本公開(kāi)實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件封裝和具有該發(fā)光器件封裝的照明裝置。

背景技術(shù)：

發(fā)光器件是一種將電能轉(zhuǎn)換成光的半導(dǎo)體器件，且作為取代傳統(tǒng)熒光燈、白熾燈等的下一代光源而受到關(guān)注。

由于發(fā)光二極管使用半導(dǎo)體器件產(chǎn)生光，因而與通過(guò)加熱鎢絲產(chǎn)生光的白熾燈或者通過(guò)將經(jīng)高壓放電產(chǎn)生的紫外線撞擊在熒光物質(zhì)上來(lái)產(chǎn)生光的熒光燈相比，發(fā)光二極管僅消耗非常低的功率。

另外，由于發(fā)光二極管使用半導(dǎo)體器件的位勢(shì)差產(chǎn)生光，因而與傳統(tǒng)光源相比，發(fā)光二極管具有較長(zhǎng)的使用壽命、快速響應(yīng)性和環(huán)境友好特性。

據(jù)此，進(jìn)行了許多用發(fā)光二極管替代傳統(tǒng)光源的研究，并且發(fā)光二極管已越來(lái)越多地用作照明裝置的光源，所述照明裝置諸如為室內(nèi)和室外使用的各種燈、液晶顯示設(shè)備、廣告牌和路燈。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種能夠提高光提取效率的發(fā)光器件封裝和具有該發(fā)光器件封裝的照明裝置。

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種能夠提高光通量的發(fā)光器件封裝和具有該發(fā)光器件封裝的照明裝置。

根據(jù)一實(shí)施例，該發(fā)光器件封裝包括：第一引線框；第二引線框，與第一引線框間隔開(kāi)；主體，耦合至第一引線框和第二引線框，并包括第一空腔，暴露第一引線框的上表面的一部分，第二空腔，暴露第二引線框的上表面的一部分，以及間隔件，布置在第一引線框與第二引線框之間；至少一個(gè)發(fā)光器件，布置在第一空腔中；以及保護(hù)器件，布置在第二空腔中。第二空腔可以布置在第一空腔的第一內(nèi)表面上，第一內(nèi)表面可以連接至間隔件的上表面。第一空腔的底面的面積可以等于或小于主體的整個(gè)面積的40％。

根據(jù)該實(shí)施例，發(fā)光器件封裝包括：第一空腔，暴露第一引線框，發(fā)光器件安裝在第一引線框上；以及第二空腔，暴露第二引線框，保護(hù)器件安裝在第二引線框上，暴露的第一引線框的面積的范圍在主體的整個(gè)面積的20％和40％之間。因此，該實(shí)施例能夠改善吸收到第一引線框的光的損失。

另外，在該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中，暴露的第二引線框的面積的范圍在主體的整個(gè)面積的3％和10％之間。因此，該實(shí)施例能夠使光的損失最小化。

另外，在該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中，第二空腔的第五內(nèi)表面的曲率半徑r的范圍在0.1mm和0.3mm之間。因此，該實(shí)施例能夠通過(guò)改善從發(fā)光器件發(fā)射的光的全反射來(lái)提高光提取效率。

另外，在根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中，覆蓋保護(hù)器件的反射模制部布置在第二空腔中，因而反射提供到保護(hù)器件并且損失的光。因此，該實(shí)施例能夠進(jìn)一步提高光提取效率。

另外，在根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中，布置在保護(hù)器件上的反射模制部可以延伸到保護(hù)器件的導(dǎo)線接合部，保護(hù)器件位于其上布置有發(fā)光器件的第一空腔的底面上。因此，另一個(gè)實(shí)施例能夠通過(guò)減小從第一空腔暴露的引線框的面積并且通過(guò)反射被導(dǎo)線接合部和導(dǎo)線損耗的光來(lái)進(jìn)一步提高光提取效率。

附圖說(shuō)明

圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的立體圖。

圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的平面圖。

圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的上部的立體圖。

圖4是示出根據(jù)第一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的下部的立體圖。

圖5是示出根據(jù)第一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的平面圖。

圖6是示出沿著圖2的線i-i'的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

圖7是示出沿著圖2的線ii-ii'的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

圖8是將比較示例中的光通量與第一實(shí)施例中的光通量進(jìn)行比較的圖表。

圖9是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

圖10是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

圖11是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

圖12是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的平面圖。

圖13至圖22是示出具有反射模制部的另一些實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的平面圖或剖視圖。

圖23是示出包括在根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中的發(fā)光芯片的剖視圖。

圖24是示出包括在根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中的發(fā)光芯片的另一示例的剖視圖。

圖25是示出包括根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的顯示設(shè)備的立體圖。

圖26是示出包括根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的顯示設(shè)備的另一示例的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在實(shí)施例的描述中，在每個(gè)層(膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)形成在襯底、每個(gè)層(膜)、區(qū)域、焊盤(pán)或圖案“上面/上方”或“下面”的情況下，“上面/上方”或“下面”包括以下情況：每個(gè)層(膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)“直接”形成在襯底、每個(gè)層(膜)、區(qū)域、焊盤(pán)或圖案“上面/上方”或“下面”以及“另一個(gè)層插入它們之間(間接地)的方式”。

圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的立體圖，圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的平面圖。

圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的上部的立體圖，圖4是示出根據(jù)第一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的下部的立體圖，以及圖5是示出根據(jù)第一實(shí)施例的第一引線框和第二引線框的平面圖。

圖6是示出沿著圖2的線i-i'的發(fā)光器件封裝的剖視圖，圖7是示出沿著圖2的線ii-ii'的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

如圖1至圖7所示，根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝110可以包括第一引線框170、第二引線框180、主體120、保護(hù)器件160以及第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153。

第一引線框170和第二引線框180可以在彼此間隔開(kāi)固定距離的狀態(tài)下耦合至主體120。第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153可以安裝在第一引線框170上，保護(hù)器件160可以安裝在第二引線框180上。第一引線框170的寬度可以大于第二引線框180的寬度，但不限于此。第一引線框170和第二框180可以包括導(dǎo)電材料。例如，第一引線框170和第二引線框180可以包括鈦(ti)、銅(cu)、鎳(ni)、金(au)、鉻(cr)、鉭(ta)、鉑(pt)、錫(sn)、銀(ag)、磷(p)、鐵(fe)、鋅(zn)和鋁(al)中的至少之一，并且可以形成為單層或多層。

第一引線框170可以包括：上部表面170a，其上安裝有第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153；以及下部表面170b，從主體120的下部暴露。第一引線框170的上部表面170a和下部表面170b可以是平坦表面。第一引線框170可以包括：第一凹陷部171，布置在第一引線框170的上部表面170a上；以及第一臺(tái)階部173，布置在第一引線框170的下部表面170b上。第一凹陷部171可以具有沿下部表面170b的方向從第一引線框170的上部表面170a凹入的形狀。第一凹陷部171可以與上部表面170a的邊緣相鄰。第一凹陷部171可以具有環(huán)形形狀或矩形條帶形狀，但不限于此。第一凹陷部171可以具有圓形形狀，其邊緣是彎曲的，但不限于此。第一凹陷部171可以通過(guò)增加與主體120的接觸面積來(lái)提高與主體120的耦合力。另外，第一凹陷部171可以通過(guò)凹入結(jié)構(gòu)防止外部水分滲入。第一凹陷部171可以通過(guò)蝕刻第一引線框170的上部表面170a的一部分來(lái)形成，但不限于此。第一凹陷部171的深度可以是第一引線框170的厚度的50％，但不限于此。例如，第一凹陷部171的深度可以等于或小于第一引線框170的厚度的50％。第一凹陷部171可以與第一臺(tái)階部173間隔開(kāi)固定距離。換句話說(shuō)，第一凹陷部171可以不包括與第一臺(tái)階部173豎直重疊的區(qū)域。

