本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種柔性顯示裝置，以及該柔性顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

柔性有機發(fā)光二極管(OLED)顯示面板是通過封裝的方式避免水氧侵入柔性O(shè)LED顯示面板內(nèi)、接觸內(nèi)部的OLED元件、對OLED元件的光電特性產(chǎn)生影響的，因此，封裝的效果對于柔性O(shè)LED顯示面板來說尤為重要。目前，對于柔性O(shè)LED顯示面板封裝工藝主要采用的是薄膜封裝(Thin Tilm Encapsulation，簡稱TFE)工藝，其通過無機層和有機層之間交替沉積鍍膜對柔性O(shè)LED顯示面板來防止水氧進入柔性O(shè)LED顯示面板內(nèi)部的顯示區(qū)域、起到封裝作用，并且提高其機械性能。然而，在沉積膜層過程中無機層必須彎曲覆蓋有機膜層的邊界，而目前的層疊封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)過長期反復(fù)的機械彎折容易產(chǎn)生機械損傷，從而降低了顯示屏的整體柔性且易產(chǎn)生裂紋，從而為水汽從側(cè)邊滲透提供了路徑，最終導致功能性破壞。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種柔性顯示裝置，以及該柔性顯示裝置的制造方法。

本發(fā)明一方面提供一種柔性顯示裝置，依次包括柔性基板、緩沖層、顯示單元和薄膜封裝層，所述緩沖層和/或薄膜封裝層包括含有自修復(fù)高分子材料的自修復(fù)層。

本發(fā)明的另一方面還提供一種柔性顯示裝置的制造方法，包括以下步驟：制備柔性基板；在所述柔性基板上形成緩沖層，所述緩沖層包括顯示區(qū)域和封裝區(qū)域；在所述緩沖層的顯示區(qū)域上形成顯示單元；以及在所述顯示單元和所述緩沖層的封裝區(qū)域上形成薄膜封裝層，將所述顯示單元封裝于所述緩沖層和所述薄膜封裝層之間。

本發(fā)明的柔性顯示裝置，由于緩沖層和/或薄膜封裝層包含含有自修復(fù)高分子材料的自修復(fù)層，可以自動修復(fù)制造及使用過程中出現(xiàn)的裂紋，提高了水氧阻隔能力，保證顯示裝置的顯示效果及延長使用壽命。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點將變得更加明顯。

圖1是本發(fā)明一個實施例提供的一種柔性顯示裝置剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明另一個實施例提供的一種柔性顯示裝置剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明又一個實施例提供的一種柔性顯示裝置剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明又一個實施例提供的一種柔性顯示裝置剖視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明圖4實施例中提供的一種柔性顯示裝置的制造方法的流程示意圖；以及

圖6是本發(fā)明圖4實施例中提供的一種柔性實現(xiàn)裝置中的自修復(fù)層的損傷和自修復(fù)顯微圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應(yīng)被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明將全面和完整，并將示例實施方式的構(gòu)思全面地傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在圖中，為了清晰，夸大了區(qū)域和層的厚度。在圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結(jié)構(gòu)，因而將省略它們的詳細描述。

需要說明的是，本發(fā)明中上、下等用語，僅為互為相對概念或是以制造過程中的狀態(tài)為參考的，而不應(yīng)該認為是具有限制性的。

本申請中“自修復(fù)層”是指由具有自修復(fù)功能的高分子材料形成，具有能夠修復(fù)在加工或使用過程中肉眼難以發(fā)現(xiàn)的微觀裂紋。

本申請中的自修復(fù)層可以是由外援型或本征型自修復(fù)高分子材料形成。外援型自修復(fù)高分子材料可以是微膠囊自修復(fù)高分子材料、空心纖維自修復(fù)高分子材料、納米粒子自修復(fù)高分子材料、微脈管自修復(fù)高分子材料、碳納米管自修復(fù)高分子材料。本征型自修復(fù)高分子材料可以是包含動態(tài)共價結(jié)構(gòu)、可逆雙硫鍵結(jié)構(gòu)、可逆氫鍵結(jié)構(gòu)或π-π堆疊結(jié)構(gòu)。以上列舉的材料僅用于示例，并不意在限定本發(fā)明。

