本發(fā)明涉及一種晶體管陣列基板及應(yīng)用的顯示面板，且特別是涉及具雙層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的一種晶體管陣列基板及應(yīng)用的顯示面板，可改善顯示面板的電子特性和提高可靠度。

背景技術(shù)：

具顯示面板的電子產(chǎn)品已是現(xiàn)代人不論在工作處理學(xué)習(xí)上、或是個(gè)人休閑娛樂(lè)上，不可或缺的必需品，包括智慧型手機(jī)(smartphone)、平板電腦(pad)、筆記型電腦(notebook)、顯示器(monitor)到電視(tv)等許多相關(guān)產(chǎn)品。其中又以液晶顯示面板最為普遍。液晶顯示面板(lcd)是利用電壓驅(qū)動(dòng)液晶(lcs)轉(zhuǎn)動(dòng)進(jìn)而調(diào)整亮度灰階而可構(gòu)成一種平面顯示器、電子視覺(jué)顯示器，及影像顯示器。

顯示裝置在制作時(shí)需注意制作工藝上的細(xì)節(jié)，例如進(jìn)行金屬層和半導(dǎo)體層等各層圖案化時(shí)需精確，而各層的相對(duì)位置與圖案設(shè)計(jì)也需考慮到是否可使制得的顯示裝置具有穩(wěn)定良好的電子特性，以符合產(chǎn)品要求的各項(xiàng)規(guī)格，例如符合高穿透率、高良率、良好可靠度和顯示品質(zhì)穩(wěn)定等要求。顯示裝置相關(guān)元件和各材料層的設(shè)計(jì)不良，可能造成電性表現(xiàn)降低，進(jìn)而影響顯示品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種晶體管陣列基板及應(yīng)用的顯示面板，其具雙層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的設(shè)計(jì)可有效改善顯示面板的電子特性和提高可靠度。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種晶體管陣列基板，包含多個(gè)晶體管設(shè)置在一基材上，其中該些晶體管中的一晶體管包括設(shè)置在基材上的一柵極電極、設(shè)置在柵極電極上的一第一絕緣層、設(shè)置在第一絕緣層上且包含一通道區(qū)的一有源層、設(shè)置在有源層上的一源極電極和一漏極電極。其中源極電極和漏極電極中的至少一者包含：設(shè)置在有源層上的一第一導(dǎo)電層，和設(shè)置在第一導(dǎo)電層上并與第一導(dǎo)電層接觸的一第二導(dǎo)電層。其中第二導(dǎo)電層暴露出第一導(dǎo)電層的部分上表面，以使第一導(dǎo)電層于第二導(dǎo)電層的邊緣處具有一第一突出部朝向通道區(qū)延伸。

本發(fā)明還提出一種顯示面板，包括一第一基板、與第一基板相對(duì)設(shè)置的一第二基板，和設(shè)置于第一基板與第二基板之間的一顯示介質(zhì)層。第一基板包括多個(gè)晶體管設(shè)置在一基材上，其中一晶體管包括上述的結(jié)構(gòu)。

為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的具有晶體管陣列基板的液晶顯示面板的剖面示意圖；

圖2a為一像素的電路圖，圖2b為圖2a的柵極走線打開(kāi)時(shí)的等效電路圖，圖2c為圖2a的柵極走線關(guān)閉時(shí)的等效電路圖；

圖3為一應(yīng)用例中，實(shí)施例的第一突出部長(zhǎng)度與增加的寄生電容比值的曲線圖；

圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的晶體管陣列基板的剖面示意圖；

圖5，其為本發(fā)明又一實(shí)施例的晶體管陣列基板的剖面示意圖；

圖6a、圖6b分別為本發(fā)明可應(yīng)用的兩種其他實(shí)施例的晶體管陣列基板的剖面示意圖。

符號(hào)說(shuō)明

s1：第一基板

10：基材

12：柵極電極

121：下導(dǎo)電層

122：上導(dǎo)電層

1211：第二突出部

l12：第二突出部的長(zhǎng)度

13：第一絕緣層

14：有源層(主動(dòng)層)

ach：通道區(qū)

