本發(fā)明關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤指一種具有高解析度的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)：

隨著顯示科技的進(jìn)步，市場(chǎng)上對(duì)于顯示面板具有高畫質(zhì)的需求日益漸增。然而，為了制作出高解析度的顯示面板，每一像素區(qū)所占的面積需越小越好，但目前受限于制程能力，電極與導(dǎo)線的寬度以及彼此之間的間距無(wú)法進(jìn)一步縮短，使得像素區(qū)所占的面積不易縮小，進(jìn)而限制了顯示面板的解析度。有鑒于此，如何在有限的制程能力下有效地縮小每一像素區(qū)所占的面積，確實(shí)是產(chǎn)業(yè)界亟待解決的一項(xiàng)課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一在于提供一種可以突破制程極限的高解析度的像素結(jié)構(gòu)及其制作方法。

本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上并包括圖案化半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層、第三金屬層、第三絕緣層以及像素電極。圖案化半導(dǎo)體層設(shè)置于基板上，而柵極絕緣層設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層上。第一金屬層設(shè)置于柵極絕緣層上，其中第一金屬層具有至少一柵極線及至少一柵極，且柵極與柵極線電性連接。第一絕緣層設(shè)置于第一金屬層上。第二金屬層設(shè)置于第一絕緣層上，其中第二金屬層具有至少一第一資料線、至少一源極及至少一第一漏極，其中第一資料線與源極電性連接，第一資料線與第一漏極電性分離，且第一漏極在第一方向上與第一資料線之間具有第一距離D1。第二絕緣層設(shè)置于第二金屬層上，其中第二絕緣層至少具有一圖案化開口對(duì)應(yīng)第一漏極設(shè)置，且圖案化開口的面積實(shí)質(zhì)上大于第一漏極的面積。第三金屬層具有至少一第二漏極與第一漏極電性連接，第二漏極對(duì)應(yīng)圖案化開口設(shè)置于第一漏極上，且第二漏極在第一方向上與第一資料線之間具有第二距離D2，且第二距離D2實(shí)質(zhì)上小于第一距離D1。第三絕緣層設(shè)置于第三金屬層上，以及像素電極設(shè)置于第三絕緣層上，且像素電極與第二漏極電性連接。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上并包括圖案化半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、第一金屬層、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層、第三金屬層、第三絕緣層以及像素電極。圖案化半導(dǎo)體層設(shè)置于基板上，柵極絕緣層設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層上，以及第一金屬層設(shè)置于柵極絕緣層上，其中第一金屬層具有至少一柵極線及至少一柵極，且柵極與柵極線電性連接。第一絕緣層設(shè)置于第一金屬層上，第二金屬層設(shè)置于第一絕緣層上，其中第二金屬層具有至少一漏極、至少一第一源極與至少一第二源極，其中第一源極及第二源極在第一方向上互相并排設(shè)置，且第一源極及第二源極在第一方向上具有第一距離D1。第二絕緣層設(shè)置于第二金屬層及第一絕緣層上，其中第二絕緣層具有多個(gè)圖案化開口，且圖案化開口分別對(duì)應(yīng)第一源極及第二源極設(shè)置。第三金屬層設(shè)置于第二金屬層、第二絕緣層及第一絕緣層上并對(duì)應(yīng)圖案化開口設(shè)置，且第三金屬層具有至少一第一資料線、至少一第二資料線、至少一第三源極及至少一第四源極，其中第一資料線及第二資料線在第一方向上分別對(duì)應(yīng)圖案化開口設(shè)置，并互相平行設(shè)置于第一絕緣層上，第三源極及第四源極對(duì)應(yīng)圖案化開口分別設(shè)置于第一源極及第二源極上，且第三源極在第一方向上與第四源極之間具有第二距離D2，且第一距離D1實(shí)質(zhì)上大于第二距離D2。第三絕緣層設(shè)置于第三金屬層上，以及像素電極設(shè)置于第三絕緣層上，且像素電極與漏極電性連接。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的俯視示意圖。