第一凹陷部171可以布置在第一空腔130的外側(cè)，第一空腔130從主體120暴露第一引線框170的上部的一部分。第一凹陷部171可以布置在第一臺(tái)階部173的內(nèi)側(cè)。具體而言，第一凹陷部171可以布置在從第一引線框170的外表面起第一引線框170的短軸寬度的5％與30％之間的區(qū)域內(nèi)。這里，第一引線框170的長(zhǎng)軸是x-x'，第一引線框170的短軸是y-y'。

在第一凹陷部171布置在從第一引線框170的外表面起小于第一引線框170的5％短軸寬度的區(qū)域的情況下，第一凹陷部171由于減小第一臺(tái)階部173的寬度和面積而減小了與主體120的耦合力，因此，可能難以防止外部水分滲入。在第一凹陷部171布置在從第一引線框170的外表面起大于第一引線框170的30％短軸寬度的區(qū)域的情況下，第一凹陷部171由于將其一部分暴露于第一空腔130而減小了與主體120的耦合力，因此，可能難以防止外部水分滲入。例如，在第一引線框170的短軸寬度是1,920mm的情況下，第一凹陷部171可以布置在與第一引線框170的相鄰?fù)獗砻骈g隔開(kāi)的區(qū)域中。

第一凹陷部171可以具有固定寬度。例如，第一凹陷部171具有的寬度可以是第一引線框170的短軸寬度的3％至15％。在第一凹陷部171的寬度等于或小于第一引線框170的短軸寬度的3％的情況下，第一凹陷部171由于減小與主體120的接觸面積而減少了與主體120的耦合力，因而防止外部水分滲入可能較困難。在第一凹陷部171的寬度大于第一引線框170的短軸寬度的15％的情況下，第一引線框170的剛度可能降低。例如，在第一引線框170的短軸寬度是1,920mm的情況下，第一凹陷部171的寬度可以在50μm和290μm之間。

第一臺(tái)階部173可以布置在第一引線框170的下部表面170b的邊緣上。第一臺(tái)階部173可以沿著第一引線框170的下部表面170b的邊緣連接。第一臺(tái)階部173可以具有凹陷形狀，并且其橫截表面可以具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)，但不限于此。第一臺(tái)階部173可以通過(guò)增加與主體120的接觸面積來(lái)提高與主體120的耦合力。另外，第一臺(tái)階部173可以通過(guò)臺(tái)階結(jié)構(gòu)防止外部水分滲入。第一臺(tái)階部173可以通過(guò)蝕刻第一引線框170的下部表面170b的邊緣的一部分而形成，但不限于此。第一臺(tái)階部173的厚度可以是第一引線框170的厚度的50％，然而不限于此。例如，第一臺(tái)階部173的厚度可以等于或大于第一引線框170的厚度的50％。第一臺(tái)階部173可以進(jìn)一步布置得比第一凹陷部171更靠外側(cè)。

第一引線框170可以包括沿向外方向突出的多個(gè)第一突出部177。第一凹陷部177可以沿向外方向與第一臺(tái)階部173間隔開(kāi)。換句話說(shuō)，第一突出部177的厚度可以比第一引線框170的厚度薄。每一個(gè)第一突出部177的水平寬度可以彼此不同，但不限于此。第一突出部177的端部可以從主體120的外表面向外暴露。即使附圖中未示出，但第一引線框170和第二引線框180的多個(gè)單元通過(guò)以壓力處理金屬框(未示出)而被制作，然后在主體120的注入工藝之后可以從多個(gè)第一引線框170和多個(gè)第二引線框180彼此連接的狀態(tài)中被分開(kāi)。換句話說(shuō)，由于進(jìn)行將彼此連接的多個(gè)主體120耦合的注入工藝，因而多個(gè)第一引線框170和多個(gè)第二引線框180可以包括用于將多個(gè)第一引線框170和多個(gè)第二引線框180彼此連接的掛鉤(hanger)(未示出)。在分離為第一引線框170和第二引線框180的多個(gè)單元的分離過(guò)程中，第一突出部177可以是連接至第一引線框170的掛鉤的一部分。

第二引線框180可以包括：上部表面180a，其上安裝有保護(hù)器件160；以及下部表面180b，其從主體120的下部暴露。第二引線框180的上部表面180a和下部表面180b可以是平坦表面。第二引線框180可以包括：第二凹陷部181，布置在第二引線框180的上部表面180a上；以及第二臺(tái)階部183，布置在第二引線框180的下部表面180b上。第二凹陷部181可以具有沿下部表面180b的方向從第二引線框180的上部表面180a凹入的形狀。第二凹陷部181可以與第二引線框180的上部表面180a的邊緣相鄰。第二凹陷部181可以布置為沿第二引線框180的縱向方向平行。第二凹陷部181可以具有兩個(gè)端部，這兩個(gè)端部具有彎曲形狀，但不限于此。第二凹陷部181可以包括兩個(gè)端部，這兩個(gè)端部具有彼此面對(duì)的彎曲形狀，但不限于此。第二凹陷部181可以通過(guò)增大與主體120的接觸面積提高與主體120的耦合力。另外，第二凹陷部181可以通過(guò)凹入結(jié)構(gòu)防止外部水分滲入。第二凹陷部181可以通過(guò)蝕刻第二引線框180的上部表面180a的一部分來(lái)形成，但不限于此。第二凹陷部181的深度可以是第二引線框180的厚度的50％。然而，這不限于此。例如，第二凹陷部181的深度可以等于或小于第二引線框180的厚度的50％。第二凹陷部181可以與第二臺(tái)階部183間隔開(kāi)固定距離。換句話說(shuō)，第二凹陷部181可以不包括與第二臺(tái)階部183豎直重疊的區(qū)域。

第二凹陷部181可以布置在第二空腔140的外側(cè)，第二空腔140從主體120暴露第二引線框180的上部的一部分。第二凹陷部181可以布置在第二臺(tái)階部183的內(nèi)側(cè)。具體而言，第二凹陷部181的兩個(gè)端部181e可以布置在從第二引線框180的離第一引線框170最遠(yuǎn)的外表面起第二引線框180的短軸寬度的15％和85％之間的區(qū)域中。本文，第二引線框180的長(zhǎng)軸是x-x'，第二引線框180的短軸是y-y'。

在第二凹陷部181所在的區(qū)域小于從第二引線框180的外表面起第二引線框180的15％短軸寬度的情況下，第二凹陷部181由于減小第二臺(tái)階部183的寬度和面積而減小了與主體120的耦合力，因此，可能難以防止外部水分滲入。在第二凹陷部181所在的區(qū)域大于從第二引線框180的外表面起第二引線框180的85％短軸寬度的情況下，第二凹陷部181的一部分暴露于第二空腔140，或者第二凹陷部181由于減小第二臺(tái)階部183的寬度和面積而減小了與主體120的耦合力，因此，可能難以防止外部水分滲入。例如，在第二引線框180的短軸寬度是0.680mm的情況下，第二凹陷部181的兩個(gè)端部181e可以布置在與第二引線框180的離第一引線框170最遠(yuǎn)的外表面間隔開(kāi)180μm至580μm的區(qū)域中。

第二凹陷部181可以包括固定寬度。例如，第二凹陷部181具有的寬度可以是從主體120起第二引線框180的短軸寬度的7％至43％。在第二凹陷部181的寬度小于第二引線框180的短軸寬度的7％的情況下，第二凹陷部181由于減小與主體120的接觸面積而減小了與主體120的耦合力，因而可能難以防止外部水分滲入。在第二凹陷部181的寬度大于第二引線框180的短軸寬度的43％的情況下，因而，第二引線框180的剛度可能降低。例如，在第二引線框180的短軸寬度是0.680mm的情況下，第二凹陷部181的寬度可以在50μm和290μm之間。

第二凹陷部181圍繞第二凹陷部181的中心部c沿著第二凹陷部181的長(zhǎng)軸可以包括直線部1811、彎曲部181c和兩個(gè)端部181e。彎曲部181c可以沿第二引線框180的短軸的第二方向y彎曲。彎曲部181c可以與直線部1811間隔開(kāi)固定距離。彎曲部181c可以沿第二引線框180的長(zhǎng)軸(x-x')方向布置在從第二凹陷部181的中心部c起第二凹陷部181的長(zhǎng)軸長(zhǎng)度或長(zhǎng)軸的寬度的20％和80％之間。例如，彎曲部181c與直線部1811之間的邊界區(qū)域181b可以沿第二引線框180的長(zhǎng)軸(x-x')方向布置在從第二凹陷部181的中心部c起第二凹陷部181的20％和80％之間。