具體而言，外援型自修復(fù)高分子材料可以是微膠囊自修復(fù)高分子材料、空心纖維自修復(fù)高分子材料、納米粒子自修復(fù)高分子材料、微脈管自修復(fù)高分子材料、碳納米管自修復(fù)高分子材料。

微膠囊自修復(fù)聚合物材料是內(nèi)含修復(fù)劑的微膠囊埋入聚合物基體材料中，同時在基體中預(yù)埋催化劑(也可將催化劑微膠囊化后埋入基體材料中)，材料產(chǎn)生裂紋后，裂紋的擴展導致微膠囊破裂，釋放出的修復(fù)劑在虹吸作用下向損傷區(qū)域擴散，遇到催化劑后發(fā)生聚合反應(yīng)修復(fù)裂紋。微膠囊自修復(fù)具體材料包括，例如雙環(huán)戊二烯(DCPD)自修復(fù)劑體系高分子材料、環(huán)氧樹脂自修復(fù)劑體系等。雙環(huán)戊二烯(DCPD)自修復(fù)劑體系高分子材料是雙環(huán)戊二烯(DCPD)與金屬釕基(Grubbs)催化劑，DCPD可與Grubbs催化劑發(fā)生開環(huán)易位聚合反應(yīng)，起到修復(fù)裂紋的作用，采用原位聚合法制備芯材為DCPD的微膠囊，并將微膠囊與催化劑埋入樹脂基體中，實現(xiàn)自修復(fù)。環(huán)氧樹脂自修復(fù)劑體系高分子材料采用環(huán)氧樹脂作為自修復(fù)劑。例如以三聚氰胺-甲醛樹脂為壁材制備內(nèi)含環(huán)氧樹脂-四氫鄰苯二甲酸縮水甘油酯芯材的微膠囊，同時制備了以液態(tài)多硫醇-季戊四醇四巰基丙酸酯及芐基二甲胺催化劑混合體系為固化劑的微膠囊，將這兩種微膠囊加入到雙酚A型環(huán)氧樹脂基體中。除上述兩種體系的高分子材料外其他自修復(fù)劑體系高分子材料包括例如乙酸苯酯(PA)、乙基乙酸苯酯(EPA)作為修復(fù)劑溶液，其修復(fù)機理為該溶液滲透到裂紋處后與基體環(huán)氧樹脂之間可形成氫鍵，同時還可使環(huán)氧樹脂繼續(xù)固化，從而實現(xiàn)材料的自修復(fù)。

空心纖維自修復(fù)高分子材料的自修復(fù)機理是將空心纖維埋植在基體材料中，空心纖維內(nèi)裝有修復(fù)劑流體，材料發(fā)生破壞時通過釋放空心纖維內(nèi)的修復(fù)劑流體粘接裂紋處實現(xiàn)損傷區(qū)域自修復(fù)空心纖維的直徑一般在40～200μm，空心纖維在基體中排列方式可垂直交叉或平行或呈一定角度。依據(jù)纖維內(nèi)部修復(fù)劑類型又可分為以下三類：空心纖維內(nèi)裝有單組分修復(fù)劑，該組分可在空氣等作用下不需固化劑便可實現(xiàn)自修復(fù)；修復(fù)劑及固化劑分別注入不同空心纖維內(nèi)，自修復(fù)過程需要修復(fù)劑與固化劑接觸才能實現(xiàn)；修復(fù)劑注入空心纖維內(nèi)，固化劑以微膠囊形式分散在基體材料中，同樣也需要兩者接觸后實現(xiàn)自修復(fù)功能。

