本發(fā)明屬于光電檢測技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光電檢測器件、光電檢測裝置。

背景技術(shù)：

如圖1所示，現(xiàn)有的光電檢測器件包括：襯底110、電極112、絕緣層114、感光層116、級聯(lián)載體層118和電源120，電極112位于襯底110上，可采用間隔設(shè)置或連續(xù)設(shè)置，絕緣層114與電極112和感光層116連接，感光層116采用非晶硒制成，級聯(lián)載體層118位于感光層116上方，電源120與級聯(lián)載體層118連接，電源120向級聯(lián)載體層118施加電壓以提高載流子的分離。

如圖1所示的光電檢測器件，相鄰的像素單元共用一個電極112，光線會照射在位于相鄰像素單元共用的電極112上面的感光層116上，使該位置處的感光層116產(chǎn)生光生電子，如果相鄰像素單元中的光照信號不一樣，這樣就會在相鄰像素單元的水平方向產(chǎn)生電場，該電場會使位于電極112上的光生電子發(fā)生移動，從而產(chǎn)生電流，并在相鄰的像素單元中的水平電場的作用下，將該電流輸入到低電場的像素單元中，從而使像素單元相互干擾，即發(fā)生串?dāng)_。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種能夠減少光生電子在公共電極與像素電極形成的電場的作用下在相鄰像素單元中發(fā)生串?dāng)_的光電檢測器件、光電檢測裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種光電檢測器件，包括：第一公共電極、第一像素電極、第二像素電極、第二公共電極和光電半導(dǎo)體層，所述第一公共電極、所述第一像素電極和所述第二像素電極位于所述光電半導(dǎo)體層的第一側(cè)，所述第二公共電極位于所述光電半導(dǎo)體層的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)；

所述第二公共電極與位于所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的所述第一公共電極對應(yīng)設(shè)置。

其中，所述第一像素電極位于第一像素單元中，所述第二像素電極位于第二像素單元中，所述第一像素單元和所述第二像素單元相鄰設(shè)置，所述第一公共電極位于所述第一像素單元和所述第二像素單元之間。

其中，所述第二公共電極與該第二公共電極對應(yīng)設(shè)置的所述第一公共電極之間的電場大于所述第一公共電極與相鄰的所述第一像素電極之間的電場；所述第二公共電極與該第二公共電極對應(yīng)設(shè)置的所述第一公共電極之間的電場大于所述第一公共電極與相鄰的所述第二像素電極之間的電場。

其中，所述第二公共電極在其所在平面的正投影覆蓋與該第二公共電極對應(yīng)設(shè)置的所述第一公共電極在第二公共電極所在平面的正投影。

其中，所述光電檢測器件還包括第一連接電極，所述第一連接電極位于所述光電半導(dǎo)體層的第一側(cè)，所述第一連接電極用于連接多個所述第一公共電極。

其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極均包括像素連接部和兩個子像素電極，兩個所述子像素電極通過所述像素連接部連接。

其中，每個所述像素電極的兩個像素子電極之間設(shè)置有所述第一公共電極。

其中，所述第二公共電極采用不透明的金屬材料制成。

其中，所述光電檢測器件還包括第二連接電極，所述第二連接電極位于所述光電半導(dǎo)體層的第二側(cè)，所述第二連接電極用于連接多個所述第二公共電極。

作為另一技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種光電檢測裝置，包括上述任意一項所述的光電檢測器件。

本發(fā)明的光電檢測器件、光電檢測裝置中，該光電檢測器件包括：第一公共電極、第一像素電極、第二像素電極、第二公共電極和光電半導(dǎo)體層，第一公共電極、第一像素電極和第二像素電極位于光電半導(dǎo)體層的第一側(cè)，第二公共電極位于光電半導(dǎo)體層的與第一側(cè)相對的第二側(cè)；第二公共電極與位于第一像素電極和第二像素電極之間的第一公共電極對應(yīng)設(shè)置，通過在第二公共電極上加載電壓，使其與第一公共電極形成的電壓能夠減小第一公共電極與第一像素電極形成的電壓和第一公共電極與第二像素電極形成的電壓在水平方向上的分量，從而避免因第一像素電極和第二像素電極的電壓不同導(dǎo)致的電子在第一像素電極和第二像素電極中運動，阻止水平方向電流的流動，即避免發(fā)生電子串?dāng)_。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的光電檢測器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的實施例1的光電檢測器件的俯視圖；

