相關(guān)申請的交叉引用

本專利申請要求于2016年1月11日提交韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2016-0003273號(hào)韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益，該韓國專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文。

本公開的方面涉及可折疊顯示裝置。

背景技術(shù)：

顯示裝置通過在顯示屏上顯示各種圖像來向用戶提供信息。近來正在研發(fā)能夠彎曲的顯示裝置(例如，可彎曲顯示裝置或柔性顯示裝置)。不同于典型的平面顯示裝置，柔性顯示裝置可像紙一樣折疊、卷曲或彎曲。柔性顯示裝置(其形狀可以以多種方式修改)容易攜帶并可為用戶提供更好的便利性。柔性顯示器可以是可卷曲顯示器、可折疊顯示器等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施方式提供了在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下具有改善的耐用性的可折疊顯示裝置。

本發(fā)明也提供了在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下剝離率可減小的可折疊顯示裝置。

本公開的實(shí)施方式提供了可折疊顯示裝置，該可折疊顯示裝置包括：顯示面板；偏振構(gòu)件，位于顯示面板上；窗，位于偏振構(gòu)件上；第一粘合構(gòu)件，位于顯示面板與偏振構(gòu)件之間；以及第二粘合構(gòu)件，位于偏振構(gòu)件與窗之間。在第一狀態(tài)中，顯示面板、偏振構(gòu)件、窗、第一粘合構(gòu)件以及第二粘合構(gòu)件沿彎曲軸線彎曲，使得窗比顯示面板更靠近彎曲軸線。第一粘合構(gòu)件和第二粘合構(gòu)件中的每個(gè)在約-25℃時(shí)具有處于約5×10⁴pa至約5×10⁵pa的范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量，第二粘合構(gòu)件在約60℃時(shí)具有處于約4.5×10⁴pa至約6.5×10⁴pa的范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量。第一粘合構(gòu)件具有大于約40且小于約50的應(yīng)力-松弛比，應(yīng)力-松弛比由公式1限定：

【公式1】

應(yīng)力-松弛比(％)＝100×g(t2)/g(t1)

在公式1中，g(t1)為初始應(yīng)力-松弛模量，該初始應(yīng)力-松弛模量在第一粘合構(gòu)件為約600μm厚的狀態(tài)中被測量，在約60℃時(shí)使用平行板施加約25％的應(yīng)變約100秒之后去除該應(yīng)變時(shí)使用流變計(jì)以應(yīng)力-松弛測試模式來測量初始應(yīng)力-松弛模量，以及g(t2)為在應(yīng)變被施加至第一粘合構(gòu)件約300秒之后測量的應(yīng)力-松弛模量。

在實(shí)施方式中，在第二模式中，顯示面板、偏振構(gòu)件、窗、第一粘合構(gòu)件以及第二粘合構(gòu)件可展開。

在實(shí)施方式中，第一粘合構(gòu)件在約60℃時(shí)可具有處于約5至約8的范圍內(nèi)的殘余應(yīng)變，并且殘余應(yīng)變可由公式2限定：

【公式2】

殘余應(yīng)變(％)＝l2/l1×100

在公式2中，l1為最大蠕變應(yīng)變，在第一粘合構(gòu)件為約600μm厚的狀態(tài)并且在約60℃時(shí)將約2000pa的應(yīng)力施加至第一粘合構(gòu)件約1小時(shí)的情況下使用流變計(jì)來測量該最大蠕變應(yīng)變。l2為未恢復(fù)的殘余恢復(fù)應(yīng)變，該未恢復(fù)的殘余恢復(fù)應(yīng)變隨在實(shí)現(xiàn)最大蠕變應(yīng)變之后去除所施加應(yīng)力時(shí)恢復(fù)的彈性恢復(fù)應(yīng)變而殘留。

在實(shí)施方式中，第一粘合構(gòu)件可具有處于約25μm至約100μm的范圍內(nèi)的厚度。

在實(shí)施方式中，第二粘合構(gòu)件可具有處于約25μm至約100μm的范圍內(nèi)的厚度。

在實(shí)施方式中，第一粘合構(gòu)件可具有至少約800gf/in的剝離強(qiáng)度。

在實(shí)施方式中，第二粘合構(gòu)件可具有至少約800gf/in的剝離強(qiáng)度。

在實(shí)施方式中，第一粘合構(gòu)件可包括第一基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物、第一致粘劑和第一交聯(lián)劑，以及第二粘合構(gòu)件可包括第二基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物、第二致粘劑和第二交聯(lián)劑。

在實(shí)施方式中，可折疊顯示裝置還可包括：保護(hù)膜，位于顯示面板之下；以及第三粘合構(gòu)件，位于顯示面板與保護(hù)膜之間。在第一狀態(tài)中，保護(hù)膜和第三粘合構(gòu)件可沿彎曲軸線彎曲，以及，在第二狀態(tài)中，保護(hù)膜和第三粘合構(gòu)件可展開。

在實(shí)施方式中，第三粘合構(gòu)件的厚度可小于第一粘合構(gòu)件和第二粘合構(gòu)件中的每個(gè)的厚度。

在實(shí)施方式中，第三粘合構(gòu)件在約-25℃時(shí)可具有處于約5×10⁴pa至約5×10⁵pa范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量。

在實(shí)施方式中，可折疊顯示裝置還可包括觸摸感應(yīng)單元，該觸摸感應(yīng)單元位于偏振構(gòu)件與窗之間。在第一狀態(tài)中，觸摸感應(yīng)單元可沿彎曲軸線彎曲，以及在第二狀態(tài)中，觸摸感應(yīng)單元可展開。

在實(shí)施方式中，觸摸感應(yīng)單元可直接接觸偏振構(gòu)件。

在實(shí)施方式中，可折疊顯示裝置還可包括：第四粘合構(gòu)件，位于偏振構(gòu)件與觸摸感應(yīng)單元之間。在第一狀態(tài)中，第四粘合構(gòu)件可沿彎曲軸線彎曲，以及在第二狀態(tài)中，第四粘合構(gòu)件可展開。

在實(shí)施方式中，第四粘合構(gòu)件的厚度可小于第一粘合構(gòu)件和第二粘合構(gòu)件中的每個(gè)的厚度。

在實(shí)施方式中，第四粘合構(gòu)件在約-25℃時(shí)可具有處于約5×10⁴pa至約5×10⁵pa的范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量。

附圖說明

圖1是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖；

圖2是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的圖1中所示的可折疊顯示裝置的示意性立體圖；

圖3a是示意性地示出了根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置的立體圖；

圖3b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的包括在可折疊顯示裝置中的一個(gè)像素的電路圖；

圖3c是示出了根據(jù)本公開實(shí)施方式的包括在可折疊顯示裝置中的一個(gè)像素的平面圖；

圖3d是沿圖3c中的線i-i'截取的示意性剖視圖；

圖4a是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性剖視圖；

圖4b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性剖視圖；

圖4c是示出了當(dāng)可折疊顯示裝置的殘余應(yīng)變相對(duì)高時(shí)的局限性的示圖；

圖5a是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖；

圖5b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖；

圖6a是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖；

圖6b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖；

圖7a是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖；以及

圖7b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖。

具體實(shí)施方式

通過附圖和相關(guān)示例性實(shí)施方式，上述本公開的方面和特征以及本公開的其它方面和特征將更易于理解。但是，本公開不應(yīng)被理解為限于本文中所闡述的示例性實(shí)施方式。而是，這些示例性實(shí)施方式被提供以使得本公開將是全面且完整的，并將充分地將本公開的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。本公開可以以不同形式實(shí)施。

在描述附圖時(shí)，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。在附圖中，為了更有效地說明元件，元件的尺寸可能改變(例如，放大)，并且本公開不應(yīng)限于此。應(yīng)理解，雖然可在本文中使用用語第一、第二等描述各種元件，但是所述元件不應(yīng)被這些用語限制。這些用語僅用于將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開。例如，在不背離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，第一元件可稱為第二元件，而第二元件可稱為第一元件。除非上下文中清楚地另有指示，否則如本文中所使用的單數(shù)形式“一(a)”和“一(an)”意在也包括復(fù)數(shù)形式。

應(yīng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)，用語“包括(comprises)”、“包括有(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括有(including)”表示所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的群組的存在或附加。

應(yīng)理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可直接在另一元件或?qū)由?、直接連接至或直接聯(lián)接至另一元件或?qū)?，或也可存在一個(gè)或多個(gè)介于中間的元件或?qū)印．?dāng)元件被稱為“直接”在另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在介于中間的元件或?qū)?。例如，?dāng)?shù)谝辉幻枋鰹椤奥?lián)接”或“連接”至第二元件時(shí)，第一元件可直接聯(lián)接或直接連接至第二元件，或第一元件可通過一個(gè)或多個(gè)介于中間的元件間接聯(lián)接或間接連接至第二元件。此外，應(yīng)理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)或板的元件被稱為在另一元件“之下”時(shí)，其可“直接”位于該另一元件“之下”或也可存在介于中間的元件。

如在本文中使用的，用語“和/或”包括關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)中的一個(gè)或多個(gè)的任意和全部組合。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)，“可”的使用涉及“本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式”。諸如“...中的至少一個(gè)”的表述當(dāng)位于元件列表之后時(shí)，修飾整個(gè)元件列表，而不修飾列表中的單個(gè)元件。此外，用語“示例性的”意在表示示例或說明。如在本文中使用的，用語“使用(use)”、“使用(using)”以及“使用的(used)”可認(rèn)為分別與用語“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”以及“利用的(utilized)”同義。

