本申請要求于2016年2月22日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2016-0020638號韓國專利申請的優(yōu)先權的權益，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。本公開涉及一種高電容多層陶瓷電子組件，更具體地講，涉及一種通過對多層陶瓷電子組件中的臺階部(stepportion)進行改進而具有改善的耐受電壓特性的多層陶瓷電子組件及其制造方法。
背景技術：
：多層陶瓷電子組件包括堆疊的多個介電層、以各個介電層介于其間的方式設置為彼此面對的內(nèi)電極以及電連接到內(nèi)電極的外電極。多層陶瓷電子組件由于其諸如小尺寸、高電容、易于安裝等的優(yōu)點已被廣泛地用作諸如計算機、個人數(shù)字助理(pda)、蜂窩電話等的移動通信裝置的組件。最近，根據(jù)電子產(chǎn)品的小型化和多功能化，電子組件也已趨于小型化和多功能化。因此，需要一種具有小尺寸和高電容的高電容多層陶瓷電子組件。總體地，將描述一種制造多層陶瓷電子組件的方法。制造陶瓷生片，然后在陶瓷生片上印刷導電膏，以形成內(nèi)電極膜。將幾十至幾百個其上形成有內(nèi)電極膜的陶瓷生片堆疊為彼此重疊，從而形成生陶瓷主體。隨后，在高溫高壓下壓制生陶瓷主體，以使生陶瓷主體硬化。然后，使硬化后的生陶瓷主體經(jīng)受切割工藝，然后進行塑化、燒制以及拋光。隨后，在已經(jīng)經(jīng)受上述工藝的生陶瓷主體上形成外電極，以完成多層陶瓷電容器。最近，隨著堆疊的陶瓷生片的數(shù)量增加，由于在陶瓷生片的堆疊工藝和壓制工藝中出現(xiàn)的問題而導致產(chǎn)品可靠性降低。也就是說，每個陶瓷生片包括內(nèi)電極形成部和與內(nèi)電極未形成部相對應的邊緣部。在堆疊陶瓷生片、然后通過對其施加預定壓力來進行壓制的情況下，內(nèi)電極形成部與邊緣部(即，內(nèi)電極未形成部)之間的臺階部被強化，而導致耐受電壓特性的劣化。由于內(nèi)電極形成部中的內(nèi)電極和介電層的密度與對應于內(nèi)電極未形成部的邊緣部的密度之間的差異而產(chǎn)生臺階部。為了減少由于臺階部導致出現(xiàn)的問題，已提出一種通過負印刷工藝將單獨的陶瓷材料增設到陶瓷主體的邊緣部的方法。然而，在這種情況下，在邊緣部(即，內(nèi)電極未形成部)上印刷單獨的陶瓷漿料的工藝是非常困難的。此外，通過利用負印刷工藝將單獨的陶瓷材料增設到邊緣部的方法的效率取決于高精度地提供合適量的陶瓷材料并高精度地放置所要增設的陶瓷材料。然而，在通常的制造工藝中，精度不高，使得由于在堆疊后的陶瓷生片之間的對齊缺陷而導致臺階部改善效果不大。技術實現(xiàn)要素：本公開的一方面可提供一種能夠通過緩解多層陶瓷電子組件中臺階部的形成而具有改善的耐受電壓特性的高電容多層陶瓷電子組件。還提供一種制造所述高電容多層陶瓷電子組件的方法。根據(jù)本公開的一方面，一種多層陶瓷電子組件可包括陶瓷主體、第一外電極和第二外電極。所述陶瓷主體包括有源區(qū)和保護層，所述有源區(qū)包括多個介電層以及交替地設置在所述多個介電層的表面上的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，以用于形成電容，所述保護層設置在所述有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個表面上。所述第一外電極和第二外電極分別電連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極，并且形成在所述陶瓷主體的兩個端面上。所述陶瓷主體包括分別從所述第二外電極和第一外電極延伸到所述有源區(qū)的長度方向邊緣部中以分別面對所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的多個第一虛設電極和多個第二虛設電極。臺階部吸收層設置在所述有源區(qū)的寬度方向邊緣部中。根據(jù)本公開的另一方面，一種多層陶瓷電子組件可包括陶瓷主體、第一外電極和第二外電極。所述陶瓷主體包括有源區(qū)和保護層，所述有源區(qū)包括多個介電層以及交替地設置在所述多個介電層的表面上的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，以用于形成電容，所述保護層設置在所述有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個表面上。所述第一外電極和第二外電極分別電連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極，并且形成在所述陶瓷主體的兩個端面上。所述陶瓷主體包括分別從所述第二外電極和所述第一外電極延伸到所述有源區(qū)的長度方向邊緣部中以分別面對所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的多個第一虛設電極和多個第二虛設電極。