技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種N型晶體硅電池的制備方法及其電池、組件和系統(tǒng)。本發(fā)明的一種N型晶體硅電池的制備方法，包括以下步驟：制絨、正表面硼擴(kuò)散及形成硼硅玻璃層、背表面刻蝕、背表面磷擴(kuò)散、邊緣隔離、清洗、鍍膜、印刷及燒結(jié)。其有益效果是：通過(guò)調(diào)整硼擴(kuò)散的工藝參數(shù)使得硼擴(kuò)散形成的硼硅玻璃層具備阻擋磷擴(kuò)散的能力，從而開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)單的N型晶體硅電池制作工藝，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單可控，設(shè)備投資低；通過(guò)擴(kuò)散方法形成的pn結(jié)相對(duì)硼源旋涂或絲印法污染更少、質(zhì)量更好；由于硼在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)高于硅，所以厚的硼硅玻璃層有利于降低p+區(qū)域的表面硼濃度從而減少表面復(fù)合，提高開(kāi)路電壓。制備的N型晶體硅電池具有較高的開(kāi)路電壓和光電轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：林建偉;劉志鋒;季根華;孫玉海;劉勇;張育政
受保護(hù)的技術(shù)使用者：泰州中來(lái)光電科技有限公司
文檔號(hào)碼：201610981635
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.08
技術(shù)公布日：2017.05.10