圖2為圖1所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線A-A’的剖面示意圖。

圖3為圖1所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線B-B’及C-C’的剖面示意圖。

圖4與圖5為像素結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的制作方法的制程示意圖。

圖6為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的俯視示意圖。

圖7為圖6所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線D-D’及E-E’的剖面示意圖。

圖8為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的俯視示意圖。

圖9為圖8所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線F-F’及G-G’的剖面示意圖。

圖10與圖11為像素結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的制作方法的制程示意圖。

圖12為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的俯視示意圖。

圖13為圖12所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線H-H’及I-I’的剖面示意圖。

【符號(hào)說(shuō)明】

1、2 像素結(jié)構(gòu)

100 基板

102 圖案化半導(dǎo)體層

104 重?fù)诫s區(qū)

106 通道區(qū)

108 輕摻雜區(qū)

110 柵極絕緣層

112 緩沖層

114 第一金屬層

116 柵極線

118 柵極

120 第一絕緣層

122 第二金屬層

124 第二絕緣層

126 圖案化開口

128 第三金屬層

130 第三絕緣層

132 像素電極

134 共通電極

136 第四絕緣層

138 遮蔽金屬

140 分支

D 漏極

D1 第一距離

D2 第二距離

Da 第一漏極

Db 第二漏極

DL1 第一資料線

DL2 第二資料線

P 距離差

R 比值

S 源極

Sa 第一源極

Sb 第二源極

Sc 第三源極

Sd 第四源極

V1 第一接觸洞

V2 第二接觸洞

V3 第三接觸洞

W1 第一線寬

W2 第二線寬

X 第一方向

Y 第二方向

Z 垂直投影方向

具體實(shí)施方式

為使熟悉本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的一般技術(shù)人員能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。

請(qǐng)參考圖1至圖3，圖1為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的俯視示意圖，圖2為圖1所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線A-A’的剖面示意圖，以及圖3為圖1所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線B-B’及C-C’的剖面示意圖。為了突顯本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)1的特色，圖1僅繪出圖案化半導(dǎo)體層102、第一金屬層114、第二金屬層122、第三金屬層128以及遮蔽金屬138，而圖3省略繪示第三絕緣層、像素電極、第四絕緣層及共通電極。如圖1至圖3所示，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)1設(shè)置于基板100上，像素結(jié)構(gòu)1包括圖案化半導(dǎo)體層102、柵極絕緣層110、第一金屬層114、第一絕緣層120、第二金屬層122、第二絕緣層124、第三金屬層128、第三絕緣層130。圖案化半導(dǎo)體層102設(shè)置于基板100上，本實(shí)施例的圖案化半導(dǎo)體層102的形狀為U字形，且材料為多晶硅，但不以此為限。圖案化半導(dǎo)體層102的材料可為其它適合的半導(dǎo)體，例如其它硅基半導(dǎo)體(例如非晶硅、微晶硅)，氧化物半導(dǎo)體(例如氧化銦鎵鋅(IGZO)或其它適合的氧化物半導(dǎo)體材料)或其它適合的半導(dǎo)體材料。圖案化半導(dǎo)體層102包括三個(gè)重?fù)诫s區(qū)104、兩個(gè)通道區(qū)106及四個(gè)輕摻雜區(qū)108。通道區(qū)106分別位于兩個(gè)重?fù)诫s區(qū)104之間，且輕摻雜區(qū)108分別設(shè)置于通道區(qū)106與重?fù)诫s區(qū)104之間。圖案化半導(dǎo)體層102的兩端各為一重?fù)诫s區(qū)104并分別作為漏極摻雜區(qū)與源極摻雜區(qū)。此外，圖案化半導(dǎo)體層102與基板100之間可選擇性地設(shè)置緩沖層112，其材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他絕緣材料，且緩沖層112可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。

柵極絕緣層110設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層102上，且第一金屬層114設(shè)置于柵極絕緣層110上。柵極絕緣層110可包括單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，其材料可包括無(wú)機(jī)絕緣材料例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化石墨烯、氮化石墨烯、氮氧化石墨烯，或有機(jī)絕緣材料(例如：聚酰亞胺(polyimide,PI)、丙烯酸樹脂(Acrylic resin)、苯并環(huán)丁烯(benzocyclpbutene(BCB)或其它合適的材料)。第一金屬層114具有至少一柵極線116及至少一柵極118，且柵極118與柵極線116電性連接。本實(shí)施例的柵極線116實(shí)質(zhì)上沿第一方向X延伸，且柵極118與柵極線116直接相連接，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)1可包括兩個(gè)柵極118分別與兩個(gè)通道區(qū)106在垂直投影方向Z上重疊，其中垂直投影方向Z例如與基板100的表面垂直的方向。第一金屬層114的材料包括鉬(Mo)、鈦(Ti)或其它金屬材料，金屬合金例如氮化鉬(MoN)、上述材料的組合、或者其它具有低阻值的導(dǎo)電材料。此外，第一金屬層114可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。在其他實(shí)施例中，第一金屬層114也可用透明的導(dǎo)電材料代替。

