所述MEMS芯片2面積，所述MEMS芯片2中心位置通過第二貼片膠53，連接封裝管殼1底層，其余位置懸空。所述第二貼片膠52導(dǎo)熱性能低于所述第一貼片膠51。

溫度傳感器的設(shè)置是為了在使用時(shí)，能夠得到MEMS芯片的實(shí)時(shí)溫度，這樣就為通過算法補(bǔ)償溫度對(duì)MEMS芯片造成的影響提供了數(shù)據(jù)，所以我們必須減小MEMS芯片與溫度傳感器之間的溫度差，因此才用此高導(dǎo)熱率薄板的方法。

實(shí)施例二：

如圖2-圖3所示，一種帶熱沉和磁屏蔽的MEMS封裝，所述MEMS封裝包括封裝管殼1、MEMS芯片2、ASIC芯片3和溫度傳感器6，所述封裝管殼1為長方體結(jié)構(gòu)，包括四個(gè)側(cè)壁，所述封裝管殼設(shè)有磁屏蔽通路，所述磁屏蔽通路包括金屬垂直通路41、金屬蓋板42和金屬底板43，所述金屬底板43為金屬平板或金屬網(wǎng)，所述金屬垂直通路41包括多個(gè)金屬條，所述多個(gè)金屬條在垂直方向平行內(nèi)置于所述封裝管殼1的側(cè)壁上，所述多個(gè)金屬條包括信號(hào)金屬條411和磁屏蔽金屬條412，所述信號(hào)金屬條411和磁屏蔽金屬條412設(shè)置在不同層，所述信號(hào)金屬條411位于靠近MEMS芯片和ASIC芯片的內(nèi)側(cè)，所述磁屏蔽金屬條412設(shè)置與所述信號(hào)金屬條411的外側(cè)，所述磁屏蔽金屬條412緊密設(shè)置，形成相對(duì)完整的屏蔽圈，所述信號(hào)金屬條411同時(shí)也具有磁屏蔽功能，加強(qiáng)了原先磁屏蔽金屬條412形成的屏蔽圈的磁屏蔽功能，所述信號(hào)金屬條411用于所述MEMS芯片2和ASIC芯片3與外界的信號(hào)傳輸，所述信號(hào)金屬條411一端連接MEMS芯片2或ASIC芯片3，另一端連接封裝管殼1外部的輸出PAD，所述信號(hào)金屬條411中包括一條地信號(hào)金屬條413，所述地信號(hào)金屬條413一端與所述磁屏蔽金屬條412相連，另一端通過管殼外部其中一個(gè)PAD，并在使用時(shí)接地，所述磁屏蔽金屬條412中至少有一根與金屬蓋板42相連，至少有一根與金屬底板43相連，所述磁屏蔽金屬條412均與所述地信號(hào)金屬條413相連(也可以是間接相連，如均連接在金屬底板上)，所述金屬蓋板42位于所述封裝管殼1頂端，所述金屬蓋板42通過磁屏蔽金屬條412連接地信號(hào)金屬條413，所述金屬底板43內(nèi)置于所述封裝管殼1的底層，所述金屬底板43通過磁屏蔽金屬條412連接地信號(hào)金屬條413，使得金屬底板43、金屬蓋板42以及磁屏蔽金屬條412處于等電位并接地，對(duì)整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)在所有方向上進(jìn)行完整磁屏蔽。

所述MEMS芯片2和ASIC芯片均3置于所述封裝管殼1內(nèi)的底端上方，所述MEMS芯片2和ASIC芯片3上均連有多根連接線5，所述MEMS芯片2、ASIC芯片3和溫度傳感器6均通過所述連接線5連接所述信號(hào)金屬條411，所述信號(hào)金屬條411將MEMS芯片2。ASIC芯片3和溫度傳感器6的信號(hào)傳出。

所述封裝管殼1內(nèi)還設(shè)置有快速導(dǎo)熱通道5，所述ASIC芯片3底端通過所述快速導(dǎo)熱通道5連接所述封裝管殼1的底層，所述快速導(dǎo)熱通道5包括第一貼片膠51和導(dǎo)熱金屬柱52，所述第一貼片膠51一端連接ASIC芯片3，另一端通過導(dǎo)熱金屬柱52連接封裝管殼1底層，所述導(dǎo)熱金屬柱52由封裝管殼底層內(nèi)表面貫穿至封裝管殼底層外表面，所述金屬是導(dǎo)熱性能好的金屬材料，所述第一貼片膠51為導(dǎo)熱性能較好的貼片膠，例如導(dǎo)熱硅脂，所述導(dǎo)熱金屬柱52面積不小于所述第一貼片膠51面積，所述第一貼片膠51面積不小于ASIC芯片面積，所述第一貼片膠51厚度薄，厚度值為5-100um。所述MEMS芯片2底端設(shè)有第二貼片膠53，所述第二貼片膠53厚度高于第一貼片膠51，厚度值為30-100um,并且面積較小，實(shí)際面積不大于所述MEMS芯片2面積，所述MEMS芯片2中心位置通過第二貼片膠53，連接封裝管殼1底層，其余位置懸空。所述第二貼片膠52導(dǎo)熱性能低于所述第一貼片膠51。

溫度傳感器的設(shè)置是為了在使用時(shí)，能夠得到MEMS芯片的實(shí)時(shí)溫度，這樣就為通過算法補(bǔ)償溫度對(duì)MEMS芯片造成的影響提供了數(shù)據(jù)，所以我們必須減小MEMS芯片與溫度傳感器之間的溫度差，因此才用此高導(dǎo)熱率薄板的方法。

一種帶熱沉和磁屏蔽的MEMS封裝的制備方法，所述制備方法包括：

S1：制備封裝管殼；

S2：先置入高導(dǎo)熱薄板于封裝管殼底部，再置入MEMS芯片和溫度傳感器并固定MEMS芯片和溫度傳感器于高導(dǎo)熱薄板上，將所述通過連接線分別連接MEMS芯片與信號(hào)金屬條以及溫度傳感器和信號(hào)金屬條，所述溫度傳感器位于所述MEMS芯片周側(cè)；

S3：置入ASIC芯片并固定在快速導(dǎo)熱通道上，并通過連接線連接ASIC芯片與信號(hào)金屬條；

S4:封裝金屬蓋板。

所述S2包括：

S201：在封裝管殼底部涂覆第二貼片膠，且涂膠的位置遠(yuǎn)離快速導(dǎo)熱通道、所述第二貼片膠的面積不大于MEMS芯片，厚度不小于所述第一貼片膠；

S202：MEMS芯片的中心位置優(yōu)選為對(duì)準(zhǔn)第二貼片膠的圓心，在第二貼片膠上放置MEMS芯片；

S203：對(duì)S202中所述第二貼片膠進(jìn)行固化；

S204：通過連接線連接MEMS芯片與信號(hào)金屬條；

所述S3包括：

S301：在導(dǎo)熱金屬柱上涂覆第一貼片膠，所述第一貼片膠為高導(dǎo)熱性貼片膠，面積不小于所述ASIC芯片底部面積，不大于所述導(dǎo)熱金屬柱面積，厚度不大于所述第二貼片膠；

S302：在所述第一貼片膠上放置ASIC芯片；

S303：對(duì)S302中所述第一貼片膠進(jìn)行固化；

S304：通過連接線連接ASIC芯片與封裝管殼。

以上所述的實(shí)施例，只是本發(fā)明較優(yōu)選的具體實(shí)施方式的一種，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。