為了便于描述，諸如“在...下方(beneath)”、“在...之下(below)”、“下部(lower)”、“在...之上(above)”、“上部(upper)”等空間相對(duì)用語，在本文中可用來描述如附圖中所示的一個(gè)元件或特征相對(duì)于另一元件(多個(gè)元件)或特征(多個(gè)特征)的關(guān)系。應(yīng)理解的是，除包含圖中所描繪的定向外，空間相對(duì)用語旨在包含裝置在使用或操作中的不同的定向。例如，如果附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述成在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件將被定向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌爸稀被颉吧戏健?。因此，用語“在…之下”可包含“在...之上”和“在...之下”兩個(gè)定向。裝置可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它定向)，并且本文中所使用的空間相對(duì)描述語應(yīng)被相應(yīng)地解釋。

此外，本文中公開和/或敘述的任何數(shù)值范圍旨在包括包含在所敘述的范圍內(nèi)的相同數(shù)值精度的全部子范圍。例如，“1.0至10.0”的范圍旨在包括在所敘述的最小值1.0與所敘述的最大值10.0之間(包括所敘述的最小值1.0和所敘述的最大值10.0)的全部子范圍，即，該子范圍具有大于或等于1.0的最小值和小于或等于10.0的最大值，諸如，例如，2.4至7.6。本文中敘述的任何最大數(shù)值限制旨在包括包含在其中的全部更小的數(shù)值限制，以及本說明書中敘述的任何最小數(shù)值限制旨在包括包含在其中的全部更大的數(shù)值限制。因此，申請人保留修改本說明書(包括權(quán)利要求書)的權(quán)利以用于清楚地?cái)⑹霭诒疚闹星宄⑹龅姆秶鷥?nèi)的任何子范圍。所有這樣的范圍旨在被固有地描述在本說明書中。

在下文中，將描述根據(jù)本公開一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式的可折疊顯示裝置。

圖1是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖。圖2是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的圖1中所示的可折疊顯示裝置的立體圖。

參照圖1和圖2，根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置10包括顯示面板dp、設(shè)置在顯示面板dp上的偏振構(gòu)件pol、設(shè)置在偏振構(gòu)件pol上的窗wd、設(shè)置在顯示面板dp與偏振構(gòu)件pol之間的第一粘合構(gòu)件ad1、以及設(shè)置在偏振構(gòu)件pol與窗wd之間的第二粘合構(gòu)件ad2。顯示面板dp、第一粘合構(gòu)件ad1、偏振構(gòu)件pol、第二粘合構(gòu)件ad2、以及窗wd例如在第一方向dr1上依次層壓(例如，堆疊)。

根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置10可以以第一模式和第二模式工作(例如，可進(jìn)入彎曲狀態(tài)和展開狀態(tài))。在第一模式中(例如，在彎曲狀態(tài)中)，顯示面板dp、第一粘合構(gòu)件ad1、偏振構(gòu)件pol、第二粘合構(gòu)件ad2以及窗wd中的每個(gè)沿在第二方向dr2上延伸的彎曲軸線bx彎曲。在第二模式中(例如，在展開狀態(tài)中)，顯示面板dp、第一粘合構(gòu)件ad1、偏振構(gòu)件pol、第二粘合構(gòu)件ad2以及窗wd中的每個(gè)展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在本公開中，彎曲可表示顯示面板等通過外力彎曲為具有某種形狀或特定形狀。

在第一模式中，窗wd比顯示面板dp更靠近彎曲軸線bx。在第一模式中，窗wd位于最內(nèi)側(cè)的部分處(例如，窗wd為可折疊顯示裝置10中的最內(nèi)側(cè)的元件)。

在第一模式中，根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置10可具有在約0.5mm至約2.0mm范圍內(nèi)或在約1mm至約10mm范圍內(nèi)的曲率半徑cr。

顯示面板dp可以是柔性顯示面板。顯示面板dp可包括柔性襯底。在本公開中，柔性表示彎曲的能力并可包括從可完全折疊的結(jié)構(gòu)到可以以約若干納米量級(jí)彎曲的結(jié)構(gòu)(例如，僅可彎曲約若干納米的結(jié)構(gòu))范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)。

顯示面板dp在表面上顯示圖像。顯示面板dp包括彎曲區(qū)dbf以及非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2。顯示面板dp在彎曲區(qū)dbf處以及在非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2處無差別地生成(顯示)圖像(例如，顯示面板dp可跨越非彎曲區(qū)dnbf1、彎曲區(qū)dbf以及非彎曲區(qū)dnfb2顯示連續(xù)圖像)。彎曲區(qū)dbf連接至非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2(從非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2延伸)。在一個(gè)實(shí)施方式中，顯示面板dp可包括多個(gè)非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2。在一個(gè)實(shí)施方式中，顯示面板dp可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2。非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2可包括連接至彎曲區(qū)dbf的一端(從彎曲區(qū)dbf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)dnbf1以及連接至彎曲區(qū)dbf的另一端(從彎曲區(qū)dbf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)dnbf2。

彎曲區(qū)dbf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)dbf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2不彎曲。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖1中，第一非彎曲區(qū)dnbf1和第二非彎曲區(qū)dnbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。在另一實(shí)施方式中，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)dnbf1和第二非彎曲區(qū)dnbf2之間的距離可改變。此外，在圖1中，在顯示面板dp沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)dnbf1和第二非彎曲區(qū)dnbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。在另一實(shí)施方式中，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)dnbf1和第二非彎曲區(qū)dnbf2的表面面積可彼此不同。

圖3a是示意性地示出了根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置的立體圖。

參照圖3a，根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置10包括顯示區(qū)da和非顯示區(qū)nda。顯示區(qū)da是顯示圖像的位置。當(dāng)在可折疊顯示裝置10的厚度方向上觀察時(shí)(例如，在平面圖中)，顯示區(qū)da可具有大致矩形的形狀，但本公開的實(shí)施方式不限于此。

顯示區(qū)da包括多個(gè)像素區(qū)pa。像素區(qū)pa可排列成矩陣。像素區(qū)pa可由像素限定膜(圖3d中的pdl)限定。像素區(qū)pa中的每個(gè)可包括多個(gè)像素(圖3b中的px)。

非顯示區(qū)nda不顯示圖像。當(dāng)在厚度方向觀察可折疊顯示裝置10時(shí)(例如，在平面圖中)，非顯示區(qū)nda例如可圍繞顯示區(qū)da(例如，圍繞顯示區(qū)da的外圍)。

圖3b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的包括在可折疊顯示裝置中的像素中的一個(gè)的電路圖。圖3c是示出了根據(jù)本公開實(shí)施方式的包括在可折疊顯示裝置中的像素中的一個(gè)的平面圖。圖3d是沿圖3c中的線i-i'截取的示意性剖視圖。

在下文中，顯示面板dp被示例性地描述為有機(jī)發(fā)光顯示面板。但是，本公開的實(shí)施方式不限于此，并且顯示面板dp可以是液晶顯示面板、等離子顯示面板、微型機(jī)電系統(tǒng)顯示面板、電潤濕顯示面板等。

參照圖3b和圖3c，像素px中的每個(gè)可連接至包括柵線gl、數(shù)據(jù)線dl以及驅(qū)動(dòng)電壓線dvl的線。像素px中的每個(gè)包括連接至線的薄膜晶體管tft1和tft2、連接至薄膜晶體管tft1和tft2的有機(jī)發(fā)光元件oel、以及電容器cst。

在本公開的實(shí)施方式中，單個(gè)像素被示例性地示為連接至柵線中的一個(gè)、數(shù)據(jù)線中的一個(gè)、以及驅(qū)動(dòng)電壓線中的一個(gè)。但是，本公開的實(shí)施方式不限于此，并且多個(gè)像素px可連接至柵線中的一個(gè)、數(shù)據(jù)線中的一個(gè)、以及驅(qū)動(dòng)電壓線中的一個(gè)。此外，單個(gè)像素可連接至柵線中的一個(gè)或多個(gè)、數(shù)據(jù)線中的一個(gè)或多個(gè)、以及驅(qū)動(dòng)電壓線中的一個(gè)或多個(gè)。

柵線gl在第三方向dr3上延伸。數(shù)據(jù)線dl在與第三方向dr3相交(例如，交叉)的第二方向dr2上延伸。驅(qū)動(dòng)電壓線dvl在與數(shù)據(jù)線dl相同或基本上相同的方向(例如，第二方向dr2)上延伸。柵線gl將掃描信號(hào)傳輸(傳送)至薄膜晶體管tft1和tft2，數(shù)據(jù)線dl將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸(傳送)至薄膜晶體管tft1和tft2，以及驅(qū)動(dòng)電壓線dvl將驅(qū)動(dòng)電壓提供(傳送)至薄膜晶體管tft1和tft2。

像素px中的每個(gè)可發(fā)射具有某種顏色的光，例如，像素px中的一個(gè)可發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光。但是，像素px不限于以上所列的顏色，并且可例如發(fā)射白光、青光、品紅光、黃光等。

薄膜晶體管tft1和tft2可包括用于控制有機(jī)發(fā)光元件oel的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2以及用于開關(guān)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的開關(guān)薄膜晶體管tft1。在本公開的實(shí)施方式中，像素px中的每個(gè)被描述為包括兩個(gè)薄膜晶體管tft1和tft2。但是，本公開的實(shí)施方式不限于此，并且像素px中的每個(gè)可包括至少三個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)電容器。

開關(guān)薄膜晶體管tft1包括第一柵電極ge1、第一源電極se1以及第一漏電極de1。第一柵電極ge1連接至柵線(多個(gè)柵線)gl，以及第一源電極se1連接至數(shù)據(jù)線(多個(gè)數(shù)據(jù)線)dl。第一漏電極de1通過第六接觸開口ch6(例如，第六接觸孔)連接至第一公共電極ce1。開關(guān)薄膜晶體管tft1將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2，其中，數(shù)據(jù)信號(hào)根據(jù)施加至柵線(多個(gè)柵線)gl的掃描信號(hào)施加至數(shù)據(jù)線(多個(gè)數(shù)據(jù)線)dl。

驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2包括第二柵電極ge2、第二源電極se2以及第二漏電極de2。第二柵電極ge2連接至第一公共電極ce1。第二源電極se2連接至驅(qū)動(dòng)電壓線dvl。第二漏電極de2通過第三接觸開口ch3(例如，第三接觸孔)連接至第一電極el1。

第一電極el1連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的第二漏電極de2。公共電壓施加至第二電極el2，并且發(fā)光層eml根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的輸出信號(hào)發(fā)光以顯示圖像。下文給出第一電極el1和第二電極el2的更詳細(xì)的描述。

電容器cst連接在驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的第二柵電極ge2與第二源電極se2之間并且充電和保持輸入至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的第二柵電極ge2的數(shù)據(jù)(例如，數(shù)據(jù)信號(hào))。電容器cst可包括第一公共電極ce1和第二公共電極ce2，其中，第一公共電極ce1通過第六接觸開口ch6(例如，第六接觸孔)連接至第一漏電極de1，第二公共電極ce2連接至驅(qū)動(dòng)電壓線dvl。

參照圖3b-3d，可使用任何合適的基底bs，并且基底bs可包括例如塑料、有機(jī)聚合物等。形成基底bs的有機(jī)聚合物可包括(或可以是)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚酰亞胺、聚醚砜等?；譩s可根據(jù)機(jī)械硬度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面平滑度、處理容易度、防水性等來選擇。基底bs可以是透明的。

襯底緩沖層可設(shè)置在基底bs上。襯底緩沖層可防止雜質(zhì)擴(kuò)散到開關(guān)薄膜晶體管tft1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2。襯底緩沖層可包括氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)、氮氧化硅(sioxny)等(或可由氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)、氮氧化硅(sioxny)等形成)，但是，在其它實(shí)施方式中，可根據(jù)基底bs的材料和工藝條件而排除襯底緩沖層。

第一半導(dǎo)體圖案sm1和第二半導(dǎo)體圖案sm2可設(shè)置在基底bs上。第一半導(dǎo)體圖案sm1和第二半導(dǎo)體圖案sm2由半導(dǎo)體材料形成，并分別作為開關(guān)薄膜晶體管tft1的有源層和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的有源層工作。第一半導(dǎo)體圖案sm1和第二半導(dǎo)體圖案sm2中的每個(gè)包括源區(qū)sa、漏區(qū)dra以及布置在源區(qū)sa與漏區(qū)dra之間的溝道區(qū)ca。第一半導(dǎo)體圖案sm1和第二半導(dǎo)體圖案sm2中的每個(gè)可包括無機(jī)半導(dǎo)體和/或有機(jī)半導(dǎo)體(或可由無機(jī)半導(dǎo)體和/或有機(jī)半導(dǎo)體形成)。源區(qū)sa和漏區(qū)dra可摻雜有n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)。

柵絕緣層gi設(shè)置在第一半導(dǎo)體圖案sm1和第二半導(dǎo)體圖案sm2上。柵絕緣層gi覆蓋第一半導(dǎo)體圖案sm1和第二半導(dǎo)體圖案sm2。柵絕緣層gi可包括有機(jī)絕緣材料和/或無機(jī)絕緣材料(或可由有機(jī)絕緣材料和/或無機(jī)絕緣材料組成)。

第一柵電極ge1和第二柵電極ge2設(shè)置在柵絕緣層gi上。第一柵電極ge1和第二柵電極ge2形成為分別覆蓋與第一半導(dǎo)體圖案sm1和第二半導(dǎo)體圖案sm2對(duì)應(yīng)的區(qū)域。

絕緣層il設(shè)置在第一柵電極ge1和第二柵電極ge2上。絕緣層il覆蓋第一柵電極ge1和第二柵電極ge2。絕緣層il可包括有機(jī)絕緣材料和/或無機(jī)絕緣材料(或可由有機(jī)絕緣材料和/或無機(jī)絕緣材料組成)。

第一源電極se1和第一漏電極de1以及第二源電極se2和第二漏電極de2設(shè)置在絕緣層il上。第二漏電極de2通過形成在柵絕緣層gi和絕緣層il中的第一接觸開口ch1(例如，第一接觸孔)接觸第二半導(dǎo)體圖案sm2的漏區(qū)dra。第二源電極se2通過形成在柵絕緣層gi和絕緣層il中的第二接觸開口ch2(例如，第二接觸孔)接觸第二半導(dǎo)體圖案sm2的源區(qū)sa。第一源電極se1通過形成在柵絕緣層gi和絕緣層il中的第四接觸開口ch4(例如，第四接觸孔)接觸第一半導(dǎo)體圖案sm1的源區(qū)。第一漏電極de1通過形成在柵絕緣層gi和絕緣層il中的第五接觸開口ch5(例如，第五接觸孔)接觸第一半導(dǎo)體圖案sm1的漏區(qū)。

鈍化層pl設(shè)置在第一源電極se1和第一漏電極de1上，以及設(shè)置在第二源電極se2和第二漏電極de2上。鈍化層pl可用作保護(hù)開關(guān)薄膜晶體管tft1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的保護(hù)膜，并且也可用作使開關(guān)薄膜晶體管tft1和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的頂表面平坦化(例如，平整化)的平坦化膜。

第一電極el1設(shè)置在鈍化層pl上，第一電極el1例如可以是正電極。第一電極el1通過形成在鈍化層pl中的第三接觸開口ch3連接至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管tft2的第二漏電極de2。

將發(fā)光層eml劃分為分別與像素px對(duì)應(yīng)的像素限定膜pdl設(shè)置在鈍化層pl上。像素限定膜pdl暴露第一電極el1的頂表面并在基底bs之上突出。像素限定膜pdl可包括金屬氟化物化合物，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，像素限定膜pdl可包括金屬氟化物化合物(或可由金屬-氟化物化合物組成)，例如，氟化鋰(lif)、氟化鋇(baf2)和/或氟化銫(csf)。金屬氟化物化合物在形成為具有某一厚度時(shí)(例如，當(dāng)形成為具有足夠的厚度或預(yù)定厚度時(shí))具有絕緣性能。像素限定膜pdl的厚度例如可在約10nm至約100nm的范圍內(nèi)。下文給出像素限定膜pdl的更詳細(xì)的描述。

有機(jī)發(fā)光元件oel設(shè)置在由像素限定膜pdl圍繞的區(qū)域中(例如，設(shè)置在像素限定膜pdl中的開口中)。有機(jī)發(fā)光元件oel包括第一電極el1、有機(jī)層ol以及第二電極el2。有機(jī)層ol包括空穴傳輸區(qū)域htr、發(fā)光層eml和/或電子傳輸區(qū)域etr。

第一電極el1具有導(dǎo)電性能。第一電極el1可以是像素電極(例如，正電極)。第一電極el1可以是透射電極、半透射電極或反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌Oel1是透射電極時(shí)，第一電極el1可包括透明金屬氧化物(或可由透明金屬氧化物組成)，例如，銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、氧化鋅(zno)、銦錫鋅氧化物(itzo)等。當(dāng)?shù)谝浑姌Oel1為半透射電極或反射電極時(shí)，第一電極el1可包括鋁(al)、銅(cu)、鈦(ti)、鉬(mo)、銀(ag)、鎂(mg)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)和/或鉻(cr)。

有機(jī)層ol可布置在第一電極el1上。有機(jī)層ol包括發(fā)光層eml。有機(jī)層ol還可包括空穴傳輸區(qū)域htr和/或電子傳輸區(qū)域etr。

空穴傳輸區(qū)域htr設(shè)置在第一電極el1上。空穴傳輸區(qū)域htr可包括空穴注入層、空穴傳輸層、緩沖層和/或電子阻擋層。

空穴傳輸區(qū)域htr可以是由單一材料組成的單個(gè)層，可以是包括多種不同材料的單個(gè)層，或可具有包括多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)，其中，多個(gè)層中的每個(gè)包括不同的材料或由不同的材料組成。

例如，空穴傳輸區(qū)域htr可具有其中單個(gè)層包括彼此不同的多種材料(或由彼此不同的多種材料組成)的結(jié)構(gòu)，或可具有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，空穴注入層/空穴傳輸層、空穴注入層/空穴傳輸層/緩沖層、空穴注入層/緩沖層、空穴傳輸層/緩沖層、或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層從第一電極el1起順序?qū)訅?例如，堆疊)，但是，本公開的實(shí)施方式不限于此。

空穴傳輸區(qū)域htr可通過使用多種合適的方法來形成，諸如，真空沉積法、旋涂法、鑄制法、朗繆爾-布洛杰特(langmuir-blodgett)法、噴墨印刷法、激光印刷法、激光誘導(dǎo)熱成像(liti)法等。

當(dāng)空穴傳輸區(qū)域htr包括空穴注入層時(shí)，空穴傳輸區(qū)域htr可包括諸如酞菁銅的酞菁化合物，或可包括n,n’-二苯基-n,n’-雙-[4-(苯基-間甲苯-氨基)-苯基]-聯(lián)苯-4,4’-二胺(dntpd)、4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-mtdata)、4,4’4”-三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(tdata)、4,4’,4”-三{n,-(2-萘基)-n-苯基氨基}-三苯胺(2tnata)、聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)等，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。