lch：通道長(zhǎng)度

14b：有源層的側(cè)邊

15：源極電極

16：漏極電極

151、161：第一導(dǎo)電層

152、162：第二導(dǎo)電層

1511、1611：第一突出部

1511a、1611a：第一底邊

1511b、1611b：第一側(cè)邊

152a/162a：第二底邊

152b/162b：第二側(cè)邊

152c、162c：第二導(dǎo)電層的上表面

θ1、θ2：夾角

l15、l16：第一突出部的長(zhǎng)度

t15、t16：第二導(dǎo)電層的厚度

1513、1613：第三突出部

l15e、l16e：第三突出部的長(zhǎng)度

18：第二絕緣層

19：第三絕緣層

s2：第二基板

d1：第一方向

d2：第二方向

dis-1：第一距離

dis-2：第二距離

3：顯示介質(zhì)層

p1、p2：線段

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的實(shí)施例提出一種晶體管陣列基板及應(yīng)用的顯示面板，通過(guò)晶體管陣列基板的雙層結(jié)構(gòu)第二金屬層的特殊設(shè)計(jì)，可防止金屬氧化物滲入通道區(qū)的相關(guān)層，進(jìn)而提升晶體管陣列基板的電子特性的穩(wěn)定度，提高應(yīng)用的顯示面板的產(chǎn)品良率。再者，實(shí)施例的晶體管陣列基板仍然符合一般應(yīng)用產(chǎn)品的需求，且與現(xiàn)有制作工藝相容性高，因此實(shí)施例所提出的設(shè)計(jì)不但可以使制得的陣列基板具有穩(wěn)定優(yōu)異的電子特性，也十分適合量產(chǎn)。

以下參照所附附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的其中幾種實(shí)施態(tài)樣。本發(fā)明的實(shí)施例例如是應(yīng)用于背通道蝕刻型晶體管(bce-typetft)陣列基板的液晶顯示面板。需注意的是，實(shí)施例所提出的多組實(shí)施態(tài)樣的結(jié)構(gòu)和內(nèi)容僅為舉例說(shuō)明之用，本發(fā)明欲保護(hù)的范圍并非僅限于所述的該些態(tài)樣。需注意的是，本發(fā)明并非顯示出所有可能的實(shí)施例，相關(guān)領(lǐng)域者可在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)對(duì)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)加以變化與修飾，以符合實(shí)際應(yīng)用所需。因此，未在本發(fā)明提出的其他實(shí)施態(tài)樣也可能可以應(yīng)用。再者，附圖已簡(jiǎn)化以利清楚說(shuō)明實(shí)施例的內(nèi)容，附圖上的尺寸比例并非按照實(shí)際產(chǎn)品等比例繪制。因此，說(shuō)明書(shū)和圖示內(nèi)容僅作敘述實(shí)施例之用，而非作為限縮本發(fā)明保護(hù)范圍之用。再者，實(shí)施例中相同或類似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或類似的部分。

另外，說(shuō)明書(shū)與權(quán)利要求中所使用的序數(shù)例如”第一”、”第二”、”第三”等的用詞，以修飾權(quán)利要求的元件，其本身并不意含及代表該請(qǐng)求元件有任何之前的序數(shù)，也不代表某一請(qǐng)求元件與另一請(qǐng)求元件的順序、或是制造方法上的順序，該些序數(shù)的使用僅用來(lái)使具有某命名的一請(qǐng)求元件得以和另一具有相同命名的請(qǐng)求元件能作出清楚區(qū)分。

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的具有晶體管陣列基板的液晶顯示面板的剖面示意圖。一顯示面板包括一第一基板s1、與第一基板s1相對(duì)設(shè)置的一第二基板s2和設(shè)置于第一基板s1與第二基板s2之間的一顯示介質(zhì)層3。在一實(shí)施例中，第一基板s1例如是一晶體管陣列基板，第二基板s2例如是一彩色濾光基板，顯示介質(zhì)層3例如是液晶層。在另一實(shí)施例中，第一基板s1例如是一晶體管陣列基板，第二基板s2例如是一透明基板，顯示介質(zhì)層3例如是有機(jī)發(fā)光層。此實(shí)施例以源極電極和漏極電極(i.e.第二金屬層)直接形成于有源層上以位于通道區(qū)的兩側(cè)為例作第一基板s1的結(jié)構(gòu)說(shuō)明，但本發(fā)明并不以此種形態(tài)及繪示的細(xì)部結(jié)構(gòu)為限。第二基板s2省略了其他元件。

