国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      含Bi化合物光電探測器及其制作方法與流程

      文檔序號:12478974閱讀:314來源:國知局
      含Bi化合物光電探測器及其制作方法與流程

      本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種含Bi化合物光電探測器及其制作方法,可覆蓋紫外到紅外波段的探測,并實現(xiàn)與Si材料的集成,可以更有效的應(yīng)用在各種光探測領(lǐng)域。



      背景技術(shù):

      光電探測器用途廣泛,從紫外的消毒、火災(zāi)探測到可見光或近紅外的射線測量、光度計量等,再到紅外波段的制導(dǎo)、熱成像及遙感等。是軍民應(yīng)用上的重要器件。尤其是近年來突飛猛進(jìn)的光纖通信產(chǎn)業(yè),更需要高性能探測器的支持。(Ga、In、Al)NxBi1-x化合物材料的獨特性質(zhì)可以應(yīng)用到很多領(lǐng)域,尤其是光電器件。AlNBi在理論上帶寬可從6.2eV到0,這覆蓋了200nm以上的所有波長范圍。另外(Ga、In、Al)NxBi1-x的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)是立方相,這和現(xiàn)代廣泛應(yīng)用的Si相匹配,可實現(xiàn)Si上器件的外延。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種含Bi化合物光電探測器及其制作方法,以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足。

      為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:

      本發(fā)明實施例公開的一種含Bi化合物光電探測器包括襯底、外延層和電極,所述電極與所述外延層連接,所述外延層包括依次形成于所述襯底上的緩沖層、N型接觸層、吸收層和P型接觸層,所述吸收層采用ANxBi1-x,其中,0≤x<1,A=Ga、In或Al,N型接觸層為AlN摻Si,P型接觸層為AlN摻Mg。

      優(yōu)選的,在上述的含Bi化合物光電探測器中,所述N型接觸層的摻雜濃度大于5×1018cm-3,其厚度在200nm至1000nm之間。

      優(yōu)選的,在上述的含Bi化合物光電探測器中,所述P型接觸層的摻雜濃度大于5×1018cm-3,其厚度在200nm至500nm之間。

      優(yōu)選的,在上述的含Bi化合物光電探測器中,所述吸收層未摻雜,其厚度在200nm至1500nm之間。

      優(yōu)選的,在上述的含Bi化合物光電探測器中,所述襯底為半絕緣Si或MgO襯底。

      優(yōu)選的,在上述的含Bi化合物光電探測器中,所述緩沖層未摻雜的AlN緩沖層,所述緩沖層的厚度在300nm至1000nm之間。

      優(yōu)選的,在上述的含Bi化合物光電探測器中,所述電極包括分別與所述P型接觸層和N型接觸層連接的P電極和N電極,所述P電極為Ti/Al/Ni/Au,所述N電極為Ti/Au。

      相應(yīng)的,本發(fā)明還公開了一種含Bi化合物光電探測器的制作方法,在襯底上直接依次生長緩沖層、N型接觸層、吸收層和P型接觸層,從而形成外延層;以及,對所述外延層進(jìn)行臺面刻蝕,并制備N電極、P電極,形成所述光電探測器。

      優(yōu)選的,在上述的含Bi化合物光電探測器的制作方法中,所述P電極通過磁控濺射或電子束蒸發(fā)而形成。

      優(yōu)選的,在上述的含Bi化合物光電探測器的制作方法中,所述N電極通過磁控濺射或電子束蒸發(fā)而形成。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明使用一種材料體系,即可實現(xiàn)紫外到紅外波段的光電探測功能,且器件結(jié)構(gòu)簡單,體積小,成本低廉,具有廣泛應(yīng)用前景。

      附圖說明

      為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

      圖1所示為本發(fā)明具體實施例中含Bi化合物光電探測器的平面結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖2所示為本發(fā)明具體實施例中含Bi化合物光電探測器的制備工藝流程圖。