第二臺(tái)階部183可以布置在第二引線框180的下部表面180b的邊緣上。第二臺(tái)階部183可以沿著第二引線框180的下部表面的邊緣連接。第二臺(tái)階部183可以具有凹陷形狀，并且其橫截表面可以具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)，但不限于此。第二臺(tái)階部183可以通過(guò)增加與主體120的接觸面積來(lái)提高與主體120的耦合力。另外，第二臺(tái)階部183可以通過(guò)臺(tái)階結(jié)構(gòu)防止外部水分滲入。第二臺(tái)階部183可以通過(guò)蝕刻第二引線框180的下部表面180b的邊緣的一部分而形成。然而，這不限于此。第二臺(tái)階部183的厚度可以是第二引線框180的厚度的50％，但不限于此。例如，第二臺(tái)階部183的厚度可以等于或大于第二引線框180的厚度的50％。第二臺(tái)階部183可以進(jìn)一步布置得比第二凹陷部181更靠外側(cè)。

第二引線框180可以包括沿向外方向突出的多個(gè)第二突出部187。第二突出部187可以沿向外方向從第二臺(tái)階部183突出。換句話說(shuō)，第二突出部187的厚度可以比第二引線框180的厚度薄。每一個(gè)第二突出部187的水平寬度可以彼此不同，但不限于此。第二突出部187的端部可以從主體120的外表面向外暴露。在分離為第一引線框170和第二引線框180的單元的分離工藝中，第二突出部187可以是連接至第二引線框180的掛鉤的一部分。

第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153可以布置在第一引線框170上。第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153可以布置在從主體120暴露的第一引線框170的上部表面上。即使根據(jù)實(shí)施例的第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153描述為兩個(gè)彼此串聯(lián)連接的構(gòu)造，但不限于此。換言之，第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153可以是單個(gè)構(gòu)造，可以配置為陣列形式，或者可以是至少三個(gè)構(gòu)造。第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153可以通過(guò)導(dǎo)線w1連接，但不限于此。第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153彼此間隔開(kāi)，并且第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153可以沿第一引線框170的對(duì)角線方向?qū)ΨQ地布置在從主體120暴露的第一引線框170的上部表面上，但不限于此。

保護(hù)器件160可以布置在第二引線框180上。保護(hù)器件160可以布置在從主體120暴露的第二引線框180的上部表面上。保護(hù)器件160可以是齊納二極管、晶閘管、瞬態(tài)抑制二極管(tvs)等，但不限于此。根據(jù)實(shí)施例的保護(hù)器件160舉例描述了保護(hù)第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153免受靜電放電(esd)影響的齊納二極管。保護(hù)器件160可以通過(guò)導(dǎo)線w2連接至第一引線框170。

主體120可以包括半透明材料、反射材料和絕緣材料中的至少之一。主體120可以包括對(duì)于從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光，反射率比透射率高的材料。主體120可以是樹(shù)脂基絕緣材料。例如，主體120可以由聚鄰苯二甲酰胺(ppa)、諸如環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂材料等樹(shù)脂材料、硅(si)、金屬材料、光敏玻璃(psg)、藍(lán)寶石(al2o3)、印刷電路板(pcb)中的至少一種制成。主體120可以包括具有固定曲率的外表面或具有成角表面的外表面。例如，主體的平面圖形狀可以是圓形或多邊形。以根據(jù)實(shí)施例的主體120是包括第一外表面121至第四外表面124的多邊形舉例說(shuō)明。

主體120可以與第一引線框170和第二引線框180耦合。主體120可以包括暴露第一引線框170的上部的一部分的第一空腔130。

主體120可以包括布置在第一引線框170與第二引線框180之間的間隔件126。間隔件126可以布置在第一空腔130的底面上。間隔件126可以布置為與彼此面對(duì)的第一臺(tái)階部173和第二臺(tái)階部183平行。間隔件126可以與第一臺(tái)階部173和第二臺(tái)階部183直接接觸。間隔件126可以由絕緣材料制成并且可以是主體120的一部分，但不限于此。間隔件126包括與第一臺(tái)階部173和第二臺(tái)階部183的臺(tái)階結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的臺(tái)階結(jié)構(gòu)。換句話說(shuō)，間隔件126的橫截面可以具有沿水平方向?qū)ΨQ的臺(tái)階結(jié)構(gòu)。由于與第一引線框170和第二引線框180的接觸面積因與第一臺(tái)階部173和第二臺(tái)階部183接觸的臺(tái)階結(jié)構(gòu)而增大，因而間隔件126可以提高耦合力。因此，實(shí)施例能夠防止外部水分滲入。

第一空腔130可以包括暴露第一引線框170的底面，以及沿著暴露的第一引線框170的邊緣設(shè)置的第一內(nèi)表面131至第四內(nèi)表面134。第一內(nèi)表面131可以布置為面對(duì)第三內(nèi)表面133。第二內(nèi)表面132可以布置為面對(duì)第四內(nèi)表面134。第一內(nèi)表面131至第四內(nèi)表面134可以布置為從主體120的底面傾斜。

暴露于第一空腔130的底面的第一引線框170的面積可以小于主體120的第一外表面121至第四外表面124所圍成的面積的40％。例如，暴露于第一空腔130的底面的第一引線框170的面積可以在主體120的第一外表面121至第四外表面124所圍成的面積的20％和40％之間。具體地，暴露于第一空腔130的底面的第一引線框170的面積可以在主體120的第一外表面121至第四外表面124所圍成的面積的12％和26％之間。例如，在主體120的第一外表面121至第四外表面124所圍成的面積可以是3.0mm×3.0mm的情況下，暴露于第一空腔130的底面的第一引線框170的面積可以在1.390mm×0.840mm和1.390mm×1.680mm之間。

通過(guò)使暴露于第一空腔130的底面的第一引線框170的面積的范圍在主體120的整個(gè)面積的20％和40％之間，實(shí)施例能夠改善吸收到第一引線框170中的光的損失，提高光提取效率，并且增加光通量。在第一空腔130的面積小于20％的情況下，由于用于安裝第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153的空間的限制，因而在第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153的安裝過(guò)程中可能產(chǎn)生問(wèn)題。在第一空腔130的面積大于40％的情況下，由于第一內(nèi)表面131至第四內(nèi)表面134的面積減小，因而反射率會(huì)降低，并且由于第一引線框170的暴露面積增大而使第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153的光吸收到第一引線框170中造成的光損失，因而光提取會(huì)減少。

在該實(shí)施例中，第一空腔130的彼此面對(duì)的第一內(nèi)表面131和第三內(nèi)表面133對(duì)于第一引線框170的上表面可以具有彼此不同的傾斜角。第一內(nèi)表面131的傾斜角θ1可以大于第三內(nèi)表面133的傾斜角θ2，但不限于此。

實(shí)施例可以根據(jù)暴露于第一空腔130的底面的第一引線框的面積確定彼此面對(duì)的第一內(nèi)表面131和第三內(nèi)表面133的傾斜角θ1和傾斜角θ2。例如，在暴露于第一空腔130的底面的第一引線框170的面積增加為主體120的整個(gè)面積的20％和30％之間的情況下，第一內(nèi)表面131的傾斜角θ1可以從160度減小到156度，第三內(nèi)表面133的傾斜角θ2可以從140度減小到119度。

第二內(nèi)表面132和第四內(nèi)表面134對(duì)于第一引線框170的上表面可以具有彼此相同的傾斜角。第二內(nèi)表面132的傾斜角θ3可以與第四內(nèi)表面134的傾斜角θ4相同，但不限于此。