圖3為圖2中沿AA線的截面圖；

其中，附圖標(biāo)記為：110、襯底；112、電極；114、絕緣層；116、感光層；118、級聯(lián)載體層；120、電源；1、第一公共電極；2、第一像素電極；3、第二像素電極；4、第二公共電極；5、光電半導(dǎo)體層；6、第一連接電極；7、像素連接部；8、子像素電極；9、第二連接電極。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細(xì)描述。

實施例1：

請參照圖2和圖3，本實施例提供一種光電檢測器件，包括：第一公共電極1、第一像素電極2、第二像素電極3、第二公共電極4和光電半導(dǎo)體層5，第一公共電極1、第一像素電極2和第二像素電極3位于光電半導(dǎo)體層5的第一側(cè)，第二公共電極4位于光電半導(dǎo)體層5的與第一側(cè)相對的第二側(cè)；第二公共電極4與位于第一像素電極2和第二像素電極3之間的第一公共電極1對應(yīng)設(shè)置。

其中，在施加電壓后，第一公共電極1、第一像素電極2、第二像素電極3和第二公共電極4均用于產(chǎn)生特定的電場；光電半導(dǎo)體層5在被光照射后，能夠吸收光線并產(chǎn)生電子，電子在上述特定的電場中移動。

需要說明的是，本實施例中的光電半導(dǎo)體層5的第一側(cè)實際上指圖3中光電半導(dǎo)體層5的下表面，光電半導(dǎo)體層5的第二側(cè)實際上指圖3中光電半導(dǎo)體層5的上表面。

其中，第一像素電極2位于第一像素單元中，第二像素電極3位于第二像素單元中，第一像素單元和第二像素單元相鄰設(shè)置，第一公共電極1位于第一像素單元和第二像素單元之間。

請結(jié)合圖2和圖3，第一像素電極2位于第一像素單元(Pixel 1)中，第二像素電極3位于第二像素單元(Pixel 2)中，在第一像素電極2和第二像素電極3之間設(shè)置有第一公共電極1，也就是說，位于Pixel1和Pixel 2之間的第一公共電極1為Pixel 1和Pixel 2共同使用。

其中，第二公共電極4與該第二公共電極4對應(yīng)設(shè)置的第一公共電極1之間的電場E2大于第一公共電極1與其相鄰的第一像素電極2之間的電場E1；第二公共電極4與該第二公共電極4對應(yīng)設(shè)置的第一公共電極1之間的電場E2大于第一公共電極1與其相鄰的第二像素電極3之間的電場E5。

請參照圖3，第一公共電極1與Pixel 1中的第一像素電極2之間存在電場E1，電場E1的方向為由第一公共電極1指向第一像素電極2的方向；同理，第一公共電極1與Pixel 2中的第二像素電極3之間存在電場E5，電場E5的方向為由第一公共電極1指向第二像素電極3的方向；由于第二公共電極4與位于Pixel 1和Pixel 2之間的第一公共電極1對應(yīng)設(shè)置，因此，第二公共電極4和第一公共電極1之間存在電場E2，電場E2的方向由第一公共電極1指向第二公共電極4的方向。

之所以將電場E2設(shè)置為大于電場E1和電場E5，是由于電場E2的方向與電場E1和電場E5的方向幾乎是垂直的，因此，電場E2的存在可以與電場E1形成電場E3，還可以與電場E5形成電場E4，電場E3和E4能夠分別減小電場E1和電場E5在水平方向上的分量，可以理解的是，電場E2比電場E1越大，電場E1在水平方向的分量就越小；同理，電場E2比電場E5越大，電場E5在水平方向的分量就越小，從而可以避免電子在水平方向的串?dāng)_。

其中，第二公共電極4在其所在平面的正投影覆蓋與該第二公共電極4對應(yīng)設(shè)置的第一公共電極1在第二公共電極4所在平面的正投影。

從圖2中可以看出，第一公共電極1和第二公共電極2均為條狀電極，第二公共電極4在其所在平面的正投影覆蓋與該第二公共電極4對應(yīng)設(shè)置的第一公共電極1在第二公共電極4所在平面的正投影，換句話說，第二公共電極4的寬度大于第一公共電極1的寬度，因此，在本實施例的光電檢測器件的俯視圖中，第二公共電極4能夠完全擋住與其對應(yīng)的第一公共電極1，之所以如此設(shè)置，是為了利用第二公共電極4阻擋從第二公共電極4所在的光電半導(dǎo)體層5的第二側(cè)入射的光，避免該入射光照射到第一公共電極1。