第一絕緣層120設(shè)置于第一金屬層114上，且第二金屬層122設(shè)置于第一絕緣層120上。第二金屬層122具有至少一第一資料線DL1、至少一源極S及至少一第一漏極Da。第一資料線DL1實(shí)質(zhì)上沿第二方向Y延伸，并與柵極線116相交。本實(shí)施例的第一方向X與第二方向Y具有90度的夾角，但不以此為限。源極S透過(guò)第一絕緣層120中的第一接觸洞V1與圖案化半導(dǎo)體層102的一端的重?fù)诫s區(qū)104連接，而第一漏極Da透過(guò)第一絕緣層120中的第二接觸洞V2與圖案化半導(dǎo)體層102的另一端的重?fù)诫s區(qū)104連接。第一資料線DL1與源極S相連接以電性連接，而第一資料線DL1與第一漏極Da則電性分離。第一漏極Da在第一方向X上與第一資料線DL1之間具有第一距離D1。此外，第一漏極Da具有一接觸端(contact，例如：第一漏極Da的頂端)覆蓋于第二接觸洞V2上，且接觸端的面積大體上與第二接觸洞V2的洞口面積相等，但不以此為限，在變化實(shí)施例中，接觸端的面積也可大于第二接觸洞V2的洞口面積。第一絕緣層120的材料可為有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料，且第一絕緣層120可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，相關(guān)材料可選自柵極絕緣層110的材料，在此不再贅述。第二金屬層122可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，相關(guān)材料可選自第一金屬層114的材料，在此亦不再贅述。

第二絕緣層124設(shè)置于第二金屬層122上，其中第二絕緣層124至少具有一圖案化開口126對(duì)應(yīng)第一漏極Da設(shè)置，且圖案化開口126的面積實(shí)質(zhì)上大于第一漏極Da的面積。換言之，第二絕緣層124并未覆蓋第一漏極Da，但其覆蓋第一資料線DL1及源極S。第三金屬層128具有第二漏極Db對(duì)應(yīng)圖案化開口126設(shè)置并設(shè)置于第一漏極Da上，其中第二漏極Db覆蓋第一漏極Da的頂面以及側(cè)壁，借此使第二漏極Db與第一漏極Da電性連接。換言之，本實(shí)施例第三金屬層128并未覆蓋源極S與第一資料線DL1。本實(shí)施例的圖案化半導(dǎo)體層102、柵極118、源極S、第一漏極Da與第二漏極Db構(gòu)成一開關(guān)元件。此外，第二漏極Db在第一方向X上與第一資料線DL1之間具有第二距離D2，第二距離D2實(shí)質(zhì)上小于第一距離D1，其中第二距離D2與第一距離D1具有一距離差P，且距離差P大于等于2微米，但不以此為限。再者，第一漏極Da具有第一線寬W1，第二漏極Db具有第二線寬W2，且第二線寬W2實(shí)質(zhì)上大于第一線寬W1。在本實(shí)施例中，第二線寬W2與第一線寬W1具有比值R(例如：R＝(W2/W1))，且比值R滿足3≧R≧1.5。此外，第二絕緣層124的材料可為有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料，且第二絕緣層124可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，相關(guān)材料可選自柵極絕緣層110的材料，在此不再贅述。第三金屬層128可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，相關(guān)材料可選自第一金屬層114的材料，在此亦不再贅述。

