本發(fā)明涉及In-Cell觸控面板制造領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

在液晶顯示器制造過程中，如干燥、刻蝕、配向膜摩擦、切割和搬運等工藝中都會導(dǎo)致靜電的發(fā)生。靜電放電可能會將絕緣層擊穿導(dǎo)致兩層金屬直接導(dǎo)通，從而直接影響著生產(chǎn)液晶面板的良率。靜電放電是一種靜電積累，在不同物體間靜電電荷轉(zhuǎn)移釋放的現(xiàn)象。靜電釋放的時間很短，一般只有納米等級。靜電在這樣短的時間內(nèi)釋放會產(chǎn)生非常大的瞬間電流，這樣高的電流通過集成電路時就會將器件燒毀，導(dǎo)致電路不能正常工作。因此，在半導(dǎo)體制造中會用一些如離子風(fēng)機等設(shè)備去減少靜電的發(fā)生，或者在制造過程中設(shè)置一些靜電防護電路，從而有利于靜電的擴散，防止靜電炸傷的問題，進而提高產(chǎn)品良率。

In-Cell觸控面板的制程工藝復(fù)雜且良品率較低，In-Cell觸控面板中包含有陣列基板，陣列基板中相互交叉地配置定義像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線，在各像素區(qū)域中配置像素電極和薄膜晶體管。傳統(tǒng)的陣列基板制造采用薄膜晶體管的靜電釋放環(huán)設(shè)計方法來達到除靜電的效果，這一除靜電方法必須在薄膜晶體管完全成型后才能實現(xiàn)，而在薄膜晶體管的形成制程中尚不能清除靜電，導(dǎo)致該制程中基板上電荷累計，與其他層靜電炸傷，降低了制程的良品率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決陣列基板薄膜晶體管形成制程中的靜電危害問題，本發(fā)明提出一種陣列基板。

本發(fā)明提出的陣列基板，依次設(shè)置有玻璃基板、柵極線層、第一絕緣層、數(shù)據(jù)線層、第二絕緣層、第三絕緣層、第三金屬層。

該陣列基板包括像素區(qū)域、外圍區(qū)域以及沿陣列基板外圍邊緣設(shè)置的GND金屬走線，其中，所述外圍區(qū)域包括所述像素區(qū)域的外邊緣與GND金屬走線之間的區(qū)域。

所述數(shù)據(jù)線層中設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線，每條所述數(shù)據(jù)線均穿過所述像素區(qū)域，每條所述數(shù)據(jù)線的兩端均位于所述外圍區(qū)域中，在所述外圍區(qū)域中，相鄰的兩條所述數(shù)據(jù)線通過第一金屬連接線相連，所述第一金屬連接線設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線層中。

由于相鄰數(shù)據(jù)線通過第一金屬連接線相連，使得所有的數(shù)據(jù)線連為一個金屬網(wǎng)，當(dāng)在制程中有靜電產(chǎn)生時，靜電可通過該數(shù)據(jù)線金屬網(wǎng)快速釋放，防止靜電電荷累計造成危害。

作為對本發(fā)明的進一步改進，在所述外圍區(qū)域中，位于最外側(cè)的兩條所述數(shù)據(jù)線的兩個端部分別通過第二金屬連接線與GND金屬走線相連，所述第二金屬連接線設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線層中。

數(shù)據(jù)線金屬網(wǎng)進一步與GND金屬走線相連，可以將數(shù)據(jù)線金屬網(wǎng)上的靜電通過GND金屬走線釋放到大地中，消除靜電危害

在一個實施例中，所述第二金屬連接線分別連接位于最外側(cè)的兩條數(shù)據(jù)線和與所述數(shù)據(jù)線相對平行設(shè)置的GND金屬走線線段，這種結(jié)構(gòu)可以保證第二金屬連接線呈直線連接，避免了靜電荷在拐角處蓄積，使得靜電荷快速通過GND金屬走線流向大地。

