本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種固態(tài)等離子可重構(gòu)偶極子天線的制備方法。

背景技術(shù)：

等離子體天線是一種將等離子體作為電磁輻射導(dǎo)向媒質(zhì)的射頻天線。等離子體天線的可利用改變等離子體密度來改變天線的瞬時(shí)帶寬、且具有大的動(dòng)態(tài)范圍；還可以通過改變等離子體諧振、阻抗以及密度等，調(diào)整天線的頻率、波束寬度、功率、增益和方向性動(dòng)態(tài)參數(shù)；另外，等離子體天線在沒有激發(fā)的狀態(tài)下，雷達(dá)散射截面可以忽略不計(jì)，而天線僅在通信發(fā)送或接收的短時(shí)間內(nèi)激發(fā)，提高了天線的隱蔽性，這些性質(zhì)可廣泛的應(yīng)用于各種偵察、預(yù)警和對(duì)抗雷達(dá)，星載、機(jī)載和導(dǎo)彈天線，微波成像天線，高信噪比的微波通信天線等領(lǐng)域，極大地引起了國(guó)內(nèi)外研究人員的關(guān)注，成為了天線研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。

但是當(dāng)前絕大多數(shù)的研究只限于氣態(tài)等離子體天線，對(duì)固態(tài)等離子體天線的研究幾乎還是空白。而固態(tài)等離子體一般存在于半導(dǎo)體器件中，無需像氣態(tài)等離子那樣用介質(zhì)管包裹，具有更好的安全性和穩(wěn)定性。經(jīng)理論研究發(fā)現(xiàn)，固態(tài)等離子pin二極管在加直流偏壓時(shí)，直流電流會(huì)在其表面形成自由載流子(電子和空穴)組成的固態(tài)等離子體，該等離子體具有類金屬特性，即對(duì)電磁波具有反射作用，其反射特性與表面等離子體的微波傳輸特性、濃度及分布密切相關(guān)。

因此，如何制作一種固態(tài)等離子pin二極管來應(yīng)用于固態(tài)等離子天線就變得尤為重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種固態(tài)等離子可重構(gòu)偶極子天線的制備方法。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種固態(tài)等離子可重構(gòu)偶極子天線的制備方法，包括，在半導(dǎo)體基片上制作固態(tài)等離子pin二極管，利用固態(tài)等離子pin二極管構(gòu)成偶極子天線，其中，可重構(gòu)偶極子天線包括半導(dǎo)體基片，固態(tài)等離子pin二極管天線臂，同軸饋線和直流偏置線，所述偶極子天線的制備方法包括：

選取半導(dǎo)體基片soi襯底，刻蝕soi襯底形成臺(tái)面的有源區(qū)；

有源區(qū)四周平坦化處理并利用原位摻雜分別淀積p型和n型硅形成p區(qū)和n區(qū)；

在所述soi襯底上形成引線，形成所述固態(tài)等離子pin二極管；

所述固態(tài)等離子pin二極管依次首尾相連構(gòu)成固態(tài)等離子pin二極管串；

由三段所述固態(tài)等離子pin二極管串組成所述固態(tài)等離子pin二極管天線臂；

制作所述直流偏置線和同軸饋線；以形成所述可重構(gòu)偶極子天線。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，刻蝕soi襯底形成臺(tái)面的有源區(qū)，包括：

在所述soi襯底表面利用cvd淀積一層氮化硅；

利用光刻工藝在所述氮化硅層上形成臺(tái)面有源區(qū)圖形；

利用干法刻蝕工藝在所述有源區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述保護(hù)層及頂層硅從而形成臺(tái)面有源區(qū)。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，有源區(qū)四周平坦化處理并利用原位摻雜分別淀積p型和n型硅形成p區(qū)和n區(qū)；包括：

臺(tái)面的有源區(qū)四周平坦化處理；

利用原位摻雜淀積p型硅形成p區(qū)；利用原位摻雜淀積n型硅形成n區(qū)；

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，臺(tái)面的有源區(qū)四周平坦化處理，包括：

氧化所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁以使所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁形成氧化層；

利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁氧化層以完成所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁平坦化。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，利用原位摻雜淀積p型硅形成p區(qū)；利用原位摻雜淀積n型硅形成n區(qū)，包括：

利用cvd在所述襯底表面淀積一層sio2；利用光刻工藝在所述sio2層上形成p區(qū)圖形；利用濕法刻蝕工藝去除p區(qū)上的sio2層；利用原位摻雜淀積p型硅形成p區(qū)；先利用干法刻蝕工藝使p區(qū)表面平整化，再利用濕法刻蝕工藝去除襯底表面的sio2層；