如圖2所示，第三絕緣層130設(shè)置于第三金屬層128上，而像素電極132設(shè)置于第三絕緣層130上。本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)1另包括共通電極134與第四絕緣層136，共通電極134設(shè)置于第三絕緣層130上，像素電極132設(shè)置于第四絕緣層136上，且第四絕緣層136設(shè)置于共通電極134與像素電極132之間，但不以此為限。本實(shí)施例的像素電極132透過(guò)第三絕緣層130及第四絕緣層136中的第三接觸洞V3而與第二漏極Db電性連接，進(jìn)而使得像素電極132與開關(guān)元件電性連接。第三絕緣層130與第四絕緣層136的材料可為有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料，且第三絕緣層130與第四絕緣層136可為單層結(jié)構(gòu)或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，相關(guān)材料可選自柵極絕緣層110的材料，在此不再贅述。像素電極132與共通電極134的材料可包括透明導(dǎo)電材料，例如:氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、石墨烯等。在變化實(shí)施例中，像素電極132與共通電極134的上、下層設(shè)置關(guān)系可互相調(diào)換。此外，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)1另包括遮蔽金屬138設(shè)置于基板100與緩沖層112之間，遮蔽金屬138可為沿第一方向X延伸的金屬線段，并在垂直投影方向Z上與圖案化半導(dǎo)體層102的通道區(qū)106與輕摻雜區(qū)108重疊，以避免通道區(qū)106與輕摻雜區(qū)108受到照光而影響效能。

請(qǐng)參考圖4與圖5，其為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的制作方法的制程示意圖，且圖4與圖5的剖面位置對(duì)應(yīng)于圖3。如圖4所示，首先提供基板100，并于基板100上選擇性地形成遮蔽金屬138(未示于圖4與圖5)與緩沖層112。接著于緩沖層112上全面形成半導(dǎo)體材料層，并通過(guò)圖案化制程(例如光刻暨蝕刻制程)形成圖案化半導(dǎo)體層102。之后，可另通過(guò)如摻雜制程或離子布植制程于圖案化半導(dǎo)體層102中分別形成通道區(qū)106(僅示于圖2)、輕摻雜區(qū)108(僅示于圖2)及重?fù)诫s區(qū)104。接著，于圖案化半導(dǎo)體層102上形成柵極絕緣層110。此外，于柵極絕緣層110上形成第一金屬層114(僅示于圖2)，第一金屬層114可例如由光刻暨蝕刻制程以形成柵極線116與柵極118。接著，于柵極絕緣層110上形成第一絕緣層120，并例如通過(guò)光刻暨蝕刻制程于第一絕緣層120中形成第一接觸洞V1與第二接觸洞V2，分別暴露出重?fù)诫s區(qū)104的部分頂面。然后，于第一絕緣層120上形成第二金屬層122。第二金屬層122可例如以光刻暨蝕刻制程形成源極S、第一資料線DL1與第一漏極Da，其中第二金屬層122填入第一接觸洞V1中與重?fù)诫s區(qū)104接觸以形成源極S，且第二金屬層122另填入第二接觸洞V2中與另一重?fù)诫s區(qū)104接觸以形成第一漏極Da，本實(shí)施例的源極S的面積大于第一接觸洞V1的開口面積，亦大于第一漏極Da的面積。

如圖5所示，接著于第二金屬層122與第一絕緣層120上形成第二絕緣層124，并可通過(guò)如光刻暨蝕刻制程于第二絕緣層124中形成圖案化開口126，其中圖案化開口126僅對(duì)應(yīng)第一漏極Da的位置形成，且圖案化開口126的面積大于第一漏極Da的面積，使得第一漏極Da的一端可被圖案化開口126暴露。請(qǐng)參考圖3，接著形成第三金屬層128，其可填入圖案化開口126并通過(guò)如光刻暨蝕刻制程以形成第二漏極Db，其中第二漏極Db覆蓋第一漏極Da。此外，請(qǐng)另參考圖2，在制作完第二漏極Db之后，可于第三金屬層128上依序形成第三絕緣層130、共通電極134、第四絕緣層136與像素電極132，其中可通過(guò)如光刻暨蝕刻制程于第三絕緣層130與第四絕緣層136中形成第三接觸洞V3，并使像素電極132填入第三接觸洞V3中而與第二漏極Db連接。

根據(jù)本實(shí)施例，像素結(jié)構(gòu)1具有第一漏極Da與第二漏極Db，其中第一漏極Da與第一資料線DL1皆為第二金屬層122，并可通過(guò)同一道制程一并制作，而第一漏極Da與第二漏極Db由不同金屬層所構(gòu)成，并且由不同制程分別制作。借此，第二漏極Db與第一資料線DL1可分開制作，避免受到制程能力的極限而限制第二漏極Db與第一資料線DL1之間的最小距離，進(jìn)而能縮小像素區(qū)的面積并提升顯示面板的解析度。