      具體實施方式

      本實施例的一個方面提供了一種含Bi化合物光電探測器,其可實現(xiàn)從紫外到紅外波段使用一種材料體系進(jìn)行探測。

      進(jìn)一步的,在一些實施方案之中,探測器可以Si基材料為主,可以在保證高質(zhì)量材料的基礎(chǔ)上,實現(xiàn)與其他成熟的Si器件集成。

      更進(jìn)一步的,在一些更為具體的實施方案之中,本實施例提供了基于Si或MgO襯底的,(Ga、In、Al)NxBi1-x為吸收區(qū)的探測器,其基本結(jié)構(gòu)可以包括襯底、緩沖層、N型接觸層、吸收層、P型接觸層和金屬電極等。

      更為具體的,在一些實施案例之中,采用Si或MgO做襯底,以(Ga、In、Al)NxBi1-x為吸收層,重?fù)诫sN型AlN作為底電極接觸層,重?fù)诫sP型AlN作為頂電極接觸層。

      以下結(jié)合附圖及實施案例對本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說明。

      請參閱圖1所示,在一實施例中,一種含Bi化合物光電探測器可以包括:襯底10、外延層和電極,電極與外延層連接,外延層包括依次形成于襯底10上的緩沖層20、N型接觸層30、吸收層40和P型接觸層50,吸收層采用ANxBi1-x,其中,0≤x<1,A=Ga、In或Al,N型接觸層30為AlN摻Si,P型接觸層50為AlN摻Mg。

      襯底10材料為Si或MgO單晶。

      緩沖層20生長在襯底10上,緩沖層材料為未摻雜AlN。緩沖層的厚度在300nm至1000nm之間。

      N型接觸層30生長在緩沖層20上,N型接觸層30材料為重?fù)诫sN型AlN。N型接觸層的摻雜濃度大于5×1018cm-3,其厚度在200nm至1000nm之間。

      吸收層40生長在接觸層30上,吸收層40結(jié)構(gòu)為(Ga、In、Al)NxBi1-x材料。吸收層未摻雜,其厚度在200nm至1500nm之間。

      P型接觸層50生長在吸收區(qū)40上,P型接觸層50材料為重?fù)诫sP型AlN。摻雜濃度大于5×1018cm-3,其厚度在200nm至500nm之間。

      在重?fù)诫sN型AlN接觸層上,制作Ti/Au金屬60。

      頂金屬電極70制作在P型AlN接觸層上,材料為Ti/Al/Ni/Au。

      請結(jié)合圖2所示,,該含Bi化合物光電探測器的制作方法可以包括如下具體步驟:

      步驟1:在半絕緣MgO單晶襯底上依次生長Bi化合物光電探測器的外延層。其中AlN摻Si作為N型接觸層。吸收層采用(Ga、In、Al)NxBi1-x材料。采用AlN摻Mg作為P型接觸層;

      步驟2:利用光刻、濕法刻蝕和干法刻蝕技術(shù)蝕刻到n型接觸層,形成獨立的含Bi化合物光電探測器的n型電極臺面;

      步驟3:利用光刻技術(shù)和濕法刻蝕技術(shù)蝕刻蝕刻至半絕緣襯底,光刻膠保護(hù)探測器單元其它部分區(qū)域,利用臺階儀測試半絕緣襯底的厚度,形成獨立的含Bi化合物光電探測器獨立單元;

      步驟4:利用光刻技術(shù)暴露出含Bi化合物光電探測器單元的電極圖形,并用光刻膠保護(hù)探測器單元的其它區(qū)域;然后在探測器單元上利用磁控濺射技術(shù)或電子束蒸發(fā)技術(shù)沉積電極材料,并用剝離技術(shù)剝離多余的電極形成p型電極和n型電極;

      步驟5:在快速熱退火爐中對p型電極材料和n型電極材料進(jìn)行合金處理;

      步驟6:利用光刻技術(shù)和干法刻蝕技術(shù),蝕刻出含Bi化合物光電探測器的光敏面;

      應(yīng)當(dāng)理解,上述實施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點,其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施,并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾,都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

      當(dāng)前第1頁1 2 3 
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1