當(dāng)空穴傳輸區(qū)域htr包括空穴傳輸層時(shí)，空穴傳輸區(qū)域htr可包括：基于咔唑的衍生物，諸如n-苯基咔唑或聚乙烯咔唑；基于芴的衍生物；基于三苯胺的衍生物，諸如n,n’-雙(3-甲基苯基)-n,n’-二苯基-[1,1-聯(lián)苯]-4,4’-二胺(tpd)或4,4’,4”-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)；n,n’-二(1-萘基)-n,n’-二苯基聯(lián)苯胺(npb)；4,4’-亞環(huán)己基雙[n,n-雙(4-甲基苯基)苯胺](tapc)等，但本公開不限于此。

除上述材料之外，空穴傳輸區(qū)域htr還可包括用于改善空穴傳輸區(qū)域htr的導(dǎo)電性能的電荷生成材料。電荷生成材料可均勻地或非均勻地分散在空穴傳輸區(qū)域htr中。電荷生成材料可以是例如p-摻雜物(p型摻雜物)。p-摻雜物可以是醌衍生物、金屬氧化物和/或包含氰基基團(tuán)的化合物，但是本公開不限于此。例如，p-摻雜物的非限制性示例可包括諸如四氰代二甲基苯醌(tcnq)或2,3,5,6-四氟對(duì)苯醌-四氰代二甲基苯醌(f4-tcnq)的醌衍生物、和/或諸如氧化鎢或氧化鉬的金屬氧化物，但是p-摻雜物不限于此。

發(fā)光層eml設(shè)置在空穴傳輸區(qū)域htr上。發(fā)光層可以是由單一材料組成的單個(gè)層，可以是包括彼此不同的多種材料的單個(gè)層(或由彼此不同的多種材料組成的單個(gè)層)，或可具有包括多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)，其中，多個(gè)層中的每個(gè)包括不同材料(或由不同材料組成)。

任何合適的材料可用于發(fā)光層eml，并且發(fā)光層eml可包括發(fā)射例如紅色光、綠色光或藍(lán)色光的材料(或可由發(fā)射例如紅色光、綠色光或藍(lán)色光的材料制成)。發(fā)光層eml可包括熒光材料或磷光材料。此外，發(fā)光層eml可包括主體和摻雜物。

任何合適的材料可用于母體，例如，可使用三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、4,4’-雙(n-咔唑基)-1,1’-聯(lián)苯基(cbp)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(tcta)、1,3,5-三(n-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn)、聯(lián)苯乙烯亞芳基(dsa)、4,4’-雙(9-咔唑基)-2,2’-二甲基-聯(lián)苯(cdbp)、2-甲基-9,10-雙(萘-2-基)蒽(madn)等。

當(dāng)發(fā)光層eml發(fā)射紅色光時(shí)，發(fā)光層eml可包括熒光材料，該熒光材料例如包括三(二苯甲?；淄?菲咯啉銪(pbd:eu(dbm)3(phen))和/或二萘嵌苯。當(dāng)發(fā)光層eml發(fā)射紅色光時(shí)，包含在發(fā)光層eml中的摻雜物可以是金屬絡(luò)合物或有機(jī)金屬絡(luò)合物，諸如，例如，雙(1-苯基異喹啉)乙酰丙酮銥(piqir(acac))、雙(1-苯基喹啉)乙酰丙酮銥(pqir(acac))、三(1-苯基喹啉)銥(pqir)和/或八乙基卟啉鉑(ptoep)。

當(dāng)發(fā)光層eml發(fā)射綠色光時(shí)，發(fā)光層eml可包括熒光材料，該熒光材料包括例如三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)。當(dāng)發(fā)光層eml發(fā)射綠色光時(shí)，包含在發(fā)光層eml中的摻雜物可以是金屬絡(luò)合物或有機(jī)金屬絡(luò)合物，諸如，例如，面式-三(2-苯基吡啶)銥(ir(ppy)3)。

當(dāng)發(fā)光層eml發(fā)射藍(lán)色光時(shí)，發(fā)光層eml可包括熒光材料，該熒光材料包括螺-dpvbi、螺-6p、聯(lián)苯乙烯-苯(dsb)、聯(lián)苯乙烯-亞芳基(dsa)、基于聚芴(pfo)的聚合物和/或基于聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)(ppv)的聚合物。當(dāng)發(fā)光層eml發(fā)射藍(lán)色光時(shí)，包含在發(fā)光層eml中的摻雜物可以是金屬絡(luò)合物或有機(jī)金屬絡(luò)合物，諸如，例如，(4,6-f2ppy)2irpic。下文給出發(fā)光層eml的更詳細(xì)的描述。

電子傳輸區(qū)域etr設(shè)置在發(fā)光層eml上。電子傳輸區(qū)域etr可包括空穴阻擋層、電子傳輸層和/或電子注入層，但本公開的實(shí)施方式不限于此。

當(dāng)電子傳輸區(qū)域etr包括電子傳輸層時(shí)，電子傳輸區(qū)域etr可包括三(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、1,3,5-三(1-苯基苯并咪唑-2-基)苯(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉(bphen)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-叔丁基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘乙酰胺-1-基)-3,5-聯(lián)苯-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)-1,3,4-惡二唑(tbu-pbd)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-n1,o8)-(1,1'-聯(lián)苯-4-羥基)鋁(balq)、雙(苯并喹啉-10-羥基)鈹(bebq2)、9,10-雙(萘-2-基)蒽(adn)或它們的化合物，但本公開的實(shí)施方式不限于此。電子傳輸層的厚度可處于約至約(約10nm至約100nm)的范圍內(nèi)，例如，處于約至約(約15nm至約50nm)的范圍內(nèi)。當(dāng)電子傳輸層的厚度處于上述范圍內(nèi)時(shí)，可在不大幅增加驅(qū)動(dòng)電壓的情況下獲得足夠的電子傳輸性能。

當(dāng)電子傳輸區(qū)域etr包括電子注入層時(shí)，氟化鋰(lif)、喹啉鋰(liq)、氧化鋰(li2o)、氧化鋇(bao)、氯化鈉(nacl)、氟化銫(csf)、諸如鐿(yb)的鑭系元素、諸如氯化銣(rbcl)或碘化銣(rbi)的金屬鹵化物等可包括在(或可用于)電子傳輸區(qū)域etr中，但是，電子傳輸區(qū)域etr不限于此。此外，電子注入層可包括其中電子傳輸材料與絕緣有機(jī)金屬鹽混合的材料(可由其中電子傳輸材料與絕緣有機(jī)金屬鹽混合的材料制成)。有機(jī)金屬鹽可以是具有至少約4ev能帶間隙的材料。在一個(gè)實(shí)施方式中，有機(jī)金屬鹽可包括例如金屬醋酸鹽、金屬苯甲酸鹽、金屬乙酰乙酸鹽、金屬乙酰丙酮化物和/或金屬硬脂酸鹽。電子注入層的厚度可處于約至約(約0.1nm至約10nm)的范圍內(nèi)，例如，處于約至約(約3nm至約9nm)的范圍內(nèi)。當(dāng)電子注入層的厚度在上述范圍內(nèi)時(shí)，可在不大幅增加驅(qū)動(dòng)電壓的情況下獲得足夠的電子注入性能。

如上所述，電子傳輸區(qū)域etr可包括空穴阻擋層?？昭ㄗ钃鯇涌砂ɡ?,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉(bcp)和/或4,7-聯(lián)苯-1,10-菲咯啉(bphen)，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。

第二電極el2設(shè)置在電子傳輸區(qū)域etr上。第二電極el2可以是公共電極(例如，負(fù)電極)。

第二電極el2可以是透射電極、半透射電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌Oel2為透射電極時(shí)，第二電極el2可包括鋰(li)、鈣(ca)、氟化鋰/鈣(lif/ca)、氟化鋰/鋁(lif/al)、鋁(al)、鎂(mg)、氟化鋇(baf)、鋇(ba)、銀(ag)、或它們的化合物或混合物(例如，銀(ag)和鎂(mg)的混合物)。

第二電極el2可包括輔助電極。輔助電極可包括通過沉積形成的膜，使得沉積材料位于發(fā)光層eml上(或面對(duì)發(fā)光層eml)，并且輔助電極可在膜上包括透明金屬氧化物，例如，銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、氧化鋅(zno)、銦錫鋅氧化物(itzo)、鉬(mo)、鈦(ti)等。

當(dāng)?shù)诙姌Oel2為半透射電極時(shí)，第二電極el2可包括銀(ag)、鎂(mg)、銅(cu)、鋁(al)、鉑(pt)、鈀(pd)、金(au)、鎳(ni)、釹(nd)、銥(ir)、鉻(cr)、鋰(li)、鈣(ca)、氟化鋰/鈣(lif/ca)、氟化鋰/鋁(lif/al)、鉬(mo)、鈦(ti)、或它們的化合物或混合物(例如，銀(ag)和鎂(mg)的混合物)。第二電極el2也可以是多層結(jié)構(gòu)，其中，多層結(jié)構(gòu)包括具有上述材料(多種材料)的反射層和/或半透射層，和/或包括具有銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、氧化鋅(zno)、銦錫鋅氧化物(itzo)等(或由銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)、氧化鋅(zno)、銦錫鋅氧化物(itzo)等形成)的透明導(dǎo)電層。

當(dāng)有機(jī)發(fā)光元件oel為正面發(fā)射型時(shí)，第一電極el1可以是反射電極而第二電極el2可以是透射電極或半透射電極。當(dāng)有機(jī)發(fā)光元件oel為背面發(fā)射型時(shí)，第一電極el1可以是透射電極或半透射電極而第二電極el2可以是反射電極。

