技術總結
本發(fā)明公開了一種降低基平面位錯對碳化硅外延層影響的方法，包括在碳化硅襯底上，利用界面高溫退火處理，促進BPD?TED轉化點下移，遠離高摻緩沖層表面，并通過加入漸變緩沖層減少高摻緩沖層和外延層的濃度差異，并對高溫氫氣刻蝕的高摻緩沖層界面進行修復，利用低速外延模式下，橫向外延生長增強的特性對高摻雜緩沖層進行表面腐蝕坑修復，提高后續(xù)外延層的表面質量。該方法可以將基平面位錯轉化點降低至高摻緩沖層界面之下，有效降低外延層中基平面位錯在大電流作用下衍生層錯缺陷的概率，工藝兼容于常規(guī)的外延工藝。

技術研發(fā)人員：李赟
受保護的技術使用者：中國電子科技集團公司第五十五研究所
文檔號碼：201611159148
技術研發(fā)日：2016.12.15
技術公布日：2017.05.24