本發(fā)明涉及半導體
技術領域：
，具體地，涉及一種電子元件、天線和傳輸線。
背景技術：
：隨著電子通信的發(fā)展，各類高頻通信中對半導體元件性能的要求逐漸提高。人們目前通常是通過對天線走線結構的設計、基板材料的選擇來滿足天線的高性能要求，加大了對傳輸線的各類材料的化學研究。然而，如何在天線線路基板和傳輸線路絕緣材料獲得更低的介電常數(shù)和介電損失仍然是亟待解決的問題。技術實現(xiàn)要素：針對現(xiàn)有技術中的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種一種電子元件、天線和傳輸線。根據(jù)本發(fā)明提供的一種電子元件，包括金屬導電層和非導電介質層；所述金屬導電層的至少一面設有所述非導電介質層，所述非導電介質層的局部或全部為微孔性結構。作為一種優(yōu)化方案，所述非導電介質層中孔洞率為2％-60％。作為一種優(yōu)化方案，所述非導電介質層中分布的微孔大小為大于等于20納米且小于等于100微米。作為一種優(yōu)化方案，所述非導電介質層中的微孔性結構是通過在非導電介質層中壓入氣體而制備的結構。作為一種優(yōu)化方案，所述非導電介質層中的微孔性結構是通過在非導電介質層中引入熱氧化降解組分而制備的結構。作為一種優(yōu)化方案，所述非導電介質層是通過注塑成型，或吹塑成型，或擠出成型，或熱壓成型，或燒結成型，或化泡成型而制備的結構。作為一種優(yōu)化方案，所述非導電介質層為高分子材料或無機材料。作為一種優(yōu)化方案，所述高分子材料包括PC,或PI,或LCP,或PC/ABS,或PA,或PA+GF,或PET,或PTFE,或FR4,或PC+GF,或LCP+GF，或丙烯酸膠，或天然橡膠，或合成橡膠，或硅膠，或凱芙拉增強材料。作為一種優(yōu)化方案，所述無機材料包括玻璃，或玻璃纖維增強材料，或二氧化硅，或陶瓷，或三氧化鋁，或碳纖維增強材料?；谕瑯拥臉嬎?，本發(fā)明還提出了一種天線，包括所述的電子元件，所述金屬導電層為天線輻射體，所述非導電介質層為天線基板?；谕瑯拥臉嬎?，本發(fā)明還提出了一種傳輸線，包括所述的電子元件，所述金屬導電層為數(shù)據(jù)傳輸線或射頻傳輸線，所述非導電介質層為傳輸線中包裹所述數(shù)據(jù)傳輸線或射頻傳輸線的絕緣層。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下的有益效果：采用本發(fā)明提出的電子元件結構能夠有效減少介質層密度，從而降低介電常數(shù)和介電損耗。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。附圖中：圖1是可選的一種LDS天線或LEP天線結構示意圖；圖2是可選的一種LDS天線或LEP天線分離結構示意圖；圖3是可選的一種LDS天線或LEP天線截面示意圖；圖4是可選的一種FPC天線分離結構示意圖；圖5是可選的一種帶狀線截面示意圖。圖中，11-金屬導電層，12-非導電基板，13-非導電過渡層，14-微孔性結構；1-第一絕緣層單元，2-第一連接層單元，3-第一介質層單元，4-第二連接層單元，5-低溫粘合層，6-第二介質層單元，7-第三連接層單元，8-第二絕緣層單元，41-信號線一，42-信號線二，44-第二導通孔，51-第一介質層內的微孔，52-第二介質層內的微孔，53-低溫粘合層內的微孔。具體實施方式下文結合附圖以具體實施例的方式對本發(fā)明進行詳細說明。以下實施例將有助于本領域的技術人員進一步理解本發(fā)明，但不以任何形式限制本發(fā)明。應當指出的是，還可以使用其他的實施例，或者對本文列舉的實施例進行結構和功能上的修改，而不會脫離本發(fā)明的范圍和實質。在本發(fā)明提供的一種電子元件的實施例中，如圖3所示，包括金屬導電層11和非導電介質層；所述金屬導電層11的至少一面設有所述非導電介質層，所述非導電介質層的局部或全部為微孔性結構14。微孔性結構14靠近所述金屬導電層11分布。采用本發(fā)明提出的電子元件結構能夠有效減少介質層密度，從而降低介電常數(shù)和介電損耗。所述非導電介質層中孔洞率為2％-60％。