在有機(jī)發(fā)光元件oel中，當(dāng)電壓被施加至第一電極el1和第二電極el2中的每個(gè)時(shí)，從第一電極el1注入的空穴通過空穴傳輸區(qū)域htr移動(dòng)至發(fā)光層eml，而從第二電極el2注入的電子通過電子傳輸區(qū)域etr移動(dòng)至發(fā)光層eml。電子和空穴在發(fā)光層eml中復(fù)合以產(chǎn)生激子，并且光隨著激子從激發(fā)態(tài)落至基態(tài)而被發(fā)射。

再次參照圖1和圖2，偏振構(gòu)件pol可以是柔性偏振構(gòu)件。偏振構(gòu)件pol包括在某一方向或特定方向上延伸的吸收軸。偏振構(gòu)件pol從入射至其上的光中吸收在平行于吸收軸延伸方向的方向上振動(dòng)的光。

偏振構(gòu)件pol包括彎曲區(qū)pbf以及非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2。彎曲區(qū)pbf連接至非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2(從非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2延伸)。在一個(gè)實(shí)施方式中，偏振構(gòu)件pol可包括多個(gè)非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2。在一個(gè)實(shí)施方式中，偏振構(gòu)件pol可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2。非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2可包括連接至彎曲區(qū)pbf的一端(從彎曲區(qū)pbf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)pnbf1以及連接至彎曲區(qū)pbf的另一端(從彎曲區(qū)pbf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)pnbf2。

彎曲區(qū)pbf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)pbf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2不彎曲(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖1中，第一非彎曲區(qū)pnbf1和第二非彎曲區(qū)pnbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)pnbf1和第二非彎曲區(qū)pnbf2之間的距離可改變。此外，在圖1中，在偏振構(gòu)件pol沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)pnbf1和第二非彎曲區(qū)pnbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)pnbf1和第二非彎曲區(qū)pnbf2的表面面積可彼此不同。

窗wd可以是柔性窗。窗wd保護(hù)顯示面板dp和/或其它部件。本技術(shù)領(lǐng)域中已知的任何合適的窗可用作窗wd。例如，可使用柔性塑料窗。但是，窗wd不限于此，并且可包括其中柔性聚合物層設(shè)置在玻璃襯底的表面上的結(jié)構(gòu)。

窗wd包括彎曲區(qū)wbf以及非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2。彎曲區(qū)wbf連接至非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2(從非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2延伸)。在一個(gè)實(shí)施方式中，窗wd可包括多個(gè)非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，窗wd可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2。非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2可包括連接至彎曲區(qū)wbf的一端(從彎曲區(qū)wbf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)wnbf1以及連接至彎曲區(qū)wbf的另一端(從彎曲區(qū)wbf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)wnbf2。

彎曲區(qū)wbf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)wbf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2不彎曲(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖1中，第一非彎曲區(qū)wnbf1和第二非彎曲區(qū)wnbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)wnbf1和第二非彎曲區(qū)wnbf2之間的距離可改變。此外，在圖1中，在窗wd沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)wnbf1和第二非彎曲區(qū)wnbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)wnbf1和第二非彎曲區(qū)wnbf2的表面面積可彼此不同。

第一粘合構(gòu)件ad1包括彎曲區(qū)abf以及非彎曲區(qū)anbf1和anbf2。彎曲區(qū)abf連接至非彎曲區(qū)anbf1和anbf2(從非彎曲區(qū)anbf1和anbf2延伸)。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一粘合構(gòu)件ad1可包括多個(gè)非彎曲區(qū)anbf1和anbf2。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，第一粘合構(gòu)件ad1可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)anbf1和anbf2。非彎曲區(qū)anbf1和anbf2可包括連接至彎曲區(qū)abf的一端(從彎曲區(qū)abf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)anbf1以及連接至彎曲區(qū)abf的另一端(從彎曲區(qū)abf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)anbf2。

彎曲區(qū)abf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)abf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)anbf1和anbf2不彎曲(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)anbf1和anbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖1中，第一非彎曲區(qū)anbf1和第二非彎曲區(qū)anbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)anbf1和第二非彎曲區(qū)anbf2之間的距離可改變。此外，在圖1中，在第一粘合構(gòu)件ad1沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)anbf1和第二非彎曲區(qū)anbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)anbf1和第二非彎曲區(qū)anbf2的表面面積可彼此不同。

第二粘合構(gòu)件ad2包括彎曲區(qū)mbf以及非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2。彎曲區(qū)mbf連接至非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2(從非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2延伸)。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二粘合構(gòu)件ad2可包括多個(gè)非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2。例如，在一個(gè)實(shí)施方式中，第二粘合構(gòu)件ad2可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2。非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2可包括連接至彎曲區(qū)mbf的一端(從彎曲區(qū)mbf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)mnbf1以及連接至彎曲區(qū)mbf的另一端(從彎曲區(qū)mbf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)mnbf2。

彎曲區(qū)mbf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)mbf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2不彎曲(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖1中，第一非彎曲區(qū)mnbf1和第二非彎曲區(qū)mnbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)mnbf1和第二非彎曲區(qū)mnbf2之間的距離可改變。此外，在圖1中，在第二粘合構(gòu)件ad2沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)mnbf1和第二非彎曲區(qū)mnbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)mnbf1和第二非彎曲區(qū)mnbf2的表面面積可彼此不同。

第一粘合構(gòu)件ad1的彎曲區(qū)abf設(shè)置在顯示面板dp的彎曲區(qū)dbf上。偏振構(gòu)件pol的彎曲區(qū)pbf設(shè)置在第一粘合構(gòu)件ad1的彎曲區(qū)abf上。第二粘合構(gòu)件ad2的彎曲區(qū)mbf設(shè)置在偏振構(gòu)件pol的彎曲區(qū)pbf上。窗wd的彎曲區(qū)wbf設(shè)置在第二粘合構(gòu)件ad2的彎曲區(qū)mbf上。

第一粘合構(gòu)件ad1的非彎曲區(qū)anbf1和anbf2設(shè)置在顯示面板dp的非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2上。偏振構(gòu)件pol的非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2設(shè)置在第一粘合構(gòu)件ad1的非彎曲區(qū)anbf1和anbf2上。第二粘合構(gòu)件ad2的非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2設(shè)置在偏振構(gòu)件pol的非彎曲區(qū)pnbf1和pnbf2上。窗wd的非彎曲區(qū)wnbf1和wnbf2設(shè)置在第二粘合構(gòu)件ad2的非彎曲區(qū)mnbf1和mnbf2上。

第一粘合構(gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2中的每個(gè)在約-25℃時(shí)具有處于約5×10⁴pa至約5×10⁵pa范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量。當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2中的每個(gè)的儲(chǔ)能模量處于上述范圍內(nèi)時(shí)，第一粘合構(gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2中的每個(gè)可展現(xiàn)足夠的粘性并可容易地被外力彎曲為第一模式。

一般地，粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量隨著溫度增加(例如，當(dāng)從較低溫度到較高溫度時(shí))而減小，并且儲(chǔ)能模量越小，對(duì)外部環(huán)境(例如，對(duì)溫度和/或濕度)的敏感度越高。在第一模式中，鄰近于彎曲軸線bx的粘合構(gòu)件受到比遠(yuǎn)離彎曲軸線bx的元件更大的應(yīng)力。例如，相比于遠(yuǎn)離彎曲軸線bx的元件，鄰近于(例如，更靠近于)彎曲軸線bx的粘合構(gòu)件受到更大的力(例如，處于更嚴(yán)峻的環(huán)境中)。此外，由于在相對(duì)高的溫度下儲(chǔ)能模量減小，所以在粘合構(gòu)件中可能產(chǎn)生微氣泡(例如，在粘合構(gòu)件中可能容易產(chǎn)生微氣泡)。微氣泡導(dǎo)致粘合構(gòu)件的剝離等。

根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置10可通過控制(或設(shè)定或選擇)第二粘合構(gòu)件ad2的高溫儲(chǔ)能模量來抑制相對(duì)高的溫度條件和/或相對(duì)高的濕度條件下的微氣泡的產(chǎn)生，其中，第二粘合構(gòu)件ad2為鄰近于(例如，最靠近于)彎曲軸線bx的粘合構(gòu)件。例如，第二粘合構(gòu)件ad2在約60℃時(shí)具有處于約4.5×10⁴pa至約6.5×10⁴pa的范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量。當(dāng)?shù)诙澈蠘?gòu)件ad2在約60℃時(shí)的儲(chǔ)能模量小于約4.5×10⁴pa時(shí)，可能沒有微氣泡抑制效果(例如，可能展現(xiàn)不出微氣泡抑制效果)。當(dāng)儲(chǔ)能模量大于約6.5×10⁴pa時(shí)，第二粘合構(gòu)件ad2的粘性可能減小，并且第二粘合構(gòu)件ad2可能不容易由于外力而彎曲以進(jìn)入第一模式。

在本說明書中，可通過在以約每分鐘3℃的速率、在約-30℃至約100℃的范圍內(nèi)增加溫度的同時(shí)使用流變計(jì)以約1hz的頻率條件在某一溫度(例如，在-20℃或60℃)讀取測量的儲(chǔ)能模量值，從而獲得或測量儲(chǔ)能模量。

第一粘合構(gòu)件ad1具有大于約40并小于約50的應(yīng)力-松弛比。應(yīng)力-松弛比由公式1限定：

【公式1】

應(yīng)力-松弛比(％)＝100×g(t2)/g(t1)

在公式1中，g(t1)為在第一粘合構(gòu)件ad1為約600μm厚的狀態(tài)下測量的初始應(yīng)力-松弛模量?？稍诩s60℃時(shí)通過使用平行板將約25％的應(yīng)變施加至第一粘合構(gòu)件ad1并保持約100秒之后將該應(yīng)力從第一粘合構(gòu)件ad1去除時(shí)使用流變計(jì)以應(yīng)力-松弛測試模式測量初始應(yīng)力-松弛模量。g(t2)為在應(yīng)變已經(jīng)被施加至(例如，維持在)第一粘合構(gòu)件ad1中約300秒之后測量的應(yīng)力-松弛模量。

