技術特征：

1.一種砷化銦基II類超晶格結構，其結構自下而上依次為InAs層(1)、GaAs層(2)、GaAs_xSb_1-x層(3)和GaAs層(4)，其特征在于：

所述的InAs層(1)的厚度為2.1nm-10.5nm；

所述的GaAs層(2)的厚度為0.0nm-0.15nm；

所述的GaAs_xSb_1-x層(3)的厚度為2.1nm-3.6nm，組分x為0.01-0.09；

所述的GaAs層(4)的厚度為0.0nm-0.15nm。

2.一種制備如權利要求1所述的一種砷化銦基II類超晶格結構的方法，其特征在于包括以下步驟：：

1)將In爐和Ga爐調至所需生長溫度；

2)將InAs襯底裝入分子束外延真空系統(tǒng)；

3)將InAs襯底溫度升至InAs/GaSb II類超晶格生長溫度；

4)將As閥和Sb閥開至II類超晶格生長所用閥位；

5)采用分子束外延方法在InAs襯底上依次外延InAs層(1)、GaAs層(2)、GaAs_xSb_1-x層(3)和GaAs層(4)。