本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基板與外接電路的綁定方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有市場(chǎng)上的平面顯示裝置包括液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)和有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)顯示裝置。其中AMOLED具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對(duì)比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示器，被廣泛應(yīng)用在手機(jī)屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。

現(xiàn)有的平板顯示器一般包括顯示面板(Panel)和外接電路，顯示面板在正常顯示時(shí)，需要使用外接電路，如柔性電路板(Free Pascal Compiler，F(xiàn)PC)、或者覆晶薄膜(Chip On Film，COF)，通過引線連接到面板的外引腳貼合(Outer Lead Bonding，OLB)區(qū)域，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板中的各信號(hào)線傳遞驅(qū)動(dòng)信號(hào)。而外接電路與顯示面板的OLB區(qū)域的電連接是通過綁定(Bonding)工藝完成的，Bonding工藝主要是在壓合設(shè)備上將外接電路經(jīng)過預(yù)壓、本壓連接到顯示面板上，將外接電路上的外接電極和顯示面板上的電極線壓合到一起，中間通過異方性導(dǎo)電膠(Anisotropic Conductive Film，ACF)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。

目前較常見的異方性導(dǎo)電膠膜產(chǎn)品主要包括熱固性樹脂、導(dǎo)電粒子、固化劑、增塑劑等成分，制造異方性導(dǎo)電膠膜時(shí)先要將上述成分溶解于揮發(fā)性溶劑中配制成異方性導(dǎo)電膠，再將異方性導(dǎo)電膠涂布于塑料薄膜上(如聚對(duì)苯二甲酸乙二酯)，經(jīng)過熱風(fēng)干燥去掉溶劑而形成異方性導(dǎo)電膠膜。如圖1所示，ACF500主要包括膠體層510、及均勻分布于膠體層510中的導(dǎo)電粒子520，其中，導(dǎo)電粒子520賦予ACF500以導(dǎo)電性能，膠體層510賦予ACF500以粘接性能和絕緣性能。在ACF的導(dǎo)電粒子方面，通常導(dǎo)電粒子主要通過在樹脂球表面形成包裹的金屬層制得，其中金屬層能夠傳輸電子，具有彈性的樹脂球能夠緩沖壓力，常用作ACF中導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電金球(Aull Ball)是使用化學(xué)鍍法在直徑為3～8μm的樹脂球521表面形成包裹樹脂球521的鎳(Ni)層522和金(Au)層523而制得。

如圖2所示，在顯示面板的bonding制程中，基板100與外接電路300分別具有數(shù)個(gè)相互對(duì)應(yīng)的基板電極110、外接電極310，在基板100與外接電路300之間置入ACF500，然后通過壓合設(shè)備對(duì)ACF500進(jìn)行熱壓，使得所述ACF500發(fā)生反應(yīng)，具體地，通過加熱改變ACF500的粘滯度，使得導(dǎo)電粒子520的樹脂球521變?yōu)橄鹉z態(tài)，通過加壓使導(dǎo)電粒子520在基板100與外接電路300之間被擠壓，使得橡膠態(tài)的樹脂球521發(fā)生塑性變形，從而增大導(dǎo)電粒子520的接觸面積，通過導(dǎo)電粒子520的具有導(dǎo)電性的金屬層，被擠壓的導(dǎo)電粒子520在基板100與外接電路300之間構(gòu)成電連接，此時(shí)，對(duì)于表面有許多毛刺的導(dǎo)電粒子520，導(dǎo)電粒子520的金屬層可以刺入下方的基板電極110及上方的外接電極310而產(chǎn)生導(dǎo)通，而對(duì)于如圖1所示的表面光滑的導(dǎo)電粒子520則需要更高的加熱溫度及壓力，以保證導(dǎo)電粒子520發(fā)生變形而具有足夠的接觸面積形成電連接。

然而，在柔性AMOLED的bonding制程中，綁定的基板100為柔性基板，過高的綁定壓力會(huì)造成基板100壓傷而破片(crack)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種基板與外接電路的綁定方法，能夠降低熱壓工藝中的溫度與壓力條件，降低基板被壓傷而破片的風(fēng)險(xiǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種基板與外接電路的綁定方法，包括如下步驟：