應(yīng)力-松弛比表示在第一模式中由于外力而出現(xiàn)變形(例如，被彎曲以進(jìn)入第一模式)的容易程度。當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件ad1的應(yīng)力-松弛比為約50或更大時(shí)，在第一模式中并沒有相對(duì)于外力的足夠的應(yīng)力松弛，以及因此，在第一模式中(例如，在彎曲狀態(tài)中)可能出現(xiàn)中間層剝離。當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件ad1的應(yīng)力-松弛比為約40或更小時(shí)，在第一模式中存在相對(duì)于外力足夠的應(yīng)力松弛，但是由于彈性恢復(fù)率(即，在第一粘合構(gòu)件從第一模式展開為第二模式時(shí)恢復(fù)的應(yīng)變)不足，在第一粘合構(gòu)件ad1展開時(shí)可能出現(xiàn)中間層剝離。

通過將第二粘合構(gòu)件ad2的儲(chǔ)能模量調(diào)節(jié)為相對(duì)高，隨著顯示裝置的彎曲而施加至顯示裝置的剪切應(yīng)變可增加。通過將處于相對(duì)高溫度的第一粘合構(gòu)件ad1的應(yīng)力-松弛比調(diào)節(jié)為相對(duì)低，剪切應(yīng)力的增加可被抵消。因此，在根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置10中，可通過調(diào)節(jié)處于相對(duì)高溫度的第一粘合構(gòu)件ad1的應(yīng)力-松弛比和第二粘合構(gòu)件ad2的儲(chǔ)能模量來改善在相對(duì)高的溫度條件和/或相對(duì)高的濕度條件下的可折疊顯示裝置10的可靠性和耐用性。

第一粘合構(gòu)件ad1在約60℃時(shí)可具有處于約5至約8范圍內(nèi)的殘余應(yīng)變。殘余應(yīng)變可由公式2限定：

【公式2】

殘余應(yīng)變(％)＝l2/l1×100

在公式2中，l1為在第一粘合構(gòu)件ad1為約600μm厚并且在約60℃時(shí)將約2000pa的應(yīng)力(例如，最大應(yīng)變)施加于第一粘合構(gòu)件ad1約1小時(shí)的狀態(tài)下通過使用流變計(jì)測量的最大蠕變應(yīng)變。l2為未恢復(fù)的殘余恢復(fù)應(yīng)變，該未恢復(fù)的殘余恢復(fù)應(yīng)變隨在實(shí)現(xiàn)最大蠕變應(yīng)變之后從第一粘合構(gòu)件ad1去除施加的應(yīng)力時(shí)恢復(fù)的彈性恢復(fù)應(yīng)變而殘留。

殘余應(yīng)變表示彎曲區(qū)展開為第二模式的容易程度。較低的殘余應(yīng)變表示更容易恢復(fù)為第二狀態(tài)(例如，恢復(fù)至初始狀態(tài))。當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件ad1的殘余應(yīng)變處于上述范圍內(nèi)時(shí)，可減少或防止當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件ad1在相對(duì)高的溫度條件和/或相對(duì)高的濕度條件下處于彎曲狀態(tài)并保持一段時(shí)間后展開時(shí)的中間層剝離。

圖4a是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性剖視圖。圖4b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性剖視圖。圖4c是示出了當(dāng)可折疊顯示裝置的殘余應(yīng)變相對(duì)高時(shí)的局限性的示圖。

參照圖4a，因?yàn)轱@示面板dp、第一粘合構(gòu)件ad1、偏振構(gòu)件pol、第二粘合構(gòu)件ad2以及窗wd具有相同或基本上相同的長度，所以當(dāng)在剖視圖中觀察時(shí)，處于彎曲(例如，處于第一模式)狀態(tài)的可折疊顯示裝置10的每端具有傾斜的形狀(參見圖4a中的a)。

參照圖4b和圖4c，與圖4b中全部元件被示為展開為具有相同長度(圖4b中b的放大示圖)不同，當(dāng)殘余應(yīng)變相對(duì)高時(shí)以及當(dāng)彎曲區(qū)展開為第二模式時(shí)，可折疊顯示裝置10的端部中的每個(gè)具有如圖4c中所示的傾斜的形狀(參見圖4c中的c)。因此，可能出現(xiàn)中間層剝離。

第一粘合構(gòu)件ad1可以是雙面粘合劑。第一粘合構(gòu)件ad1可以是壓敏粘合劑psa。第一粘合構(gòu)件ad1可以是柔性的。

第二粘合構(gòu)件ad2可以是雙面粘合劑。第二粘合構(gòu)件ad2可以是壓敏粘合劑psa。第二粘合構(gòu)件ad2可以是柔性的。

第一粘合構(gòu)件ad1可具有處于約25μm至約100μm范圍內(nèi)的厚度。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一粘合構(gòu)件ad1可具有處于約30μm至約70μm范圍內(nèi)的厚度。當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件ad1的厚度為至少約25μm時(shí)，第一粘合構(gòu)件ad1可承受在彎曲區(qū)展開為第二模式時(shí)施加至第一粘合構(gòu)件ad1的力，并且當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件ad1的厚度為至多約100μm時(shí)，顯示裝置可不過厚。

第二粘合構(gòu)件ad2可具有在約25μm至約100μm范圍內(nèi)的厚度。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二粘合構(gòu)件ad2可具有在約30μm至約70μm范圍內(nèi)的厚度。當(dāng)?shù)诙澈蠘?gòu)件ad2的厚度小于約25μm時(shí)，第二粘合構(gòu)件ad2可容易地被拉伸以使得第二粘合構(gòu)件ad2的儲(chǔ)能模量可改變。當(dāng)?shù)诙澈蠘?gòu)件ad2的厚度超過約100μm時(shí)，在彎曲為第一模式時(shí)，施加至第二粘合構(gòu)件ad2的應(yīng)力增加，從而可能出現(xiàn)剝離。

第一粘合構(gòu)件ad1可具有至少約800gf/in(308.9n/m)的剝離強(qiáng)度。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一粘合構(gòu)件ad1可具有處于約800gf/in(308.9n/m)至約1500gf/in(579.1n/m)范圍內(nèi)的剝離強(qiáng)度。第一粘合構(gòu)件ad1可關(guān)于玻璃襯底具有至少約800gf/in的剝離強(qiáng)度。

第二粘合構(gòu)件ad2可具有至少約800gf/in的剝離強(qiáng)度。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二粘合構(gòu)件ad2可具有在約800gf/in至約1500gf/in的范圍內(nèi)的剝離強(qiáng)度。第二粘合構(gòu)件ad2可關(guān)于玻璃襯底具有至少約800gf/in的剝離強(qiáng)度。

當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2中的每個(gè)處于上述范圍內(nèi)時(shí)，第一粘合構(gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2可在相對(duì)長的時(shí)間周期內(nèi)保持粘性(例如，可具有滿意的粘性)。

粘合構(gòu)件的剝離強(qiáng)度為在將粘合構(gòu)件附接至玻璃襯底并將附接至玻璃襯底的粘合構(gòu)件在室溫下維持約20分鐘之后以約300mm/min的速率執(zhí)行180度剝離時(shí)通過使用質(zhì)構(gòu)儀測量的值。

第一粘合構(gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2中的每個(gè)可包括基礎(chǔ)聚合物，其中，該基礎(chǔ)聚合物包括基于丙烯酸的聚合物、基于硅脂的聚合物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚乙烯醚、醋酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、和/或環(huán)氧改性的聚烯烴。但是，第一粘合構(gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2不限于此。

除了包括基礎(chǔ)聚合物之外，第一粘合構(gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2還可包括添加劑，諸如交聯(lián)劑或致粘劑。添加劑可單獨(dú)使用，或可以以組合的方式使用多種添加劑。

例如，第一粘合構(gòu)件ad1可包括第一基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物、第一致粘劑以及第一交聯(lián)劑。第二粘合構(gòu)件ad2可包括第二基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物、第二致粘劑以及第二交聯(lián)劑。第一基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物和第二基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物可彼此相同或可彼此不同。第一致粘劑和第二致粘劑可彼此相同或可彼此不同。第一交聯(lián)劑和第二交聯(lián)劑可彼此相同或可彼此不同。

本技術(shù)領(lǐng)域已知的合適的交聯(lián)劑可用于第一交聯(lián)劑和第二交聯(lián)劑中的每個(gè)。第一交聯(lián)劑和第二交聯(lián)劑中的每個(gè)可以是包括由ch3-si-h表示的單元的有機(jī)聚硅氧烷。相對(duì)于總共100重量份的第一粘合構(gòu)件ad1的第一基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物和第一致粘劑，可包括約1至約5重量份的第一交聯(lián)劑。當(dāng)?shù)谝唤宦?lián)劑的含量小于約1重量份時(shí)，第一粘合構(gòu)件ad1的物理性能可能劣化并且未反應(yīng)成分的遷移可能減少。當(dāng)?shù)谝唤宦?lián)劑的含量超過約5重量份時(shí)，第一粘合構(gòu)件ad1的硬度可能增加并且其應(yīng)力松馳性能可能降低。相對(duì)于總共100重量份的第二基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物和第二致粘劑，可包括約1至約5重量份的第二交聯(lián)劑。當(dāng)?shù)诙宦?lián)劑的含量小于約1重量份時(shí)，第二粘合構(gòu)件ad2的物理性能可能劣化并且未反應(yīng)成分的遷移可能減少。當(dāng)?shù)诙宦?lián)劑的含量超過約5重量份時(shí)，第二粘合構(gòu)件ad2的硬度可能增加并且其應(yīng)力松馳性能可能降低。第一交聯(lián)劑和第二交聯(lián)劑中的每個(gè)可單獨(dú)使用或可以以組合的方式使用多種交聯(lián)劑。

