本發(fā)明的實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置，并且更具體地說，涉及頂發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

作為自發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示(oled)裝置具有以下優(yōu)點(diǎn)：低功耗、快響應(yīng)速度、高發(fā)射效率、高亮度以及寬視角。

根據(jù)從oled裝置發(fā)射的光的方向，該oled裝置可以主要地分類為頂發(fā)射型和底發(fā)射型。針對(duì)底發(fā)射型的情況，將電路裝置設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，其因該電路裝置而可能降低開口率。此時(shí)，針對(duì)頂發(fā)射型的情況，通常不將電路裝置設(shè)置在發(fā)光層與圖像顯示表面之間，并由此，從開口率角度而言更有利。

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的頂發(fā)射型oled裝置的截面圖。

如圖1所示，將包括有源層11、柵極絕緣膜12、柵極13、絕緣間層14、源極15以及漏極16的薄膜晶體管層(t)設(shè)置在基板10上，并接著將鈍化層20和平坦化層30順序地設(shè)置在薄膜晶體管層(t)上。

接著，將陽極電極40設(shè)置在平坦化層30上。在陽極電極40上，設(shè)置堤狀部50，以限定像素區(qū)。而且，將有機(jī)發(fā)光層60設(shè)置在由堤狀部50限定的像素區(qū)中，并且將陰極電極70設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層60上。

針對(duì)頂發(fā)射型的情況，從有機(jī)發(fā)光層60發(fā)射的光穿過陰極電極70。為此，陰極電極70典型地由透明導(dǎo)電材料形成。

然而，當(dāng)根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的oled裝置經(jīng)受反復(fù)彎曲動(dòng)作沖擊時(shí)，有機(jī)發(fā)光層60可以與陰極電極70分離，由此降低oled裝置的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的實(shí)施方式致力于提供一種基本上消除了因現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)而造成的一個(gè)或更多個(gè)問題的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的實(shí)施方式的一個(gè)方面是致力于提供一種具有增強(qiáng)可靠性的頂發(fā)射型有機(jī)發(fā)光顯示裝置，及其制造方法

本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)在下面的描述中將加以闡述，并且根據(jù)該描述將部分地明白，或者可以通過本發(fā)明的具體實(shí)踐而獲知。本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點(diǎn)通過在書面說明及其權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)認(rèn)識(shí)到并獲得。

為實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的目的，如在此具體實(shí)施和廣泛描述的，一種oled裝置，其例如可以包括：薄膜晶體管，該薄膜晶體管位于一基板上；第一電極，該第一電極與所述薄膜晶體管電連接；有機(jī)發(fā)光層，該有機(jī)發(fā)光層位于所述第一電極上，有機(jī)發(fā)光層用隔板分離；隔板蓋，該隔板蓋位于所述隔板上；第二電極，該第二電極位于所述有機(jī)發(fā)光層上；以及封裝層，該封裝層位于所述第二電極上，其中，所述隔板蓋的上表面的寬度小于所述隔板蓋的下表面的寬度。

在另一方面，一種制造oled裝置的方法，其例如可以包括以下步驟：將薄膜晶體管設(shè)置在一基板上；設(shè)置與所述薄膜晶體管電連接的第一電極，并且將輔助電極與所述第一電極設(shè)置在同一層中；將隔板設(shè)置在所述輔助電極上；將堤狀部設(shè)置在所述第一電極和所述輔助電極的側(cè)邊處；將隔板蓋設(shè)置在所述隔板上；將有機(jī)發(fā)光層設(shè)置在所述第一電極上，將第二電極設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光層上；以及將封裝層設(shè)置在所述第二電極上，其中，所述隔板蓋的上表面的寬度小于所述隔板蓋的下表面的寬度。

要理解的是，前面的一般描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，并且旨在提供對(duì)如要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步闡釋。

附圖說明

附圖被包括進(jìn)來以提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的進(jìn)一步理解，并且被并入并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并與本描述一起用于說明本發(fā)明的實(shí)施方式的原理。在圖中：

圖1是例示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的頂發(fā)射型oled裝置的截面圖；

圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的oled裝置的截面圖；

圖3是例示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的oled裝置的截面圖；以及

圖4a至圖4f是例示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的、制造oled裝置的方法的截面圖。