本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)并不以上述實(shí)施例為限。下文將依序介紹本發(fā)明的其它實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)，且為了便于比較各實(shí)施例的相異處并簡(jiǎn)化說(shuō)明，在下文的各實(shí)施例中使用相同的符號(hào)標(biāo)注相同的元件，且主要針對(duì)各實(shí)施例的相異處進(jìn)行說(shuō)明，而不再對(duì)重復(fù)部分進(jìn)行贅述。

請(qǐng)參考圖6與圖7，圖6為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的俯視示意圖，而圖7為圖6所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線D-D’及E-E’的剖面示意圖。如圖6與圖7所示，本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同的地方在于，圖案化半導(dǎo)體層102的形狀為L(zhǎng)字形，且圖案化半導(dǎo)體層102的兩端在第二方向Y上分別位于柵極線116的兩側(cè)，亦即作為漏極摻雜區(qū)與源極摻雜區(qū)的兩個(gè)重?fù)诫s區(qū)104分別位于柵極線116的兩側(cè)。換言之，本實(shí)施例的源極S與第一漏極Da及第二漏極Db亦位于柵極線116的兩側(cè)。本實(shí)施例遮蔽金屬138的形狀也為L(zhǎng)字形，并在垂直投影方向Z上與圖案化半導(dǎo)體層102部分重疊。此外，本實(shí)施例的第一金屬層114另包括連接于柵極線116且沿著第二方向Y延伸的分支140，作為本實(shí)施例的開關(guān)元件的柵極118，其中分支140在第一方向X上設(shè)置于第二漏極Db與第一資料線DL1之間。必需說(shuō)明的是，柵極線116與第一資料線DL1相交，則相交處的柵極線116也作為本實(shí)施例的開關(guān)元件的柵極118(如圖所示)，其下方的圖案化半導(dǎo)體層102可參考第一實(shí)施例，不再贅述。本實(shí)施例各元件的材料、相對(duì)位置等其余特征以及制作方法可參考第一實(shí)施例，不再贅述。

請(qǐng)參考圖8與圖9，圖8為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的俯視示意圖，而圖9為圖8所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線F-F’及G-G’的剖面示意圖。如圖8與圖9所示，本實(shí)施例的第二金屬層122與第三金屬層128和第一實(shí)施例具有不同的圖案，其中第二金屬層122具有至少一漏極D、至少一第一源極Sa與至少一第二源極Sb，而第三金屬層128具有至少一第三源極Sc及至少一第四源極Sd。其中，漏極D、至少一第一源極Sa與至少一第二源極Sb相互分隔開來(lái)，且第三源極Sc及至少一第四源極Sd相互分隔開來(lái)。如圖8所示，其繪示了沿著第一方向X相鄰設(shè)置的兩個(gè)像素區(qū)，各像素區(qū)的漏極D分別透過(guò)第二接觸洞V2與對(duì)應(yīng)的圖案化半導(dǎo)體層102的重?fù)诫s區(qū)104電性連接，右側(cè)像素區(qū)的第一源極Sa透過(guò)第一接觸洞V1與對(duì)應(yīng)的圖案化半導(dǎo)體層102的重?fù)诫s區(qū)104電性連接，而左側(cè)像素區(qū)的第二源極Sb透過(guò)另一第一接觸洞V1與另一圖案化半導(dǎo)體層102的重?fù)诫s區(qū)104電性連接。再者，第一源極Sa及第二源極Sb在第一方向X上并排設(shè)置，且第一源極Sa及第二源極Sb在第一方向X上具有第一距離D1。此外，第一源極Sa與第二源極Sb分別具有接觸端(例如：頂端)覆蓋對(duì)應(yīng)的第一接觸洞V1，且接觸端的面積大體上與第一接觸洞V1的洞口面積相等，但不以此為限。