主體120可以包括暴露第二引線框180的上表面的一部分的第二空腔140。第二空腔140可以位于第一空腔130的第一內(nèi)表面131上。第二空腔140能夠通過(guò)第一內(nèi)表面131暴露第二引線框180的上表面的一部分。例如，第一空腔140的平面圖形狀可以是圓形、橢圓形、多邊形。暴露于第二空腔140的底面的第二引線框180的面積可以小于主體120的第一外表面121至第四外表面124所圍成的面積的20％。例如，暴露于第二空腔140的底面的第二引線框180的面積可以在主體120的第一外表面121至第四外表面124所圍成的面積的3％和20％之間。通過(guò)使暴露于第二空腔140的底面的第二引線框180的面積的范圍在主體120的第一外表面121至第四外表面124所圍成的面積的3％和20％之間，實(shí)施例能夠改善吸收到第二引線框180中的光的損失，提高光提取效率，并且增加光通量。在第二空腔140的面積小于3％的情況下，由于用于安裝保護(hù)器件160的空間的限制，因而在保護(hù)器件160的安裝過(guò)程中可能產(chǎn)生問(wèn)題。在第二空腔140的面積大于20％的情況下，光提取可能由于反射率的降低和光損失而減少。例如，在主體120的第一外表面121至第四外表面124所圍成的面積可以是3.0mm×3.0mm的情況下，暴露于第二空腔140的底面的第二引線框180的面積可以在0.350mm×0.140mm以及2至1.390mm×1.680mm之間。

第二空腔140可以包括暴露第二引線框180的底面以及沿著暴露的第二引線框180的邊緣設(shè)置的第五內(nèi)表面141至第八內(nèi)表面144。第五內(nèi)表面141可以布置為面對(duì)第七內(nèi)表面143。第五內(nèi)表面141可以具有比第七內(nèi)表面143的高度大的高度。第六內(nèi)表面142可以布置為面對(duì)第八內(nèi)表面144。

第五內(nèi)表面141可以具有固定曲率半徑r，使得第一內(nèi)表面131上的從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光沿各個(gè)方向反射。例如，第五內(nèi)表面141的曲率半徑r可以處于0.1mm至0.3mm的范圍。第五內(nèi)表面141的曲率半徑r能夠通過(guò)提高從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光的全反射來(lái)提高光提取效率。在第五內(nèi)表面141的曲率半徑r小于0.1mm的情況下，從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光由于被臨界角全反射而產(chǎn)生光損失。在第五內(nèi)表面141的曲率半徑r大于0.3mm的情況下，由于對(duì)主體120的厚度和高度的限制，可能在制造工藝中產(chǎn)生問(wèn)題。

第六內(nèi)表面142至第八內(nèi)表面144可以具有固定曲率半徑，但不限于此。例如，第六內(nèi)表面142至第八內(nèi)表面144可以僅在與第一內(nèi)表面131的邊界區(qū)域具有曲率半徑，并且也可以具有與第五內(nèi)表面141的曲率半徑對(duì)應(yīng)的曲率半徑。另外，第六內(nèi)表面141和第八內(nèi)表面144的曲率半徑可以彼此不同。

邊界部131a可以布置在第二空腔140與從第一空腔130暴露的第一引線框170之間。邊界部131a可以布置在第一內(nèi)表面131中。邊界部131a可以與第二空腔140的第七內(nèi)表面143連接。邊界部131a可以布置在間隔件126上。邊界部131a可以與間隔件126豎直重疊。

邊界部131a可以具有高度h，使得其面對(duì)保護(hù)器件160的內(nèi)側(cè)高于保護(hù)器件160。由于邊界部131a的面對(duì)保護(hù)器件160的內(nèi)側(cè)具有的高度h高于保護(hù)器件160的高度，因而從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光由于直接提供到保護(hù)器件160而損失的問(wèn)題能夠得到改善。例如，邊界部131a的高度h可以在100μm和300μm之間，而保護(hù)器件160的高度可以小于100μm，但不限于此。在邊界部131a的高度h大于300μm的情況下，將保護(hù)器件160和第一引線框170連接的導(dǎo)線w2的連接過(guò)程可能較困難。

根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝110包括：第一空腔130，其暴露第一引線框170的上部表面，第一引線框170上安裝有第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153；以及第二空腔140，其暴露第二引線框180的上部表面，第二引線框180上安裝有保護(hù)器件160。暴露于第一空腔130的底面的第一引線框170的面積具有的范圍在主體120的整個(gè)面積的20％和40％之間，因而可以防止吸收到第一引線框170中的光的損失。另外，在該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝110中，暴露于第二空腔140的底面的第二引線框180的面積具有的范圍在主體120的整個(gè)面積的3％和10％之間，因而最小化由于第二空腔140造成的光損失。

在根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝110中，第二空腔140的第五內(nèi)表面141的曲率半徑r具有的范圍在0.1mm和0.3mm之間。因此，通過(guò)改善從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光的全反射，可以提高光提取效率。

圖8是將比較示例中的光通量與第一實(shí)施例中的光通量進(jìn)行比較的圖表。

如圖8所示，與比較示例相比，在第一實(shí)施例中，光通量可以提高至少3.6％。

比較示例包括主體，該主體具有空腔和暴露于該腔的底面的第一引線框和第二引線框，并且該主體可以是這樣的結(jié)構(gòu)，其中第一引線框和第二引線框的暴露面積大于主體的整個(gè)面積的50％。

該實(shí)施例是適用圖1至圖7的技術(shù)特點(diǎn)的發(fā)光器件封裝。

圖9是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

如圖9所示，除了邊界部231a之外，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以適用根據(jù)圖1至圖7的第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的技術(shù)特點(diǎn)。

邊界部231a可以布置在第一內(nèi)表面131中。邊界部231a布置在間隔件126上，并且可以布置在與間隔件126接觸的第一引線框170的上部表面170a的一部分上以及第二引線框180的上部表面180a的一部分上。邊界部231a可以具有高于保護(hù)器件160的高度h。由于邊界部231a具有的高度h高于保護(hù)器件160的高度，因而從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光由于直接提供到保護(hù)器件160而損失的問(wèn)題能夠得到改善。

邊界部231a的沿短軸方向的一端可以布置為比間隔件126的沿短軸方向的一端更鄰近第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153。邊界部231a的沿短軸方向的另一端可以布置為比間隔件126的沿短軸方向的另一端更鄰近保護(hù)器件160。

邊界部231a沿短軸方向的寬度d1可以大于間隔件126沿短軸方向的寬度d2。邊界部231a沿短軸方向的寬度d1可以等于或大于間隔件126的下表面沿短軸方向的寬度d2。邊界部231a可以由絕緣材料制成并且可以是主體120的一部分，但不限于此。例如，邊界部231a可以由與間隔件126的材料相同的材料制成。

通過(guò)覆蓋間隔件126的邊界部231a的結(jié)構(gòu)增大與主體120的接觸面積，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以提高與主體120的耦合力，并防止外部水分滲入。

圖10是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

如圖10所示，除了邊界部331a之外，根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以適用根據(jù)圖1至圖7的第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的技術(shù)特點(diǎn)。

邊界部331a可以布置在第一內(nèi)表面131中。邊界部331a布置在間隔件126上，并且可以布置在與間隔件126接觸的第一引線框170的上部表面170a的一部分上以及第二引線框180的上部表面180a的一部分上。邊界部331a可以具有高于保護(hù)器件160的高度h。由于邊界部331a具有的高度h高于保護(hù)器件160的高度，因而從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光由于直接提供到保護(hù)器件160而損失的問(wèn)題能夠得到改善。

邊界部331a可以覆蓋間隔件126的上部表面。邊界部331a沿短軸方向的寬度d1可以等于或小于間隔件126沿短軸方向的寬度d2。邊界部331a沿短軸方向的寬度d1可以等于或小于間隔件126的下表面沿短軸方向的寬度d2。邊界部331a可以由絕緣材料制成并且可以是主體120的一部分，但不限于此。例如，邊界部331a可以由與間隔件126的材料相同的材料制成。