此外，一個或更多個間隙部設置在所述有源區(qū)的寬度方向邊緣部中，與間隙部相鄰的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的端部在所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的堆疊方向上沿遠離所述間隙部的方向彎曲。根據(jù)本公開的另一方面，一種制造多層陶瓷電子組件的方法可包括：制備陶瓷生片，然后利用導電金屬膏在陶瓷生片上形成內(nèi)電極圖案。在陶瓷生片的寬度方向邊緣部中形成用于形成臺階部吸收層的陶瓷構件，然后在內(nèi)電極圖案之間形成虛設圖案。對陶瓷生片進行堆疊并沿著所述虛設圖案的中央部分進行切割，以形成包括有源區(qū)和保護層的陶瓷主體，所述有源區(qū)包括多個介電層以及交替地設置在多個介電層的表面上的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，以用于形成電容，所述保護層設置在所述有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個表面上。形成分別電連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的第一外電極和第二外電極。所述陶瓷主體還形成為包括：多個第一虛設電極和多個第二虛設電極，分別從所述第二外電極和所述第一外電極延伸到所述有源區(qū)的長度方向邊緣部中，以分別面對所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極；臺階部吸收層，設置在所述有源區(qū)的寬度方向邊緣部中。根據(jù)本公開的再一方面，一種多層陶瓷電子組件包括陶瓷主體、第一外電極和第二外電極。所述陶瓷主體包括有源區(qū)和保護層，所述有源區(qū)包括多個介電層以及交替地設置在所述多個介電層的表面上的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，以用于形成電容，所述保護層設置在所述有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個表面上。所述第一外電極和第二外電極分別電連接到所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極，并且形成在所述陶瓷主體的各個端面上。所述陶瓷主體包括分別從所述第二外電極和所述第一外電極延伸到所述有源區(qū)的長度方向邊緣部中以分別面對所述第一內(nèi)電極和所述第二內(nèi)電極的多個第一虛設電極和多個第二虛設電極。間隙部設置在所述有源區(qū)的寬度方向邊緣部中，并且在所述第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的堆疊方向上，在所述陶瓷主體中，與所述間隙部相鄰且設置在所述間隙部的相對側上的兩個內(nèi)電極之間的距離大于兩個其他相鄰的內(nèi)電極之間的距離。根據(jù)本公開的再一方面，一種多層陶瓷電子組件包括：陶瓷主體，所述陶瓷主體包括有源區(qū)，所述有源區(qū)包括多個介電層以及交替地設置在所述多個介電層的表面上的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，以用于形成電容。由絕緣材料形成的間隙部設置在所述多個介電層的第一介電層的邊緣部與所述多個介電層的第二介電層的邊緣部之間。附圖說明通過下面結合附圖進行的詳細描述，將更加清楚地理解本公開的以上和其它方面、特征和優(yōu)點，在附圖中：圖1是示意性地示出根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電子組件的透視圖；圖2是沿圖1的a-a′線截取的根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電子組件的剖視圖；圖3是圖2的p區(qū)域的放大圖；圖4是沿圖1的b-b′線截取的根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電子組件的剖視圖；圖5是沿圖1的c-c′線截取的根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電子組件的剖視圖；圖6是示出制造圖1中所示的多層陶瓷電子組件的一種說明性工藝的示意性平面圖；以及圖7是示出圖1中所示的多層陶瓷電子組件的一部分的示意性分解透視圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖對根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電子組件(特別是多層陶瓷電容器(mlcc))進行描述。然而，多層陶瓷電子組件不限于是mlcc，其他類型的電子組件也可落入本公開的范圍內(nèi)。圖1是示意性地示出根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電容器的透視圖。圖2是沿圖1的a-a′線截取的剖視圖。圖3是圖2的p區(qū)域的放大圖。