本技術(shù)領(lǐng)域中已知的合適的致粘劑可用于第一致粘劑和第二致粘劑中的每個(gè)。第一致粘劑和第二致粘劑中的每個(gè)可以是在分子側(cè)鏈上具有烯基基團(tuán)、羥基基團(tuán)和/或甲基基團(tuán)的有機(jī)聚硅氧烷。在一個(gè)實(shí)施方式中，第一致粘劑和第二致粘劑中的每個(gè)的平均分子量處于約500至約1500的范圍內(nèi)。第一致粘劑和第二致粘劑中的每個(gè)可單獨(dú)使用或可以以組合的方式使用多種致粘劑。

第一粘合構(gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2可使用彼此不同的材料以分別實(shí)現(xiàn)上述范圍的儲(chǔ)能模量值，或可使用相同的材料并通過調(diào)節(jié)第一粘合構(gòu)件ad1和第二粘合構(gòu)件ad2中的每個(gè)元素或材料的重量分?jǐn)?shù)以實(shí)現(xiàn)上述范圍的儲(chǔ)能模量值。例如，可通過適當(dāng)?shù)匦薷闹抡硠┫鄬?duì)于基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物的比例來調(diào)節(jié)儲(chǔ)能模量。一般地，隨著致粘劑相對(duì)于基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物的比例的減小，儲(chǔ)能模量趨于增加。

在第一粘合構(gòu)件ad1中，可通過調(diào)節(jié)例如粘合構(gòu)件中的致粘劑相對(duì)于交聯(lián)劑的比例來實(shí)現(xiàn)上述應(yīng)力-松弛比值。

例如，第一粘合構(gòu)件ad1可包含約60wt％至約90wt％的第一基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物、約10wt％至約40wt％的第一致粘劑以及約1wt％至約5wt％的第一交聯(lián)劑。第二粘合構(gòu)件ad2可包含約60wt％至約90wt％的第二基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物、約10wt％至約40wt％的第二致粘劑以及約1wt％至約5wt％的第二交聯(lián)劑。在上述范圍內(nèi)，第一基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物：第一致粘劑：第一交聯(lián)劑的比例可不同于第二基于硅脂的基礎(chǔ)聚合物：第二致粘劑：第二交聯(lián)劑的比例。

圖5a是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖。圖5b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖。

參照圖1、圖5a和圖5b，根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置10還可包括第三粘合構(gòu)件ad3以及保護(hù)膜pf。保護(hù)膜pf和第三粘合構(gòu)件ad3在第一模式中隨著顯示面板dp、第一粘合構(gòu)件ad1、偏振構(gòu)件pol、第二粘合構(gòu)件ad2以及窗wd一起沿彎曲軸線bx彎曲，并且在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。

保護(hù)膜pf布置在顯示面板dp之下或布置在顯示面板dp下。保護(hù)膜pf保護(hù)顯示面板dp免受外部沖擊?？墒褂帽炯夹g(shù)領(lǐng)域中已知的合適的保護(hù)膜pf。例如，保護(hù)膜pf可以是聚酰亞胺膜。例如，保護(hù)膜pf可以是柔性的。

保護(hù)膜pf包括彎曲區(qū)fbf以及非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2。彎曲區(qū)fbf連接至非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2(從非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2延伸)。保護(hù)膜pf可包括多個(gè)非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2。在一個(gè)實(shí)施方式中，保護(hù)膜pf可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2。非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2可包括連接至彎曲區(qū)fbf的一端(從彎曲區(qū)fbf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)fnbf1以及連接至彎曲區(qū)fbf的另一端(從彎曲區(qū)fbf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)fnbf2。

彎曲區(qū)fbf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)fbf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2不彎曲(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖5a中，第一非彎曲區(qū)fnbf1和第二非彎曲區(qū)fnbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)fnbf1和第二非彎曲區(qū)fnbf2之間的距離可改變。此外，在圖5a中，在保護(hù)膜pf沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)fnbf1和第二非彎曲區(qū)fnbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)fnbf1和第二非彎曲區(qū)fnbf2的表面面積可彼此不同。

保護(hù)膜pf的彎曲區(qū)fbf設(shè)置在顯示面板dp的彎曲區(qū)dbf之下。保護(hù)膜pf的非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2設(shè)置在顯示面板dp的非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2之下。

第三粘合構(gòu)件ad3可布置在顯示面板dp與保護(hù)膜pf之間。第三粘合構(gòu)件ad3可以是雙面粘合劑。第三粘合構(gòu)件ad3可以是壓敏粘合劑psa。第三粘合構(gòu)件ad3可以是柔性的。

第三粘合構(gòu)件ad3包括彎曲區(qū)cbf以及非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2。彎曲區(qū)cbf連接至非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2(從非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2延伸)。第三粘合構(gòu)件ad3可包括多個(gè)非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2。在一個(gè)實(shí)施方式中，第三粘合構(gòu)件ad3可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2。非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2可包括連接至彎曲區(qū)cbf的一端(從彎曲區(qū)cbf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)cnbf1以及連接至彎曲區(qū)cbf的另一端(從彎曲區(qū)cbf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)cnbf2。

彎曲區(qū)cbf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)cbf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2不彎曲(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖5a中，第一非彎曲區(qū)cnbf1和第二非彎曲區(qū)cnbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)cnbf1和第二非彎曲區(qū)cnbf2之間的距離可改變。此外，在圖5a中，在第三粘合構(gòu)件ad3沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)cnbf1和第二非彎曲區(qū)cnbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)cnbf1和第二非彎曲區(qū)cnbf2的表面面積可彼此不同。

第三粘合構(gòu)件ad3的彎曲區(qū)cbf設(shè)置在顯示面板dp的彎曲區(qū)dbf之下并設(shè)置在保護(hù)膜pf的彎曲區(qū)fbf上。第三粘合構(gòu)件ad3的非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2設(shè)置在顯示面板dp的非彎曲區(qū)dnbf1和dnbf2之下并設(shè)置在保護(hù)膜pf的非彎曲區(qū)fnbf1和fnbf2上。

第三粘合構(gòu)件ad3的厚度t3可小于第一粘合構(gòu)件ad1的厚度t1。第三粘合構(gòu)件ad3的厚度t3可小于第二粘合構(gòu)件ad2的厚度t2。例如，第三粘合構(gòu)件ad3可具有至少約10μm并且小于約25μm的厚度，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。

在約-25℃時(shí)，第三粘合構(gòu)件ad3可具有處于約5×10⁴pa至約5×10⁵pa的范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量。當(dāng)?shù)谌澈蠘?gòu)件ad3在-25℃時(shí)的儲(chǔ)能模量處于上述范圍內(nèi)時(shí)，第三粘合構(gòu)件ad3可展現(xiàn)滿意的粘性同時(shí)容易被外力彎曲為第一模式。

圖6a是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖。圖6b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖。

參照圖1、圖6a和圖6b，根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置10還可包括觸摸感應(yīng)單元tsu(例如，觸摸感應(yīng)單元或觸摸感應(yīng)面板)。觸摸感應(yīng)單元tsu設(shè)置在偏振構(gòu)件pol與窗wd之間。觸摸感應(yīng)單元tsu可以是柔性的。

觸摸感應(yīng)單元tsu在第一模式中隨著顯示面板dp、第一粘合構(gòu)件ad1、偏振構(gòu)件pol、第二粘合構(gòu)件ad2以及窗wd一起沿彎曲軸線bx彎曲，并且觸摸感應(yīng)單元tsu在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。

觸摸感應(yīng)單元tsu包括彎曲區(qū)tbf以及非彎曲區(qū)tnbf1和tnbf2。彎曲區(qū)tbf連接至非彎曲區(qū)tnbf1和tnbf2(從非彎曲區(qū)tnbf1和tnbf2延伸)。觸摸感應(yīng)單元tsu可包括多個(gè)非彎曲區(qū)tnbf1和tnbf2。在一個(gè)實(shí)施方式中，觸摸感應(yīng)單元tsu可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)tnbf1和tnbf2。非彎曲區(qū)tnbf1和tnbf2可包括連接至彎曲區(qū)tbf的一端(從彎曲區(qū)tbf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)tnbf1以及連接至彎曲區(qū)tbf的另一端(從彎曲區(qū)cbf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)tnbf2。

彎曲區(qū)tbf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)tbf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)tnbf1和tnbf2不彎曲(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)tnbf1和tnbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖6a中，第一非彎曲區(qū)tnbf1和第二非彎曲區(qū)tnbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)tnbf1和第二非彎曲區(qū)tnbf2之間的距離可改變。此外，在圖6a中，在觸摸感應(yīng)單元tsu沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)tnbf1和第二非彎曲區(qū)tnbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)tnbf1和第二非彎曲區(qū)tnbf2的表面面積可彼此不同。

觸摸感應(yīng)單元tsu可直接接觸偏振構(gòu)件pol。例如，觸摸感應(yīng)單元tsu可設(shè)置在偏振構(gòu)件pol上而不存在介于中間的粘合構(gòu)件。在一個(gè)實(shí)施方式中，觸摸感應(yīng)單元tsu可通過使用沉積法設(shè)置在偏振構(gòu)件pol上，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。

圖7a是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于彎曲狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖。圖7b是根據(jù)本公開實(shí)施方式的處于展開狀態(tài)的可折疊顯示裝置的示意性立體圖。

