技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種調(diào)控金屬氧化物薄膜晶體管反相器閾值電壓的方法，包括以下步驟：在柔性襯底上沉積一層導(dǎo)電薄膜形成源區(qū)和漏區(qū)；在所述源區(qū)和所述漏區(qū)上沉積一層金屬氧化物薄膜，并刻蝕形成有源層；在所述半導(dǎo)體有源層上沉積一層金屬氧化物薄膜，并刻蝕形成絕緣層；在所述絕緣層上沉積形成柵極，在柵極沉積形成過程中分兩次進行，第一次沉積厚度為20nm～200nm，第二次沉積厚度為200nm～1μm；在所述反相器柵極形成后進行O2退火，退火溫度為200℃～600℃。本發(fā)明提供一種調(diào)控金屬氧化物薄膜晶體管反相器閾值電壓的方法，目的在于通過改變柵極厚度和金屬氧化物半導(dǎo)體有源層面積的方式得到具有較大差異的閾值電壓，從而實現(xiàn)對閾值電壓的調(diào)控。

技術(shù)研發(fā)人員：陸曉青
受保護的技術(shù)使用者：杭州潮盛科技有限公司
文檔號碼：201610986732
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.09
技術(shù)公布日：2017.03.15