由于在液晶面板正常顯示時，數(shù)據(jù)線之間不能短路，數(shù)據(jù)線更不能與GND金屬走線短路，所以在陣列基板制程中，制作第二絕緣層時，在所述第一金屬連接線的上方、所述第二金屬連接線的上方均設(shè)置有第一圓柱孔，在制作第三絕緣層時，在所述第一圓柱孔的上方設(shè)置有第二圓柱孔，所述第一圓柱孔的中心軸與所述第二圓柱孔的中心軸重合，且所述第二圓柱孔的孔徑等于第一圓柱孔的孔徑。在這里，要求第二圓柱孔的中心軸與第一圓柱孔的中心軸重合且第二圓柱孔的孔徑等于第一圓柱孔的孔徑，在制作第三金屬層時，可方便使第三金屬層與第一金屬連接線或第二金屬連接線相接。

作為對本發(fā)明的進一步改進，第一圓柱孔的孔徑或第二圓柱孔的孔徑大于所述第一金屬連接線的走線寬度，并且第一圓柱孔的孔徑或第二圓柱孔的孔徑大于所述第二金屬連接線的走線寬度。

在制作第三金屬層時，第三金屬層通過第二圓柱孔和第一圓柱孔與第一金屬連接線或第二金屬連接線相接，然后通過蝕刻技術(shù)將第二圓柱孔處及第二圓柱孔下方的金屬完全蝕刻掉，直至第一金屬連接線、第二金屬連接線完全斷開，從而保證液晶面板的正常顯示。

本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，該顯示裝置包含以上所述的陣列基板。

本發(fā)明提出的陣列基板，在陣列基板的制程中，像素區(qū)域形成的靜電可通過連接為金屬網(wǎng)的數(shù)據(jù)線快速擴散，防止靜電荷累計，擴散開的靜電荷進一步通過陣列基板外邊緣的GND金屬走線流向大地，消除了陣列基板制程中的靜電，一定程度上提高了產(chǎn)品的良率，由于在液晶面板正常顯示時，數(shù)據(jù)線之間不能短路，數(shù)據(jù)線更不能與GND金屬走線短路，所以在陣列基板制程的后續(xù)制程中，采用蝕刻技術(shù)將數(shù)據(jù)線之間的金屬連接線、數(shù)據(jù)線與GND金屬走線間的金屬連接線完全斷開，保證了液晶面板的正常顯示。

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發(fā)明進行更詳細的描述。其中：

圖1為本發(fā)明中陣列基板的剖面局部示意圖(制作第三層金屬前)；

圖2為本發(fā)明中陣列基板的剖面局部示意圖(第三層金屬蝕刻前)；

圖3為本發(fā)明中陣列基板的剖面局部示意圖(第三層金屬蝕刻后)；

圖4為本發(fā)明中陣列基板沿法線方向觀測的俯視示意圖(主要顯示制作第三層金屬前柵極線層、數(shù)據(jù)線層、GND金屬走線的連接示意圖)；

圖5為本發(fā)明中陣列基板沿法線方向觀測的俯視示意圖(主要顯示第三層金屬蝕刻后柵極線層、數(shù)據(jù)線層、GND金屬走線的連接示意圖)；

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例。

具體實施方式

下面將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的具體實施方式。

下文中的上、下、左、右、上部、下部、左部、右部均相對于圖形方向而定，不應(yīng)構(gòu)成對本發(fā)明的限制。

圖1顯示了本發(fā)明陣列基板在制作第三層金屬前的局部剖面示意圖，自下而上依次包括玻璃基板1、柵極線層2、第一絕緣層3、數(shù)據(jù)線層4、第二絕緣層5、第三絕緣層6，其中，數(shù)據(jù)線層4中包含若干條數(shù)據(jù)線40和位于最外側(cè)的數(shù)據(jù)線401和數(shù)據(jù)線402，柵極線層2中包含若干條柵極線20和位于最外側(cè)的數(shù)據(jù)線201和數(shù)據(jù)線202。沿陣列基板的法線方向觀測，如圖4為該方向的示意圖，圖4主要顯示了制作第三層金屬前柵極線層、數(shù)據(jù)線層、GND金屬走線的連接示意圖，該陣列基板包括像素區(qū)域4020、外圍區(qū)域4008和沿陣列基板外圍邊緣設(shè)置的GND金屬走線，在圖4中，GND金屬走線包括線段8、線段81和線段82，像素區(qū)域4020由最外側(cè)的數(shù)據(jù)線401、最外側(cè)的數(shù)據(jù)線402、最外側(cè)的柵極線201、最外側(cè)的柵極線202所圍繞而成，外圍區(qū)域4008包括像素區(qū)域4020外邊緣與GND金屬走線之間的區(qū)域。每條數(shù)據(jù)線40均穿過像素區(qū)域4020，數(shù)據(jù)線40的兩端分別位于外圍區(qū)域4008的上部區(qū)域和下部區(qū)域。