參照圖1、圖7a和圖7b，在偏振構(gòu)件pol與觸摸感應(yīng)單元tsu之間還可包括第四粘合構(gòu)件ad4。

第四粘合構(gòu)件ad4在第一模式中隨著顯示面板dp、第一粘合構(gòu)件ad1、偏振構(gòu)件pol、第二粘合構(gòu)件ad2、窗wd以及觸摸感應(yīng)單元tsu一起沿彎曲軸線bx彎曲，并且第四粘合構(gòu)件ad4在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。

第四粘合構(gòu)件ad4包括彎曲區(qū)cbf以及非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2。彎曲區(qū)cbf連接至非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2(從非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2延伸)。例如，第四粘合構(gòu)件ad4可包括多個(gè)非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2。在一個(gè)實(shí)施方式中，第四粘合構(gòu)件ad4可包括兩個(gè)非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2。非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2可包括連接至彎曲區(qū)cbf的一端(從彎曲區(qū)cbf的一端延伸)的第一非彎曲區(qū)cnbf1以及連接至彎曲區(qū)cbf的另一端(從彎曲區(qū)cbf的另一端延伸)的第二非彎曲區(qū)cnbf2。

彎曲區(qū)cbf在第一模式中沿彎曲軸線bx彎曲，而彎曲區(qū)cbf在第二模式中展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2不彎曲(例如，為平坦的或基本上平坦的)。在第一模式和第二模式中的每個(gè)中，非彎曲區(qū)cnbf1和cnbf2可為平坦的或輕微彎曲的。在圖7a中，第一非彎曲區(qū)cnbf1和第二非彎曲區(qū)cnbf2之間的距離被示為相對(duì)于彎曲軸線bx不變，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)cnbf1和第二非彎曲區(qū)cnbf2之間的距離可改變。此外，在圖7a中，在第四粘合構(gòu)件ad4沿彎曲軸線bx彎曲時(shí)，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)cnbf1和第二非彎曲區(qū)cnbf2的表面面積被示為彼此相同，但是本公開的實(shí)施方式不限于此。例如，彎曲為彼此面對(duì)的第一非彎曲區(qū)cnbf1和第二非彎曲區(qū)cnbf2的表面面積可彼此不同。

第四粘合構(gòu)件ad4的厚度t4可小于第一粘合構(gòu)件ad1的厚度t1。第四粘合構(gòu)件ad4的厚度t4可小于第二粘合構(gòu)件ad2的厚度t2。例如，第四粘合構(gòu)件ad4可具有至少約10μm并小于約25μm的厚度，但是本公開不限于此。

第四粘合構(gòu)件ad4在約-25℃時(shí)可具有處于約5×10⁴pa至約5×10⁵pa的范圍內(nèi)的儲(chǔ)能模量。當(dāng)?shù)谒恼澈蠘?gòu)件ad4在-25℃時(shí)的儲(chǔ)能模量處于上述范圍內(nèi)時(shí)，第四粘合構(gòu)件ad4可以是足夠粘的，同時(shí)容易被外力彎曲為第一模式。

根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置減少了在相對(duì)高的溫度條件和/或相對(duì)高的濕度條件下的中間層剝離的出現(xiàn)。因此，根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置的耐用性和可靠性得以改善。

在下文中，通過具體示例和對(duì)比示例來更詳細(xì)地描述本公開的實(shí)施方式。下文的實(shí)施方式僅為用于幫助對(duì)本公開理解的示例，并且本公開的范圍不限于此。

【實(shí)驗(yàn)性示例1】：

在溫度為60℃以及濕度為93％并且顯示裝置處于彎曲狀態(tài)以使得顯示裝置的曲率半徑為3mm的條件下測量第二粘合構(gòu)件中的微氣泡的產(chǎn)生。表1顯示了結(jié)果。

【表1】

參照表1，在示例1中的相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下不產(chǎn)生微氣泡，其中，第二粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量在60℃時(shí)處于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍內(nèi)；但是在對(duì)比示例1至對(duì)比示例3中產(chǎn)生微氣泡，其中，第二粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量在60℃時(shí)處于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍之外(例如，低于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍)。從表1中的結(jié)果可知，根據(jù)本公開實(shí)施方式的、第二粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量在60℃時(shí)處于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa范圍內(nèi)的顯示裝置防止或減少微氣泡的產(chǎn)生。

【實(shí)驗(yàn)性示例2】：

使用壓敏粘合劑將顯示面板布置在50μm厚的聚酰亞胺膜上，以及使用第一粘合構(gòu)件將偏振構(gòu)件布置在顯示面板上，其中，第一粘合構(gòu)件為壓敏粘合劑。然后，使用壓敏粘合劑將觸摸感應(yīng)單元布置在偏振構(gòu)件上，以及使用第二粘合構(gòu)件將130μm厚的窗布置在觸摸感應(yīng)單元上，其中，第二粘合構(gòu)件為壓敏粘合劑。

改變第一粘合構(gòu)件和第二粘合構(gòu)件的條件，在溫度為60℃以及濕度為93％并且顯示裝置處于彎曲狀態(tài)以使得顯示裝置的曲率半徑為3mm的條件下測量中間層剝離的出現(xiàn)。表2顯示了結(jié)果。

【表2】

參照表2，在示例2中，在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下在彎曲狀態(tài)中在至少240小時(shí)內(nèi)沒有出現(xiàn)中間層剝離，其中，第一粘合構(gòu)件的應(yīng)力-松弛比處于大于40且小于50的范圍內(nèi)，并且第二粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量在60℃時(shí)處于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍內(nèi)。但是，在對(duì)比示例4中，當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件的應(yīng)力-松弛比不處于大于40且小于50的范圍內(nèi)并且第二粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量在60℃時(shí)不處于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍內(nèi)(例如，低于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍)時(shí)，在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下，在彎曲狀態(tài)中在24小時(shí)內(nèi)出現(xiàn)中間層剝離。從表2中的結(jié)果可知，根據(jù)本公開實(shí)施方式的、第一粘合構(gòu)件的應(yīng)力-松弛比處于大于40且小于50的范圍內(nèi)并且第二粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量在60℃時(shí)處于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍內(nèi)的顯示裝置在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下具有更好的耐用性以及改善的可靠性。

【實(shí)驗(yàn)性示例3】：

保持第二粘合構(gòu)件的條件不變并改變第一粘合構(gòu)件的條件，在溫度為60℃并且濕度為93％以及顯示裝置處于彎曲狀態(tài)以使得顯示裝置的曲率半徑為3mm的條件下測量中間層剝離的出現(xiàn)。表3顯示了結(jié)果。

【表3】

參照表3，在示例3中，在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下，在彎曲狀態(tài)中在至少240小時(shí)內(nèi)沒有出現(xiàn)中間層剝離，其中，第一粘合構(gòu)件的應(yīng)力-松弛比處于大于40且小于50的范圍內(nèi)，并且第二粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量在60℃時(shí)處于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍內(nèi)。但是，在對(duì)比示例5中，在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下，在彎曲狀態(tài)中在72小時(shí)內(nèi)出現(xiàn)中間層剝離，其中，第二粘合構(gòu)件的儲(chǔ)能模量在60℃時(shí)處于4.5×10⁴pa至6.5×10⁴pa的范圍內(nèi)，但是第一粘合構(gòu)件的應(yīng)力-松弛比不處于大于40且小于50的范圍內(nèi)。從表3的結(jié)果可知，根據(jù)本公開實(shí)施方式，當(dāng)?shù)谝徽澈蠘?gòu)件的應(yīng)力-松弛比和第二粘合構(gòu)件在60℃時(shí)的儲(chǔ)能模量處于各自的數(shù)值范圍內(nèi)時(shí)，耐用性得以改善。

【實(shí)驗(yàn)性示例4】：

減少第一粘合構(gòu)件在60℃時(shí)的殘余應(yīng)變，當(dāng)顯示裝置處于溫度為60℃并且濕度為93％以及處于彎曲狀態(tài)以使得顯示裝置的曲率半徑為3mm的條件之后(例如，在承受這樣的條件之后)被展開(例如，為平坦的或基本上平坦的)時(shí)，測量中間層剝離的出現(xiàn)。表4示出了結(jié)果。

【表4】

參照表4，在示例4中，當(dāng)顯示裝置在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下被彎曲之后被展開時(shí)沒有出現(xiàn)中間層剝離，其中，第二粘合構(gòu)件的殘余應(yīng)變(％)處于約5至約8的范圍內(nèi)；但是在對(duì)比示例6-8中，當(dāng)顯示裝置在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下被彎曲之后被展開時(shí)，出現(xiàn)中間層剝離，其中，第二粘合構(gòu)件的殘余應(yīng)變(％)不處于約5至約8的范圍內(nèi)(例如，在約5至約8的范圍內(nèi)之外)。從表4中的結(jié)果可知，根據(jù)本公開實(shí)施方式的、第二粘合構(gòu)件的殘余應(yīng)變(％)處于約5至約8的范圍內(nèi)的顯示裝置在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下具有更好的耐用性和改善的可靠性。

在根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置中，可減少在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下的剝離的出現(xiàn)。

根據(jù)本公開實(shí)施方式的可折疊顯示裝置在相對(duì)高的溫度條件/相對(duì)高的濕度條件下的耐用性可得以改善。

上文已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解，在不改變或背離由所附權(quán)利要求及其等同限定的本發(fā)明的技術(shù)精神和/或范圍的情況下，本發(fā)明也可以以其它形式實(shí)現(xiàn)。因此，應(yīng)理解，上述實(shí)施方式為示例性的而非進(jìn)行限制。