本發(fā)明實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示面板及裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示(Organic light Emitting Display)，由于其具有不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快等技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為顯示行業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)方向之一。

現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光顯示面板包括：陰極、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、陽(yáng)極和基板。工作時(shí)，在有機(jī)發(fā)光顯示面板的陽(yáng)極和陰極之間施加一偏置電壓，空穴和電子突破界面能障，分別從空穴傳輸層和電子傳輸層向發(fā)光層遷移，在發(fā)光層上，電子和空穴復(fù)合產(chǎn)生激子，激子不穩(wěn)定，釋放出能量，將能量傳遞給發(fā)光層中有機(jī)發(fā)光物質(zhì)的分子，使其從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)。激發(fā)態(tài)很不穩(wěn)定，受激分子從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)，輻射躍遷而產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象。因此，有機(jī)發(fā)光顯示面板中，電子和空穴復(fù)合效率的高低決定了有機(jī)發(fā)光顯示面板性能的優(yōu)劣。但現(xiàn)在的有機(jī)發(fā)光顯示面板中，電子和空穴復(fù)合效率偏低，致使有機(jī)發(fā)光顯示面板所需要的偏置電壓偏高、發(fā)光效率低下，壽命很短。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板及裝置，以實(shí)現(xiàn)提高有機(jī)發(fā)光顯示面板電子和空穴復(fù)合效率，進(jìn)而降低有機(jī)發(fā)光顯示面板所需要的偏置電壓，提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的發(fā)光效率，延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光顯示面板的壽命的目的。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，該有機(jī)發(fā)光顯示面板包括：

依次層疊設(shè)置的第一電極、第一發(fā)光層、第二發(fā)光層和第二電極；

其中，所述第一發(fā)光層的空穴遷移率與電荷遷移率的比值大于或等于10²，所述第二發(fā)光層的電子遷移率與空穴遷移率的比值大于或等于10²。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任意一種有機(jī)發(fā)光顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)限定第一發(fā)光層的空穴遷移率與電荷遷移率的比值大于或等于10²，第二發(fā)光層的電子遷移率與空穴遷移率的比值大于或等于10²，解決了現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光顯示面板中，因電子和空穴復(fù)合效率偏低，致使有機(jī)發(fā)光顯示面板所需要的偏置電壓偏高、發(fā)光效率低下，壽命很短的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了提高電子和空穴的復(fù)合效率，降低有機(jī)發(fā)光顯示面板所需要的偏置電壓，進(jìn)而提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的發(fā)光效率和延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光顯示面板的壽命。

附圖說(shuō)明

圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b為圖1中虛線區(qū)域A的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種有機(jī)發(fā)光顯示面板部分膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板部分膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板部分膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板部分膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部結(jié)構(gòu)。

圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖1a，該有機(jī)發(fā)光顯示面板包括基板10?；?0劃分為多個(gè)像素區(qū)域32以及非像素區(qū)域31，像素區(qū)域32以及非像素區(qū)域31間隔設(shè)置。

在非像素區(qū)域31內(nèi)包括形成于基板10上的薄膜晶體管20，以及形成于薄膜晶體管20背離基板10一側(cè)的像素限定層27。在像素區(qū)域32內(nèi)包括像素發(fā)光單元33。像素發(fā)光單元33包括第一電極11、第二電極12以及形成第一電極11和第二電極12之間的膜層。

圖1a中，該薄膜晶體管20可以包括柵極21、柵絕緣層22、有源層23、源極24和漏極25。薄膜晶體管可以為底柵結(jié)構(gòu)(柵極位于基板與有源層之間)的薄膜晶體管，也可以為頂柵結(jié)構(gòu)(有源層位于基板與柵極之間)的薄膜晶體管。示例性地，在圖1a中，薄膜晶體管20為底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，有源層23形成在柵極21上方，即柵極21可以位于基板10與有源層23之間。柵極21可以形成在基板10上并且具有導(dǎo)電性。柵絕緣層22可以形成在柵極21上，并覆蓋柵極21。柵絕緣層22使柵極21與有源層23絕緣。有源層23可以形成在柵絕緣層22上。有源層23可以與柵極21相對(duì)應(yīng)，例如有源層23與柵極21重疊。有源層13可以包括摻有n型或P型雜質(zhì)的源區(qū)和漏區(qū)以及用于將源區(qū)和漏區(qū)彼此連接的溝道區(qū)。一般來(lái)說(shuō)，源區(qū)和漏區(qū)分別形成在有源層23的兩端，而溝道區(qū)形成在有源層23的中部。有源層23可以包括半導(dǎo)體材。源極24和漏極25可以形成在有源層23上。源極24和漏極25可以彼此隔開，并且可以通過(guò)充當(dāng)溝道的有源層23彼此電連接。源極24和漏極25可以分別電連接至有源層23的源區(qū)和漏區(qū)。源極24和漏極25均具有導(dǎo)電性。