具體實(shí)施方式

本說明書中公開的術(shù)語應(yīng)當(dāng)被理解如下。如果上下文中未具體定義，則術(shù)語的單數(shù)表達(dá)形式應(yīng)被理解成包括多數(shù)表達(dá)形式和單數(shù)表達(dá)形式。諸如“第一”和“第二”的術(shù)語僅被用于區(qū)分一個(gè)部件與另一部件。由此，權(quán)利要求書的范圍不限于這些術(shù)語。而且，應(yīng)當(dāng)明白，諸如“包括”或“具有”的術(shù)語不排除一個(gè)或更多個(gè)特征、數(shù)量、步驟、操作、組件、部件，或它們的組合的存在或可能性。應(yīng)當(dāng)明白，術(shù)語“至少一個(gè)”包括與任一個(gè)項(xiàng)目有關(guān)的所有組合。例如，“第一部件、第二部件以及第三部件當(dāng)中的至少一個(gè)”可以包括從該第一、第二以及第三部件中選擇的兩個(gè)或更多個(gè)部件和該第一、第二以及第三部件中的每一個(gè)部件的所有組合。而且，如果提到將第一部件定位“在第二部件之上或上方”，則應(yīng)當(dāng)明白，該第一和第二部件可以彼此接觸，或者可以將第三部件插入該第一與第二部件之間。

下面，對(duì)本公開的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明，其實(shí)施例在附圖中進(jìn)行了例示。在可能的情況下，貫穿附圖使用相同標(biāo)號(hào)來指相同或相似部件。而且，在本公開的下列描述中，如果已知部件或功能的詳細(xì)描述被確定成使本公開的主旨不必要地模糊，那么，省略其詳細(xì)描述。

圖2是例示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的oled裝置的截面圖。

參照?qǐng)D2，該oled裝置包括位于基板100上的薄膜晶體管層(t)、鈍化層200、平坦化層250、第一電極300、隔板400、堤狀部450、隔板蓋500、有機(jī)發(fā)光層550、第二電極600以及封裝層650。

該薄膜晶體管(t)可以包括：有源層110、柵極絕緣膜120、柵極130、絕緣間層140、源極150以及漏極160。

有源層110設(shè)置在基板100上，并且與柵極130交疊。有源層110可以由基于硅的半導(dǎo)體材料，或基于氧化物的半導(dǎo)體材料形成。盡管未示出，但可以將遮光層附加地設(shè)置在基板100與有源層110之間。

將柵極絕緣膜120設(shè)置在有源層110上。該柵極絕緣膜120被設(shè)置成，使有源層110和柵極130彼此絕緣。在這種情況下，柵極絕緣膜120可以采用單層無機(jī)絕緣材料形成，如氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)，或者采用包括氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)中的一種或更多種的多層結(jié)構(gòu)形成，但該實(shí)施方式不限于這些結(jié)構(gòu)。

柵極130設(shè)置在柵極絕緣膜120上。柵極130與有源層110交疊，并且柵極絕緣膜120插入彼此交疊的柵極130與有源層110之間。柵極130可以采用單層或多層結(jié)構(gòu)形成，例如包括以下中的一種或更多種：鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)、銅(cu)以及它們的合金，但該實(shí)施方式不限于這些材料。

將絕緣間層140形成在柵極130上。該絕緣間層140由和柵極絕緣膜120相同的材料形成。例如，該絕緣間層140可以采用單層無機(jī)絕緣材料形成，如氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)，或者采用包括氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)中的一種或更多種的多層結(jié)構(gòu)形成，但該實(shí)施方式不限于這些材料和結(jié)構(gòu)。

將彼此面對(duì)的源極150和漏極160設(shè)置在絕緣間層140上。將用于暴露有源層110的一個(gè)端部的第一接觸孔(ch1)設(shè)置在前述柵極絕緣膜120和絕緣間層140中，并且將用于暴露有源層110的另一端部的第二接觸孔(ch2)設(shè)置在前述柵極絕緣膜120和絕緣間層140中。源極150經(jīng)由第一接觸孔(ch1)與有源層110的一個(gè)端部連接，而漏極160經(jīng)由第二接觸孔(ch2)與有源層110的另一端部連接。

