本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)具有低輻射、體積小及低耗能等優(yōu)點，被廣泛地應(yīng)用在平板電腦、電視或手機等電子產(chǎn)品中，與此同時，人們對顯示面板的顯示品質(zhì)的要求也越來越高。

通常，在LCD中可以通過減小薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)閾值電壓的偏移來提升顯示面板的顯示品質(zhì)，相比常見的單柵極TFT，雙柵極TFT具有更優(yōu)的性能，如：閾值電壓的穩(wěn)定性及均勻性更好、電子遷移率更高、開態(tài)電流更大、亞閾值擺幅更小、柵極偏壓及照光穩(wěn)定性更好等。

然而，采用雙柵極TFT的顯示面板會導(dǎo)致工藝流程的復(fù)雜化。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及顯示面板，可以簡化顯示面板的工藝流程。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

第一方面，提供一種陣列基板，包括：襯底、依次設(shè)置在所述襯底上的柵金屬層、柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源漏金屬層、阻擋層、以及擋光結(jié)構(gòu)；所述柵金屬層包括底柵電極、柵線；所述源漏金屬層包括源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；所述擋光結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電電極，所述導(dǎo)電電極與所述底柵電極電連接；其中，不透光的所述擋光結(jié)構(gòu)還用作黑矩陣作用。

優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)線的寬度為5～10μm；所述擋光結(jié)構(gòu)沿所述柵線方向設(shè)置。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述柵金屬層還包括公共電極線，所述公共電極線靠近所述柵線設(shè)置；所述底柵電極設(shè)置在所述柵線的靠近所述公共電極線的一側(cè)；所述擋光結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述柵線和所述公共電極線之間。

可選的，所述導(dǎo)電電極的材料為不透光導(dǎo)電材料。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述導(dǎo)電電極的材料包括黑色導(dǎo)電聚合物。

可選的，所述導(dǎo)電電極的材料為透明導(dǎo)電材料；所述擋光結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述導(dǎo)電電極遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)的黑色樹脂層；所述黑色樹脂層的圖案與所述導(dǎo)電電極的圖案相同。

優(yōu)選的，所述陣列基板還包括彩色濾光層。

優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體有源層為氧化物半導(dǎo)體有源層。

進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體有源層遠(yuǎn)離所述襯底一側(cè)表面的刻蝕阻擋層。

第二方面，提供一種顯示面板，包括上述的陣列基板。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及顯示面板，通過在陣列基板上設(shè)置擋光結(jié)構(gòu)，一方面，使擋光結(jié)構(gòu)用作黑矩陣作用，可省略顯示面板中黑矩陣的制備工藝，因而，當(dāng)陣列基板應(yīng)用于顯示面板時，可簡化工藝；另一方面，使擋光結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電電極，并使導(dǎo)電電極與底柵電極電連接，可以在陣列基板上形成雙柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，從而可以提升顯示面板的顯示品質(zhì)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖一；

圖2(a)為圖1中A-A′向剖視示意圖一；

圖2(b)為圖1中B-B′向剖視示意圖一；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖二；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖三；

圖5(a)為圖1中A-A′向剖視示意圖二；

圖5(b)為圖1中B-B′向剖視示意圖二；

圖6為圖4中C-C′向剖視示意圖一；

圖7為圖4中C-C′向剖視示意圖二；

圖8為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本發(fā)明實施例提供的一種制備陣列基板的流程示意圖；