其中，光電檢測器件還包括第一連接電極6，第一連接電極6位于光電半導(dǎo)體層5的第一側(cè)，第一連接電極6用于連接多個第一公共電極1。

請參照圖2，第一連接電極6與第一公共電極1均位于光電半導(dǎo)體層5的第一側(cè)，第一連接電極6能夠?qū)⒍鄠€條狀的第一公共電極1連接在一起，第一連接電極6可以將施加的電壓傳輸至每一個第一公共電極1上。

其中，第一像素電極2和第二像素電極3均包括像素連接部7和兩個子像素電極8，兩個子像素電極8通過像素連接部7連接。

請參照圖2，第一像素電極2和第二像素電極3均呈現(xiàn)為U字型，即包括兩個相互平行的條狀子像素電極8和一個將兩個條狀子像素電極8兩節(jié)在一起的像素連接部7，以使同一像素單元內(nèi)的兩個子像素電極8和像素連接部7上電壓相同。需要說明的是，雖然第一像素電極2和第二像素電極3的結(jié)構(gòu)相同，但由于第一像素電極2和第二像素電極3位于不同的像素單元內(nèi)，因此，施加在第一像素電極2和第二像素電極3上的電壓可以是不同的，以此，電場E1和電場E5的大小是不同的。當(dāng)然，若施加在第一像素電極2和第二像素電極3上的電壓相同，則電場E1和電場E5的大小也相同。

其中，每個像素電極的兩個像素子電極8之間設(shè)置有第一公共電極1。

也就是說，第一公共電極1不僅位于相鄰的像素單元之間，同時，第一公共電極1還位于像素單元內(nèi)，以在像素單元內(nèi)形成電場。為了使第一公共電極1與像素單元內(nèi)的兩個子像素電極8之間產(chǎn)生的電場相同，優(yōu)選地，第一公共電極1與兩個子像素電極8的距離相同，即位于U字型的像素電極中垂線上。

其中，第二公共電極4采用不透明的金屬材料制成。

之所以如此設(shè)置，是為了使位于第二公共電極4和與其對應(yīng)的第一公共電極1之間的光電半導(dǎo)體層5不受光照影響，從而不產(chǎn)生電子，進而減少此位置處的此處的光電半導(dǎo)體層5中的載流子的數(shù)量，以降低Pixel 1和Pixel 2之間的相互干擾。需要說明的是，此處的電子即光生載流子。當(dāng)然，第二公共電極4的制備材料還可以選擇其他類型的導(dǎo)電材料，只要是不透明的即可，在此不再贅述。

優(yōu)選地，第二公共電極4采用銀或鋁制成。當(dāng)然，第二公共電極的材料并不局限于此，還可以采用其他不透明的金屬材料，在此不再贅述。

其中，光電檢測器件還包括第二連接電極9，第二連接電極9位于光電半導(dǎo)體層5的第二側(cè)，第二連接電極9用于連接多個第二公共電極4。

可以理解的是，由于像素單元的數(shù)量為多個，因此，第二公共電極4的數(shù)量也為多個，通過在光電半導(dǎo)體層5的第二側(cè)設(shè)置第二連接電極9，能夠?qū)⒍鄠€第二公共電極4連接起來，同時，使多個第二公共電極4具有相同的電壓。

本實施例的光電檢測器件，該光電檢測器件包括：第一公共電極1、第一像素電極2、第二像素電極3、第二公共電極4和光電半導(dǎo)體層5，第一公共電極1、第一像素電極2和第二像素電極3位于光電半導(dǎo)體層5的第一側(cè)，第二公共電極4位于光電半導(dǎo)體層5的與第一側(cè)相對的第二側(cè)；每個第二公共電極4與相鄰像素單元之間的第一公共電極1對應(yīng)設(shè)置，通過在第二公共電極4上加載電壓，使其與第一公共電極1形成的電壓能夠減小第一公共電極1與第一像素電極2形成的電壓和第一公共電極1與第二像素電極3形成的電壓在水平方向上的分量，從而避免因第一像素電極2和第二像素電極3的電壓不同導(dǎo)致的電子在第一像素電極2和第二像素電極3中運動，阻止水平方向電流的流動，即避免發(fā)生電子串?dāng)_。

實施例2：

本實施例提供了一種光電檢測裝置，包括實施例1的光電檢測器件。

本實施例的光電檢測裝置，通過在第二公共電極4上加載電壓，使其與第一公共電極1形成的電壓能夠減小第一公共電極1與第一像素電極2形成的電壓和第一公共電極1與第二像素電極3形成的電壓在水平方向上的分量，從而避免因第一像素電極2和第二像素電極3的電壓不同導(dǎo)致的電子在第一像素電極2和第二像素電極3中運動，阻止水平方向電流的流動，即避免發(fā)生電子串?dāng)_。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。