通過(guò)覆蓋間隔件126的邊界部331a的結(jié)構(gòu)增大與主體120的接觸面積，根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以提高與主體120的耦合力，并防止外部水分滲入。

圖11是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

如圖11所示，除了邊界部431a之外，根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以適用根據(jù)圖1至圖7的第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的技術(shù)特點(diǎn)。

邊界部431a可以布置在第一內(nèi)表面131中。邊界部431a布置在間隔件126上，并且可以布置在與間隔件126接觸的第二引線框180的上部表面180a的一部分上。這里，間隔件126的上部表面的一部分可以從邊界部431a暴露。邊界部431a可以不與第一引線框170的上部表面170a接觸。邊界部431a可以具有高于保護(hù)器件160的高度h。由于邊界部431a具有的高度h高于保護(hù)器件160的高度，因而從第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153發(fā)射的光由于直接提供到保護(hù)器件160而損失的問(wèn)題能夠得到改善。

邊界部431a沿短軸方向的一端可以布置在間隔件126的上表面上。通過(guò)布置在間隔件126的上部表面上，邊界部431a沿短軸方向的一端可以布置為比間隔件126沿短軸方向的相對(duì)的一端更遠(yuǎn)離第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153。邊界部431a沿短軸方向的另一端可以布置為比間隔件126沿短軸方向的另一端更鄰近保護(hù)器件160。

通過(guò)覆蓋間隔件126的一部分的邊界部431a的結(jié)構(gòu)增大與主體120的接觸面積，根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以提高與主體120的耦合力，并防止外部水分滲入。

圖12是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的剖視圖。

如圖12所示，除了反射模制部190之外，根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以適用根據(jù)圖1至圖7的第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的技術(shù)特點(diǎn)。

反射模制部190可以布置在第二空腔140中。反射模制部190可以覆蓋保護(hù)器件160。反射模制部190的上部表面131a可以是比邊界部131a的上部表面低的位置，但不限于此。例如，反射模制部190的上部表面可以是與邊界部131a的上部表面位于同一平面的位置。反射模制部190的高度可以高于保護(hù)器件160的高度，但不限于此。反射模制部190的高度可以等于或小于邊界部131a的高度，但不限于此。

反射模制部190可以包括絕緣材料或反射材料。反射模制部190可以由聚鄰苯二甲酰胺(ppa)、聚對(duì)苯二甲酸-環(huán)己二甲酯(pct)、白色硅膠和白色環(huán)氧模塑料(白色emc)中的至少之一制成，但不限于此。

在根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中，覆蓋保護(hù)器件160的反射模制部190布置在第二空腔140中，并反射吸收到保護(hù)器件160中的光，從而光提取效率能夠進(jìn)一步提高。

發(fā)光器件封裝具有使第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153布置在第一空腔130上的結(jié)構(gòu)。然而，這不限于此。換言之，發(fā)光器件封裝具有將至少三個(gè)發(fā)光器件布置在第一空腔130上的結(jié)構(gòu)。

圖13至圖22是示出具有反射模制部290a至290e的另一些實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的平面圖或剖視圖。

除了反射模制部290a至290e之外，根據(jù)圖13至圖22的發(fā)光器件封裝可以適用根據(jù)圖1至圖7的第一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的技術(shù)特點(diǎn)。

根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以提高光提取效率。為此，根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以包括反射模制部290a至290e。反射模制部290a至290e能夠覆蓋保護(hù)器件160、第一導(dǎo)線160w和導(dǎo)線接合部160a，但不限于此。例如，反射模制部290a至290e可以覆蓋保護(hù)器件160和導(dǎo)線接合部160a并且覆蓋第一導(dǎo)線160w的一部分。反射模制部290a至290e可以反射保護(hù)器件160、第一導(dǎo)線160w和導(dǎo)線接合部160a吸收的光，因此光提取效率可以提高。

此外，反射模制部290a至290e具有的反射率可以大于第一引線框170的反射率。反射模制部290a至290e延伸到暴露于第一空腔130的第一引線框170的上部表面170a，從而能夠提高光提取效率。

參考圖13至圖15，根據(jù)第二實(shí)施例的反射模制部290a可以布置在第二空腔140上。反射模制部290a的一部分可以布置在從第一空腔130暴露的第一引線框170的上部表面170a上。反射模制部290a可以延伸到第一空腔130的離第二空腔140最近的底面。

反射模制部290a可以覆蓋其上布置有第二空腔140的第一內(nèi)表面131的一部分。反射模制部290a可以沿著第二空腔140的外圍的第一內(nèi)表面131延伸到保護(hù)器件160的布置在第一空腔130的底面上的導(dǎo)線接合部160a。例如，反射模制部290a可以沿著第一內(nèi)表面131布置在第二空腔140與第一空腔130之間。

這里，導(dǎo)線接合部160a可以布置在暴露于第一空腔130的離第二空腔140最近的底面的第一引線框170的上部表面170a上。

反射模制部290a的端部291可以布置在導(dǎo)線接合部160a與第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153之間。反射模制部290a的端部291可以從第一空腔130的第一內(nèi)表面131與反射模制部290a的端部291之間的第一邊界291a延伸到第一空腔131的底面。反射模制部290a的端部291可以從第一空腔130的第四內(nèi)表面134與反射模制部290a的端部291之間的第二邊界291b延伸到第一空腔130的底面。反射模制部290a的端部291可以包括位于第一邊界291a與第二邊界291b之間的第三邊界291c。第三邊界291c可以布置成與第二發(fā)光器件153的一個(gè)側(cè)表面153s平行。這里，第二發(fā)光器件153的一個(gè)側(cè)表面153s可以面向第一發(fā)光器件151。

反射模制部290a的位于第二邊界291b與第三邊界291c之間的端部291可以面向第一發(fā)光器件151的一個(gè)側(cè)表面。這里，第一發(fā)光器件151的該一個(gè)側(cè)表面可以面向其上布置有保護(hù)器件160的第一內(nèi)表面131。

反射模制部290a的位于第一邊界291a與第三邊界291c之間的端部291可以面向第二發(fā)光器件153的一邊緣，但不限于此。第二發(fā)光器件153的該邊緣可以是面向保護(hù)器件160的邊緣。

反射模制部290a的端部291沿與第一內(nèi)表面131對(duì)應(yīng)的第一方向x可以包括固定寬度。例如，反射模制部290a的端部291可以包括位于第一邊界291a與第二邊界291b之間的第一寬度w1以及位于第二邊界291a與第三邊界291c之間的第二寬度w2。這里，第一寬度w1可以定義為第一參考線r1與第二參考線r2之間的距離，第一參考線r1沿與第一方向x垂直的第二方向y從第一邊界291a延伸，第二參考線r2沿第二方向y從第二邊界291b延伸。第二寬度w2可以定義為第一參考線r1與第三參考線r3之間的距離，第三參考線r3沿第二方向y從第三邊界291c延伸。

根據(jù)第二實(shí)施例的反射模制部290a可以包括第二寬度w2，第二寬度w2是第一寬度w1的三分之一或更少。通過(guò)第二寬度w2使第二發(fā)光器件153與反射模制部290a彼此間隔開(kāi)固定距離，第二實(shí)施例能夠改善由于第二發(fā)光器件153與反射模制部290a之間的接觸引起的缺陷。根據(jù)第二實(shí)施例的反射模制部290a可以提供減小從第一空腔130暴露的第一引線框170的上部表面170a的面積，并與第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153間隔開(kāi)固定距離的結(jié)構(gòu)。因此，根據(jù)第二實(shí)施例的反射模制部290a可以提高光提取效率，并改善可靠性。

第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153可以布置在第一空腔130中，并且可以包括分隔距離w3，分隔距離w3是與反射模制部290a間隔開(kāi)固定距離。例如，分隔距離w3可以是第一空腔130的底面寬度的3.3％或更小。具體地，分隔距離w3可以在30μm和100μm之間。在分隔距離w3小于30μm的情況下，由于與第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153以及第一空腔130的內(nèi)表面接觸，光效率可能降低。另外，在分隔距離w3小于30μm的情況下，良品率會(huì)由于缺陷而降低。