該有機(jī)發(fā)光顯示面板還包括平坦化層26，該平坦化層26可以形成在整個(gè)基板10上。與像素區(qū)域32對(duì)應(yīng)的平坦化層26上形成有像素發(fā)光單元33，與非像素區(qū)域31對(duì)應(yīng)的平坦化層26上形成有像素限定層27。

平坦化層26上形成有多個(gè)通孔28，薄膜晶體管的漏極25通過(guò)通孔28與位于像素區(qū)域32內(nèi)像素發(fā)光單元33的第一電極11電連接?？蛇x地，如圖1a所示，像素發(fā)光單元33中，第一電極11形成于與像素區(qū)域32對(duì)應(yīng)的平坦化層26上，相鄰兩個(gè)像素限定層27將位于像素區(qū)域32的第一電極11的至少一部分暴露出來(lái)。第二電極12覆蓋像素區(qū)域32以及非像素區(qū)域31。

圖1b為圖1a中虛線區(qū)域A的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖1b，該有機(jī)發(fā)光顯示面板包括：依次層疊設(shè)置的第一電極11、第一發(fā)光層131、第二發(fā)光層132和第二電極12。其中，第一發(fā)光層131的空穴遷移率與電荷遷移率的比值大于或等于10²，第二發(fā)光層132的電子遷移率與空穴遷移率的比值大于或等于10²。

這里，第一發(fā)光層131的空穴遷移率與電荷遷移率的比值大于或等于10²，是指在具體制作時(shí)，第一發(fā)光層131的材料選取滿足空穴遷移率與電荷遷移率的比值大于或等于10²的材料。這樣可以使得，第一發(fā)光層131具有很高的空穴傳輸效率，可以使得更多的空穴注入到第一發(fā)光層131中，并加速空穴在第一發(fā)光層131與第二發(fā)光層132的交界面附近積聚。第二發(fā)光層132的電子遷移率與空穴遷移率的比值大于或等于10²，是指在具體制作時(shí)，第二發(fā)光層132的材料選取滿足電子遷移率與空穴遷移率的比值大于或等于10²的材料。這樣可以使得，第二發(fā)光層132具有很高的電子傳輸效率，可以使得更多的電子注入到第二發(fā)光層132中，可以加速電子在第二發(fā)光層132與第一發(fā)光層131的交界面附近積聚。

可以理解，有機(jī)發(fā)光顯示面板中發(fā)光層電子和空穴的濃度會(huì)影響發(fā)光層中電子與空穴的復(fù)合效率。而有機(jī)發(fā)光顯示面板發(fā)光層中電子和空穴的復(fù)合效率的高低決定了有機(jī)發(fā)光顯示面板的發(fā)光效率及性能。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)限定第一發(fā)光層的空穴遷移率與電荷遷移率的比值大于或等于10²，第二發(fā)光層的電子遷移率與空穴遷移率的比值大于或等于10²，可以提高有機(jī)發(fā)光顯示面板中發(fā)光層電子和空穴的濃度，有利于提高在第一發(fā)光層131和第二發(fā)光層132交界面附近電子和空穴的復(fù)合效率，降低有機(jī)發(fā)光顯示面板所需要的偏置電壓，進(jìn)而提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的發(fā)光效率及性能。

可選地，第一發(fā)光層131的空穴遷移率與第二發(fā)光層132的電子遷移率的比值大于或等于0.5且小于或等于2。這樣設(shè)置的有益效果是，使得第一發(fā)光層131的空穴傳輸能力與第二發(fā)光層132的電子傳輸能力相接近，促進(jìn)有機(jī)發(fā)光顯示面板中載流子平衡，實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光顯示面板的高效率和長(zhǎng)壽命的目標(biāo)。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，進(jìn)一步可選限定第一發(fā)光層131的空穴遷移率等于第二發(fā)光層132的電子遷移率，則能夠使得第一發(fā)光層131的空穴傳輸能力等于第二發(fā)光層132的電子傳輸能力，更有效地促進(jìn)有機(jī)發(fā)光顯示面板中載流子平衡，實(shí)現(xiàn)有機(jī)發(fā)光顯示面板的高效率和長(zhǎng)壽命的目標(biāo)。但在實(shí)際生產(chǎn)工藝中，會(huì)存在一定的誤差范圍，因此可選第一發(fā)光層131的空穴遷移率與第二發(fā)光層132的電子遷移率的比值大于或等于0.5且小于或等于2。