圖10為本發(fā)明實施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

10-襯底；11-柵金屬層；111-底柵電極；112-柵線；113-公共電極線；12-柵絕緣層；13-半導(dǎo)體有源層；14-源漏金屬層；141-源電極；142-漏電極；143-數(shù)據(jù)線；16-阻擋層；17-刻蝕阻擋層；20-擋光結(jié)構(gòu)；201-導(dǎo)電電極；202-黑色樹脂層；30-像素電極；40-彩色濾光層；50-平坦層；60-公共電極。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖1、圖2(a)和圖2(b)所示，包括：襯底10、依次設(shè)置在襯底10上的柵金屬層11、柵絕緣層12、半導(dǎo)體有源層13、源漏金屬層14、阻擋層16、以及擋光結(jié)構(gòu)20；柵金屬層11包括底柵電極111、柵線112；源漏金屬層14包括源電極141、漏電極142和數(shù)據(jù)線143；擋光結(jié)構(gòu)20包括導(dǎo)電電極201，導(dǎo)電電極201與底柵電極111電連接；其中，不透光的擋光結(jié)構(gòu)20還用作黑矩陣作用。

當(dāng)然，所述陣列基板還包括與漏電極142電連接的像素電極30。

需要說明的是，第一，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，黑矩陣的作用，一方面，需至少遮擋半導(dǎo)體有源層13的與源電極141和漏電極142之間間隙對應(yīng)的部分(即溝道區(qū))，以防止外界光線照射導(dǎo)致的特性漂移；當(dāng)然，為了避免源電極141、漏電極142、底柵電極111等金屬的反光，還可將整個TFT都進(jìn)行遮擋。另一方面，需防止像素漏光，即需要遮擋不被電場控制的區(qū)域或電場較為復(fù)雜導(dǎo)致可能出現(xiàn)漏光的區(qū)域，例如柵線112與像素電極30之間的區(qū)域，或者，柵線112與公共電極線之間的區(qū)域。

此外，黑矩陣還具有防止串色的作用，即設(shè)置在相鄰且不同顏色子像素之間，例如當(dāng)數(shù)據(jù)線143兩側(cè)的子像素為不同顏色子像素，則可通過沿數(shù)據(jù)線143方向，設(shè)置覆蓋數(shù)據(jù)線143的黑矩陣來達(dá)到防止串色的作用。當(dāng)然，采用黑矩陣防止串色也不是必須的，也可通過其他方式來防止串色。

基于此，由于本發(fā)明實施例的擋光結(jié)構(gòu)20還用作黑矩陣作用，也即，擋光結(jié)構(gòu)20可代替黑矩陣，因此，對于擋光結(jié)構(gòu)20的形狀可參考黑矩陣的形狀。但是需要注意的是，由于擋光結(jié)構(gòu)20中的導(dǎo)電電極201是導(dǎo)電的，因此，在設(shè)計擋光結(jié)構(gòu)20的形狀時，需避免通過擋光結(jié)構(gòu)20而將沿數(shù)據(jù)線143方向相鄰子像素中的底柵電極111電連接起來。

其中，由于擋光結(jié)構(gòu)20中的導(dǎo)電電極201與底柵電極111電連接，而通過上述對黑矩陣作用的描述，可知擋光結(jié)構(gòu)20勢必遮擋半導(dǎo)體有源層13的與源電極141和漏電極142之間間隙對應(yīng)的部分，因此，導(dǎo)電電極201可作為TFT的頂柵電極，即，TFT為雙柵極TFT。

第二，不對擋光結(jié)構(gòu)20的層結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定，其可以如圖2(a)和圖2(b)所示，僅包括導(dǎo)電電極201，此時導(dǎo)電電極201需能擋光。當(dāng)然，除包括導(dǎo)電電極201外，還可包括其他層，只要能使擋光結(jié)構(gòu)20整體起到擋光作用，導(dǎo)電電極201能與底柵電極111電連接且不會導(dǎo)致工藝復(fù)雜(能通過一次構(gòu)圖工藝形成擋光結(jié)構(gòu)20)即可。

第三，導(dǎo)電電極201可通過設(shè)置在阻擋層16和柵絕緣層12上的過孔與底柵電極111電連接。

第四，不對半導(dǎo)體有源層13的材料進(jìn)行限定，其可以采用非晶硅、氧化物、有機等材料制成。

此外，不對雙柵極TFT的類型進(jìn)行限定，其可以為背溝道型，也可為刻蝕阻擋型，具體可根據(jù)半導(dǎo)體有源層13的材料以及制備形成源電極141和漏電極142的工藝而定。