第一基板s1包含設(shè)置在一基材10上的多個(gè)晶體管?；?0可以是由硬性材料(例如玻璃)或是軟性材料(例如塑膠)形成。如圖1所示，多個(gè)晶體管其中之一包含一柵極電極12設(shè)置在基材10上，一第一絕緣層13設(shè)置在柵極電極12上，一有源層14設(shè)置在第一絕緣層13上且有源層14包含一通道區(qū)ach，一源極電極15和一漏極電極16設(shè)置在有源層14上。根據(jù)實(shí)施例，源極電極15和漏極電極16中的至少一者包含至少兩層導(dǎo)電層。本實(shí)施例中，源極電極15和漏極電極16可兩者兼具實(shí)施例的兩層導(dǎo)電層的設(shè)計(jì)，然而本實(shí)施例并不以此為限。

有源層14可由金屬氧化物的材料形成，其金屬可包含銦、鎵、鋅、錫、鋁或上述的組合等，例如有源層14可以是氧化鋅(indiumzincoxide，izo)層、氧化銦鎵鋅(indiumgalliumzincoxide，igzo)層或氧化鋅錫(zinctinoxide，zso)層等等。另外，晶體管還包括一第二絕緣層18覆蓋源極電極15和漏極電極16，以及一第三絕緣層19形成于第二絕緣層18上。第一絕緣層13、第二絕緣層18和第三絕緣層19可以是單層或是多層結(jié)構(gòu)。第一絕緣層13、第二絕緣層18和第三絕緣層19可使用有機(jī)或無(wú)機(jī)材料形成，有機(jī)材料可例如是全氟烷氧基樹(shù)脂(perfluoroalkoxy，pfa)，無(wú)機(jī)材料可例如是氧化物(例如，氧化硅、氧化鋁)、氮化物(例如，氮化硅)或氮氧化物(例如，氮氧化硅)等絕緣層材料制作。

如圖1所示，源極電極15包括設(shè)置在有源層14上的一第一導(dǎo)電層151以及設(shè)置在第一導(dǎo)電層151上的一第二導(dǎo)電層152，且第二導(dǎo)電層152與第一導(dǎo)電層151接觸，其中第二導(dǎo)電層152暴露出第一導(dǎo)電層151的部分上表面，以使第一導(dǎo)電層151于第二導(dǎo)電層152的邊緣處具有第一突出部1511朝向通道區(qū)ach延伸。

類似地，漏極電極16包括設(shè)置在有源層14上的一第一導(dǎo)電層161以及設(shè)置在第一導(dǎo)電層161上的一第二導(dǎo)電層162，且第二導(dǎo)電層162與第一導(dǎo)電層161接觸，其中第二導(dǎo)電層162暴露出第一導(dǎo)電層161的部分上表面，以使第一導(dǎo)電層161于第二導(dǎo)電層162的邊緣處具有第一突出部1611朝向通道區(qū)ach延伸。

一實(shí)施例中，雙層結(jié)構(gòu)的源極電極15/漏極電極16例如是銅或鋁/鈦(titanium)或鉬(molybdenum)結(jié)構(gòu)，亦即下層的第一導(dǎo)電層151/161可包括金屬鈦或鉬，上層的第二導(dǎo)電層152/162可包括金屬銅或鋁，下層金屬鈦或鉬于上層金屬銅或鋁的邊緣處具有第一突出部1511/1611。實(shí)施例可利用制作工藝條件的調(diào)節(jié)來(lái)達(dá)到應(yīng)用產(chǎn)品所需的第一突出部1511/1611的狀態(tài)，例如第一突出部的長(zhǎng)度和/或側(cè)邊角度等相關(guān)參數(shù)。

一實(shí)施例中，在蝕刻(例如濕蝕刻)源極電極15/漏極電極16(i.e.第二金屬層)的上層金屬時(shí)，可通過(guò)過(guò)度蝕刻的方式，由此暴露出下層金層的部分上表面，而達(dá)到實(shí)施例的下層金屬相較于上層金屬具有第一突出部1511/1611的設(shè)計(jì)，如此可避免在蝕刻(例如濕蝕刻或干蝕刻)下層金屬時(shí)造成底切(undercut)的情況發(fā)生。根據(jù)實(shí)驗(yàn)，濕蝕刻上層金屬時(shí)比預(yù)計(jì)的蝕刻時(shí)間多20％～100％，使得上層金屬(ex:cu)在退后的距離至少為其厚度的20％～100％，用于定義出下層金屬的突出部的長(zhǎng)度。據(jù)此，一實(shí)施例中，第一突出部1511/1611的長(zhǎng)度l15/l16可實(shí)質(zhì)上大于等于第二導(dǎo)電層152/162的厚度(i.e.沿第二方向d2)t15/t16的20％。