步驟1、提供基板，所述基板上具有數(shù)個(gè)第一電極，在所述基板上形成一層覆蓋數(shù)個(gè)第一電極的有機(jī)絕緣材料的保護(hù)膜；

步驟2、提供異方性導(dǎo)電膠膜，所述異方性導(dǎo)電膠膜包括樹脂層及分布于樹脂層中的導(dǎo)電粒子，所述導(dǎo)電粒子的表面具有刺狀突起；對(duì)所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行預(yù)處理，將所述異方性導(dǎo)電膠膜對(duì)應(yīng)所述數(shù)個(gè)第一電極貼附在所述保護(hù)膜上；

步驟3、提供外接電路，所述外接電路具有與所述數(shù)個(gè)第一電極相對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)第二電極，將所述外接電路放置于所述異方性導(dǎo)電膠膜上，并使所述數(shù)個(gè)第二電極與數(shù)個(gè)第一電極一一對(duì)準(zhǔn)，通過熱壓工藝，使所述導(dǎo)電粒子的刺狀突起刺穿保護(hù)膜而刺入導(dǎo)電粒子下方的第一電極中，并使導(dǎo)電粒子的刺狀突起刺入導(dǎo)電粒子上方的第二電極中，從而使所述基板與外接電路通過異方性導(dǎo)電膠膜的導(dǎo)電粒子實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通，完成基板與外接電路的綁定。

所述步驟1中所形成的保護(hù)膜的厚度為2-3μm。

所述步驟1中通過蒸鍍、或涂布的方法形成所述保護(hù)膜。

所述步驟1中所形成的保護(hù)膜的材料為聚酰亞胺、或聚對(duì)苯二甲酸乙二酯。

所述步驟2中，通過加熱、鐳射、或紫外光照射的方法對(duì)所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行預(yù)處理，使得所述異方性導(dǎo)電膠膜發(fā)生反應(yīng)。

所述步驟3的熱壓工藝中，采用120-180℃的溫度條件、及1-5MPa的壓力條件，對(duì)異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行加熱加壓，時(shí)間為2-8s。

所述基板為柔性O(shè)LED基板。

所述導(dǎo)電粒子包括樹脂內(nèi)核、包覆所述樹脂內(nèi)核的鎳層、及包覆所述鎳層的金層；所述鎳層與金層的外表面均具有刺狀突起。

所述所述導(dǎo)電粒子的粒徑為3-5μm。

所述外接電路為柔性電路板、或覆晶薄膜。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明的基板與外接電路的綁定方法，在進(jìn)行熱壓工藝之前對(duì)所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行預(yù)處理，且所述異方性導(dǎo)電膠膜中導(dǎo)電粒子的表面具有刺狀突起，能夠在保證電導(dǎo)通效果的同時(shí)，提高后續(xù)熱壓工藝中異方性導(dǎo)電膠膜的反應(yīng)效率，降低熱壓工藝的加熱加壓條件，從而降低基板被壓傷而破片的風(fēng)險(xiǎn)；并且，在進(jìn)行熱壓工藝之前還在所述基板預(yù)進(jìn)行綁定的區(qū)域上形成保護(hù)膜，后續(xù)在通過熱壓工藝使基板與外接電路電導(dǎo)通的過程中，導(dǎo)電粒子的刺狀突起需要先刺穿保護(hù)膜再刺入導(dǎo)電粒子下方的第一電極中，從而在熱壓工藝中保護(hù)膜對(duì)基板起到了一定的緩沖保護(hù)作用，進(jìn)一步降低了基板被壓傷而破片的風(fēng)險(xiǎn)。

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有一種異方性導(dǎo)電膠膜及其中的導(dǎo)電粒子的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為采用現(xiàn)有方法對(duì)基板與外接電路進(jìn)行綁定的示意圖；

圖3為本發(fā)明的基板與外接電路的綁定方法的流程示意圖；

圖4為本發(fā)明的基板與外接電路的綁定方法中所采用的異方性導(dǎo)電膠膜及其中的導(dǎo)電粒子的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明的基板與外接電路的綁定方法的步驟3的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明提供一種基板與外接電路的綁定方法，包括如下步驟：

步驟1、提供基板10，所述基板10上具有數(shù)個(gè)第一電極11，在所述基板10上通過蒸鍍、或涂布的方法形成一層覆蓋數(shù)個(gè)第一電極11的有機(jī)絕緣材料的厚度為2-3μm的保護(hù)膜12。