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，通過設(shè)置擋光結(jié)構(gòu)20，一方面，使擋光結(jié)構(gòu)20用作黑矩陣作用，可省略黑矩陣的制備工藝，因而，當(dāng)陣列基板應(yīng)用于顯示面板時，可簡化工藝；另一方面，使擋光結(jié)構(gòu)20包括導(dǎo)電電極201，并使導(dǎo)電電極201與底柵電極111電連接，可以在陣列基板上形成雙柵極薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，從而可以提升顯示面板的顯示品質(zhì)。

優(yōu)選的，如圖3所示，數(shù)據(jù)線143的寬度為5～10μm；擋光結(jié)構(gòu)20沿柵線112方向設(shè)置。

此處，當(dāng)數(shù)據(jù)線143加寬時，可避免位于數(shù)據(jù)線143兩側(cè)的相鄰不同顏色子像素之間出現(xiàn)串色，因此，在設(shè)置擋光結(jié)構(gòu)20時，可無需考慮其要兼具防止串色的作用。

在此基礎(chǔ)上，擋光結(jié)構(gòu)20只需考慮遮擋溝道區(qū)，甚至TFT，以及防止像素漏光，而由于柵線112附近電場混亂而容易導(dǎo)致像素漏光，且TFT也是靠近柵線112設(shè)置的，因此，只需將擋光結(jié)構(gòu)20沿柵線112方向設(shè)置即可。

本發(fā)明實施例中，通過將數(shù)據(jù)線143在現(xiàn)有基礎(chǔ)上加寬，一方面可避免子像素間串色，另一方面可簡化擋光結(jié)構(gòu)20。其中，由于數(shù)據(jù)線143通常采用金屬導(dǎo)電材料制成，而金屬導(dǎo)電材料一般是不透光的，因而也不會導(dǎo)致漏光。

進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖4所示，柵金屬層11還包括公共電極線113，公共電極線113靠近柵線112設(shè)置；底柵電極111設(shè)置在柵線112的靠近公共電極線113的一側(cè)；擋光結(jié)構(gòu)20設(shè)置在柵線112和公共電極線113之間。

此處，公共電極線113用于向公共電極供電，由于公共電極一般采用氧化銦錫(Indium Tin Oxide，簡稱ITO)材料制成，其電阻較大，而公共電極線113的電阻較小，當(dāng)公共電極和公共電極線113連接時，可以降低公共電極的電阻。

其中，公共電極線113和底柵電極111、柵線112通過同一次構(gòu)圖工藝制備而成。

需要說明的是，第一，由于像素電極30需與漏電極142電連接，若擋光結(jié)構(gòu)20先形成，而像素電極30后形成，則擋光結(jié)構(gòu)20可露出對應(yīng)漏電極142上方的部分區(qū)域，以避免在像素電極30通過過孔與漏電極142電連接時，與擋光結(jié)構(gòu)20短路。

第二，擋光結(jié)構(gòu)20可覆蓋柵線112和公共電極線113。

本發(fā)明實施例中，當(dāng)TFT設(shè)置在柵線112和公共電極線113之間時，柵線112和公共電極線113之間區(qū)域的電場較為混亂，當(dāng)將擋光結(jié)構(gòu)20設(shè)置在柵線112和公共電極線113之間時，可避免像素漏光，而且也可完全將TFT遮擋，保證TFT的性能。

可選的，如圖2(a)和圖2(b)所示，擋光結(jié)構(gòu)20可僅包括導(dǎo)電電極201，導(dǎo)電電極201的材料為不透光導(dǎo)電材料。

本發(fā)明實施例中，由于導(dǎo)電電極201采用不透光導(dǎo)電材料，因此，導(dǎo)電電極201也可以起到擋光作用。而導(dǎo)電電極201可通過一次構(gòu)圖工藝制備形成，從而可簡化工藝流程。