在分隔距離w3大于100μm的情況下，由于從第一空腔130暴露的第一引線框170的上部表面170a的面積增大，由于吸收到第一引線框170的上部表面170a中的光的損失，光提取效率可能會(huì)降低。

第一發(fā)光器件151和第二發(fā)光器件153與第一空腔130的第一內(nèi)表面131間隔開(kāi)的距離可以不同。在第二實(shí)施例中，導(dǎo)線接合部160a可以布置在第一發(fā)光器件151與第一空腔130的內(nèi)表面之間。在第二實(shí)施例中，第一發(fā)光器件151與第一空腔130的第一內(nèi)表面131之間的分隔距離可以大于第二發(fā)光器件153與第一空腔130的第一內(nèi)表面131之間的分隔距離。

反射模制部290a可以包括絕緣材料或反射材料。反射模制部290a可以由聚鄰苯二甲酰胺(ppa)、聚對(duì)苯二甲酸-環(huán)己二甲酯(pct)、白色硅膠和白色環(huán)氧模塑料(白色emc)中的至少之一制成，但不限于此。

根據(jù)使用噴嘴進(jìn)行分配的方法，反射模制部290a可以形成在第一空腔130和第二空腔140的底面的一部分上，但不限于此。

參考圖13至圖17，邊界部131a可以布置在第二空腔140與從第一空腔130暴露的第一引線框170之間。邊界部131a可以布置在第二空腔130的第一內(nèi)表面131中。

第一內(nèi)表面131的傾斜角θ1可以根據(jù)布置在間隔件126上的邊界部131a的位置而改變。例如，在邊界部131a覆蓋整個(gè)間隔件126的情況下，第一內(nèi)表面131可以包括在間隔件126的上表面與第一內(nèi)表面131之間的第一傾斜角θ1-1。另外，在邊界部131a覆蓋間隔件126的一部分的情況下，第一內(nèi)表面131可以包括在間隔件126的上表面與第一內(nèi)表面131之間的第二傾斜角θ1-2。根據(jù)該實(shí)施例的第一內(nèi)表面131可以包括小于第二傾斜角θ1-2的第一傾斜角θ1-1。具體地，在根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝具有小于第二傾斜角θ1-2的第一傾斜角θ1-1的情況下，位于間隔件126上的邊界部131a的面積改變，并且從第一空腔130暴露的第一引線框170的上部表面170a的面積可能會(huì)減小。因此，在根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝具有小于第二傾斜角θ1-2的第一傾斜角θ1-1的情況下，通過(guò)主體120遮隱第一引線框170和第二引線框180從而具有增大的高反射率，光提取效率能夠得到提高。

參考圖18，根據(jù)第三實(shí)施例的反射模制部290b可以布置在第二空腔140上。反射模制部290b的一部分可以布置在從第一空腔130暴露的第一引線框170的上部表面170a上。反射模制部290b可以延伸到第一空腔130的離第二空腔140最近的底面。因此，根據(jù)第三實(shí)施例的反射模制部290b可以通過(guò)減小暴露于第一空腔130的第一引線框的上部表面170a的面積來(lái)提高光提取效率。

根據(jù)第三實(shí)施例的第一發(fā)光器件251和第二發(fā)光器件253與第一空腔130的第一內(nèi)表面131間隔開(kāi)的距離可以彼此相等。第一發(fā)光器件251和第二發(fā)光器件253可以包括分隔距離，該分隔距離是與第一空腔130的第二內(nèi)表面至第四內(nèi)表面132、133和134間隔開(kāi)的固定距離。例如，該分隔距離可以是第一空腔130的底面寬度的3.3％或更小。該分隔距離可以適應(yīng)圖13至圖15的技術(shù)特點(diǎn)。

反射模制部290b可以覆蓋其上布置有第二空腔140的第一內(nèi)表面131的一部分。反射模制部290b可以沿著第二空腔140的外圍的第一內(nèi)表面131延伸到保護(hù)器件160的布置在第一空腔130的底面上的導(dǎo)線接合部160a。例如，反射模制部290b可以沿著第一內(nèi)表面131布置在第二空腔140與第一空腔130之間。

反射模制部290b的端部291可以布置在導(dǎo)線接合部160a與第一發(fā)光器件251和第二發(fā)光器件253之間。反射模制部290a的端部291以及第一邊界291a至第三邊界291c可以適應(yīng)圖13至圖15的技術(shù)特點(diǎn)。另外，反射模制部290a的第一寬度w1和第二寬度w2、材料以及制造方法可以適應(yīng)圖13至圖15的技術(shù)特點(diǎn)。

第一邊界291a可以布置在第一空腔130的第一內(nèi)表面131與第二內(nèi)表面132之間。

第二空腔140可以包括：第一區(qū)域140a，其上安裝有保護(hù)器件160；以及第二區(qū)域140b，用于導(dǎo)線接合第二發(fā)光器件253。第一區(qū)域140a和第二區(qū)域140b可以是彼此間隔開(kāi)固定距離的空腔結(jié)構(gòu)，但不限于此。

參考圖19，根據(jù)第四實(shí)施例的反射模制部290c可以布置在第二空腔140上。反射模制部290c的一部分可以布置在從第一空腔130暴露的第一引線框170的上部表面170a上。反射模制部290c可以延伸到第一空腔130的離第二空腔140最近的底面。因此，根據(jù)第四實(shí)施例的反射模制部290c可以通過(guò)減小暴露于第一空腔130的第一引線框的上部表面170a的面積來(lái)提高光提取效率。

在第四實(shí)施例中，發(fā)光器件350可以布置在第一空腔130中。發(fā)光器件350可以包括分隔距離w3，分隔距離w3是與第一空腔130的第一內(nèi)表面131至第四內(nèi)表面134間隔開(kāi)的固定距離。例如，分隔距離w3可以是第一空腔130的底面寬度的3.3％或更小。該分隔距離可以適應(yīng)圖13至圖18的技術(shù)特點(diǎn)。

反射模制部290c可以覆蓋其上布置有第二空腔140的第一內(nèi)表面131的一部分。反射模制部290c可以沿著第二空腔140的外圍的第一內(nèi)表面131延伸到保護(hù)器件160的布置在第一空腔130的底面上的導(dǎo)線接合部160a。例如，反射模制部290c可以沿著第一內(nèi)表面131布置在第二空腔140與第一空腔130之間。

反射模制部290c的端部291可以布置在導(dǎo)線接合部160a與發(fā)光器件253之間。反射模制部290c的端部291以及第一邊界291a至第三邊界291c可以適應(yīng)圖13至圖18的技術(shù)特點(diǎn)。另外，反射模制部290c的第一寬度w1和第二寬度w2、材料以及制造方法可以適應(yīng)圖13至圖18的技術(shù)特點(diǎn)。

第一邊界291a可以布置在第一空腔130的第一內(nèi)表面131與第二內(nèi)表面132之間。

保護(hù)器件160可以安裝在第二空腔140上，并且第二空腔140可以包括發(fā)光器件350的導(dǎo)線接合部。然而，不限于此。

參考圖20，根據(jù)第五實(shí)施例的反射模制部290d可以布置在第二空腔140上。反射模制部290d的一部分可以布置在從第一空腔130暴露的第一引線框170的上部表面170a上。反射模制部290d可以延伸到第一空腔130的離第二空腔140最近的底面。因此，根據(jù)第五實(shí)施例的反射模制部290d可以通過(guò)減小暴露于第一空腔130的第一引線框的上部表面170a的面積來(lái)提高光提取效率。

根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光器件350與第一空腔130之間的間隔距離以及發(fā)光器件350可以采用圖19中的第四實(shí)施例的技術(shù)特點(diǎn)。

反射模制部290d可以覆蓋其上布置有第二空腔140的第一內(nèi)表面131的一部分。反射模制部290d可以沿著第二空腔140的外圍的第一內(nèi)表面131延伸到保護(hù)器件160的布置在第一空腔130的底面上的導(dǎo)線接合部160a。例如，反射模制部290d可以沿著第一內(nèi)表面131布置在第二空腔140與第一空腔130之間。