納米粒子自修復(fù)高分子材料的自修復(fù)機理為當材料產(chǎn)生裂紋時，納米粒子向裂紋區(qū)域擴散(納米粒子尺寸越小擴散效果越好)，擴散后的納米粒子相將裂紋處填充從而起到修復(fù)的作用。

微脈管網(wǎng)絡(luò)自修復(fù)體系高分子材料通過在材料內(nèi)部埋入具有三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的微脈管，可實現(xiàn)修復(fù)劑的持續(xù)補充，因此可實現(xiàn)材料損傷的多次修復(fù)。例如可以將微脈管自修復(fù)體系加入到環(huán)氧樹脂基體中，微脈管采用直寫組裝印刷技術(shù)制備(direct-write assembly printing technology)，直徑在200μm左右，在微脈管內(nèi)注入DCPD單體，將三維網(wǎng)絡(luò)的微脈管埋入含有Grubbs催化劑的環(huán)氧樹脂涂層中。還可以采用雙組分微脈管網(wǎng)絡(luò)體系，將環(huán)氧樹脂修復(fù)劑和胺類固化劑分別注入兩組獨立的微脈管中，再將該微脈管體系埋入環(huán)氧樹脂基體材料中。

碳納米管作為材料自修復(fù)體系，將埋植在基體材料內(nèi)的碳納米管充當容器，在其內(nèi)部儲存修復(fù)劑分子，當材料產(chǎn)生裂紋時碳納米管破裂，修復(fù)劑釋放出來后吸附在裂紋處或在裂紋處發(fā)生化學反應(yīng)粘接裂紋實現(xiàn)自修復(fù)功能。

本征型自修復(fù)高分子材料的自修復(fù)可以重復(fù)多次，是利用聚合物材料內(nèi)具有可逆化學反應(yīng)的分子結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的，包括可逆共價鍵合和可逆非共價鍵合?？赡婀矁r鍵合主要指動態(tài)共價化學和雙硫鍵反應(yīng)等，而可逆非共價鍵合包括氫鍵自修復(fù)、π-π堆疊及離子聚合物等。

包括動態(tài)共價結(jié)構(gòu)的自修復(fù)高分子材料可以是，但不限于，以丙烯酸丁酯(BA)和三硫酯(TTC)為原料，以偶氮二異丁腈(AIBN)為引發(fā)劑，采用可逆加成-斷裂轉(zhuǎn)移(RAFT)法合成了含有TTC單元的聚丙烯酸丁酯自修復(fù)聚合物。TTC單元具有光敏性，同時具有動態(tài)共價重組的性能，所以含有TTC單元的聚丙烯酸丁酯體系，在紫外光作用下可實現(xiàn)可逆自修復(fù)。在光照下，TTC單元中的一個C-S鍵會發(fā)生斷裂，并很容易與其他的TTC發(fā)生反應(yīng)形成新的C-S鍵。三硫酯中鍵合基團的可逆破壞與重組，實現(xiàn)了自修復(fù)。光照射容易控制，可以在室溫下進行，而且可以通過控制照射區(qū)域的面積實現(xiàn)部分自修復(fù)。

采用雙硫鍵來實現(xiàn)本體自修復(fù)的高分子材料可以是，但不限于，含有多硫基團的環(huán)氧化物(EPS 25)作為基體，季戊四醇四-3-巰基丙酸酯作為固化劑，將二者浸于濃度為1wt％的4-二甲氨基吡啶溶液中，并在60℃恒溫2h發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，環(huán)氧基團開環(huán)并與巰基發(fā)生反應(yīng)，使基體固化。這種材料的自修復(fù)是通過雙硫鍵的可逆交換反應(yīng)實現(xiàn)的。雙硫鍵中兩個硫原子之間的化學鍵發(fā)生斷裂，隨后不同雙硫鍵中的硫原子相互連接，形成新的化學鍵。因為雙硫鍵具有與相同或者不同的硫原子重組化學鍵的性能，所以聚合物可以在無粘結(jié)劑、加熱或外壓等外加因素作用下進行自修復(fù)，而且聚合物中的雙硫鍵可以在體系中多次斷裂和重組。通過這種自修復(fù)方式，聚合物可以實現(xiàn)模量、拉伸強度等力學性能的完全修復(fù)。