進(jìn)一步優(yōu)選的，導(dǎo)電電極201的材料包括黑色導(dǎo)電聚合物。

此處，導(dǎo)電電極201的厚度可以為1～3μm。

需要說明的是，導(dǎo)電電極201的材料不僅限于黑色導(dǎo)電聚合物，還可以是黑色金屬或表面經(jīng)過黑化處理的金屬。

其中，黑色導(dǎo)電聚合物例如可以是以聚合物為基體摻雜納米金屬材料；也可以使用以聚合物為基體摻雜復(fù)合型導(dǎo)電材料(導(dǎo)電納米粒子或?qū)щ娂{米絲)；其中，摻雜成分占聚合物基體的質(zhì)量的50％～70％；或者可以直接使用導(dǎo)電性高分子材料，例如聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩等導(dǎo)電聚合物及其衍生物。

由于黑色導(dǎo)電聚合物的性能較好，而且容易制備厚度較厚的導(dǎo)電電極201，因此可以采用黑色導(dǎo)電聚合物作為導(dǎo)電電極201。

可選的，如圖5(a)和圖5(b)所示，導(dǎo)電電極201的材料為透明導(dǎo)電材料；擋光結(jié)構(gòu)20還包括設(shè)置在導(dǎo)電電極201遠(yuǎn)離襯底10一側(cè)的黑色樹脂層202；黑色樹脂層202的圖案與導(dǎo)電電極201的圖案相同。

此處，導(dǎo)電電極201的厚度可以為30～100nm；黑色樹脂層202的厚度可以為1～3μm。

具體的，形成包括導(dǎo)電電極201和黑色樹脂層202的工藝過程為：依次形成導(dǎo)電薄膜和黑色樹脂薄膜，對黑色樹脂薄膜進(jìn)行曝光和顯影，形成所述黑色樹脂層202，以所述黑色樹脂層202為掩模，對導(dǎo)電薄膜進(jìn)行濕法刻蝕，形成與所述黑色樹脂層202的圖案相同的所述導(dǎo)電電極201。

本發(fā)明實施例中，導(dǎo)電電極201起導(dǎo)電作用，黑色樹脂層22起到擋光的作用，二者圖案相同，可以通過同一次構(gòu)圖工藝制備，簡化了工藝流程。

優(yōu)選的，如圖6和圖7所示，陣列基板還包括彩色濾光層40。

其中，由于彩色濾光層40形成后，其表面不平坦，因此，還可在彩色濾光層40的表面形成平坦層50。

本發(fā)明實施例中，將彩色濾光層40直接形成在陣列基板上，可以提高顯示面板的開口率，增加顯示面板的亮度。

優(yōu)選的，如圖6和圖7所示，半導(dǎo)體有源層13為氧化物半導(dǎo)體有源層。

此處，半導(dǎo)體有源層13的材料例如可以為非晶銦鎵鋅氧化物。

其中，半導(dǎo)體有源層13為氧化物半導(dǎo)體有源層時，如圖6所示，可形成背溝道型薄膜晶體管，此時，可通過控制形成源漏電極時的刻蝕液，例如選用雙氧水系的刻蝕液，來避免對氧化物半導(dǎo)體有源層的影響。

如圖7所示，也可形成刻蝕阻擋型薄膜晶體管，即在氧化物半導(dǎo)體有源層遠(yuǎn)離襯底10一側(cè)表面形成刻蝕阻擋層17，以避免形成源漏電極時對氧化物半導(dǎo)體有源層的影響，此時，在形成源漏電極時，可采用任意刻蝕液。

由于氧化物半導(dǎo)體具有載流子遷移率高、制備溫度低、大面積均勻性優(yōu)良、光學(xué)透過率高等優(yōu)勢，因此，本發(fā)明實施例中優(yōu)選氧化物半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體有源層13的材料。