具體地，所述步驟1中所形成的保護(hù)膜12的材料為聚酰亞胺(PI)、或聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)。

步驟2、如圖4所示，提供異方性導(dǎo)電膠膜20，所述異方性導(dǎo)電膠膜20包括樹脂層21及分布于樹脂層21中的導(dǎo)電粒子22，所述導(dǎo)電粒子22的表面具有刺狀突起；通過加熱、鐳射、或紫外光照射的方法對(duì)所述異方性導(dǎo)電膠膜20進(jìn)行預(yù)處理，使得所述異方性導(dǎo)電膠膜20發(fā)生反應(yīng)，從而降低后續(xù)熱壓工藝的加熱加壓條件；將所述異方性導(dǎo)電膠膜20對(duì)應(yīng)所述數(shù)個(gè)第一電極11貼附在所述保護(hù)膜12上。

步驟3、如圖5所示，提供外接電路30，所述外接電路30具有與所述數(shù)個(gè)第一電極11相對(duì)應(yīng)的數(shù)個(gè)第二電極31，將所述外接電路30放置于所述異方性導(dǎo)電膠膜20上，并使所述數(shù)個(gè)第二電極31與數(shù)個(gè)第一電極11一一對(duì)準(zhǔn)，通過熱壓工藝，使所述導(dǎo)電粒子22的刺狀突起刺穿保護(hù)膜12而刺入導(dǎo)電粒子22下方的第一電極11中，并使導(dǎo)電粒子22的刺狀突起刺入導(dǎo)電粒子22上方的第二電極31中，從而使所述基板10與外接電路30通過異方性導(dǎo)電膠膜20的導(dǎo)電粒子22實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)通，完成基板10與外接電路30的綁定。

由于步驟2中在熱壓工藝之前，對(duì)異方性導(dǎo)電膠膜20進(jìn)行了預(yù)處理，使異方性導(dǎo)電膠膜20在進(jìn)行熱壓工藝之前已發(fā)生預(yù)反應(yīng)，因此在保證基板10與外接電路30電導(dǎo)通的情況下，所述步驟3中可以相應(yīng)降低熱壓工藝的加熱加壓條件，具體地，所述步驟3的熱壓工藝中，采用120-180℃的溫度條件、及1-5MPa的壓力條件，對(duì)異方性導(dǎo)電膠膜20進(jìn)行加熱加壓，熱壓時(shí)間為2-8s；優(yōu)選地，加熱溫度為50℃，加壓的壓力為3MPa，熱壓時(shí)間為5s。

具體地，所述基板10為柔性O(shè)LED基板。

具體地，如圖4所示，所述導(dǎo)電粒子22包括樹脂內(nèi)核24、包覆所述樹脂內(nèi)核24的鎳層25、及包覆所述鎳層25的金層26；所述鎳層25與金層26的外表面均具有刺狀突起；所述樹脂內(nèi)核24可以為聚二甲基硅氧烷(PDMS)、苯乙烯類、熱塑性彈性體(TPE)等具有高彈性的高分子化合物材料。

具體地，所述所述導(dǎo)電粒子22的粒徑為3-5μm。

具體地，所述外接電路30為柔性電路板、或覆晶薄膜。

綜上所述，本發(fā)明的基板與外接電路的綁定方法，在進(jìn)行熱壓工藝之前對(duì)所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行預(yù)處理，且所述異方性導(dǎo)電膠膜中導(dǎo)電粒子的表面具有刺狀突起，能夠在保證電導(dǎo)通效果的同時(shí)，提高后續(xù)熱壓工藝中異方性導(dǎo)電膠膜的反應(yīng)效率，降低熱壓工藝的加熱加壓條件，從而降低基板被壓傷而破片的風(fēng)險(xiǎn)；并且，在進(jìn)行熱壓工藝之前還在所述基板預(yù)進(jìn)行綁定的區(qū)域上形成保護(hù)膜，后續(xù)在通過熱壓工藝使基板與外接電路電導(dǎo)通的過程中，導(dǎo)電粒子的刺狀突起需要先刺穿保護(hù)膜再刺入導(dǎo)電粒子下方的第一電極中，從而在熱壓工藝中保護(hù)膜對(duì)基板起到了一定的緩沖保護(hù)作用，進(jìn)一步降低了基板被壓傷而破片的風(fēng)險(xiǎn)。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。