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      一種低維碳材料薄膜為極片的超級(jí)電容器及制備方法與流程

      文檔序號(hào):12274525閱讀:385來源:國(guó)知局

      本發(fā)明屬于電容器領(lǐng)域,涉及的是低維碳材料薄膜柔性超級(jí)電容器。



      背景技術(shù):

      超級(jí)電容器作為一種新型儲(chǔ)能器件,具有良好的環(huán)境友好性,同時(shí)其具有壽命長(zhǎng),污染小,高的比功率,已經(jīng)廣泛用于交通、消費(fèi)類電子和國(guó)防科技等領(lǐng)域,尤其是輕質(zhì)柔性電容器是目前新能源領(lǐng)域研究的焦點(diǎn)。超級(jí)電容器的儲(chǔ)存機(jī)理包括電化學(xué)雙電層超級(jí)電容器和贗電容電容器,其電極材料分為碳材料、過渡金屬氧化物材料和導(dǎo)電聚合物材料。

      低維碳材料(碳納米管、石墨烯)由于高的比表面積、高的結(jié)晶度,在超級(jí)電容器領(lǐng)域有望得到大規(guī)模應(yīng)用。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的是提出一種新型的低維碳材料薄膜為極片的超級(jí)電容器及其制備方法,以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化超級(jí)電容器的制備方法。

      本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。

      本發(fā)明所述一種低維碳材料薄膜為極片的超級(jí)電容器,其結(jié)構(gòu)如下:包括兩層由隔膜隔開的電極材料薄膜,并包括布置在兩層電極材料薄膜之間的電解質(zhì)以及電極引線。其中,電極材料薄膜為低維碳材料薄膜,隔膜為PVDF膜或者有機(jī)膜,電解質(zhì)為KOH、H2SO4或者固態(tài)電解質(zhì)。

      本發(fā)明所述是低維碳材料薄膜成膜方法,包括以下步驟。

      1)將低維碳材料以100~500 r/min球磨2-10h,成細(xì)小密實(shí)粉體。

      2)取乙醇、去離子水、NMP(N-甲基吡咯烷酮)或丙酮中的一種或幾種作為溶劑,球磨好的低維碳材料為基本材料,加粘結(jié)劑和分散劑,按低維碳材料:粘結(jié)劑:分散劑按81~96:2~9:2~10質(zhì)量比調(diào)漿,配置成1~5%固含量的懸浮液。

      3)以鋁箔或銅箔作為基底,將懸浮液均勻涂覆在表面,控制面積和厚度,烘干,形成薄膜。

      4)以鹽酸、硝酸、硫酸或燒堿作為腐蝕劑,將基底連同薄膜浸泡于腐蝕劑中10~24h,腐蝕基底,取出薄膜,烘干。

      5)制膜后,在800~1800℃下炭化,再2200~3000℃石墨化,取出壓實(shí),制成低維碳材料薄膜,組織具有一定柔韌性。

      本發(fā)明所述的低維碳材料包括但不限于:碳納米管、石墨烯、碳納米顆粒、碳納米管無紡布或它們的混合體等。

      所述的粘結(jié)劑為丁苯橡膠(SBR)、羧甲基纖維素(CMC)或聚偏氟乙烯(PVDF)。

      所述的分散劑為十二烷基苯磺鈉(SDBS)或十二烷基硫酸鈉(SDS)中的一種或兩種。

      本發(fā)明所述的低維碳材料薄膜為極片的超級(jí)電容器的制備方法,包括以下步驟:

      (1)將低維碳材料薄膜在電解質(zhì)中浸泡5分鐘到12小時(shí);

      (2)將引線粘貼在低維碳材料薄膜材料的外表面;

      (3)將整個(gè)組裝起來密封封裝得到柔性超級(jí)電容器。

      本發(fā)明提供的柔性超級(jí)電容器中采用涂覆,剝離的方法得到低維碳材料薄膜,操作方法簡(jiǎn)單,制作成本低,可大規(guī)模制備,超級(jí)電容器的組裝簡(jiǎn)單,為柔性超級(jí)電容器的制備提供了一種很好的工藝方法。本發(fā)明的超級(jí)電容器具有很好的柔性,可用于穿戴電子設(shè)備。

      具體實(shí)施方式

      本發(fā)明將通過以下實(shí)施例作進(jìn)一步說明。

      實(shí)施例1。

      (1)取碳納米管以300 r/min球磨3h,至細(xì)小密實(shí)粉體。

      (2)以NMP為溶劑,碳納米管(CNTs)為基本材料,按CNTs:PVDF:SDS為91:5:4質(zhì)量比配置,調(diào)節(jié)固含量為4%,高速剪切2h,制漿。

      (3)選鋁箔為基底材料,取漿液10ml,涂覆成5x8cm2的區(qū)域,50℃烘干,成膜。將鋁箔模塊置于鹽酸溶液中浸泡24h,使基底完全腐蝕,小心取出用大量水清洗,然后晾干。

      (4)制膜后,在800~1600℃下炭化,再2200~3500℃石墨化,取出壓實(shí),組織具有一定柔韌性。

      (5)將薄膜裁剪成3×4cm大小,置于1mol/L H2SO4溶液中浸泡1h,按照薄膜/隔膜/薄膜的方式堆疊,在薄膜外表面接出引線,最后封裝。

      實(shí)施例2。

      (1)取10g石墨烯,以NMP為溶劑,按5%固含量配置,超聲12h,制備成分散液。

      (2)添加10%石墨烯重量比的(5%CMC+5%SBR)于分散液中,10000 r/min高速剪切5h。

      (3)以鋁箔為基底材料,取漿液12ml,涂覆成8x10cm2的區(qū)域,70℃烘干,成膜。

      (4)將鋁箔模塊置于鹽酸溶液中浸泡24h,使基底完全腐蝕,小心取出晾干。

      (5)制膜后,在800~1600℃下炭化,再2200~3500℃石墨化,取出壓實(shí),組織具有一定柔韌性。

      (6)將薄膜裁剪成3×4cm大小,置于6mol/L KOH溶液中浸泡1h,按照薄膜/隔膜/薄膜的方式堆疊,在薄膜外表面接出引線,最后封裝。

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