優(yōu)選的，如圖8所示，所述陣列基板還包括公共電極60。

下面提供一具體實施例以對陣列基板的制備方法進(jìn)行具體說明。

如圖9所示，形成陣列基板可以包括如下步驟：

S10、參考圖4和圖7所示，在襯底10上依次形成柵金屬層11、柵絕緣層12、半導(dǎo)體有源層13、刻蝕阻擋層17和源漏金屬層14。

其中，柵金屬層11包括底柵電極111、柵線112和公共電極線113。源漏金屬層14包括源電極141、漏電極142和數(shù)據(jù)線143；數(shù)據(jù)線143的寬度為5～10μm。半導(dǎo)體有源層13為氧化物半導(dǎo)體有源層。

具體的，可以使用磁控濺射方法在襯底10上制備一層金屬薄膜，金屬材料通?？梢圆捎勉f、鋁、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結(jié)構(gòu)。然后，用掩模板通過曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在襯底10上形成柵金屬層11。

進(jìn)一步的，可以利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PECVD)在基板上沉積絕緣薄膜，絕緣薄膜的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等，形成柵絕緣層12。

進(jìn)一步的，通過沉積、曝光、顯影、刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝處理，在基板的位于底柵電極111上方形成氧化物半導(dǎo)體有源層，之后形成刻蝕阻擋層17、源漏金屬層14。

S11、參考圖7所示，在S10的基礎(chǔ)上，形成阻擋層16。

具體的，通過沉積、曝光、顯影、刻蝕等構(gòu)圖工藝處理，形成阻擋層16，所述阻擋層16包括露出底柵電極111的過孔，該過孔也將柵絕緣層12刻穿，此外還包括露出漏電極142的過孔。

其中，阻擋層16厚度可以為200～800nm。材料可以為二氧化硅(SiO₂)和/或氮化硅(Si₃N₄)。其可以為一層結(jié)構(gòu)，也可以為兩層以上結(jié)構(gòu)。

S12、參考圖4和圖7所示，在S11的基礎(chǔ)上，形成擋光結(jié)構(gòu)20。

其中，擋光結(jié)構(gòu)20僅包括導(dǎo)電電極201，其材料為不透光導(dǎo)電材料，例如使用摻雜有納米金屬材料的聚合物基體，摻雜成分占聚合物基體的質(zhì)量的50％～70％；導(dǎo)電電極201的厚度可以為2μm。

擋光結(jié)構(gòu)20設(shè)置在柵線112和公共電極線113之間。擋光結(jié)構(gòu)20可露出對應(yīng)漏電極142上方的部分區(qū)域，以避免在像素電極30通過過孔與漏電極142電連接時，與擋光結(jié)構(gòu)20短路。

具體的，可通過涂覆、曝光、顯影等構(gòu)圖工藝處理，在柵線112和公共電極線113之間形成所述導(dǎo)電電極201。

S13、參考圖7所示，在S12的基礎(chǔ)上，依次形成彩色濾光層40、平坦層50、像素電極30。

在此基礎(chǔ)上，如圖8所示，還可形成鈍化層和公共電極60。

形成彩色濾光層40、平坦層50、像素電極30、鈍化層和公共電極60等都采用常規(guī)工藝，在此不再贅述。

本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，如圖10所示，包括上述的陣列基板。

其中，所示顯示面板可以為液晶顯示面板。

此外，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括所述顯示面板。

其中，顯示裝置例如可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或者部件。

本發(fā)明實施例提供一種顯示面板，通過在陣列基板上設(shè)置擋光結(jié)構(gòu)20，一方面，使擋光結(jié)構(gòu)20用作黑矩陣作用，可省略黑矩陣的制備工藝，因而，當(dāng)陣列基板應(yīng)用于顯示面板時，可簡化工藝；另一方面使擋光結(jié)構(gòu)20包括導(dǎo)電電極201，并使導(dǎo)電電極201與底柵電極111電連接，可以在陣列基板上形成雙柵極TFT結(jié)構(gòu)，從而可以提升顯示面板的顯示品質(zhì)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。