在外圍區(qū)域4008中，相鄰的兩條數(shù)據(jù)線通過第一金屬走線411相連接，優(yōu)選地，在外圍區(qū)域4008的上部區(qū)域和下部區(qū)域均設(shè)置有第一金屬走線411，優(yōu)選地，第一金屬走線411設(shè)置于數(shù)據(jù)線層4中，從而每相鄰的兩條數(shù)據(jù)線的上端和下端均通過第一金屬走線411相連接，形成一個數(shù)據(jù)線金屬網(wǎng)，在陣列基板制程中產(chǎn)生的靜電可通過該數(shù)據(jù)線金屬網(wǎng)迅速擴散，防止靜電電荷累計造成危害。

在本實施例中，優(yōu)選地，位于最外側(cè)的數(shù)據(jù)線401和數(shù)據(jù)線402的上端和下端分別通過第二金屬走線412與GND金屬走線相連接，左側(cè)的第二金屬走線412優(yōu)選為連接數(shù)據(jù)線401和與數(shù)據(jù)線401相對平行并靠近數(shù)據(jù)線401的GND金屬走線線段81，右側(cè)的第二金屬走線412優(yōu)選為連接數(shù)據(jù)線402和與數(shù)據(jù)線402相對平行并靠近數(shù)據(jù)線402的GND金屬走線線段82，第二金屬走線412優(yōu)選為呈直線連接，第二金屬走線412優(yōu)選地位于數(shù)據(jù)線層4中。這種設(shè)置方式，使得數(shù)據(jù)線金屬網(wǎng)與GND金屬走線相連，可以使數(shù)據(jù)線上的靜電通過GND金屬走線流向大地，從而消除陣列基板制程中產(chǎn)生的靜電。

由于在液晶面板正常顯示時，數(shù)據(jù)線之間不能短路，數(shù)據(jù)線更不能與GND金屬走線短路，所以在陣列基板的制程中，如圖1，制作完成數(shù)據(jù)線層4后，制作第二絕緣層5，在制作第二絕緣層5后，在第一金屬走線411的正上方和第二金屬走線412的正上方均通過蝕刻技術(shù)蝕刻出第一圓柱孔51，然后制作第三絕緣層6，再次通過蝕刻技術(shù)在第一圓柱孔51的正上方蝕刻出與第一圓柱孔51孔徑相同的第二圓柱孔61，優(yōu)選地，第二圓柱孔61的中心軸與第一圓柱孔51的中心軸重合。然后制作第三金屬層7，第三金屬層7通過第二圓柱孔61、第一圓柱孔51分別與第一金屬走線411或第二金屬走線412相接，如圖2所示，在實際生產(chǎn)工藝中，為了工藝的需要和提高第三金屬層7的覆蓋性，第一圓柱孔51、第二圓柱孔61被制作成依次堆疊的自下而上逐漸增大的錐形孔，這樣就有利于第三金屬層完全將第一圓柱孔51和第二圓柱孔61完全覆蓋，然后通過蝕刻技術(shù)，將第二圓柱孔61處及其下方的金屬完全蝕刻掉，如圖3所示，從而完全將第一金屬走線411斷開，同時完全將第二金屬走線412斷開，使得相鄰的數(shù)據(jù)線斷開連接，數(shù)據(jù)線401與GND金屬走線線段81斷開連接，數(shù)據(jù)線402與GND金屬走線線段82斷開連接，得到如圖5所示的效果，這樣就保證了液晶面板的正常顯示。

本發(fā)明提出的顯示裝置，包括本發(fā)明提出的陣列基板。

最后說明的是，以上實施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。