利用cvd在所述襯底表面淀積一層sio2；利用光刻工藝在所述sio2層上形成n區(qū)圖形；利用濕法刻蝕工藝去除n區(qū)上的sio2層；利用原位摻雜淀積n型硅形成n區(qū)；先利用干法刻蝕工藝使n區(qū)表面平整化，再利用濕法刻蝕工藝去除襯底表面的sio2層。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，在所述soi襯底上形成引線，形成所述固態(tài)等離子pin二極管，包括：

在所述soi襯底上生成二氧化硅；利用退火工藝激活所述p區(qū)和n區(qū)中的雜質(zhì)；

在p區(qū)和n區(qū)光刻引線孔以形成引線；鈍化處理并光刻pad以形成所述固態(tài)等離子pin二極管。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，所述固態(tài)等離子pin二極管天線臂包括第一固態(tài)等離子pin二極管天線臂和第二固態(tài)等離子pin二極管天線臂，每一個(gè)固態(tài)等離子pin二極管天線臂長(zhǎng)度為波長(zhǎng)的四分之一。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，所述直流偏置線采用半導(dǎo)體工藝制作于半導(dǎo)體基片，用于對(duì)所述固態(tài)等離子pin二極管串施加直流偏置，所述每一個(gè)固態(tài)等離子pin二極管串都有直流偏置線外接電壓正極。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，所述同軸饋線采用低損耗同軸線纜，同軸饋線的內(nèi)芯線和外導(dǎo)體(屏蔽層)分別焊接于固態(tài)等離子pin二極管天線臂的金屬觸片上且兩處焊接點(diǎn)分別接有直流偏置線作為公共負(fù)極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明制備的固態(tài)等離子可重構(gòu)偶極子天線，體積小、剖面低，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于加工、無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)、頻率可快速跳變，且天線關(guān)閉時(shí)將處于電磁波隱身狀態(tài)，可用于各種跳頻電臺(tái)或設(shè)備；由于其所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè)，為平面結(jié)構(gòu)，易于組陣，可用作相控陣天線的基本組成單元。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種固態(tài)等離子可重構(gòu)偶極子天線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種固態(tài)等離子可重構(gòu)偶極子天線的制備方法示意圖；

圖3a-圖3s為本發(fā)明實(shí)施例的一種固態(tài)等離子pin二極管的制備方法示意圖

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種固態(tài)等離子pin二極管結(jié)構(gòu)示意圖；

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例一

請(qǐng)參見圖1，圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種固態(tài)等離子可重構(gòu)偶極子天線結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述可重構(gòu)偶極子天線包括：半導(dǎo)體基片、第一固態(tài)等離子pin二極管天線臂、第二固態(tài)等離子pin二極管天線臂、同軸饋線以及直流偏置線；請(qǐng)參見圖2，圖2為異質(zhì)sige基固態(tài)等離子pin二極管的可重構(gòu)偶極子天線的制備方法示意圖，所述制備方法包括：

選取半導(dǎo)體基片soi襯底，刻蝕soi襯底形成臺(tái)面的有源區(qū)；

有源區(qū)四周平坦化處理并利用原位摻雜分別淀積p型和n型硅形成p區(qū)和n區(qū)；

在所述soi襯底上形成引線，形成所述固態(tài)等離子pin二極管；

所述固態(tài)等離子pin二極管依次首尾相連構(gòu)成固態(tài)等離子pin二極管串；

由三段所述固態(tài)等離子pin二極管串組成所述固態(tài)等離子pin二極管天線臂；

制作所述直流偏置線和同軸饋線；以形成所述可重構(gòu)偶極子天線。

其中，采用soi襯底的原因在于，對(duì)于固態(tài)等離子天線由于其需要良好的微波特性，而固態(tài)等離子pin二極管為了滿足這個(gè)需求，需要具備良好的載流子即固態(tài)等離子體的限定能力，而二氧化硅(sio2)能夠?qū)⑤d流子即固態(tài)等離子體限定在頂層硅中，所以優(yōu)選采用soi作為固態(tài)等離子pin二極管的襯底。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，刻蝕soi襯底形成臺(tái)面的有源區(qū)，包括：

