本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種顯示器背板的制作方法及具有該顯示器背板的顯示器。

背景技術(shù)：

隨著智能手機及平板電腦等移動終端的興起，250ppi(每英寸所擁有的像素數(shù)目)以上的高精細度面板要求不斷增加，使更多的面板廠投入高精細度的LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)的生產(chǎn)。

LTPS雖然具有電子遷移率高、響應(yīng)快等優(yōu)點，但由于其制程比較復(fù)雜、生產(chǎn)成本較高，且高電子遷移率也導(dǎo)致耗電量巨大，使LTPS不適合做大尺寸的顯示器，限制了其應(yīng)用。

因此，也有很多廠商投入了金屬氧化物半導(dǎo)體的研發(fā)工作，目前又以IGZO(indium gallium zinc oxide，銦鎵鋅氧化物)技術(shù)較為成熟。金屬氧化物半導(dǎo)體雖然具有耗電量低的優(yōu)勢，但由于其遷移率較低，用在外圍線路區(qū)會存在開關(guān)TFT的速度慢導(dǎo)致的驅(qū)動能力不足的問題。

因此，有必要研究一種既具有較低的耗電量，又具有較快響應(yīng)速度的顯示器。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種耗電量低且響應(yīng)速度快的顯示器背板的制作方法及具有該顯示器背板的顯示器。

本發(fā)明提供的顯示器背板的制作方法，包括如下步驟：利用金屬氧化物半導(dǎo)體工藝制作帶顯示區(qū)像素電路的第一基板；利用柔性低溫多晶硅工藝在一第二基板上制造帶柔性襯底的驅(qū)動電路，并將制造好的帶柔性襯底的驅(qū)動電路由第二基板上剝離，形成柔性電路板；將柔性電路板邦定至第一基板，使柔性電路板上的驅(qū)動電路與第一基板上的像素電路相連。進一步地，利用金屬氧化物半導(dǎo)體工藝制作帶顯示區(qū)像素電路的第一基板的步驟包括：提供第一基板；利用金屬氧化物半導(dǎo)體工藝在對應(yīng)顯示器顯示區(qū)的位置制作像素電路。

進一步地，所述金屬氧化物半導(dǎo)體工藝為銦鎵鋅氧化物工藝。

進一步地，金屬氧化物半導(dǎo)體工藝包括：在第一基板上形成柵極層；在柵極層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層；在氧化物半導(dǎo)體層上形成刻蝕阻擋層；在刻蝕阻擋層上形成源極和漏極；以及在源極和漏極上形成鈍化層。

進一步地，所述第一基板為玻璃基板。

進一步地，在利用柔性低溫多晶硅工藝在第二基板上制造帶柔性襯底的驅(qū)動電路的步驟中，第二基板上同時制造有多個帶柔性襯底的驅(qū)動電路。

進一步地，所述第二基板為玻璃基板。

進一步地，柔性低溫多晶硅工藝包括：在第二基板上形成聚酰亞胺層；在聚酰亞胺層上形成阻擋層；在阻擋層上形成多晶硅層；圖形化多晶硅層而形成有源層；在有源層上形成柵極層；在柵極層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成層間絕緣層；在層間絕緣層上形成金屬層，并圖形化金屬層而形成金屬導(dǎo)線層；在金屬導(dǎo)線層上形成鈍化層；在鈍化層上形成平坦化層；以及在平坦化層上形成陽極層。

進一步地，將柔性電路板邦定至第一基板，使柔性電路板上的驅(qū)動電路與第一基板上的像素電路相連的步驟包括：

將柔性電路板放置于第一基板的顯示區(qū)外圍；調(diào)整柔性電路板的位置，使柔性電路板的引線與像素電路的引線對準；將柔性電路板的引線邦定至像素電路的引線。

本發(fā)明提供的顯示器包括利用上述方法制造出的顯示器背板。

本發(fā)明將顯示區(qū)的像素電路和外圍的驅(qū)動電路分別制作，利用金屬氧化物半導(dǎo)體工藝制作顯示區(qū)內(nèi)的像素電路，利用柔性低溫多晶硅工藝制作顯示區(qū)外圍的驅(qū)動電路，從而使顯示區(qū)像素電路具有耗電量低的優(yōu)點，使顯示區(qū)外圍的驅(qū)動電路具有響應(yīng)速度快的優(yōu)點，而使本發(fā)明制造出的顯示器兼具響應(yīng)速度快和耗電量低的優(yōu)點；并且，本發(fā)明制造出的顯示器背板集合了低溫多晶硅及金屬氧化物半導(dǎo)體的優(yōu)點，解決了當(dāng)前無法制作大尺寸AMOLED顯示屏的問題；進一步地，顯示區(qū)的像素電路和外圍的驅(qū)動電路可分別批量生產(chǎn)，從而提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。

附圖說明

圖1所示為本發(fā)明顯示器背板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2所示為本發(fā)明顯示器背板的制作方法的流程示意圖；

其中，10-顯示器背板，11-顯示區(qū)，12-驅(qū)動電路區(qū)，13-掃描線，14-數(shù)據(jù)線，15-像素區(qū)，16-像素電路，17-顯示器驅(qū)動電路，18-柵極驅(qū)動電路。

具體實施方式

為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對本發(fā)明詳細說明如下。

本發(fā)明提供的顯示器包括圖1所示的顯示器背板10。如圖1所示，本發(fā)明的顯示器背板10包括顯示區(qū)11(Ative Area，AA區(qū))及位于顯示區(qū)11外圍的驅(qū)動電路區(qū)12。

