技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明是一種模板電沉積制備聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極和應(yīng)用方法。模板電沉積制備聚苯胺有序納米管陣列贗電容電極方法，該方法將聚碳酸酯薄膜通過(guò)電子束蒸發(fā)修飾85納米的金，以用來(lái)作為集電器。然后，用0.1M?H2SO4,0.5M?Na2SO4和0.1M?aniline來(lái)配制電沉積溶液。聚苯胺陣列贗電容電極通過(guò)循環(huán)伏安法來(lái)制得。在電沉積的過(guò)程中，Au/PC薄膜用來(lái)作為工作電極，Ag/AgCl電極和鉑絲分別用來(lái)作為參比和對(duì)電極。該有序納米管陣列贗電容電極應(yīng)用方法，其特征在于其用于贗電容超級(jí)電容器的電極材料，電化學(xué)活性高，且其面積比電容高，穩(wěn)定性和重現(xiàn)性好，壽命長(zhǎng)。

技術(shù)研發(fā)人員：馮曉苗;李會(huì)華;馬延文;黃鎮(zhèn)東;劉瑞卿;汪聯(lián)輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京郵電大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611128016
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.05.10