1.快反向恢復SJ-MOS的方法，其特征在于：
包括以下步驟：
步驟一：在N+襯底上生長外延N-；
步驟二：通過Trench光刻板，刻蝕出深溝槽；
步驟三：在溝槽表面生長一層淺摻雜的N- -；
步驟四：隨后，在N- -外延表面，生長P+外延，使之填充滿溝槽，并進行CMP工藝，將溝槽外的N- -及P型外延去掉，形成N柱P柱相交替的超結結構；
步驟五：通過Body光刻板注入體區(qū)并退火形成body區(qū)，淀積場氧化成并回刻，通過柵氧、多晶硅淀積回刻形成gate，再注入As或P并推阱形成Nsource；
步驟六：淀積ILD并回刻，孔注，最后淀積金屬并回刻，形成器件的最終結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的快反向恢復SJ-MOS的方法，其特征在于：
步驟三中，在溝槽表面生長的淺摻雜的N- -，這層外延的摻雜濃度低于步驟一中的N型外延。
3.如權利要求1所述的快反向恢復SJ-MOS的器件結構。