顯示區(qū)11大體呈矩形，且顯示區(qū)11內(nèi)設(shè)有沿顯示區(qū)11橫向延伸的若干條掃描線13和沿顯示區(qū)11縱向延伸的若干條數(shù)據(jù)線14，這些掃描線13和數(shù)據(jù)線14相互交叉，劃分出若干像素區(qū)15，這些像素區(qū)15內(nèi)以一一對應(yīng)的方式設(shè)有像素，像素通過設(shè)于其下方的像素電路16驅(qū)動。為了方便顯示，圖1中僅畫出部分掃描線13、數(shù)據(jù)線14和像素區(qū)15。

驅(qū)動電路區(qū)12內(nèi)設(shè)置有驅(qū)動電路，該驅(qū)動電路包括顯示器驅(qū)動電路17和柵極驅(qū)動電路18。柵極驅(qū)動電路18設(shè)于顯示區(qū)11的左右兩側(cè)，或僅位于顯示區(qū)11的左側(cè)或右側(cè)。顯示器驅(qū)動電路17可設(shè)于顯示區(qū)11的上側(cè)或下側(cè)。在本發(fā)明中，左側(cè)、右側(cè)、上側(cè)、下側(cè)僅是針對圖1所示的方向進行描述，具體地，圖1中的左右方向與掃描線13的延伸方向一致，上下方向與數(shù)據(jù)線14的延伸方向一致。

如圖2所示，本發(fā)明的顯示器背板10的制作方法主要包括如下步驟：

步驟S1：利用金屬氧化物半導(dǎo)體(例如IGZO)工藝制作帶顯示區(qū)11像素電路16的第一基板。

具體地，該步驟可以包括：

步驟S11：提供一第一基板，該第一基板可以為玻璃基板；

步驟S12：利用金屬氧化物半導(dǎo)體(例如IGZO)工藝在對應(yīng)顯示器顯示區(qū)11的位置制作像素電路16。

在本實施例中，采用的金屬氧化物半導(dǎo)體工藝包括：

在第一基板上形成柵極層；在柵極層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層(即IGZO層)；在氧化物半導(dǎo)體層上形成刻蝕阻擋層(Etch stop layer，ESL層)；在刻蝕阻擋層上形成源極和漏極；在源極和漏極上形成鈍化層等工藝。

步驟S2：利用柔性低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)工藝在一第二基板上制造帶柔性襯底的驅(qū)動電路(包括顯示器驅(qū)動電路17和柵極驅(qū)動電路18)，并將制造好的帶柔性襯底的驅(qū)動電路由第二基板上剝離，形成柔性電路板。

在本步驟中，第二基板為玻璃基板。為了增加生產(chǎn)效率，可在第二基板上同時制造多個帶柔性襯底的驅(qū)動電路。顯示器驅(qū)動電路17和柵極驅(qū)動電路18可以在同一個柔性低溫多晶硅工藝中制作，也可以在兩個不同的柔性低溫多晶硅工藝中制作。

柔性低溫多晶硅工藝可以包括：

在第二基板上形成聚酰亞胺層；在聚酰亞胺層上形成阻擋層；在阻擋層上沉積非晶硅層并通過ELA(Excimer Laser Annealing，準分子激光退火)工藝結(jié)晶化，形成多晶硅層；圖形化多晶硅層而形成有源層；在有源層上形成柵極層；在柵極層上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成層間絕緣層；在層間絕緣層和柵極絕緣層上形成接觸孔；在層間絕緣層上形成金屬層(金屬層的一部分穿過接觸孔與有源層的源極和漏極接觸)，并圖形化金屬層而形成金屬導(dǎo)線層；在金屬導(dǎo)線層上形成鈍化層；在鈍化層上形成通孔；在鈍化層上形成平坦化層；在平坦化層上形成陽極層；進行OLED蒸鍍及封裝等工藝。

步驟S3：將柔性電路板邦定至第一基板，使柔性電路板上的驅(qū)動電路與第一基板上的像素電路相連。

具體地，該步驟包括：

將柔性電路板放置于第一基板的顯示區(qū)11外圍；

調(diào)整柔性電路板的位置，使柔性電路板的引線與像素電路的引線對準；

將柔性電路板的引線邦定至像素電路的引線。

步驟S4：得到所需的顯示器背板10。

綜上所述，本發(fā)明將顯示區(qū)的像素電路和外圍的驅(qū)動電路分別制作，利用金屬氧化物半導(dǎo)體工藝制作顯示區(qū)內(nèi)的像素電路，利用柔性低溫多晶硅工藝制作顯示區(qū)外圍的驅(qū)動電路，從而使顯示區(qū)像素電路具有耗電量低的優(yōu)點，使顯示區(qū)外圍的驅(qū)動電路具有響應(yīng)速度快的優(yōu)點，而使本發(fā)明制造出的顯示器兼具響應(yīng)速度快和耗電量低的優(yōu)點；并且，本發(fā)明制造出的顯示器背板集合了低溫多晶硅及金屬氧化物半導(dǎo)體的優(yōu)點，解決了當(dāng)前無法制作大尺寸AMOLED顯示屏的問題；進一步地，顯示區(qū)的像素電路和外圍的驅(qū)動電路可分別批量生產(chǎn)，從而提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。