技術(shù)總結(jié)
公開了一種制造自對準垂直納米片場效應(yīng)晶體管的方法和一種微電子結(jié)構(gòu)。使用反應(yīng)離子蝕刻在包括多個層的層狀結(jié)構(gòu)中對垂直溝槽進行蝕刻，并使用外延工藝用垂直的半導(dǎo)體納米片填充垂直溝槽。蝕刻掉來自多個層之中的犧牲層并使用涂覆有高介電常數(shù)介電材料的導(dǎo)電(例如，金屬)柵極層來代替犧牲層。來自所述多個層之中的兩個其它層(一個層在柵極層的上方并且一個層在柵極層的下方)被摻雜，并作為用于在垂直半導(dǎo)體納米片中形成兩個PN結(jié)的擴散工藝的摻雜劑。

技術(shù)研發(fā)人員：洪俊九;博爾納·J·奧布拉多維奇;馬克·S·羅德爾
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201610978958
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.01
技術(shù)公布日：2017.05.17