1.一種絕緣柵雙極型晶體管器件，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管器件的正面結(jié)構(gòu)包括：
N型襯底正面的多個(gè)溝槽以及填充在所述多個(gè)溝槽內(nèi)的多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)；
所述多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)上方的氧化層介質(zhì)膜層及其兩側(cè)的側(cè)墻結(jié)構(gòu)；
分別位于所述多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)中、相鄰的溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)之間的多個(gè)接觸孔；
位于所述多個(gè)接觸孔兩側(cè)、且在所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)下方的N型摻雜發(fā)射極區(qū)；
所述多個(gè)接觸孔底部的P型注入?yún)^(qū)；
填充在所述多個(gè)接觸孔中的鎢塞填充結(jié)構(gòu)；
所述氧化層介質(zhì)膜層及其兩側(cè)的側(cè)墻結(jié)構(gòu)上覆蓋的正面金屬層；
以及所述正面金屬層上方的表面鈍化層。
2.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管器件，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管器件為場截止型/穿通型/非穿通型/逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管器件。
3.一種絕緣柵雙極型晶體管器件的制造方法，其特征在于，包括：
在N型襯底上熱生長墊氧化層，作為溝槽刻蝕的掩蔽層的緩沖層；
在所述墊氧化層上沉積一層氮化硅膜層，并利用溝槽光刻板刻蝕所述氮化硅膜層，形成溝槽刻蝕的掩蔽層；
基于所述掩蔽層進(jìn)行溝槽刻蝕，形成多個(gè)溝槽；
在所述多個(gè)溝槽中生成多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)；
沉積氧化層介質(zhì)膜層，并對所述氧化層介質(zhì)膜層和所述掩蔽層進(jìn)行刻蝕；
進(jìn)行離子注入，形成PN結(jié)和N型摻雜發(fā)射極區(qū)；
在所述多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)上方的氧化層介質(zhì)膜層兩側(cè)形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)，以基于所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)自對準(zhǔn)地刻蝕形成多個(gè)接觸孔；
在所述多個(gè)接觸孔處進(jìn)行離子注入和退火激活，形成P型注入?yún)^(qū)；
在所述多個(gè)接觸孔中填充金屬鎢，形成鎢塞填充結(jié)構(gòu)；
形成正面金屬層，在金屬層上生成表面鈍化層，并刻蝕形成正面發(fā)射極封裝窗口；
進(jìn)行背面結(jié)構(gòu)的制作。
4.如權(quán)利要求3所述的絕緣柵雙極型晶體管器件的制造方法，其特征在于，在所述多個(gè)溝槽中生成多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)，包括：
在所述多個(gè)溝槽表面熱生長柵氧化介質(zhì)層；
在所述多個(gè)溝槽的柵氧化介質(zhì)層上沉積多晶硅；
對所述多晶硅進(jìn)行刻蝕，形成溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求3或4所述的絕緣柵雙極型晶體管器件的制造方法，其特征在于，對所述氧化層介質(zhì)膜層和所述掩蔽層進(jìn)行刻蝕，包括：
刻蝕去除所述掩蔽層上方的氧化層介質(zhì)膜層，保留所述多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)上方的氧化層介質(zhì)膜層；
刻蝕去除所述溝槽刻蝕的掩蔽層，在保留的所述多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)上方的氧化層介質(zhì)膜層之間形成多個(gè)離子注入窗口。
6.如權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的絕緣柵雙極型晶體管器件的制造方法，其特征在于，在所述多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)上方的氧化層介質(zhì)膜層兩側(cè)形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)，以基于所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)自對準(zhǔn)地刻蝕形成多個(gè)接觸孔，包括：
沉積一層側(cè)墻氧化層膜層；
對所述側(cè)墻氧化層膜層進(jìn)行刻蝕，保留所述多個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)上方的氧化層介質(zhì)膜層兩側(cè)的側(cè)墻氧化層，形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)；
基于相鄰兩個(gè)溝槽多晶硅柵結(jié)構(gòu)上方的氧化層介質(zhì)膜層的側(cè)墻之間形成的接觸孔窗口進(jìn)行接觸孔刻蝕，形成多個(gè)接觸孔。
7.如權(quán)利要求3-6任一項(xiàng)所述的絕緣柵雙極型晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述絕緣柵雙極型晶體管器件為場截止型/穿通型/非穿通型/逆導(dǎo)型絕緣柵雙極型晶體管器件。