本實(shí)施例第二絕緣層124的圖案化開口126分別對(duì)應(yīng)第一源極Sa及第二源極Sb設(shè)置，且圖案化開口126的面積實(shí)質(zhì)上大于第一源極Sa及第二源極Sb的面積。換言之，第二絕緣層124并未覆蓋第一源極Sa及第二源極Sb，但其覆蓋漏極D。第三金屬層128的第三源極Sc及第四源極Sd對(duì)應(yīng)圖案化開口126分別設(shè)置于第一源極Sa及第二源極Sb上，其中第三源極Sc覆蓋第一源極Sa的側(cè)壁與頂面，使得第三源極Sc電性連接于第一源極Sa，而第四源極Sd覆蓋第二源極Sb的側(cè)壁與頂面，使得第四源極Sd電性連接于第二源極Sb。第一源極Sa及第二源極Sb具有第一線寬W1，第三源極Sc及第四源極Sd具有第二線寬W2，第二線寬W2實(shí)質(zhì)上大于第一線寬W1，且第二線寬W2與第一線寬W1的比值R(例如：R＝(W1/W2))，且比值R滿足3≧R≧1.5。另外，第三源極Sc在第一方向X上與第四源極Sd之間具有第二距離D2，第一距離D1實(shí)質(zhì)上大于第二距離D2，其中第一距離D1與第二距離D2滿足D1≦(Q*D2)，且Q≧2。此外，圖案化開口126另分別從第一源極Sa及第二源極Sb的位置沿著第二方向Y向外延伸，以定義出資料線設(shè)置的位置。第三金屬層128另具有至少一第一資料線DL1與至少一第二資料線DL2分屬于左、右兩個(gè)像素區(qū)，其中第一資料線DL1及第二資料線DL2在第一方向X上分別對(duì)應(yīng)圖案化開口126設(shè)置，并互相平行設(shè)置于第一絕緣層120上，且第一資料線DL1與第三源極Sc相連接，第二資料線DL2與第四源極Sd相連接，但至少一第一資料線DL1與至少一第二資料線DL2相互分隔開來(lái)。換言之，第一源極Sa與第三源極Sc與右側(cè)像素區(qū)的第一資料線DL1電性連接，而第二源極Sb與第四源極Sd與左側(cè)像素區(qū)的第二資料線DL2電性連接，但不以此為限。

此外，本實(shí)施例可如同第一實(shí)施例于第三金屬層128上設(shè)置第三絕緣層130、共通電極134、第四絕緣層136與像素電極132(如圖2所示)。由于本實(shí)施例并不具有第一漏極與第二漏極，因此像素電極132可透過(guò)圖2所示的第三絕緣層130與第四絕緣層136中的第三接觸洞V3與本實(shí)施例的漏極D直接連接。

請(qǐng)參考圖10與圖11，其為像素結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的制作方法的制程示意圖，且圖10與圖11的剖面位置對(duì)應(yīng)于圖9。本實(shí)施例的制作方法在形成第二金屬層122前的步驟皆與第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。如圖10所示，第二金屬層122形成于第一絕緣層120上，第二金屬層122可例如由光刻暨蝕刻制程而形成漏極D、第一源極Sa與第二源極Sb，其中第二金屬層122填入第二接觸洞V2與對(duì)應(yīng)的重?fù)诫s區(qū)104接觸以形成漏極D，且另填入不同的第一接觸洞V1并與對(duì)應(yīng)的重?fù)诫s區(qū)104接觸以分別形成第一源極Sa與第二源極Sb，其中第一源極Sa與第二源極Sb分別與兩相鄰圖案化半導(dǎo)體層102的重?fù)诫s區(qū)104接觸。

如圖11所示，接著于第二金屬層122與第一絕緣層120上形成第二絕緣層124，并可通過(guò)如光刻暨蝕刻制程于第二絕緣層124中形成圖案化開口126，其中圖案化開口126對(duì)應(yīng)形成于第一源極Sa與第二源極Sb的位置，且圖案化開口126的面積大于第一源極Sa與第二源極Sb的面積，使得第一源極Sa的一端與第二源極Sb的一端可分別被圖案化開口126暴露。此外，圖案化開口126另可自第一源極Sa與第二源極Sb的位置向外延伸(例如沿第二方向Y延伸)，以作為后續(xù)第一資料線DL1與第二資料線DL2形成的位置。