參照圖1和圖2，根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電容器100可包括其中交替地堆疊有介電層111、第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的陶瓷主體110。第一外電極131和第二外電極132分別電連接到第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122，并且形成在陶瓷主體110的兩個端面上。根據(jù)示例性實施例，多層陶瓷電容器的“長度方向”指的是圖1的“l(fā)”方向，多層陶瓷電容器的“寬度方向”指的是圖1的“w”方向，多層陶瓷電容器的“厚度方向”指的是圖1的“t”方向?！昂穸确较颉敝傅氖嵌询B介電層的方向，即，介電層的“堆疊方向”。陶瓷主體110的形狀沒有具體地限制，可大體上呈六面體形狀。此外，多層陶瓷電容器的尺寸沒有具體地限制。例如，多層陶瓷電容器可以是具有0.6mm×0.3mm的尺寸和1.0μf或更大的電容的高堆疊高電容多層陶瓷電容器。根據(jù)示例性實施例，形成介電層111的材料可以是鈦酸鋇(batio3)粉末，但是不限于此。因此，可將陶瓷添加劑、有機溶劑、塑化劑、粘合劑、分散劑等添加到介電層111。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可利用由從銅(cu)、鎳(ni)、銀(ag)和銀-鈀(ag-pd)組成的組中選擇的一種或更多種形成的導電膏而形成。第一外電極131和第二外電極132可覆蓋陶瓷主體110的兩個端面，并且可分別電連接到分別暴露到陶瓷主體110的各個端面的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122。第一外電極131和第二外電極132可通過將導電膏部涂敷到陶瓷主體110的兩個端面而形成。這里，導電膏可包含金屬成分(諸如銅(cu))、玻璃、有機材料等作為主要成分。根據(jù)示例性實施例，陶瓷主體110可包括有源區(qū)la，所述有源區(qū)la包括多個介電層111和交替地設置在多個介電層111中的每個的一個表面上的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122，以用于形成電容。保護層lc設置在有源區(qū)la的上表面和下表面中的至少一個表面上，并且包括一個或更多個介電層111。陶瓷主體110可通過沿厚度方向堆疊多個介電層111而形成。更詳細地說，陶瓷主體110可包括與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122交替地堆疊且設置在有源區(qū)la中的介電層111，以用于形成多層陶瓷電容器的電容。如圖2中所示，另外的介電層設置在被設置在有源區(qū)la的上表面和下表面中的至少一個表面上的保護層lc中。設置在有源區(qū)la中的任何一個或更多個介電層111的厚度可根據(jù)多層陶瓷電容器的電容設計而任意改變。在示例性實施例中，被燒結后的一個介電層的厚度可以是1.0μm或更小。多個第一內(nèi)電極121和多個第二內(nèi)電極122可設置在陶瓷主體110的有源區(qū)la中。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可形成并堆疊在形成介電層111的陶瓷生片上，并且可通過燒結而以各個介電層111介于其間的方式形成在陶瓷主體110中。具有不同極性的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可成對地形成，并且可按照使設置在有源區(qū)la中的介電層111介于其間的方式設置為沿堆疊方向彼此面對。第一內(nèi)電極121的末端和第二內(nèi)電極122的末端可暴露到陶瓷主體110的在長度方向上的各個外表面。在本公開中，介電層的其上未形成內(nèi)電極的區(qū)域將被稱為邊緣部。如圖2中所示，沿多層陶瓷電容器的寬度方向(w方向)形成的邊緣部可被稱為寬度方向邊緣部mw，圖4中所示的沿多層陶瓷電容器的長度方向(l方向)形成的邊緣部可被稱為長度方向邊緣部ml。也就是說，一個介電層111可在長度方向(l方向)上具有其中未形成第一內(nèi)電極121或第二內(nèi)電極122的長度方向邊緣部ml，并且在寬度方向(w方向)上具有其中未形成第一內(nèi)電極121或第二內(nèi)電極122的寬度方向邊緣部mw。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的厚度可根據(jù)用途等適當?shù)卮_定，并且可以是例如1.0μm或更小。根據(jù)示例性實施例，構成陶瓷主體110的介電層111可包含現(xiàn)有技術中常用的陶瓷粉末顆粒。介電層111可包含例如batio3基陶瓷粉末顆粒，但是不限于此。batio3基陶瓷粉末的示例可包括將ca、zr等部分地固溶到batio3中的(ba1-xcax)tio3、ba(ti1-ycay)o3、(ba1-xcax)(ti1-yzry)o3或ba(ti1-yzry)o3等，但是不限于此。陶瓷粉末的平均粒徑可以是例如0.8μm或更小，優(yōu)選為0.05μm至0.5μm，但是不限于此。