反射模制部290d的端部291可以布置在導(dǎo)線接合部160a與發(fā)光器件253之間。反射模制部290d的端部291以及第一邊界至第三邊界可以適應(yīng)圖13至圖19的技術(shù)特點(diǎn)。另外，反射模制部290d的第一寬度和第二寬度、材料以及制造方法可以適應(yīng)圖13至圖19的技術(shù)特點(diǎn)。

在第五實(shí)施例中，間隔件的一部分可以從第一空腔130的第一內(nèi)表面131暴露。例如，間隔件126可以在第一空腔130的第二內(nèi)表面132與第二空腔140之間向外暴露。另外，在第五實(shí)施例中，第二引線框的上部表面180a的一部分可以從空腔130的第一內(nèi)表面131向外暴露。發(fā)光器件350的導(dǎo)線接合部可以布置在暴露的第二引線框的上部表面180a中。

參考圖21和圖22，根據(jù)第六實(shí)施例的反射模制部290e可以布置在保護(hù)器件160和導(dǎo)線接合部160a上。反射模制部290e的一部分可以布置在從第一空腔130暴露的第一引線框170的上部表面170a上。反射模制部290e可以布置在從第二空腔140暴露的第二引線框180的上部表面180a上。反射模制部290e可以從第二引線框180的上部表面180a延伸到第一引線框170的其上布置有保護(hù)器件350的上部表面170a。根據(jù)第六實(shí)施例的反射模制部290e延伸到暴露于第一空腔130的第一引線框170的上部表面170a，因此能夠提高光提取效率。

根據(jù)第六實(shí)施例的第一空腔130與發(fā)光器件350之間的分隔距離可以適應(yīng)圖19和圖20的第四和第五實(shí)施例的技術(shù)特點(diǎn)。

反射模制部290e可以覆蓋位于從第一空腔130暴露的第二引線框180的上部表面180a上的保護(hù)器件160并且可以覆蓋布置在第一引線框170的上部表面170a的導(dǎo)線接合部160a。

反射模制部290e的端部291可以布置在導(dǎo)線接合部160a與發(fā)光器件253之間。反射模制部290e的端部291以及第一邊界至第三邊界可以適應(yīng)圖13至圖20的技術(shù)特點(diǎn)。另外，反射模制部290e的第一寬度和第二寬度、材料以及制造方法可以適應(yīng)圖13至圖20的技術(shù)特點(diǎn)。

在第六實(shí)施例中，間隔件126和第二引線框180的上部表面180a可以暴露于第一空腔130的底面。例如，間隔件126可以在反射模制部290e與第一空腔130的第二內(nèi)表面132之間向外暴露。此外，在第六實(shí)施例中，發(fā)光器件350的導(dǎo)線接合部可以布置在暴露的第二引線框180的上部表面180a中。

反射模制部290e可以布置在間隔件126上。反射模制部290e可以沿豎直方向與間隔件126的一部分重疊。反射模制部290e可以與間隔件126的上部直接接觸。

圖23是示出包括在根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中的發(fā)光芯片的剖視圖。

如圖23所示，發(fā)光芯片包括襯底511、緩沖層512、發(fā)光結(jié)構(gòu)510、第一電極516和第二電極517。襯底511可以由透光材料或非透光材料制成，并且可以包括導(dǎo)電襯底或絕緣襯底。

緩沖層512減小了襯底512的材料與發(fā)光結(jié)構(gòu)510的材料之間的晶格常數(shù)之差，并且可以由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成。未摻雜有摻雜劑的氮化物半導(dǎo)體層進(jìn)一步形成在緩沖層512與發(fā)光結(jié)構(gòu)510之間，因此可以提高結(jié)晶質(zhì)量。

發(fā)光結(jié)構(gòu)510包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513、有源層514以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515。

例如，其可以由化合物半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)，諸如第ii族-第iv族以及第iii族-第v族化合物半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513可以形成為單層或多層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513可以摻雜有第一導(dǎo)電摻雜劑。例如，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513是n型半導(dǎo)體層的情況下，它可以包括n型摻雜劑。例如，n型摻雜劑可以包括si、ge、sn、se和te，但不限于此。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513可以包括多個(gè)層的堆疊結(jié)構(gòu)，該多個(gè)層包括諸如gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp等化合物半導(dǎo)體中的至少之一。

第一覆層可以形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513與有源層514之間。覆層可以形成為gan基半導(dǎo)體，并且覆層的帶隙可以等于或大于有源層514的帶隙。該第一覆層可以是第一導(dǎo)電類型，并且可以具有約束載流子的能力。

有源層514布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513上，并且可以選擇性地包括單量子阱、多量子阱(mqw)、量子線結(jié)構(gòu)或量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。有源層514可以包括一阱層和勢(shì)壘層周期。阱層可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，勢(shì)壘層可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，該阱層和勢(shì)壘層周期可以使用堆疊結(jié)構(gòu)ingan/gan、gan/algan、ingan/algan、ingan/ingan以及inalgan/inalgan形成至少一個(gè)周期。勢(shì)壘層可以由帶隙高于阱層帶隙的半導(dǎo)體材料形成。

第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515形成在有源層514上。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以由化合物半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)，諸如第ii族-第iv族以及第iii族-第v族化合物半導(dǎo)體。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以形成為單層或多層。在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515是p型半導(dǎo)體層的情況下，第二導(dǎo)電摻雜劑可以包括mg、zn、ca、sr、ba等作為p型摻雜劑。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以摻雜有第二導(dǎo)電摻雜劑。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以包括分子式inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以由諸如gan、inn、aln、ingan、algan、inalgan、alinn、algaas、gap、gaas、gaasp和algainp等化合物半導(dǎo)體中的任何一種制成。

第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515可以包括超晶格結(jié)構(gòu)，并且超晶格結(jié)構(gòu)可以包括ingan/gan超晶格結(jié)構(gòu)或algan/gan超晶格結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515的超晶格結(jié)構(gòu)可以通過(guò)擴(kuò)散電壓中包括的異常電流來(lái)保護(hù)有源層514。

即使第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513描述為n型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515描述為p型半導(dǎo)體層，然而，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513也可以描述為p型半導(dǎo)體層，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515描述為n型半導(dǎo)體層，但不限于此。極性與第二導(dǎo)電類型的極性相反的半導(dǎo)體層，例如n型半導(dǎo)體層(未示出)，可以形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515上。據(jù)此，發(fā)光結(jié)構(gòu)510可以實(shí)現(xiàn)為n-p結(jié)結(jié)構(gòu)、p-n結(jié)結(jié)構(gòu)、n-p-n結(jié)結(jié)構(gòu)以及p-n-p結(jié)結(jié)構(gòu)中的任何一種結(jié)構(gòu)。

第一電極516布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層513上，并且具有電流擴(kuò)散層的第二電極517包括在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層513上。

圖24是示出包括在根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝中的發(fā)光芯片的另一示例的剖視圖。如圖24所示，另一示例的發(fā)光芯片參見(jiàn)圖6。因此，將省略相同構(gòu)造的說(shuō)明。作為根據(jù)另一個(gè)示例的發(fā)光芯片，接觸層521可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)510下面，反射層524可以布置在接觸層521下面，支撐部件525可以布置在反射層524下面，并且保護(hù)層523可以圍繞發(fā)光結(jié)構(gòu)510和反射層524布置。

發(fā)光芯片可以被布置，而接觸層521和保護(hù)層523、反射層524和支撐部件525位于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515下面。

接觸層521可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)510的下表面(例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層515)具有歐姆接觸。接觸層521可以從金屬氮化物、絕緣材料以及導(dǎo)電材料中選擇。例如，接觸層521可以由包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、銦鋅錫氧化物(izto)、銦鋁鋅氧化物(iazo)、銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鎵錫氧化物(igto)、氧化鋁鋅(azo)、氧化銻錫(ato)、氧化鎵鋅(gzo)、ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf及其選擇性組合的材料形成。另外，接觸層可以使用諸如izo、izto、iazo、igzo、igto、azo、ato等金屬材料和透光導(dǎo)電材料形成為多層，并且可以用例如izo/ni、azo/ag、izo/ag/ni、azo/ag/ni進(jìn)行堆疊。阻擋電流以對(duì)應(yīng)于電極615的電流阻擋層可以進(jìn)一步形成在接觸層521中。