再者，如上層的第二導(dǎo)電層152/162包括金屬銅(cu)，當(dāng)沉積第二絕緣層18例如是二氧化硅(sio2)于有源層(ex:igzo)上方并覆蓋源極電極15和漏極電極16時(shí)，sio2會(huì)和銅形成氧化銅(cuo)，且氧化銅有可能濺到有源層(ex:igzo)14的通道區(qū)ach，而影響到有源層14的電子特性。因此實(shí)施例的下層金屬相較于上層金屬具有較長(zhǎng)的第一突出部1511/1611可以防止上層金屬與絕緣層形成的氧化物進(jìn)入通道區(qū)ach。

在此實(shí)施例中，通道區(qū)ach于第一方向d1上具有一通道長(zhǎng)度lch，第一突出部1511/1611沿著第一方向d1朝向通道區(qū)ach延伸，如圖1所示。在本實(shí)施例中，第一方向d1指通道長(zhǎng)度的方向，如圖1中的x方向。第一突出部1511/1611的長(zhǎng)度l15/l16定義為沿著通道長(zhǎng)度lch方向(i.e.第一方向d1)的長(zhǎng)度。

另外，實(shí)施例的第一突出部1511/1611雖然可以防止氧化銅進(jìn)入通道區(qū)ach，但第一突出部太長(zhǎng)會(huì)增加源極電極15/漏極電極與下方柵極電極12重疊的面積，進(jìn)而增加寄生電容如柵極/漏極電容(以下簡(jiǎn)稱cgd)和柵極/源極電容(以下簡(jiǎn)稱cgs)。其中cgd增加會(huì)增加像素的饋通電壓(feedthroughvoltage)，而cgs增加會(huì)增加數(shù)據(jù)線的rc(電阻值與電容值的乘積)負(fù)載。因此第一突出部1511/1611較佳的長(zhǎng)度上限值可根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品規(guī)格如電性要求和限制而做適當(dāng)選擇。以下以一應(yīng)用例做說(shuō)明，但于該應(yīng)用例中所提出的數(shù)值僅做參考之用，非限制本發(fā)明之用。

在一示例中，提出一邊緣場(chǎng)切換(fringefieldswitching，ffs)顯示技術(shù)的應(yīng)用產(chǎn)品，其像素尺寸為21納米(nm)×63納米，讓tft開(kāi)啟的正電壓vgh為16v，讓tft關(guān)閉的負(fù)電壓vgl為-12v，中間灰階允許的饋通電壓為-0.95v，漏極和柵極的寄生電容cgd于關(guān)閉時(shí)(cgd_off)為0.006皮法拉(picofarad，pf)于開(kāi)啟時(shí)(cgd_on)為0.0066pf，存儲(chǔ)電容cs為0.193pf，液晶電容clc近似0pf。圖2a為一像素的電路圖，圖2b為圖2a的柵極走線打開(kāi)時(shí)的等效電路圖，圖2c為圖2a的柵極走線關(guān)閉時(shí)的等效電路圖。根據(jù)圖2a-圖2c和電荷守恒：(vd1-vg1)*cgd+(vd1-vcom)*(cs+clc)＝(vd2-vg2)*cgd+(vd2-vcom)*(cs+clc)。

饋通電壓(vd2-vd1)可表示為下式(1)：

(vd2-vd1)＝(vg2-vg1)*cgd/(cgd+cs+clc)…(1)。

根據(jù)上述ffs應(yīng)用產(chǎn)品的示例條件，可利用式(1)經(jīng)計(jì)算得到實(shí)際的饋通電壓(vd2-vd1)，亦即(-12-16)*0.006/(0.006+0.193+0)＝-0.844221106(v)。

再利用式(1)和中間灰階允許的饋通電壓-0.95v(并帶入vg2＝-12,vg1＝16,cs＝0.193,clc＝0)，來(lái)推得可允許的最大寄生電容值cgd為0.006778189pf。

因此，在應(yīng)用實(shí)施例的突出部設(shè)計(jì)于此示例的ffs應(yīng)用產(chǎn)品時(shí)，可允許增加的寄生電容的比例為1.12969809(＝0.006778189/0.006)；即約113％。