此外，介電層111可包含與陶瓷粉末顆粒一起的過渡金屬氧化物或碳化物、稀土元素以及鎂(mg)、鋁(al)等。根據(jù)示例性實施例，臺階部吸收層112可設置在有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw中。在有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw中設置臺階部吸收層112的方法沒有具體地限制，并且可通過在制造工藝過程中將導電金屬膏涂敷到陶瓷生片上、然后將用于吸收臺階部的陶瓷材料涂敷到沿寬度方向的邊緣部(未涂敷導電金屬膏的區(qū)域)上來執(zhí)行。可選地，在有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw中設置臺階部吸收層112的方法可通過將其上設置有臺階部吸收層112的一個或更多個單獨的介電層插入到有源區(qū)la的寬度方向邊緣部中來執(zhí)行。在這種情況下，在有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw中設置臺階部吸收層112的方法可通過以下步驟執(zhí)行：將涂敷有在被燒結后構成第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的導電金屬膏部的多個第一陶瓷生片進行堆疊，然后在第一陶瓷生片上堆疊第二陶瓷生片，第二陶瓷生片包括通過在第二陶瓷生片的兩個端部上形成陶瓷構件而形成的臺階部吸收層。最近，隨著堆疊的陶瓷生片的數(shù)量增加，由于與陶瓷生片的堆疊工藝和壓制工藝有關的問題而導致產(chǎn)品可靠性降低。也就是說，陶瓷生片分別包括內(nèi)電極形成部和與內(nèi)電極未形成部對應的邊緣部。在陶瓷生片被堆疊、然后通過對其施加預定量的壓力來進行壓制的情況下，在內(nèi)電極形成部與邊緣部(即，內(nèi)電極未形成部)之間的臺階部加劇，結果導致耐受電壓特性的劣化。然而，根據(jù)示例性實施例，在有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw中設置臺階部吸收層112，以改善臺階部問題，從而可實現(xiàn)具有改善的耐受電壓特性的高電容多層陶瓷電子組件。具體來說，其上設置有臺階部吸收層112的一個或更多個單獨的介電層被插入到有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw中，以改善臺階部問題，從而可實現(xiàn)具有改善的耐受電壓特性的高電容多層陶瓷電子組件。也就是說，有源區(qū)la(用于形成電容)可具有如下結構：將在寬度方向邊緣部mw(為內(nèi)電極未形成部)中的設置有臺階部吸收層112的一個或更多個單獨的介電層111(例如，111b)與第一內(nèi)電極121以及第二內(nèi)電極122交替地堆疊并設置的多個介電層111(例如，111a)分開地設置。參照圖2，臺階部吸收層112可沿陶瓷主體的寬度方向設置在與有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw相對應的區(qū)域中。根據(jù)示例性實施例，臺階部吸收層112的厚度tb可以是介電層111的厚度td的10倍至20倍。臺階部吸收層112的厚度tb可形成為介電層111的厚度td的10倍至20倍，從而可抵消通過堆疊內(nèi)電極而產(chǎn)生的臺階部并可改善耐受電壓特性。例如，在介電層111的厚度td為0.4μm的情況下，臺階部吸收層112的厚度tb可以是4μm至8μm。根據(jù)示例性實施例，在第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的堆疊方向上，第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122中的與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極的端部可沿遠離與所述端部相鄰的臺階部吸收層112的方向彎曲。如圖2和圖3中所示，與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極的端部遠離與所述端部相鄰的臺階部吸收層112的方向指的是內(nèi)電極121和122和/或介電層111的堆疊方向，即，陶瓷主體的厚度方向，或者遠離臺階部吸收層112的方向。也就是說，其厚度為介電層111的厚度的10倍至20倍的臺階部吸收層112可設置在陶瓷主體110的寬度方向邊緣部mw中，使得與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122的端部可由于存在臺階部吸收層112而導致在壓制工藝中彎曲。由于存在臺階部吸收層112，內(nèi)電極121和122的端部可沿遠離其相鄰的臺階部吸收層112的方向彎曲。與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122的端部彎曲的角度θ相對于介電層111的堆疊表面(或主表面)可以是3度至15度，例如，可以是大于3度小于15度。