1.一種形成層的方法，該方法包括：
在下部結(jié)構(gòu)上方提供第一絕緣體和第二絕緣體，所述第一絕緣體和所述第二絕緣體與所述下部結(jié)構(gòu)垂直間隔開，并且所述第一絕緣體和所述第二絕緣體彼此橫向間隔開；
分別從所述第一絕緣體和所述第二絕緣體產(chǎn)生第一離子源和第二離子源；和
使用所述第一離子源和所述第二離子源在所述下部結(jié)構(gòu)上形成絕緣層，
其中所述第一絕緣體和所述第二絕緣體包括彼此相同的材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一絕緣體和所述第二絕緣體包括金屬氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述絕緣層包括與所述第一絕緣體和所述第二絕緣體相同的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一絕緣體、所述第二絕緣體以及所述絕緣層包括金屬氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生所述第一離子源和所述第二離子源以及形成所述絕緣層是通過使用所述第一絕緣體和所述第二絕緣體作為靶的射頻濺射工藝執(zhí)行的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述絕緣層上執(zhí)行熱處理工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述下部結(jié)構(gòu)的最上部分是具有晶體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述絕緣層的晶格與所述導(dǎo)電層的晶格在所述導(dǎo)電層和所述絕緣層之間的界面處匹配。
9.一種制造磁性存儲(chǔ)器件的方法，該方法包括：
在基板上依次形成第一磁性層、非磁性層和第二磁性層，
其中形成所述非磁性層包括使用多個(gè)絕緣體作為靶執(zhí)行濺射工藝，和
其中所述多個(gè)絕緣體包括彼此相同的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個(gè)絕緣體包括金屬氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述非磁性層包括與所述多個(gè)絕緣體相同的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述非磁性層和所述絕緣體包括金屬氧化物。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在形成所述第一磁性層之后且在形成所述第二磁性層之前執(zhí)行所述濺射工藝，和
其中形成所述非磁性層還包括在執(zhí)行所述濺射工藝之后且在形成所述第二磁性層之前執(zhí)行熱處理工藝。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述非磁性層的晶格與所述第一磁性層的晶格在所述非磁性層與所述第一磁性層之間的界面處匹配。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述非磁性層是隧道勢(shì)壘層。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一磁性層和所述第二磁性層之一是自由層，而所述第一磁性層和第二磁性層中的另一個(gè)是被釘扎層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一磁性層和所述第二磁性層具有基本平行于所述非磁性層和所述第二磁性層之間的界面的磁化方向。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一磁性層和所述第二磁性層具有基本上垂直于所述非磁性層和所述第二磁性層之間的界面的磁化方向。
19.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述濺射工藝是射頻濺射工藝。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中使用所述多個(gè)絕緣體執(zhí)行所述濺射工藝包括向所述多個(gè)絕緣體施加彼此相等的電壓。
21.一種形成磁隧道結(jié)的方法，該方法包括：
在基板上形成第一磁性層；
在所述第一磁性層的表面上方第一距離處定位第一絕緣體；
在所述第一磁性層的所述表面上方第二距離處且與所述第一絕緣體橫向間隔開地定位第二絕緣體；
向所述第一絕緣體施加第一電壓以及向所述第二絕緣體施加第二電壓；
使用所述第一絕緣體和所述第二絕緣體作為靶執(zhí)行濺射工藝，以在所述第一磁性層上形成非磁性層；和
在所述非磁性層上形成第二磁性層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中通過所述濺射工藝形成的所述非磁性層包括處于無定形狀態(tài)的一部分，和
其中所述方法還包括在執(zhí)行所述濺射工藝之后且在形成所述第二磁性層之前執(zhí)行熱處理，
其中所述熱處理結(jié)晶化所述非磁性層的所述無定形部分，并形成所述非磁性層的具有第一晶格的結(jié)晶部分，所述第一晶格與所述第一磁性層的第二晶格在所述非磁性層和所述第一磁性層之間的界面處相匹配。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一電壓和所述第二電壓分別是交流電電壓，和
其中所述第一電壓和所述第二電壓具有相同的相位。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一距離和所述第二距離彼此相等。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一絕緣體相對(duì)于所述基板的頂表面傾斜第一角度，以及
其中所述第二絕緣體相對(duì)于所述基板的頂表面傾斜第二角度，所述第二角度具有等于所述第一角度的大小。