包含π-π堆疊結(jié)構(gòu)的自修復(fù)高分子材料是利用超分子π-π堆疊效應(yīng)來改善雙組分共混聚合物的相容性來實現(xiàn)自修復(fù)功能。以缺π電子的聚酰亞胺和以富π電子芘基封端的有機硅聚合物，制備了一種雙組分共混自修復(fù)聚合物。在溶液中，缺π電子和富π電子基團迅速發(fā)生可逆的絡(luò)合作用，而在固體狀態(tài)下，則顯示了對溫度變化較敏感的自修復(fù)性能。當溫度升高，超分子膜分子間的交聯(lián)被破壞，同時玻璃化轉(zhuǎn)變溫度較低的有機硅組分開始流動。而當溫度降低后，π-π堆疊效應(yīng)就會促使聚合物形成新的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，從而顯示出很好的自修復(fù)能力。例如，以聚酰亞胺和芘基封端的遙爪聚氨酯為原料，合成了一種超分子自修復(fù)的彈性聚合物。上述兩種物質(zhì)通過缺π電子的二酰亞胺基團和富π電子的芘基之間的π-π堆疊而共混在一起。紫外可見光譜和熒光光譜結(jié)果均表明，該聚合物內(nèi)存在π-π堆疊。這種聚合物的斷裂樣品在修復(fù)后，可以恢復(fù)原拉伸模量的95％以上，原伸長率的91％以上。

包含可逆氫鍵結(jié)構(gòu)的自修復(fù)高分子材料的一實例可以是利用氫鍵的可逆交聯(lián)作用實現(xiàn)自修復(fù)彈性體。這種氫鍵自修復(fù)體系含有的如式(1)所示官能團。這種官能團使得自修復(fù)高分子材料內(nèi)部形成能夠借助氫鍵結(jié)合在一起，從而形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)，并可以恢復(fù)其原有強度，且在負載下的蠕變非常小。由于超分子締合結(jié)構(gòu)的強度要弱于共價鍵，所以在樣品被破壞時，斷裂表面會聚集大量的非締合基團。這些基團非?；顫姡敂嗔衙娼佑|時，則會通過氫鍵相互作用，實現(xiàn)自修復(fù)。而且修復(fù)效果隨著接觸時間的延長而提高。

以下實施例的自修復(fù)層由包含可逆氫鍵結(jié)構(gòu)的高分子材料基體和六方氮化硼納米片的復(fù)合材料形成。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，本發(fā)明的自修復(fù)層并不僅僅限定為包含可逆氫鍵結(jié)構(gòu)的高分子材料基體和六方氮化硼納米片的復(fù)合材料，自修復(fù)層采用包括包含可逆氫鍵結(jié)構(gòu)的高分子材料基體和六方氮化硼納米片的復(fù)合材料，僅意在解釋說明本發(fā)明，并不意在限制本發(fā)明。包含可逆氫鍵結(jié)構(gòu)的高分子材料基體可以由二乙烯三胺(H₂N-(CH₂)₂-NH-(CH₂)₂-NH₂)與脂肪二酸和脂肪三酸的混合物縮聚形成。脂肪二酸為式(2)所示化合物，所述脂肪三酸為式(3)所示化合物，