保護(hù)層523可以從金屬氧化物和絕緣材料中選擇。例如，保護(hù)層523可以選擇性地由包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、銦鋅錫氧化物(izto)、銦鋁鋅氧化物(iazo)、銦鎵鋅氧化物(igzo)、銦鎵錫氧化物(igto)、氧化鋁鋅(azo)、氧化銻錫(ato)、氧化鎵鋅(gzo)、sio2、siox、sioxny、si3n4、al2o3和tio2的材料形成。保護(hù)層523可以通過(guò)使用濺射法、氣相沉積法等形成。諸如反射層524等金屬可以防止發(fā)光結(jié)構(gòu)510的多個(gè)層發(fā)生短路。

反射層524可以包括金屬。例如，反射層524可以由ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au、hf及包括其選擇性組合的材料形成。反射層524能夠通過(guò)將其寬度形成為大于發(fā)光結(jié)構(gòu)510的寬度來(lái)提高光反射效率。用于接合的金屬層、用于熱擴(kuò)散的金屬層可以進(jìn)一步布置在反射層524與支撐部件525之間，但不限于此。

支撐部件525可以用諸如銅(cu)、金(au)、鎳(ni)、鉬(mo)、銅-鎢(cu-w)等金屬或者載體晶片(例如：si、ge、gaas、zno、sic)實(shí)現(xiàn)為基板。接合層可以進(jìn)一步形成在支撐部件525與反射層524之間。

<照明系統(tǒng)>

圖25是示出包括根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的顯示設(shè)備的立體圖。

如圖25所示，根據(jù)該實(shí)施例的顯示裝置1000可以包括：導(dǎo)光板1041；光源模塊1031，向?qū)Ч獍?041提供光；反射部件1022，位于導(dǎo)光板1041下面；光學(xué)片1051，位于導(dǎo)光板1041上面；顯示面板1061，位于光學(xué)片1051上面；以及底罩1011，容納導(dǎo)光板1041、光源模塊1031和反射部件1022，但不限于此。

底罩1011、反射部件1022、導(dǎo)光板1041以及光學(xué)片1051可以限定為照明單元1050。

導(dǎo)光板1041用于擴(kuò)散光，因此是表面光源。導(dǎo)光板1041可以由透明材料制成，并且可以包括諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)等丙烯酸樹(shù)脂基材料、諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯(pc)、環(huán)烯烴共聚物(coc)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)等樹(shù)脂中的一種。

光源模塊1031將光提供到導(dǎo)光板1041的至少一個(gè)側(cè)表面并且最終用作顯示裝置的光源。

可以設(shè)置至少一個(gè)光源模塊1031并且至少一個(gè)光源模塊1031可以從導(dǎo)光板1041的一側(cè)表面直接或間接提供光。光源模塊1031包括基板1033以及根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝110，并且多個(gè)發(fā)光器件封裝110可以以彼此間隔開(kāi)固定距離的狀態(tài)布置在基板1033上。

基板1033可以是包括電路圖案(未示出)的印刷電路板(pcb)。然而，基板1033可以包括普通pcb以及金屬芯pcb(mcpcb)、柔性pcb(fpcb)等，但不限于此。發(fā)光器件封裝110可以直接布置在底罩1011的側(cè)表面或散熱板上。

反射部件1022可以布置在導(dǎo)光板1041下面。反射部件1022能夠通過(guò)反射入射到導(dǎo)光板1041的下表面的光來(lái)提高照明單元1050的亮度。反射部件1022可以由例如pet、pc、pvc樹(shù)脂等制成，但不限于此。

底罩1011可以容納導(dǎo)光板1041、光源模塊1031以及反射部件1022等。底罩1011可以包括箱體形狀的容納部1012，該箱體具有開(kāi)放的上表面，但不限于此。底罩1011可以與頂罩耦合，但不限于此。

底罩1011可以由金屬材料或者樹(shù)脂材料制成，并且可以使用諸如模壓成型、擠壓成型等工藝來(lái)制造。另外，底罩1011可以包括具有良好導(dǎo)熱性的金屬材料或非金屬材料，但不限于此。

作為例如lcd面板的顯示面板1061可以包括彼此面對(duì)的透明第一基板和第二基板以及置于第一基板與第二基板之間的液晶層。偏振板可以布置在顯示面板1061的至少一個(gè)表面上。顯示面板1061通過(guò)穿過(guò)光學(xué)片1051的光來(lái)顯示信息。顯示裝置1000可以適用于各種類型的便攜終端、筆記本電腦的顯示器、膝上型電腦的顯示器、電視等。

光學(xué)片1051可以布置在顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間。光學(xué)片1051可以包括至少一個(gè)透明片。光學(xué)片1051可以包括擴(kuò)散片、至少一個(gè)棱鏡片、以及保護(hù)片中的至少之一。擴(kuò)散片可以包括擴(kuò)散入射光的功能。擴(kuò)散片可以包括會(huì)聚入射到顯示區(qū)域的光的功能。保護(hù)片可以包括保護(hù)棱鏡片的功能。

<照明系統(tǒng)>

圖26是示出包括根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的顯示設(shè)備的另一示例的剖視圖。

如圖26所示，另一個(gè)示例的顯示裝置1100可以包括：底罩1152；基板1120，其上安裝有發(fā)光器件封裝110；光學(xué)部件1154；以及顯示面板1155。

基板1120和發(fā)光器件封裝110可以限定為光源模塊1160。底罩1152、至少一個(gè)光源模塊1160以及光學(xué)部件1154可以限定為照明單元1150。底罩1152可以包括容納部1153，但不限于此。光源模塊1160可以包括襯底1120和布置在襯底1120上的多個(gè)發(fā)光器件封裝110。

本文，光學(xué)部件1154可以包括透鏡、擴(kuò)散板、擴(kuò)散片、棱鏡片以及保護(hù)片中的至少之一。擴(kuò)散板可以由pc材料或聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)材料制成，并且擴(kuò)散板可以被去除。擴(kuò)散片可以擴(kuò)散入射光，棱鏡片可以會(huì)聚入射到顯示區(qū)域的光，并且保護(hù)片可以保護(hù)棱鏡片。

光學(xué)部件1154布置在光源模塊1060上，使用從光源模塊1060發(fā)射的光成為面光源，并且對(duì)從光源模塊1060發(fā)射的光進(jìn)行擴(kuò)散、會(huì)聚等。

根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光器件封裝110可以應(yīng)用于顯示設(shè)備以及照明單元、指示單元、電燈、路燈、車輛照明設(shè)備、車輛顯示設(shè)備、智能手表等，但不限于此。

上述實(shí)施例中描述的特征、結(jié)構(gòu)、效果等包括在至少一個(gè)實(shí)施例中，并且不一定限于僅一個(gè)實(shí)施例。另外，屬于這些實(shí)施例的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可以在其它實(shí)施例中結(jié)合或修改每個(gè)實(shí)施例中描述的特征、結(jié)構(gòu)、效果等。因此，與這些組合和修改有關(guān)的內(nèi)容應(yīng)被解釋為包括在實(shí)施例的范圍內(nèi)。

參考上文實(shí)施例進(jìn)行了描述，但僅是示例性的并且不限制這些實(shí)施例。屬于這些實(shí)施例的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可以理解，未在上述實(shí)施例中示出的各種修改和應(yīng)用是可能的，而不脫離本實(shí)施例的必要特點(diǎn)。例如，可以修改和實(shí)施所述實(shí)施例中具體描述的每一個(gè)組件。與這些修改和應(yīng)用有關(guān)的不同點(diǎn)應(yīng)被解釋為落入所附權(quán)利要求書(shū)闡述的實(shí)施例的范圍內(nèi)。