與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122中的全部內(nèi)電極121和122的端部可相對于介電層111的堆疊表面以3度至15度彎曲，但是不限于此。也就是說，與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122中的一些(例如，一些而不是全部)內(nèi)電極的端部可相對于介電層111的堆疊表面以3度至15度彎曲。與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122的端部相對于介電層111的堆疊表面以3度至15度彎曲，從而可實現(xiàn)具有優(yōu)良耐受電壓特性的高電容多層陶瓷電容器。在與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122的端部相對于介電層111的堆疊表面彎曲的角度小于3度的情況下，電容減小，從而不能提供高電容多層陶瓷電容器。同時，在與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122的端部相對于介電層111的堆疊表面彎曲的角度超過15度的情況下，耐受電壓特性可能劣化。根據(jù)示例性實施例，在陶瓷主體110中，彼此相鄰且與臺階部吸收層112相鄰地設置并設置在臺階部吸收層112的相對側的兩個內(nèi)電極121和122之間的距離可大于兩個其他相鄰的內(nèi)電極之間的距離。在示例性實施例中，在通過將其上設置有臺階部吸收層112的一個或更多個單獨的介電層設置到有源區(qū)la的寬度方向邊緣部中來形成臺階部吸收層112的情況下，其上設置有臺階部吸收層112的單獨的介電層111可設置在包括其上設置有兩個或更多個內(nèi)電極121和122的介電層的相鄰單元之間。因此，在與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122之間，可設置其上設置內(nèi)電極的介電層和其上設置臺階部吸收層的單獨的介電層，而在其他兩個內(nèi)電極之間，可僅設置其上設置內(nèi)電極的介電層。因此，與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極121和122之間的距離可大于其他兩個內(nèi)電極之間的距離。圖4是沿圖1的b-b′線截取的根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電子組件的剖視圖。圖5是沿圖1的c-c′線截取的根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電子組件的剖視圖。參照圖4和圖5，陶瓷主體110可包括分別從第二外電極132和第一外電極131延伸到有源區(qū)la的長度方向邊緣部ml中以分別面對第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的多個第一虛設電極123和多個第二虛設電極124。陶瓷主體110還包括設置在有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw中的臺階部吸收層112。多個第一虛設電極123和多個第二虛設電極124可具有與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的高度相同或相似的高度。此外，由于多個第一虛設電極123和多個第二虛設電極124分別被設置為與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122分開，因此多個第一虛設電極123和多個第二虛設電極124可分別與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122電絕緣。根據(jù)示例性實施例，陶瓷主體110可包括分別從第二外電極132和第一外電極131延伸到有源區(qū)la的長度方向邊緣部ml中以分別面對第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的多個第一虛設電極123和多個第二虛設電極124。通過設置虛設電極，可避免與由內(nèi)電極產(chǎn)生的臺階部的存在有關的問題。第一虛設電極123和第二虛設電極124可放置在有源區(qū)la中，以分別與第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122共面。此外，第一虛設電極123和第二虛設電極124可通過利用與形成第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的方法相同的方法在陶瓷生片上將包含導電金屬的導電膏印刷為預定厚度來形成。這里，導電金屬可以是鎳(ni)、銅(cu)、鈀(pd)或它們的合金。然而，導電金屬不限于此。第一虛設電極123和第二虛設電極124可通過相對的表面交替地暴露到第二內(nèi)電極122和第一內(nèi)電極121暴露的表面，以分別連接到第二外電極132和第一外電極131。