六方氮化硼納米片通過表面修飾形成酰胺化的六方氮化硼納米片(BNNS-CONH₂)。氫鍵超分子聚合物納米復(fù)合材料由二乙烯三胺(H₂N-(CH₂)₂-NH-(CH₂)₂-NH₂)和脂肪二酸和脂肪三酸的混合物縮聚反應(yīng)形成。復(fù)合材料中表面修飾的六方氮化硼納米片(BNNS-CONH₂)和包含可逆氫鍵結(jié)構(gòu)的高分子材料基體之間形成氫鍵，高分子材料基體內(nèi)的分子之間以及分子內(nèi)也存在氫鍵。這種材料自修復(fù)的機理是：材料表面的氮化硼納米片晶層與層之間通過氫鍵組互相連接，當兩塊復(fù)合材料靠得很近時(即制造或使用過程中出現(xiàn)的裂紋或損傷時)，靜電力會將它們連結(jié)在一起，裂紋兩側(cè)的材料之間形成氫鍵，將兩部分材料恢復(fù)回原來的形態(tài)，裂紋被修復(fù)，材料有效地實現(xiàn)了自我修復(fù)。復(fù)合材料中六方氮化硼納米片的體積百分含量為2.5-10％，復(fù)合材料中納米片的含量決定了自修復(fù)過程所需的熱量或者壓力，因此本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)制造或使用過程中的條件合理選擇復(fù)合材料中納米片的含量，例如可以是2.5vol.％、5vol.％、7vol.％、8vol.％或10vol.％。自修復(fù)層的厚度一般為1-15μm。自修復(fù)層的厚度小于1μm時自修復(fù)效果不佳，厚度大于15μm時會影響自修復(fù)層的柔韌性并且增加柔性顯示裝置的厚度。

請參考圖1，圖1是本發(fā)明示例性實施例提供的一種柔性顯示裝置剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例提供的一種柔性顯示裝置包括：柔性基板10、緩沖層20、顯示單元30和薄膜封裝層40。

具體地，本實施例提供的柔性顯示裝置中，柔性基板10采用柔性樹脂材料制備，例如聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對二甲苯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯等材料。

緩沖層20依次包括自修復(fù)層21、氮化硅(SiN_x)層22和氧化硅(SiO₂)層23。自修復(fù)層21可以自修復(fù)制造和使用過程中產(chǎn)生的微小裂紋，阻隔水氣、空氣、灰塵等對顯示裝置使用壽命的影響。自修復(fù)層21由包含可逆氫鍵結(jié)構(gòu)的高分子材料基體和六方氮化硼納米片的復(fù)合材料形成，自修復(fù)層的厚度為1-15μm。自修復(fù)層21上附著氮化硅層22。氮化硅層22上附著氧化硅層23。這種層結(jié)構(gòu)可以提高層與層之間的結(jié)合力，也可以進一步阻止裂紋產(chǎn)生后的延伸路徑，同時保證氧化硅層23與顯示單元30中的低溫多晶硅(LTPS)層31有良好的結(jié)合。

顯示單元30包括低溫多晶硅層31和OLED器件層32。顯示單元30可以包括開關(guān)元件和OLED器件，開關(guān)元件用于控制OLED器件發(fā)光，在一些可選的實現(xiàn)方式中，開關(guān)元件包括柵極金屬層、半導體層、源漏極金屬層。其中，半導體層的材料可以使用低溫多晶硅，即為低溫多晶硅層31。顯示單元30封裝于緩沖層20和薄膜封裝層40之間。

圖1中示出薄膜封裝層40包括兩層42、44僅是示例性的，薄膜封裝層可以是有機材料/無機材料形成的交替結(jié)構(gòu)。薄膜封裝層40中包含的自修復(fù)層也可以是多層。優(yōu)選薄膜封裝層40包括自修復(fù)層/無機材料層的交替結(jié)構(gòu)。薄膜封裝層40中包含的自修復(fù)層越多自修復(fù)效果越好，但自修復(fù)層過多會導致柔性顯示裝置的厚度增加。因此，優(yōu)選薄膜封裝層40的結(jié)構(gòu)為自修復(fù)層/無機材料層/自修復(fù)層/無機材料層/有機材料層。有機材料可以是聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺及聚對二甲苯中的一種或幾種。無機材料可以是Al₂O₃、SiN_x及SiO_xN_y中的一種或幾種。