薄膜晶體管層(t)不限于上述結(jié)構(gòu)，而是可以將薄膜晶體管層(t)改變成本領(lǐng)域技術(shù)人員通常已知的各種結(jié)構(gòu)和形狀。例如，圖2例示了將柵極130設(shè)置在有源層110上的頂柵極結(jié)構(gòu)，但可以例如提供其中將柵極130設(shè)置在有源層110下面的底柵極結(jié)構(gòu)。

將鈍化層200設(shè)置在薄膜晶體管層(t)上，以保護(hù)薄膜晶體管層(t)。鈍化層200可以由無機(jī)絕緣材料形成，例如，氧化硅膜(siox)或氮化硅膜(sinx)，但不限于這些材料。

將平坦化層250設(shè)置在鈍化層200上，以平坦化基板100的、具有薄膜晶體管層(t)的上表面。該平坦化層250可以由有機(jī)絕緣材料形成，例如，丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等，但不限于這些材料。

將第一電極300設(shè)置在平坦化層250上。將用于暴露漏極160的第三接觸孔(ch3)制備在鈍化層200和平坦化層250中，并且將第一電極300經(jīng)由該第三接觸孔(ch3)與漏極160連接。也就是說，將第一電極300與薄膜晶體管(t)電連接。在這種情況下，將第一電極300分別布置在每一個(gè)像素中。例如，第一電極300可以充當(dāng)陽極電極。第一電極300可以由銦錫氧化物(ito)或銦鋅氧化物(izo)形成。而且，可以將第一電極300形成為，具有包括具有高反射效率的金屬材料的多層結(jié)構(gòu)，例如，鉬(mo)、鉬(mo)和鈦(ti)的合金(moti)、鋁(al)、銀(ag)、apc(ag、pb、cu)等。

將隔板400設(shè)置在堤狀部450上，以分離有機(jī)發(fā)光層550。為了設(shè)置上表面用作屋檐(eave)的隔板400，隔板400的上表面的寬度大于該隔板400的下表面的寬度。在淀積有機(jī)發(fā)光層550的工序期間，隔板400的上表面用作屋檐，以使有機(jī)發(fā)光層550不淀積在該屋檐下面的區(qū)域上。也就是說，不需要覆蓋堤狀部450的上表面的掩模圖案。如果該間隙空間被隔板400的、用作屋檐的上表面覆蓋，則可以縮減或防止有機(jī)發(fā)光層550滲入該間隙空間。因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光層550可以通過利用具有優(yōu)越直線度的淀積材料的淀積工序來制造，所以該有機(jī)發(fā)光層550在淀積工序期間可以不被淀積在該間隙空間中。該隔板400可以由暴露至光的部分被固化的光敏材料形成。

將堤狀部450設(shè)置在第一電極300上。該堤狀部450與第一電極300部分交疊。也就是說，將暴露第一電極300的上表面的堤狀部450設(shè)置在第一電極300的一側(cè)和另一側(cè)上，以覆蓋第一電極300的側(cè)面。由于將堤狀部450設(shè)置成暴露第一電極300的上表面，因而，可以保護(hù)圖像顯示區(qū)域。該堤狀部450可以由有機(jī)絕緣材料形成，例如，聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)bcb等，但不限于這些材料。

將隔板蓋500設(shè)置在隔板400上。該隔板蓋500和堤狀部450可以由同一材料并且同時(shí)形成。為了縮減與用于制造工序的掩模接觸，隔板蓋500的上表面的寬度小于該隔板蓋500的下表面的寬度。在有機(jī)發(fā)光層550的淀積工序期間，隔板蓋500的上表面用作掩模的支承部，使得可以縮減或防止該掩膜與隔板400的上表面相接觸。

