本發(fā)明涉及一種近白光QLED的CdS量子點的改良方法。

背景技術(shù)：

量子點發(fā)光二極管作為最新一代的發(fā)光二極管，吸引了人們極大的注意力。市面上存在這量子點大小可調(diào)、窄帶發(fā)射、發(fā)光效率高的QLED，但用這種量子點合成發(fā)白光的QLED工藝復(fù)雜。而現(xiàn)在存在的CdS量子點合成材料昂貴，合成步驟含有有毒物質(zhì)。因此現(xiàn)在缺少一種發(fā)射白光、色域純凈、工藝簡單、性能穩(wěn)定的量子點發(fā)光二極管。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：找到一種簡便的近白光QLED的CdS量子點的合成方法，解決含有超親水CdS量子點的水溶液不能均勻旋涂在超疏水PVK層的問題，進(jìn)一步改進(jìn)，增加其發(fā)光效率。

技術(shù)方案：提供一種近白光QLED的CdS量子點的改良方法，簡化了合成步驟，避免有毒步驟的操作，用TGA代替TG作封端劑，提高量子產(chǎn)率；解決了超親水CdS量子點水溶液無法在超疏水PVK層表面均勻旋涂的困難，找到一個合適的退火溫度，使用CdS量子點旋涂在PVK層上之后，能夠穩(wěn)定存在，用Mg:Ag代替Al作陰極，提高發(fā)光效率。

有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的近白光QLED的CdS量子點的改良方法器件結(jié)構(gòu)更簡單，操作步驟更方便；實現(xiàn)了超親水的CdS量子點水溶液在超疏水PVK層表面的均勻鋪展；適宜的退火溫度增加了CdS量子點的穩(wěn)定性，提高了發(fā)光效率；陰極電極用Mg:Ag替代Al，改善了發(fā)光效率。

附圖說明

圖1是QLED結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做更進(jìn)一步解釋。

如圖1所示為QLED結(jié)構(gòu)示意圖，在刻蝕有ITO導(dǎo)電電極2的玻璃1上，旋涂PEDOT-PSS，110℃退火烘烤1h得到25nm的3；旋涂PVK，100℃退火烘烤1h得到4；旋涂CdS量子點，190℃退火烘烤1h得到5；最后度上Al或Mg:Ag電極得到6。

CdS量子點溶液制備方法為取50ml混合有5mM CdSO4,65mM Na2S2O3和15mM TGA的溶液，其PH調(diào)節(jié)至8.5，加熱至80℃攪拌1h，離心后分散在去離子水中；按體積比2000:1的比例加入Triton X-100，得到最后的CdS量子點溶液。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。