所述非導電介質層中分布的微孔大小為大于等于20納米且小于等于100微米。表一和表二是兩種可選的電子元件中孔洞率變化對電子元件性能的影響測試數(shù)據(jù)對比，由此可知，對孔洞率的改變能夠較為線性地增加或減小電子元件的性能，但是孔洞率的變化也影響到基板的結構強度，因此本實施例中非導電介質層中孔洞率為2％-60％。表一PC材料的天線基板中孔洞率與天線性能提升測試數(shù)據(jù)孔洞率介電常數(shù)天線性提升0％30.00％10％2.810.54％20％2.614.91％30％2.418.26％40％2.221.08％50％223.57％60％1.825.82％表二PI材料的扁平電纜中孔洞率與電纜損耗測試數(shù)據(jù)孔洞率介電常數(shù)損耗(dB/m)0％3.26.69310％2.986.36320％2.766.03230％2.545.69740％2.325.35850％2.15.01360％1.884.659作為微孔性結構14的一種物理制備方法，所述非導電介質層中的微孔性結構14是通過在非導電介質層中壓入氣體而制備的結構。該微孔性結構14的物理制備方法不限于此。在非導電介質層中壓入氣體，無論氣體是否溢出，被壓入所述非導電介質層中的氣壓變化后氣體釋放即產(chǎn)生氣泡形成上述微孔性結構14。作為微孔性結構14的一種化學制備方法，所述非導電介質層中的微孔性結構14是通過在非導電介質層中引入熱氧化降解組分而制備的結構。該微孔性結構14的化學制備方法不限于此。所述非導電介質層是通過注塑成型，或吹塑成型，或擠出成型，或熱壓成型，或燒結成型，或化泡成型而制備的結構。所述非導電介質層為高分子材料或無機材料。所述無機材料包括玻璃，或玻璃纖維增強材料，或二氧化硅，或陶瓷，或三氧化鋁，或碳纖維增強材料。所述高分子材料包括PC(聚碳酸酯),或PI(聚酰亞胺),或LCP(液晶聚合物),或PC/ABS(聚碳酸酯和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物和混合物),或PA(聚酰胺),或PA+GF(聚酰胺加玻璃纖維),或PET(聚對苯二甲酸),或PTFE(聚四氟乙烯),或FR4(玻璃纖維環(huán)氧樹脂),或PC+GF(聚碳酸酯加玻璃纖維),或LCP+GF(液晶聚合物加玻璃纖維)，或丙烯酸膠，或天然橡膠，或合成橡膠，或硅膠，或凱芙拉增強材料。目前電子元件的基板較多采用高分子材料，主要是因為高分子材料具有多樣性，柔韌性，成型方便等優(yōu)點。從應用上看，通信領域應用高分子材料做基板已經(jīng)比較成熟，不論是FPC天線，LDS天線還是傳輸線，本發(fā)明在現(xiàn)有結構的基礎上將基板制備成微孔性結構14。相對于大多無機材料而言，高分子材料可以彎折，且介電常數(shù)和介質損耗因子低，對射頻性能有利?；谕粯嬎?，如圖1-4所示，本發(fā)明還提出了一種天線，包括所述的電子元件，所述金屬導電層11為天線輻射體，所述非導電介質層為天線基板。圖4中非導電介質層包括非導電基板12和非導電過渡層13，且非導電過渡層13的材質為微孔性結構14?；谕粯嬎?，如圖5所示，本發(fā)明還提出了一種傳輸線，包括所述的電子元件，所述金屬導電層11為數(shù)據(jù)傳輸線或射頻傳輸線，所述非導電介質層為傳輸線中包裹所述數(shù)據(jù)傳輸線或射頻傳輸線的絕緣層。圖5中所示的第一介質層單元3、低溫粘合層5、第二介質層單元6為微孔性結構14，其他包裹信號線一41和信號線二42的非導電介質層部分均未設置微孔。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，本領域技術人員知悉，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對這些特征和實施例進行各種改變或等同替換。另外，在本發(fā)明的教導下，可以對這些特征和實施例進行修改以適應具體的情況及材料而不會脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明不受此處所公開的具體實施例的限制，所有落入本申請的權利要求范圍內的實施例都屬于本發(fā)明的保護范圍。當前第1頁1 2 3