請(qǐng)參考圖9，接著形成第三金屬層128，其可填入圖案化開口126并通過(guò)如光刻暨蝕刻制程以形成第三源極Sc、第四源極Sd、第一資料線DL1與第二資料線DL2。第三源極Sc與第四源極Sd的面積大于第一源極Sa與第二源極Sb的面積，且第三源極Sc與第四源極Sd分別包覆第一源極Sa與第二源極Sb的頂面與側(cè)面。本實(shí)施例的第一資料線DL1與第二資料線DL2分別與第三源極Sc與第四源極Sd相連接，且第三源極Sc、第四源極Sd、第一資料線DL1與第二資料線DL2可由同一制程一起制作。此外，本實(shí)施例在形成第三金屬層128后的制作方法與第一實(shí)施例大致相同，并可參考圖2，差別僅在于本實(shí)施例并不具有第一漏極與第二漏極，而像素電極132填入第三接觸洞V3與漏極D連接。

根據(jù)本實(shí)施例，像素結(jié)構(gòu)2具有第一源極Sa、第二源極Sb、第三源極Sc與第四源極Sd，其中第一源極Sa與第二源極Sb皆為第二金屬層122，第三源極Sc與第四源極Sd皆為第三金屬層128，且第一源極Sa及第二源極Sb與第三源極Sc及第四源極Sd由不同制程分別制作。通過(guò)第一源極Sa及第二源極Sb與第三源極Sc及第四源極Sd分開制作的設(shè)計(jì)，可以使得相鄰并排的源極之間的距離進(jìn)一步縮小，而第一源極Sa及第二源極Sb可例如一像素區(qū)的源極，第三源極Sc及第四源極Sd可例如另一像素區(qū)的源極，換言之，本實(shí)施例的設(shè)計(jì)能縮小像素區(qū)的面積以及像素區(qū)之間的距離，進(jìn)而提升顯示面板的解析度。

請(qǐng)參考圖12與圖13，圖12為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例的俯視示意圖，而圖13為圖12所示像素結(jié)構(gòu)沿著剖面線H-H’及I-I’的剖面示意圖。如圖12與圖13所示，本實(shí)施例與第三實(shí)施例不同的地方在于，圖案化半導(dǎo)體層102的形狀為L(zhǎng)字形，且圖案化半導(dǎo)體層102的兩端在第二方向Y上分別位于柵極線116的兩側(cè)，亦即作為漏極摻雜區(qū)與源極摻雜區(qū)的兩個(gè)重?fù)诫s區(qū)104分別位于柵極線116的兩側(cè)。換言之，本實(shí)施例的第一源極Sa、第二源極Sb、第三源極Sc及第四源極Sd位于柵極線116的一側(cè)，而漏極D位于柵極線116的另一側(cè)。本實(shí)施例遮蔽金屬138的形狀也為L(zhǎng)字形，并在垂直投影方向Z上與圖案化半導(dǎo)體層102部分重疊。此外，本實(shí)施例的第一金屬層114另包括連接于柵極線116且沿著第二方向Y延伸的分支140，作為本實(shí)施例的開關(guān)元件的柵極118，其中分支140在第一方向X上設(shè)置于漏極D與第一資料線DL1之間。必需說(shuō)明的是，柵極線116與第一資料線DL1相交，則相交處的柵極線116也作為本實(shí)施例的開關(guān)元件的柵極118(如圖所示)，其下方的圖案化半導(dǎo)體層102可參考第三實(shí)施例，不再贅述。本實(shí)施例各元件的材料、相對(duì)位置等其余特征以及制作方法可參考第三實(shí)施例，不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)中的源極或漏極由兩不同金屬層所構(gòu)成，因此可通過(guò)兩道制程制作源極或漏極。當(dāng)漏極由第一漏極與第二漏極所構(gòu)成時(shí)，第一資料線與第一漏極由相同金屬層構(gòu)成，而第二漏極由不同于第一資料線與第一漏極的另一金屬層構(gòu)成，因此第二漏極與第一資料線由不同制程所形成，此情況下第二漏極與第一資料線之間的距離無(wú)需受限于制程極限，因此可進(jìn)一步縮小兩者之間的距離，以縮小像素區(qū)整體的面積并提高解析度。此外，當(dāng)與第一資料線電性連接的第一源極與第三源極由不同金屬層構(gòu)成，而與第二資料線電性連接的第二源極與第四源極亦由不同金屬層構(gòu)成時(shí)，由于不同金屬層由不同制程所形成，因此可通過(guò)第三源極與第四源極進(jìn)一步縮小兩相鄰像素區(qū)的源極之間的距離，進(jìn)而可縮小像素區(qū)的面積以提高解析度。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。