對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)oled裝置的情況來說，未將隔板蓋500設(shè)置在隔板400上，并由此，用于淀積有機(jī)發(fā)光層550的掩?？梢耘c隔板400的上表面相接觸。如果該掩模與具有相對(duì)較大寬度的上表面的隔板400相接觸，則該掩模會(huì)被隔板400的雜質(zhì)污染。而且，第一電極300會(huì)在轉(zhuǎn)印掩模工序期間被該雜質(zhì)污染。在根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式的oled裝置中，將上表面具有相對(duì)較小寬度的隔板蓋500設(shè)置在隔板400上，使得其可以縮減或最小化與掩模的接觸面積，而且縮減或防止因掩模的雜質(zhì)所造成的缺陷。

將有機(jī)發(fā)光層550設(shè)置在第一電極300上。該有機(jī)發(fā)光層550可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。有機(jī)發(fā)光層550的結(jié)構(gòu)被改變成本領(lǐng)域技術(shù)人員通常已知的各種形狀。有機(jī)發(fā)光層550可以延伸至堤狀部450的上表面。然而，當(dāng)有機(jī)發(fā)光層550延伸至堤狀部450的上表面時(shí)，該有機(jī)發(fā)光層550未形成在通過隔板400制備在隔板400的下表面與堤狀部450之間的間隙空間中。

將第二電極600設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層550上。在這種情況下，如果第一電極300充當(dāng)陽極電極，則第二電極600充當(dāng)陰極電極。由于將第二電極600設(shè)置在發(fā)光的表面上，因而，第二電極600由透明導(dǎo)電材料形成。按和有機(jī)發(fā)光層550相同的方式，該第二電極600未形成在通過隔板400制備在隔板400的下表面與堤狀部450之間的間隙空間中。如果第二電極600通過利用具有較差直線度的淀積材料的濺射工序來制造，則第二電極600在淀積工序期間可以不被淀積在該間隙空間中。

可以將用于防止?jié)B入濕氣的封裝層650整個(gè)設(shè)置在第二電極600上。該封裝層650可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員通常已知的各種材料來形成。該封裝層650可以被制備在隔板400與堤狀部450之間的間隙空間中。也就是說，該封裝層650被制備在該間隙空間中，并且在被插入到隔板400的下表面與堤狀部450之間的空間中的同時(shí)加以設(shè)置，由此該封裝層650不與第二電極600分離。而且，該封裝層650被設(shè)置在該間隙空間中，以使其可以固定地設(shè)置沒有分離的第二電極600和有機(jī)發(fā)光層550。

在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的oled裝置中，將隔板400設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層550中間并且還設(shè)置在第二電極600中間，并且將封裝層650設(shè)置在隔板400與堤狀部450之間的空間中，由此，固定地設(shè)置封裝層650。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的oled裝置的封裝層650壓緊有機(jī)發(fā)光層550和第二電極600，由此，增強(qiáng)有機(jī)發(fā)光層550與第二電極600之間的粘合強(qiáng)度。因此，即使通過反復(fù)彎曲動(dòng)作施加沖擊，也可以縮減或防止有機(jī)發(fā)光層550與陰極電極600分離，由此改進(jìn)可靠性。

圖3是例示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的oled裝置的截面圖。除了輔助電極、隔板以及堤狀部以外，圖3的oled裝置和圖2的oled裝置相同。下面，將對(duì)輔助電極、隔板以及堤狀部進(jìn)行詳細(xì)描述，而省略了對(duì)相同部分的詳細(xì)描述。

將輔助電極350設(shè)置在平坦化層250上。也就是說，將輔助電極350和第一電極300設(shè)置在同一層中。為了縮減第二電極600的電阻，將輔助電極350與第二電極600電連接。該輔助電極350通過沒有堤狀部450的區(qū)域，和暴露至隔板400的下側(cè)的區(qū)域與第二電極600連接。

該隔板400設(shè)置在輔助電極350上，其中，將隔板400設(shè)置成分離有機(jī)發(fā)光層550。為了設(shè)置上表面用作屋檐(eave)的隔板400，隔板400的上表面的寬度大于該隔板400的下表面的寬度。在淀積有機(jī)發(fā)光層550的工序期間，隔板400的上表面用作屋檐，以使有機(jī)發(fā)光層550不淀積在該屋檐下面的區(qū)域上。也就是說，可能不需要覆蓋輔助電極350的上表面的掩模圖案。如果該間隙空間被隔板400的、用作屋檐的上表面覆蓋，則可以縮減或防止有機(jī)發(fā)光層550滲入該間隙空間。因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光層550通過利用具有優(yōu)越直線度的淀積材料的淀積工序來制造，所以該有機(jī)發(fā)光層550在淀積工序期間，未淀積在隔板400與輔助電極350之間的間隙空間中。該隔板400可以由暴露至光的部分被固化的光敏材料形成。