此外，在一些示例中，第一虛設電極123和第二虛設電極124可均以相同的長度a形成?？蛇x地，在其他示例中，第一虛設電極123和第二虛設電極124中的一些的長度可形成為與其他第一虛設電極123和第二虛設電極124的長度不同。第一虛設電極123和第二虛設電極124的目的可以是用于解決與多層陶瓷電子組件100在長度方向上存在臺階部有關的問題，以抑制產(chǎn)生分層。當?shù)谝惶撛O電極123或第二虛設電極124的長度是a且有源區(qū)的長度方向邊緣部ml的距離是b時，可滿足0.2≤a/b≤0.8。詳細地說，b可以對應于第二外電極與第一內(nèi)電極之間的在長度方向上的長度，或者對應于第一外電極與第二內(nèi)電極之間的在長度方向上的長度。第一虛設電極123或第二虛設電極124的長度a與有源區(qū)的長度方向邊緣部ml的距離b的比(a/b)被調(diào)節(jié)為在式：0.2≤a/b≤0.8的范圍內(nèi)，以解決臺階部問題，從而可實現(xiàn)具有優(yōu)異可靠性的多層陶瓷電子組件。當a/b的值小于0.2時，臺階部的減小不充分，使得抑制產(chǎn)生分層的效果劣化，從而可能在多層陶瓷電子組件中產(chǎn)生分層。當a/b的值超過0.8時，在有源區(qū)的長度方向邊緣部ml中迅速產(chǎn)生內(nèi)電極未形成部的臺階部，使得多層陶瓷電子組件的可靠性可能降低。根據(jù)另一示例性實施例的多層陶瓷電子組件可包括陶瓷主體110，所述陶瓷主體110包括有源區(qū)la，所述有源區(qū)la具有多個介電層111以及交替地設置在多個介電層111中的每個的一個表面上的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122以用于形成電容。保護層lc設置在有源區(qū)la的上表面和下表面中的至少一個表面上。第一外電極131和第二外電極132分別電連接到第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122，并且形成在陶瓷主體110的兩個端面上。陶瓷主體110包括分別從第二外電極132和第一外電極131延伸到有源區(qū)la的長度方向邊緣部中以分別面對第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的多個第一虛設電極123和多個第二虛設電極124。一個或更多個間隙部112(也稱為臺階部吸收層112)設置在有源區(qū)la的寬度方向邊緣部mw中，與間隙部112相鄰的第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122在內(nèi)電極的堆疊方向上沿遠離間隙部112的方向彎曲。在陶瓷生片的與陶瓷主體的寬度方向邊緣部mw相對應的兩個端部上形成陶瓷構件的情況下，間隙部112(也稱為臺階部吸收層112)指的是形成在陶瓷主體的寬度方向邊緣部中的部分。在多個陶瓷生片的堆疊、壓制和燒結后，間隙部112由臺階部吸收層形成。此外，由于臺階部吸收層112設置在陶瓷主體110的寬度方向邊緣部mw中，因此與臺階部吸收層112相鄰的兩個內(nèi)電極圖案121和122的端部可彎曲。因此，在陶瓷主體被燒結后，間隙部112可設置在兩個內(nèi)電極的彎曲端部附近且設置在陶瓷主體110的寬度方向邊緣部mw中。此外，在陶瓷主體被燒結后，在陶瓷主體中，彼此相鄰且與間隙部112鄰近并設置在間隙部112的相對側上的兩個內(nèi)電極121和122之間的距離可大于兩個其他相鄰的內(nèi)電極之間的距離。此外，由于間隙部112在陶瓷主體被燒結后設置在兩個內(nèi)電極的彎曲端部附近且設置在陶瓷主體110的寬度方向邊緣部mw中，因此與間隙部112相鄰且設置在間隙部112的相對側上的兩個內(nèi)電極121和122的端部之間的距離可大于其他兩個內(nèi)電極的端部之間的距離。與間隙部112相鄰(且設置在間隙部112的相對側上)的兩個內(nèi)電極121和122之間的距離差在內(nèi)電極的端部可大于在內(nèi)電極的中央部分。原因是，間隙部112在陶瓷主體被燒結后設置在兩個內(nèi)電極121和122的彎曲端部附近且設置在陶瓷主體110的寬度方向邊緣部mw中。由于其他特征與上面所述的根據(jù)示例性實施例的多層陶瓷電子組件的特征相同，因此將省略對其的描述。圖6是示出制造圖1中所示的多層陶瓷電子組件的一種說明性工藝的示意性平面圖。圖7是示出圖1中所示的多層陶瓷電子組件的一部分的示意性分解透視圖。參照圖6和圖7，根據(jù)另一示例性實施例的制造多層陶瓷電容器的方法可包括：制備陶瓷生片；利用導電金屬膏在陶瓷生片上形成內(nèi)電極圖案；在陶瓷生片的寬度方向邊緣部mw中形成陶瓷構件，以形成臺階部吸收層；在內(nèi)電極圖案之間形成虛設圖案；堆疊陶瓷生片并在虛設圖案的中央部分切割堆疊件，以形成包括有源區(qū)的陶瓷主體，所述有源區(qū)包括多個介電層以及交替地設置在多個介電層的表面上的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極以用于形成電容。