本發(fā)明涉及一種超結(jié)MOS管的制造方法。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)的耐壓和導(dǎo)通電阻是一組平衡，當(dāng)耐壓要求較高時(shí)，需要襯底的電阻率更低，但是較低的電阻率會(huì)導(dǎo)致較高的導(dǎo)通電阻。為了改善此平衡，可以使用超結(jié)型結(jié)構(gòu)，使得在提高耐壓的同時(shí)降低導(dǎo)通電阻。超結(jié)型結(jié)構(gòu)是由p型摻雜的柱狀區(qū)域和n型摻雜的柱狀區(qū)域組成，當(dāng)p型摻雜區(qū)域的電荷數(shù)量同n型摻雜區(qū)域的電荷數(shù)量相當(dāng)，達(dá)到平衡時(shí)，超結(jié)效果最佳，其耐壓與導(dǎo)通電阻的平衡關(guān)系最優(yōu)。

當(dāng)傳統(tǒng)的超結(jié)MOSFET通過較高電流密度或者發(fā)生雪崩時(shí)，原本的電荷平衡會(huì)被破壞，多余的電荷會(huì)引起局部的電場升高，而電場升高會(huì)引發(fā)更多的雪崩電流，使得電荷的不平衡態(tài)進(jìn)一步惡化，從而形成負(fù)反饋。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的超結(jié)型MOS管中通過較高電流密度或發(fā)生雪崩時(shí)導(dǎo)致電荷平衡惡化而形成負(fù)反饋的缺陷，提出了一種超結(jié)MOS管的制造方法。

一種超結(jié)MOS管的制造方法，包括以下步驟：

S1、制作超結(jié)MOS管的晶圓；

S2、對(duì)所述晶圓進(jìn)行輻照；

S3、對(duì)所述晶圓進(jìn)行退火。

較佳地，在步驟S2中，對(duì)所述晶圓采用第一輻照方式或者第二輻照方式進(jìn)行輻照；

所述第一輻照方式包括He輻照方式、質(zhì)子輻照方式或者H輻照方式；

所述第二輻照方式包括電子輻照方式。

較佳地，所述超結(jié)MOS管的晶圓包括P-body區(qū)域和漏端，對(duì)所述晶圓進(jìn)行輻照時(shí)，所述超結(jié)MOS管的晶圓的輻照區(qū)域?yàn)镻-body區(qū)域至所述漏端之間。

較佳地，所述第一輻照方式或者所述第二輻照方式的輻照計(jì)量范圍為1×10¹⁰cm^-3～1×10¹³cm^-3，所述第一輻照方式或所述第二輻照方式的輻照能量范圍為500KeV～10MeV。

較佳地，在步驟S3中，在對(duì)所述晶圓進(jìn)行退火時(shí)，所述退火溫度為300度至500度，所述退火時(shí)間在0.5h～3h；

在進(jìn)行退火時(shí)，采用的氣體為氮?dú)狻錃?、氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w或者空氣。

在符合本領(lǐng)域常識(shí)的基礎(chǔ)上，上述各優(yōu)選條件，可任意組合，即得本發(fā)明各較佳實(shí)例。

本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于：本發(fā)明的超結(jié)MOS管的制造方法，可以降低電流對(duì)電荷平衡態(tài)的影響，使所述超結(jié)MOS管具有更好的穩(wěn)定性和可靠性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的超結(jié)MOS管的制造方法的流程圖。

圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的超結(jié)MOS管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過實(shí)施例的方式進(jìn)一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。

如圖1所示，一種超結(jié)MOS管的制造方法，包括以下步驟：

步驟101、制作超結(jié)MOS管的晶圓。超結(jié)MOS管的晶圓均是采用常規(guī)的工藝的步驟制作完成。

步驟102、對(duì)所述晶圓進(jìn)行輻照。對(duì)所述晶圓進(jìn)行輻照時(shí)可以采用第一輻照方式或者第二輻照方式對(duì)晶圓進(jìn)行輻照，所述第一輻照方式包括He輻照方式、質(zhì)子輻照方式或者H輻照方式，第二輻照方式包括電子輻照方式。在進(jìn)行輻照時(shí)，所述第一輻照方式或者所述第二輻照方式的輻照計(jì)量范圍為1×10¹⁰cm^-3～1×10¹³cm^-3，所述第一輻照方式或所述第二輻照方式的輻照能量范圍為500KeV～10MeV。

步驟103、對(duì)所述晶圓進(jìn)行退火。在對(duì)所述晶圓進(jìn)行退火時(shí)，所述退火溫度為300度至500度，所述退火時(shí)間在0.5h～3h，采用的氣體為氮?dú)?、氫氣、氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w或者空氣。

此外，如圖2所示，所述超結(jié)MOS管的晶圓1包括P-body區(qū)域1、p型摻雜區(qū)2、n型摻雜區(qū)3和漏端4，對(duì)所述晶圓進(jìn)行輻照時(shí)，所述超結(jié)MOS管的晶圓的輻照區(qū)域?yàn)镻-body區(qū)域1至所述漏端4之間。除此之外，對(duì)晶圓進(jìn)行輻照時(shí)，其輻照區(qū)域也可以是靠近超結(jié)區(qū)域的中部區(qū)域，也可以是靠近超結(jié)區(qū)域的頂部，但是在P-body區(qū)域以下。

雖然以上描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些僅是舉例說明，本發(fā)明的保護(hù)范圍是由所附權(quán)利要求書限定的。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不背離本發(fā)明的原理和實(shí)質(zhì)的前提下，可以對(duì)這些實(shí)施方式做出多種變更或修改，但這些變更和修改均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。