將堤狀部450設(shè)置在第一電極300和輔助電極350上。該堤狀部450與第一電極300和輔助電極350部分交疊。也就是說，將暴露第一電極300和輔助電極350的上表面的堤狀部450設(shè)置在第一電極300和輔助電極350的一側(cè)和另一側(cè)上，以覆蓋第一電極300和輔助電極350的側(cè)面。隨著將堤狀部450設(shè)置成暴露第一電極300的上表面，可以保護(hù)圖像顯示區(qū)域。而且，隨著將堤狀部450設(shè)置成暴露輔助電極350的上表面，可以確保輔助電極350與第二電極600之間的電氣連接空間。將堤狀部450設(shè)置在第一電極300和輔助電極350之間，由此，第一電極300與輔助電極350彼此電絕緣。該堤狀部450可以由有機(jī)絕緣材料形成，例如，聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯(benzocyclobutene)bcb等，但不限于這些材料。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的oled裝置中，將隔板400設(shè)置在輔助電極350上，并且在不利用掩模圖案的情況下，將輔助電極350暴露至第二電極600并且與第二電極600連接。將隔板蓋500設(shè)置在隔板400上，其中，隔板蓋500的上表面的寬度相對(duì)較小，使得其可以縮減或最小化與掩模的接觸面積，以縮減或防止掩模被雜質(zhì)污染，并由此，縮減或防止因掩模的雜質(zhì)所造成的缺陷。

而且，在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的oled裝置中，將隔板400設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層550中間以分離有機(jī)發(fā)光層550，并且還設(shè)置在第二電極600中間以分離第二電極600，并且將封裝層650設(shè)置在隔板400與堤狀部450之間的空間中，由此，固定地設(shè)置封裝層650。封裝層650壓緊有機(jī)發(fā)光層550和第二電極600，由此，增強(qiáng)了有機(jī)發(fā)光層550與第二電極600之間的粘合強(qiáng)度。因此，即使通過反復(fù)彎曲動(dòng)作施加沖擊，也可以縮減或防止有機(jī)發(fā)光層550與陰極電極600分離，由此改進(jìn)可靠性。

圖4a至圖4f是例示根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的如應(yīng)用至圖3所示oled裝置的制造oled裝置的方法的截面圖。由此，貫穿附圖使用相同標(biāo)號(hào)來指相同或相似部件，并且將省略針對(duì)每一個(gè)部件的材料和結(jié)構(gòu)的重復(fù)性說明。

首先，如圖4a所示，將薄膜晶體管(t)形成在基板100上，將鈍化層200設(shè)置在薄膜晶體管(t)上，并且將平坦化層250設(shè)置在鈍化層200上。

形成薄膜晶體管(t)的處理可以包括：將有源層110設(shè)置在基板100上，將柵極絕緣膜120設(shè)置在有源層110上，將柵極130設(shè)置在柵極絕緣膜120上，將絕緣間層140設(shè)置在柵極130上，在絕緣間層140和柵極絕緣膜120中設(shè)置第一和第二接觸孔(ch1、ch2)，以及將源極150和漏極160設(shè)置在絕緣間層140上，并且經(jīng)由第一和第二接觸孔(ch1、ch2)連接源極150和漏極160與有源層110。然而，應(yīng)當(dāng)清楚，可以應(yīng)用本領(lǐng)域技術(shù)人員通知已知的各種方法來形成薄膜晶體管(t)。

在設(shè)置了鈍化層200和平坦化層250之后，將用于暴露薄膜晶體管(t)的漏極160的第三接觸孔(ch3)設(shè)置在鈍化層200和平坦化層250中，并接著將第一電極300經(jīng)由該第三接觸孔(ch3)與漏極160電連接。