圖3為一應(yīng)用例中，實(shí)施例的第一突出部長(zhǎng)度與增加的寄生電容比值的曲線圖。圖3中，x軸代表第一突出部長(zhǎng)度，0代表沒(méi)有第一突出部形成。之后，將上述計(jì)算得到的可允許增加的寄生電容的比例約113％，對(duì)應(yīng)圖3的第一突出部長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)增加的寄生電容比值的曲線，得到可允許的第一突出部長(zhǎng)度值約0.36微米(μm)。因此，在一實(shí)施例中，第一突出部1511/1611的長(zhǎng)度l15/l16(如圖1所示的沿著通道長(zhǎng)度lch方向(i.e.第一方向d1)的長(zhǎng)度)實(shí)質(zhì)上小于等于0.36微米。

但相關(guān)技術(shù)者當(dāng)知，上述僅以一應(yīng)用例來(lái)說(shuō)明如何進(jìn)行第一突出部的相關(guān)設(shè)計(jì)，本發(fā)明并不僅限于上述提出的數(shù)值或數(shù)值范圍。而是可根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品規(guī)格如電性要求和限制做適當(dāng)考慮(如上方計(jì)算方式)以定義出較適的第一突出部相關(guān)參數(shù)。

再者，在制作雙層結(jié)構(gòu)的源極電極15/漏極電極16時(shí)，可使上下兩層的導(dǎo)電層具有不同傾斜角度的側(cè)邊。請(qǐng)參照?qǐng)D4，其為本發(fā)明另一實(shí)施例的晶體管陣列基板的剖面示意圖。在一實(shí)施例中，制作雙層結(jié)構(gòu)的源極電極15/漏極電極16時(shí)，可先利用濕蝕刻對(duì)上層的第二導(dǎo)電層152/162進(jìn)行圖案化，再利用干蝕刻對(duì)下層的第一導(dǎo)電層151/161進(jìn)行圖案化，并使下層的第一導(dǎo)電層151/161于上層的第二導(dǎo)電層152/162的邊緣處形成第一突出部1511/1611。其中，如圖4所示，第一突出部1511/1611包含第一側(cè)邊1511b/1611b和第一底邊1511a/1611a，第二導(dǎo)電層152/162包含第二底邊152a/162a和第二側(cè)邊152b/162b，第二側(cè)邊152b/162b鄰近于通道區(qū)ach，其中第一側(cè)邊1511b/1611b和第一底邊1511a/1611a具有夾角θ1，實(shí)質(zhì)上大于第二側(cè)邊152b/162b和第二底邊152a/162a的夾角θ2。

一實(shí)施例中，利用濕蝕刻對(duì)上層的第二導(dǎo)電層152/162進(jìn)行圖案化，可得到夾角θ2約30度至60度之間；利用干蝕刻對(duì)下層的第一導(dǎo)電層151/161進(jìn)行圖案化，可得到夾角θ1大于80度。

另外，在一實(shí)施例中，可制作雙層結(jié)構(gòu)的柵極電極12，且也具有類似的突出部設(shè)計(jì)，此可避免使柵極電極12的下層金屬(例如鈦，上層金屬例如銅)在圖案化時(shí)造成倒角的情況。請(qǐng)參照?qǐng)D5，其為本發(fā)明又一實(shí)施例的晶體管陣列基板的剖面示意圖。如圖5所示，柵極電極12包括一下導(dǎo)電層121和一上導(dǎo)電層122，下導(dǎo)電層121設(shè)置在基材10上，上導(dǎo)電層122設(shè)置在下導(dǎo)電層121上，其中下導(dǎo)電層121于上導(dǎo)電層122的邊緣處具有一第二突出部1211突出于上導(dǎo)電層122。其余元件請(qǐng)參照?qǐng)D1及上述說(shuō)明，在此不再贅述。

另外，在本實(shí)施例中，源極電極15和漏極電極16至少一者的下層金屬161遠(yuǎn)離通道區(qū)ach處也可以形成突出部。例如圖5中源極電極15和漏極電極16在遠(yuǎn)離通道區(qū)ach處各具有第三突出部1513和1613，其長(zhǎng)度分別為l15e和l16e。類似地，第三突出部1513和1613的側(cè)邊和底邊的夾角也可大于源極電極15和漏極電極16的上層金屬162的側(cè)邊(遠(yuǎn)離通道區(qū)ach)和底邊的夾角，其具體內(nèi)容可參照上述的實(shí)施方式，在此不再贅述。

再者，考慮到源極電極15/漏極電極16的下層金屬除了產(chǎn)生倒角的情況外還要有效防止氧化銅濺到有源層(ex:igzo)14的通道區(qū)ach，實(shí)施例中可設(shè)計(jì)第一突出部1511/1611至少一者的長(zhǎng)度l15/l16大于第二突出部1211的長(zhǎng)度l12。例如圖5所示，源極電極15和漏極電極16的第一突出部1511、1611的長(zhǎng)度l15、l16皆大于柵極電極12的第二突出部1211的長(zhǎng)度l12。