請參考圖2，圖2是本發(fā)明另一個實施例提供的一種柔性顯示裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中，與圖1提供的實施例相同或相似的部分請參考相應(yīng)描述，在此將簡略描述，在此將重點描述兩個實施例中不同的結(jié)構(gòu)部分。

本實施例中，第一自修復(fù)層41設(shè)置在薄膜封裝層40中。緩沖層20中不包含自修復(fù)層。

請參考圖3，圖3是本發(fā)明又一個實施例提供的一種柔性顯示裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中，與圖1提供的實施例相同或相似的部分請參考相應(yīng)描述，在此將簡略描述，在此將重點描述兩個實施例中不同的結(jié)構(gòu)部分。

本實施例中，第一自修復(fù)層41設(shè)置在薄膜封裝層40中。緩沖層20中也包含自修復(fù)層21。薄膜封裝層40中的第一自修復(fù)層41和緩沖層20中的自修復(fù)層21可以采用相同的自修復(fù)材料制成，也可以采用不同的自修復(fù)材料制成。

請參考圖4，圖4是本發(fā)明又一個實施例提供的一種柔性顯示裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。本實施例中，與圖3提供的實施例相同或相似的部分請參考相應(yīng)描述，在此將簡略描述，在此將重點描述兩個實施例中不同的結(jié)構(gòu)部分。

本實施例中，薄膜封裝層40不僅包含第一自修復(fù)層41，還包含第二自修復(fù)層43。第一自修復(fù)層41和第二自修復(fù)層43之間可以包含第一層有機或無機材料層42，也可以包含多層有機/無機材料層。第一自修復(fù)層41和第二自修復(fù)層43可以采用相同的自修復(fù)材料制成，也可以采用不同的自修復(fù)材料制成。

請參考圖5，圖5是一種柔性顯示裝置的制造方法的流程示意圖。圖5所示流程圖是圖4實施例中所述柔性顯示裝置的制造方法流程圖。包括以下步驟：制備柔性基板10；在柔性基板上形成緩沖層20，緩沖層包括顯示區(qū)域和封裝區(qū)域；在緩沖層20的顯示區(qū)域上形成顯示單元30；以及在緩沖層21的封裝區(qū)域和顯示單元30上形成薄膜封裝層40，將顯示單元30封裝于緩沖層20和薄膜封裝層40之間。

具體的，請結(jié)合參考圖5，進行步驟S1：制備柔性基板10。由于柔性基板可彎曲，為了保證在陣列工藝中保持柔性基板的平坦性，需要在形成剛性基板和柔性基板的復(fù)合基板。在剛性基板上形成柔性基板10，通常剛性基板可以為玻璃基板或者石英基板，在剛性基板上通過旋涂法或者沉積法形成一層柔性基板10。

結(jié)合參考圖5，進行步驟S2：在柔性基板10上形成緩沖層20。本實施例以圖4中所示的柔性顯示裝置來說明柔性顯示裝置的制造方法，因此在本實施例中，緩沖層20包括自修復(fù)層21、氮化硅(SiN_x)層22和氧化硅(SiO₂)層23。首先在柔性基板10上形成自修復(fù)層21；然后，在自修復(fù)層21上形成氮化硅(SiN_x)層22；最后在氧化硅層22上形成氧化硅(SiO₂)層23。