將第一電極300設(shè)置在平坦化層250上的工序和將輔助電極350設(shè)置在平坦化層250上的工序可以同時(shí)執(zhí)行。也就是說，可以將第一電極300和輔助電極350同時(shí)制造在同一層上，即，平坦化層250。

接著，如圖4b所示，將隔板400設(shè)置在輔助電極350上。該隔板400由暴露至光的部分被固化的光敏材料形成，其可以由負(fù)性光致抗蝕劑(pr)形成。對(duì)于負(fù)性光致抗蝕劑的情況來說，暴露至光的部分因化合而繼續(xù)存在，而未暴露至光的另一部分通過顯影液去除。因此，在將隔板材料淀積在輔助電極350上并且將掩模設(shè)置在隔板材料上面的條件下，將光照射在其上，由此，去除被掩模覆蓋的隔板材料，而暴露至光的隔板材料繼續(xù)存在作為隔板400。這時(shí)，如果利用光橫向照射該隔板材料，則隔板400的下表面可按倒錐形形成。因此，隔板400的上表面的寬度大于該隔板400的下表面的寬度。

接著，如圖4c所示，將堤狀部450設(shè)置在第一電極300和輔助電極350的側(cè)邊處，并且將隔板蓋500設(shè)置在隔板400上。

將隔板蓋500設(shè)置在隔板400上的工序和將堤狀部450設(shè)置在第一電極300和輔助電極350的側(cè)邊處的工序可以同時(shí)執(zhí)行。該隔板蓋500和堤狀部450可以由同一材料形成。在這種情況下，隔板蓋500的上表面的寬度小于該隔板蓋500的下表面的寬度。

接著，利用光橫向照射該堤狀部450，由此，從隔板400與輔助電極350之間的空間去除堤狀部450。由此，可以制備隔板400的下表面與輔助電極350之間的間隙空間，由此可以將第二電極600和封裝層650制備在該間隙空間中，以供下面的工序。

如圖4d所示，將掩模設(shè)置在隔板蓋500上。如圖4e所示，將有機(jī)發(fā)光層550設(shè)置在第一電極300上?？梢詫⒂袡C(jī)發(fā)光層550設(shè)置在基板100的整個(gè)表面上，并接著可以將第二電極600設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層550上。

如圖4f所示，將封裝層650設(shè)置在第二電極600上。這時(shí)，該封裝層650可以被設(shè)置在隔板400與輔助電極350之間的空間和隔板400與堤狀部450之間的空間中。

在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的oled裝置中，將隔板蓋500設(shè)置在隔板400上，其中，隔板蓋500的上表面的寬度相對(duì)較小，使得其可以縮減或最小化與掩模的接觸面積，以縮減或防止掩模被雜質(zhì)污染，并由此縮減或防止因掩模的雜質(zhì)所造成的缺陷。而且，在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的、制造oled裝置的方法中，用于防止掩模被雜質(zhì)污染的堤狀部450和隔板蓋500被同時(shí)制造，使得在不增加掩模數(shù)量的情況下，將隔板蓋500設(shè)置在隔板400上，由此改進(jìn)oled裝置的可靠性。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，將上表面具有相對(duì)較小寬度的隔板蓋500設(shè)置在隔板400上，使得其可以縮減或最小化與掩模的接觸面積，以縮減或防止掩模被雜質(zhì)污染，并由此縮減或防止因掩模的雜質(zhì)所造成的缺陷。

而且，用于防止掩模被雜質(zhì)污染的堤狀部450和隔板蓋500同時(shí)制造，使得在不增加掩模數(shù)量的情況下，將隔板蓋500設(shè)置在隔板400上，由此改進(jìn)oled裝置的可靠性。

而且，通過隔板400改進(jìn)了有機(jī)發(fā)光層550與第二電極600之間的粘合強(qiáng)度，使得其可以縮減或防止有機(jī)發(fā)光層550與陰極電極之間的分離。由此改進(jìn)oled裝置的可靠性。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。由此，本發(fā)明旨在覆蓋落入所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)的、本發(fā)明的修改例和變型例。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求保護(hù)2015年10月30日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2015-0152620號(hào)的權(quán)益，其如在本文全面闡述地通過引用而并入于此。