另外，圖6a、圖6b分別為本發(fā)明可應(yīng)用的兩種其他實(shí)施例的晶體管陣列基板的剖面示意圖。在此實(shí)施例中，源極電極15和漏極電極16中至少一者覆蓋有源層14的側(cè)邊14b。如圖6a、圖6b所示，源極電極15和漏極電極16所包括的第一導(dǎo)電層151和161覆蓋有源層14的側(cè)邊14b。而圖6a中，第一導(dǎo)電層151和161接近有源層14的側(cè)邊14b，上方的第二導(dǎo)電層152、162不會(huì)覆蓋對(duì)應(yīng)有源層14側(cè)邊14b的位置，即第二導(dǎo)電層152、162的上表面152c、162c的側(cè)邊(圖6a的線段p1所指)尚未延伸至對(duì)應(yīng)有源層14的側(cè)邊14b處。圖6b中，第二導(dǎo)電層152、162則皆覆蓋對(duì)應(yīng)有源層14側(cè)邊14b的位置，即第二導(dǎo)電層152、162的上表面152c、162c的側(cè)邊(圖6b的線段p2所指)延伸至對(duì)應(yīng)有源層14的側(cè)邊14b處；因此，如于xz平面朝第二導(dǎo)電層152、162的方向觀看，則第二導(dǎo)電層152、162的邊緣超過(guò)有源層14的側(cè)邊14b。

上述各個(gè)實(shí)施例中，有源層14的長(zhǎng)度例如可超過(guò)柵極電極12的長(zhǎng)度。以圖1的實(shí)施例為例，有源層14于遠(yuǎn)離通道區(qū)ach的邊緣超過(guò)柵極電極12的邊緣，且兩者的邊緣具有第一距離dis-1。另外，位于有源層14上方的源極電極15和漏極電極16至少一者于遠(yuǎn)離通道區(qū)ach的邊緣也可超過(guò)柵極電極12的邊緣，且兩者的邊緣具有第二距離dis-2，其中第二距離dis-2小于等于第一距離dis-1。圖1繪示第二距離dis-2小于第一距離dis-1，然本實(shí)施例并不以此為限。

由于實(shí)施例中，有源層14于遠(yuǎn)離通道區(qū)ach的邊緣超過(guò)柵極電極12的邊緣，此超出的區(qū)域并未被柵極電極12遮住且會(huì)照射到背光。在本實(shí)施例有源層14可為金屬氧化物的材料形成(例如igzo)，其材料特性容易受到背光的影響使得半導(dǎo)體特性偏向?qū)щ娦裕虼擞性磳?4于超過(guò)柵極電極12的邊緣的區(qū)域(即第一距離dis-1涵蓋的區(qū)域)的阻抗會(huì)小于有源層14的通道區(qū)ach的阻抗。另外，源極電極15和漏極電極16超出柵極電極12的邊緣的區(qū)域(即第二距離dis-2涵蓋的區(qū)域)與有源層14其阻抗低的區(qū)域(即第一距離dis-1涵蓋的區(qū)域)直接接觸，因此歐姆接觸(ohmiccontact)也可增加。

根據(jù)上述，本發(fā)明提出的晶體管陣列基板及應(yīng)用的顯示面板，其晶體管陣列基板上具有雙層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的設(shè)計(jì)，可有效防止金屬氧化物滲入通道區(qū)的相關(guān)層，提升陣列基板的電子特性及其穩(wěn)定度，進(jìn)而提高應(yīng)用產(chǎn)品的良率。而如上所述，可適當(dāng)調(diào)整實(shí)施例的突出部的相關(guān)參數(shù)(例如第一突出部1511/1611的長(zhǎng)度和/或側(cè)邊角度等相關(guān)參數(shù))，以符合應(yīng)用產(chǎn)品的電性需求，因此上述提出的各種數(shù)值僅為舉例說(shuō)明，非限制之用。再者，應(yīng)用實(shí)施例所制得的晶體管陣列基板除了仍可達(dá)到穩(wěn)定優(yōu)異的電子特性，符合一般應(yīng)用產(chǎn)品的需求，也與現(xiàn)有制作工藝相容性高，十分適合量產(chǎn)。

綜上所述，雖然已結(jié)合以上實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。