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      具有連續(xù)側(cè)墻的半導(dǎo)體設(shè)置及其制造方法與流程

      文檔序號(hào):11136643閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種半導(dǎo)體設(shè)置,包括:

      襯底;

      在襯底上形成的沿第一方向延伸的多個(gè)鰭;

      在襯底上形成的沿與第一方向交叉的第二方向延伸的多個(gè)柵堆疊以及沿第二方向延伸且由電介質(zhì)構(gòu)成的偽柵,其中各柵堆疊與至少一個(gè)鰭相交;

      在柵堆疊的側(cè)壁以及偽柵的側(cè)壁上形成的側(cè)墻;以及

      設(shè)于在第二方向上對(duì)準(zhǔn)的第一柵堆疊和第二柵堆疊之間用以將第一柵堆疊和第二柵堆疊電隔離的電介質(zhì),

      其中,第一柵堆疊和第二柵堆疊的側(cè)墻一體延伸,且所述電介質(zhì)設(shè)于第一柵堆疊和第二柵堆疊的一體延伸的側(cè)墻所圍繞的空間內(nèi),

      其中,第一柵堆疊和第二柵堆疊在第二方向上的至少一部分間隔小于該半導(dǎo)體設(shè)置的制造工藝中光刻所能實(shí)現(xiàn)的線間隔。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,所述電介質(zhì)在第二方向上的尺度小于該半導(dǎo)體設(shè)置的制造工藝中光刻所能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵線寬(CD)。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,至少一些鰭的端部鄰接偽柵,且與相應(yīng)的側(cè)墻的內(nèi)壁實(shí)質(zhì)上對(duì)準(zhǔn)。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,在第二方向上對(duì)準(zhǔn)的至少一個(gè)柵堆疊和至少一個(gè)偽柵的側(cè)墻一體延伸。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,在第二方向上跨及所述多個(gè)鰭的范圍內(nèi),各側(cè)墻均連續(xù)延伸。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,第一柵堆疊與第二柵堆疊之間的電介質(zhì)與偽柵的電介質(zhì)相同。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)置,還包括:設(shè)于相鄰的側(cè)墻之間的電接觸部。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,電接觸部的側(cè)壁同與之相對(duì)的側(cè)墻的外壁實(shí)質(zhì)上共形或?qū)嵸|(zhì)上對(duì)準(zhǔn)。

      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,至少一個(gè)鰭包括:

      第一半導(dǎo)體材料的第一部分,第一部分在柵堆疊以及側(cè)墻的正下方延伸;以及

      第二半導(dǎo)體材料的第二部分,第二部分在側(cè)墻之間延伸,且與第一部分相接,

      其中,第二半導(dǎo)體材料能夠向第一半導(dǎo)體材料施加應(yīng)力。

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,第二部分的頂面高于第一部分的頂面,但是低于側(cè)墻的頂面。

      11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)置,其中,偽柵的電介質(zhì)形成U型結(jié)構(gòu)。

      12.一種制造半導(dǎo)體設(shè)置的方法,包括:

      在襯底上形成各自分別沿第一方向延伸的多個(gè)脊?fàn)钗铮?/p>

      在襯底上形成各自分別沿與第一方向交叉的第二方向連續(xù)延伸從而與所述多個(gè)脊?fàn)钗锵嘟坏亩鄺l犧牲柵線;

      在各犧牲柵線的側(cè)壁上形成繞各犧牲柵線的側(cè)墻;

      在襯底上形成第一電介質(zhì),對(duì)其進(jìn)行平坦化以露出犧牲柵線;

      去除犧牲柵線,以露出下方的脊?fàn)钗铮?/p>

      向側(cè)墻內(nèi)的空間中填充第二電介質(zhì);

      利用掩模遮蔽一部分第二電介質(zhì)并露出其余部分的第二電介質(zhì),其中,在至少一條犧牲柵線處,掩模覆蓋在第二方向上一定尺度的第二電介質(zhì);

      去除露出部分的第二電介質(zhì),以露出下方的脊?fàn)钗?;以?/p>

      在由于所述部分第二電介質(zhì)的去除而留下的空間中形成柵堆疊,

      其中,在所述至少一條犧牲柵線處,留有所述尺度的第二電介質(zhì),且在留下的第二電介質(zhì)兩側(cè)形成的柵堆疊彼此之間在第二方向上的間隔由所述尺度限定,且因此能夠小于該半導(dǎo)體設(shè)置的制造工藝中光刻所能實(shí)現(xiàn)的線間隔。

      13.一種制造半導(dǎo)體設(shè)置的方法,包括:

      在襯底上形成各自分別沿第一方向延伸的多個(gè)脊?fàn)钗铮?/p>

      在襯底上形成各自分別沿與第一方向交叉的第二方向連續(xù)延伸從而與所述多個(gè)脊?fàn)钗锵嘟坏亩鄺l犧牲柵線;