可以在有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個表面上設置保護層，并且可以將第一外電極和第二外電極形成為分別電連接到第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極。此外，在通過上面所述的制造多層陶瓷電容器的方法制造的多層陶瓷電子組件中，陶瓷主體可包括分別從第二外電極和第一外電極延伸到有源區(qū)的長度邊緣部中以分別面對第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的多個第一虛設電極和多個第二虛設電極。臺階部吸收層可設置在有源區(qū)的寬度方向邊緣部mw中。在根據(jù)另一實施例的制造多層陶瓷電容器的方法中，可首先制備陶瓷生片。每個陶瓷生片可以與通常的多層陶瓷電容器中使用的陶瓷生片相同，并且可通過利用將陶瓷粉末顆粒、粘合劑和溶劑彼此混合制備漿料、然后通過刮刀法將所述漿料印刷成具有幾μm的厚度的片狀來制造。所述漿料可以是用于形成陶瓷主體的有源區(qū)的介電層和構成保護層的介電層中的一些的陶瓷生片用的漿料。同時，可選地，可另外地制備與上面所述的陶瓷生片相同且包括形成在其兩個端部上的陶瓷構件112以在其上形成臺階部吸收層的其他陶瓷生片。與陶瓷生片類似，陶瓷構件112可具有陶瓷粉末顆粒、粘合劑和溶劑彼此混合的漿料形式，但可在粘合劑和溶劑的含量方面與形成陶瓷生片的漿料不同。接著，可將導電金屬膏涂敷到陶瓷生片上，以形成內(nèi)電極圖案。內(nèi)電極圖案可通過絲網(wǎng)印刷法或凹版印刷法形成。接著，可在陶瓷生片的寬度方向邊緣部mw中形成陶瓷構件，以形成臺階部吸收層112。在陶瓷生片的寬度方向邊緣部mw中形成陶瓷構件的方法沒有具體地限制，可以是例如印刷法或沖壓法。此外，可在內(nèi)電極圖案121和122之間形成虛設圖案120。虛設圖案120可在多層陶瓷電子組件被制造后成為第一虛設電極123和第二虛設電極124。接著，可對陶瓷生片進行堆疊、沿著虛設圖案120的中央部分進行切割并進行燒結，以形成包括具有多個介電層和交替地設置在多個介電層的表面上的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極以用于形成電容的有源區(qū)的陶瓷主體。可在有源區(qū)的上表面和下表面中的至少一個表面上設置保護層。接著，可形成覆蓋陶瓷主體的兩個端面且分別電連接到暴露到陶瓷主體的端面的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的第一外電極和第二外電極。然后，對外電極的表面執(zhí)行利用鎳、錫等的鍍覆工藝。下面的表1是示出根據(jù)第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極(例如，121和122)的端部沿第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的堆疊方向彎曲的角度的多層陶瓷電容器的電容和耐受電壓特征的比較表格。【表1】樣品編號彎曲角度(度)電容耐受電壓特性1*1×◎2*2×◎3*3×◎44○◎56○◎67○○78○○89◎○910◎○1011◎○1113◎○1214◎○13*15◎×14*18◎×*：比較示例在表1中，表明了在比目標電容超出10％或更大的情況下電容非常好(◎)，在比目標電容超出0.0％至10％(不包括10％)的情況下電容良好(○)，而在小于目標電容的情況下電容差(×)。在表1中，表明了在比目標耐受電壓超出10％或更大的情況下耐受電壓特性非常好(◎)，在比目標耐受電壓超出0.0％至10％(不包括10％)的情況下耐受電壓特性良好(○)，而在小于目標耐受電壓的情況下耐受電壓特性差(×)。參照表1，可以理解的是，在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的端部彎曲的角度θ在3度至15度(例如，大約3度小于15度)的范圍內(nèi)的情況下，電容高，耐受電壓特性優(yōu)良，并且改善了可靠性。另一方面，在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的端部彎曲的角度θ小于等于3度的樣品1至3的情況下，存在電容減小的問題。此外，在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的端部彎曲的角度θ大于等于15度的樣品13和14的情況下，存在耐受電壓特性劣化的問題。如上面所闡述的，根據(jù)示例性實施例，在用于形成電容的有源區(qū)的寬度方向邊緣部mw中設置臺階部吸收層122，并且在有源區(qū)的長度方向邊緣部中設置多個第一虛設電極和多個第二虛設電極。以這種方式，緩解了臺階部問題，并且可實現(xiàn)具有改善的耐受電壓特性的高電容多層陶瓷電子組件。雖然上面已經(jīng)示出并描述了示例性實施例，但對本領域的技術人員將顯而易見的是，在不脫離由權利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以做出各種修改和變型。當前第1頁12