技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了高反射率LED電極及其制備方法，該制備方法是通過(guò)電子束真空蒸發(fā)的鍍膜方式蒸鍍電極，蒸鍍電極膜層的先后順序?yàn)镹i/Al/Rh/Ti/Ni/Au。與現(xiàn)有的反射電極結(jié)構(gòu)相比，本電極增加了Rh層，在與鹵素元素的化學(xué)藥品接觸時(shí)增加了穩(wěn)定性，由此可有效降低電極翹起或掉電極等異常的發(fā)生，并且與傳統(tǒng)的Ni/Au結(jié)構(gòu)或者Cr/Pt/Au相比，本高反射率電極提升LED芯片亮度約2％。

技術(shù)研發(fā)人員：鄒賢軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610958903
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.03
技術(shù)公布日：2017.01.11