可選地，第一發(fā)光層131和第二發(fā)光層132的厚度之和小于或等于30nm。

第一發(fā)光層131和/或第二發(fā)光層132可以包括至少一種主體材料和至少一種客體摻雜物。

由于在有機(jī)發(fā)光顯示面板中，空穴從第一電極11注入后，在最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)上傳輸，電子從第二電極12注入后，在最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)上傳輸，最終在第一發(fā)光層131和第二發(fā)光層132交界面附近，在偏置電壓的作用下，位于最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)上的電子與位于最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)上的空穴發(fā)生復(fù)合。為了降低發(fā)光層(包括第一發(fā)光層131和第二發(fā)光層132)與電極之間界面能障，提高空穴或電子的注入能力，可選地，第一發(fā)光層131或第二發(fā)光層132中，主體材料的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)高于客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)，主體材料的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)低于客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)；第一發(fā)光層131中客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)低于第二發(fā)光層132中客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)；第一發(fā)光層131中客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)低于第二發(fā)光層132中客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)。

示例性地，第一發(fā)光層131包括第一主體材料和第一客體摻雜物，第二發(fā)光層132包括第二主體材料、第二客體摻雜物和第三客體摻雜物；第一主體材料的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)高于第一客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)；第二主體材料的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)高于第二客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)以及第三客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)；第一客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)低于第二客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)以及第三客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)；第二客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)低于第三客體摻雜物的最高占有分子軌道(HOMO)能級(jí)；第一主體材料的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)低于第一客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)；第二主體材料的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)低于第二客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)以及第三客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)；第一客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)低于第二客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)以及第三客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)；第二客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)高于第三客體摻雜物的最低未占有分子軌道(LUMO)能級(jí)。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示面板部分膜層的結(jié)構(gòu)示意圖。與圖1b相比，圖2中，該有機(jī)發(fā)光顯示面板還包括第一輔助發(fā)光層14和第二輔助發(fā)光層15。具體地，參見(jiàn)圖2，該第一輔助發(fā)光層14位于第一電極11和第一發(fā)光層131之間；第一輔助發(fā)光層14包括空穴注入層、空穴傳輸層和電子阻擋層中的至少一種。該第二輔助發(fā)光層15位于第二電極12和第二發(fā)光層132之間；第二輔助發(fā)光層包括電子注入層、電子傳輸層和空穴阻擋層中的至少一種。

需要說(shuō)明的是，圖2中有機(jī)發(fā)光顯示面板既包括第一輔助發(fā)光層14，又包括第二輔助發(fā)光層15，這僅是本發(fā)明的一個(gè)具體示例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。在具體制作時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示面板還可以僅包括第一輔助發(fā)光層14，也可以僅包括第二輔助發(fā)光層15。

若有機(jī)發(fā)光顯示面板包括第二輔助發(fā)光層15，可選地，該第二輔助發(fā)光層15摻雜有堿金屬、堿土金屬或稀土金屬中的至少一種。示例性地，該第二輔助發(fā)光層15包括電子傳輸層，可選地，電子傳輸層摻雜有堿金屬、堿土金屬或稀土金屬中的至少一種。這樣設(shè)置的好處是可以提高降低有機(jī)發(fā)光顯示面板第一電極12與有機(jī)材料之間的界面能障，提高電子注入能力以及有機(jī)發(fā)光顯示面板性能。典型地，該電子傳輸層可以摻雜有鋰、鈉、鉀、銣、銫、鎂、鈣、鍶、鋇、鐿、釤或釓中的至少一種。