      在各犧牲柵線的側(cè)壁上形成繞各犧牲柵線的側(cè)墻;

      在襯底上形成第一電介質(zhì),對(duì)其進(jìn)行平坦化以露出犧牲柵線;

      去除犧牲柵線,以露出下方的脊?fàn)钗铮?/p>

      向側(cè)墻內(nèi)的空間中填充第二電介質(zhì);

      利用第一掩模遮蔽一部分的第二電介質(zhì)并露出第一部分的第二電介質(zhì);

      去除露出的第一部分第二電介質(zhì),以露出下方的脊?fàn)钗铮?/p>

      在由于第一部分第二電介質(zhì)的去除而留下的空間中形成第一柵堆疊;

      利用第二掩模遮蔽一部分的第二電介質(zhì)并露出第二部分的第二電介質(zhì),其中,在至少一條犧牲柵線處,第一掩模和第二掩模在第二方向上有一定尺度的套準(zhǔn)交迭;

      去除露出的第二部分第二電介質(zhì),以露出下方的脊?fàn)钗铮?/p>

      在由于第二部分第二電介質(zhì)的去除而留下的空間中形成第二柵堆疊,

      其中,在所述至少一條犧牲柵線處,留有所述尺度的第二電介質(zhì),且所述尺度能夠小于該半導(dǎo)體設(shè)置的制造工藝中光刻所能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵線寬(CD)。

      14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法,其中,在襯底上形成各自分別沿第一方向延伸的多個(gè)脊?fàn)钗锇ǎ?/p>

      在襯底上形成各自分別沿第一方向連續(xù)延伸的多個(gè)脊?fàn)钗?;以?/p>

      對(duì)一部分脊?fàn)钗镞M(jìn)行選擇性刻蝕。

      15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的的方法,其中,

      在襯底上形成各自分別沿第一方向延伸的多個(gè)脊?fàn)钗锇ㄔ谝r底上形成各自分別沿第一方向連續(xù)延伸的多個(gè)脊?fàn)钗?,以?/p>

      在去除犧牲柵線之后且在向側(cè)墻內(nèi)的空間中填充第二電介質(zhì)之前,該方法還包括:對(duì)露出的一部分脊?fàn)钗镞M(jìn)行選擇性刻蝕。

      16.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法,其中,在填充第二電介質(zhì)之后且在去除露出部分的第二電介質(zhì)之前,該方法還包括:

      選擇性刻蝕第一電介質(zhì),以露出脊?fàn)钗镌趥?cè)墻之間延伸的部分;

      至少部分地去除所露出的脊?fàn)钗镌趥?cè)墻之間延伸的部分;

      在脊?fàn)钗锏氖S嗖糠种g生長不同材料的另一脊?fàn)钗铮?/p>

      在襯底上形成第三電介質(zhì),并對(duì)其進(jìn)行平坦化,平坦化停止于側(cè)墻。

      17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,

      在襯底上的一部分區(qū)域上執(zhí)行選擇性刻蝕第一電介質(zhì)到形成第三電介質(zhì)的處理,并在襯底上的另一部分區(qū)域上另外執(zhí)行去除第一電介質(zhì)到形成第三電介質(zhì)的處理,

      其中,在這兩次處理中生長的另一脊?fàn)钗锏牟牧喜煌?/p>

      18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中,

      在襯底上的全部區(qū)域上執(zhí)行選擇性刻蝕第一電介質(zhì)到形成第三電介質(zhì)的處理,

      該方法還包括:

      在襯底的選定區(qū)域上選擇性去除第三電介質(zhì)和所述另一脊?fàn)钗铮?/p>

      在所述選定區(qū)域上脊?fàn)钗锏氖S嗖糠种g生長又一脊?fàn)钗铮?/p>

      在襯底上形成第四電介質(zhì),并對(duì)其進(jìn)行平坦化,平坦化停止于側(cè)墻。

      19.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法,其中,在形成柵堆疊之后,該方法還包括:

      選擇性刻蝕第一電介質(zhì),至少部分地露出各脊?fàn)钗镌趥?cè)墻之間延伸的部分;

      在襯底上形成導(dǎo)電層,并對(duì)其進(jìn)行平坦化,平坦化停止于側(cè)墻;以及

      在導(dǎo)電層中的預(yù)定位置處形成電隔離。

      20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中,對(duì)第一電介質(zhì)的刻蝕是各向同性刻蝕,且刻蝕的溝槽或孔洞至少部分地與部分側(cè)墻的外壁實(shí)質(zhì)上共形或?qū)嵸|(zhì)上對(duì)準(zhǔn)。

      21.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法,其中,形成柵堆疊包括:

      在同一側(cè)墻圍繞的空間內(nèi)形成不同的柵堆疊。

      22.一種電子設(shè)備,包括由如權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體設(shè)置。

      23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電子設(shè)備,該電子設(shè)備包括智能電話、計(jì)算機(jī)、平板電腦、可穿戴智能設(shè)備、移動(dòng)電源。

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