具體而言，本實施例中自修復(fù)層21由引入表面修飾的六方氮化硼納米片(BNNS-CONH₂)的氫鍵超分子聚合物納米復(fù)合材料形成。但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，本實施例中的自修復(fù)層21的材料僅用于解釋說明本發(fā)明并不意在限定本發(fā)明，本發(fā)明的自修復(fù)層21可以是由任何能夠起到自修復(fù)功能的材料形成。表面修飾的六方氮化硼納米片是通過處理六方氮化硼納米片形成羥基化六方氮化硼納米片(BNNS-OH)，然后處理羥基化的六方氮化硼納米片形成酰胺化的六方氮化硼納米片(BNNS-CONH₂)。氫鍵超分子聚合物納米復(fù)合材料由二乙烯三胺(H₂N-(CH₂)₂-NH-(CH₂)₂-NH₂)和脂肪二酸和脂肪三酸的混合物縮聚反應(yīng)形成。然后將經(jīng)過表面修飾的六方氮化硼納米片(BNNS-CONH₂)均勻分散于聚合物溶液中，將上述溶液均勻涂敷于柔性基板10上，最后蒸發(fā)溶劑形成固化的自修復(fù)層21。脂肪二酸和脂肪三酸可以分別是下式(2)和(3)所示。表面修飾的六方氮化硼納米片(BNNS-CONH₂)在自修復(fù)層的含量可以是2.5-10vol.％，復(fù)合材料中納米片的含量決定了自修復(fù)過程所需的熱量或者壓力，因此本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)制造或使用過程中的條件合理選擇復(fù)合材料中納米片的含量，例如可以是2.5vol.％、5vol.％、7vol.％、8vol.％或10vol.％。聚合物溶液的涂覆方式可以是旋涂法(Spin)、刮涂法(Slit)或者噴墨印刷(Inkjetprinting)等方法來控制聚合物溶液涂覆的厚度、均勻性和表面粗糙度等特性參數(shù)。

請參考圖6，圖6示出自修復(fù)層21的損傷和自修復(fù)顯微圖。如顯微圖所示，采用本實施例的自修復(fù)層21上出現(xiàn)微小裂紋或損傷時，可以實現(xiàn)自修復(fù)，從而避免水汽進入導致的顯示裝置的功能性損傷。這種材料自修復(fù)的機理是：材料表面的氮化硼納米片晶層與層之間通過氫鍵組互相連接，當兩塊復(fù)合材料靠得很近時(即制造或使用過程中出現(xiàn)的裂紋或損傷時)，靜電力會將它們連結(jié)在一起，裂紋兩側(cè)的材料之間形成氫鍵，將兩部分材料恢復(fù)回原來的形態(tài)，裂紋被修復(fù)，材料有效地實現(xiàn)了自我修復(fù)。

然后，可以通過化學氣相沉積等方式在自修復(fù)層21上依次形成氮化硅(SiN_x)層22和氧化硅(SiO₂)層23。

參考圖5，進行步驟S3：在緩沖層20的顯示區(qū)域形成顯示單元30。顯示單元30包括低溫多晶硅層(LTPS)31和堆疊在低溫多晶硅層31上的OLED器件層32。按照常規(guī)工藝流程(如：沉積、曝光、顯影、刻蝕、脫模等)形成低溫多晶硅層31。然后，按常規(guī)工藝流程形成OLED器件層。

參考圖5，進行步驟S4：在緩沖層10的封裝區(qū)域和顯示單元30上形成薄膜封裝層40。薄膜封裝層40包括第一自修復(fù)層41、有機/無機材料層42和第二自修復(fù)層43。本實施例中第一自修復(fù)層41和第二自修復(fù)層43的形成材料與形成方式與緩沖層20中的自修復(fù)層21的形成材料和形成方式相同，在此不再贅述。有機/無機材料層42的形成可以是通過蒸鍍、涂敷等方式形成有機材料層，通過沉積等方式形成有機材料層。本實施例的薄膜封裝層40中包含兩層自修復(fù)層41和43可以更加有效地阻止水汽進入的路徑，從而保證顯示裝置的顯示效果并延長顯示裝置的使用壽命。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。