在上述技術(shù)方案中，可選地，可以將第一電極11和/或第二電極12作為有機(jī)發(fā)光顯示面板的出光側(cè)電極。下面就典型示例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板部分膜層的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖3，該有機(jī)發(fā)光顯示面板僅將第二電極12作為出光側(cè)電極，光線在第一發(fā)光層131和第二發(fā)光層132的交界面附近形成后，經(jīng)第二電極12出射。具體地，第一電極11可以包含第一導(dǎo)電透明薄膜111、第二導(dǎo)電透明薄膜112和位于第一導(dǎo)電透明薄膜111和第二導(dǎo)電透明薄膜112之間的反射膜113?？蛇x地，在具體設(shè)計(jì)時(shí)，第一電極11的各膜層的材料和厚度可以有多種，只要能確保第一電極11具有很好的空穴注入能力以及很好的反射效果即可。例如，第一電極11中第一導(dǎo)電透明薄膜111和第二導(dǎo)電透明薄膜112材料可以為氧化銦錫、氧化銦鋅或三氧化二鋁和氧化鋅的混合物，反射膜113的材料可以為銀或者含銀的合金，反射膜113的厚度可以為50nm-150nm。出光側(cè)電極(第二電極12)的材料可以為銀或者含銀的合金。出光側(cè)電極(第二電極12)的厚度可以有多種，只要能確保出光側(cè)電極(第二電極12)具有很好的電子注入能力以及良好的光線透過(guò)率即可。例如，出光側(cè)電極(第二電極12)的材料可以為含銀的合金，其中銀的體積百分比≥80％，出光側(cè)電極第二電極12的厚度可以為10nm-20nm。在此基礎(chǔ)上，為了使得有機(jī)發(fā)光顯示面板具有的較好的顯示效果，可選地，出光側(cè)電極(第二電極12)在波長(zhǎng)為550nm的光線下的透過(guò)率大于等于20％，小于等于50％。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板部分膜層的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖4，該有機(jī)發(fā)光顯示面板僅將第一電極11作為出光側(cè)電極，光線在第一發(fā)光層131和第二發(fā)光層132的交界面附近形成后，經(jīng)第一電極11出射。具體地，第一電極11的材料為導(dǎo)電透明材料，在具體設(shè)計(jì)時(shí)，第一電極11的材料和厚度可以有多種，只要能確保第一電極11具有很好的空穴注入能力以及良好的光線透過(guò)率即可。例如，構(gòu)成第一電極11的導(dǎo)電透明薄膜材料可以為氧化銦錫、氧化銦鋅或三氧化二鋁和氧化鋅的混合物。第二電極12的材料可以為銀或者含銀的合金。第二電極12的厚度可以有多種，只要能確保第二電極12具有很好的電子注入能力以及良好的反射效果即可。例如，第二電極12的材料可以為含銀的合金，其中銀的體積百分比≥80％，第二電極12的厚度可以為50nm-150nm。

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種有機(jī)發(fā)光顯示面板部分膜層的結(jié)構(gòu)示意圖。參見(jiàn)圖5，該有機(jī)發(fā)光顯示面板將第一電極11和第二電極12均作為出光側(cè)電極。光線在第一發(fā)光層131和第二發(fā)光層132的交界面附近形成后，一部分經(jīng)第一電極11出射，另一部分經(jīng)第二電極12出射。

需要說(shuō)明的，本申請(qǐng)?zhí)峁┑母饔袡C(jī)發(fā)光顯示面板在制作的過(guò)程中，可以在基板上，先形成第一電極11，然后依次形成位于第一電極11和第二電極12之間的各膜層，直至最后形成第二電極12；也可以在基板上，先形成第二電極12，然后依次形成位于第一電極11和第二電極12之間的各膜層，直至最后形成第一電極11。即該有機(jī)發(fā)光顯示面板可以是正置結(jié)構(gòu)，也可以是倒置結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖6，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置101包括本發(fā)明實(shí)施例提供的任意一種有機(jī)發(fā)光顯示面板201。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置具體可以為手機(jī)、筆記本電腦，智能可穿戴設(shè)備以及公共大廳的信息查詢機(jī)等。

本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，通過(guò)限定第一發(fā)光層的空穴遷移率與電荷遷移率的比值大于或等于10²，第二發(fā)光層的電子遷移率與空穴遷移率的比值大于或等于10²，解決了現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光顯示面板中，因電子和空穴復(fù)合效率偏低，致使有機(jī)發(fā)光顯示面板所需要的偏置電壓偏高、發(fā)光效率低下，壽命很短的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了提高電子和空穴的復(fù)合效率，降低有機(jī)發(fā)光顯示面板所需要的偏置電壓，進(jìn)而提高有機(jī)發(fā)光顯示面板的發(fā)光效率和延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光顯示面板的壽命。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會(huì)理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實(shí)施例，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，雖然通過(guò)以上實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。