在所述soi襯底表面利用cvd淀積一層氮化硅；

利用光刻工藝在所述氮化硅層上形成臺(tái)面有源區(qū)圖形；

利用干法刻蝕工藝在所述有源區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述保護(hù)層及頂層硅從而形成臺(tái)面有源區(qū)。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，有源區(qū)四周平坦化處理并利用原位摻雜分別淀積p型和n型硅形成p區(qū)和n區(qū)；包括：

臺(tái)面的有源區(qū)四周平坦化處理；

利用原位摻雜淀積p型硅形成p區(qū)；利用原位摻雜淀積n型硅形成n區(qū)；

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，臺(tái)面的有源區(qū)四周平坦化處理，包括：

氧化所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁以使所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁形成氧化層；

利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁氧化層以完成所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁平坦化。

這樣做的好處在于：可以防止溝槽側(cè)壁的突起形成電場(chǎng)集中區(qū)域，造成pi和ni結(jié)擊穿。

在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，利用原位摻雜淀積p型硅形成p區(qū)；利用原位摻雜淀積n型硅形成n區(qū)，包括：

利用cvd在所述襯底表面淀積一層sio2；利用光刻工藝在所述sio2層上形成p區(qū)圖形；利用濕法刻蝕工藝去除p區(qū)上的sio2層；利用原位摻雜淀積p型硅形成p區(qū)；先利用干法刻蝕工藝使p區(qū)表面平整化，再利用濕法刻蝕工藝去除襯底表面的sio2層；

利用cvd在所述襯底表面淀積一層sio2；利用光刻工藝在所述sio2層上形成n區(qū)圖形；利用濕法刻蝕工藝去除n區(qū)上的sio2層；利用原位摻雜淀積n型硅形成n區(qū)；先利用干法刻蝕工藝使n區(qū)表面平整化，再利用濕法刻蝕工藝去除襯底表面的sio2層。

需要說明的是：常規(guī)制作固態(tài)等離子pin二極管的p區(qū)與n區(qū)的制備工藝中，均采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對(duì)設(shè)備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴(kuò)散工藝，雖結(jié)深較深，但同時(shí)p區(qū)與n區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響固態(tài)等離子pin二極管的電學(xué)性能，導(dǎo)致固態(tài)等離子體濃度和分布的可控性差。

采用原位摻雜能夠避免離子注入等方式帶來的不利影響，且能夠通過控制氣體流量來控制材料的摻雜濃度，更有利于獲得陡峭的摻雜界面，從而獲得更好的器件性能。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，在所述soi襯底上形成引線，形成所述固態(tài)等離子pin二極管，包括：

在所述soi襯底上生成二氧化硅；利用退火工藝激活所述p區(qū)和n區(qū)中的雜質(zhì)；

在p區(qū)和n區(qū)光刻引線孔以形成引線；鈍化處理并光刻pad以形成所述固態(tài)等離子pin二極管。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，所述固態(tài)等離子pin二極管天線臂包括第一固態(tài)等離子pin二極管天線臂和第二固態(tài)等離子pin二極管天線臂，每一個(gè)固態(tài)等離子pin二極管天線臂長(zhǎng)度為波長(zhǎng)的四分之一。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，所述直流偏置線采用半導(dǎo)體工藝制作于半導(dǎo)體基片，用于對(duì)所述固態(tài)等離子pin二極管串施加直流偏置，所述每一個(gè)固態(tài)等離子pin二極管串都有直流偏置線外接電壓正極。

在本發(fā)明提供的一個(gè)實(shí)施例中，所述同軸饋線采用低損耗同軸線纜，同軸饋線的內(nèi)芯線和外導(dǎo)體(屏蔽層)分別焊接于固態(tài)等離子pin二極管天線臂的金屬觸片上且兩處焊接點(diǎn)分別接有直流偏置線作為公共負(fù)極。

本發(fā)明實(shí)施例利用原位摻雜工藝能夠制備固態(tài)等離子pin二極管，并制備形成高性能可重構(gòu)偶極子天線，其具備如下優(yōu)點(diǎn)：

1、體積小、剖面低，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易于加工。

2、采用同軸電纜作為饋源，無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)。

3、采用spin二極管作為天線的基本組成單元，只需通過控制其導(dǎo)通或斷開，即可實(shí)現(xiàn)頻率的可重構(gòu)。

4、所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè)，易于制版加工。

實(shí)施例二

請(qǐng)參見圖1，圖1為本發(fā)明提供的一種固態(tài)等離子可重構(gòu)偶極子天線結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該天線包括：soi半導(dǎo)體基片1；

固定在soi半導(dǎo)體基片1上的第一天線臂2、第二天線臂3和同軸饋線4；優(yōu)選的，同軸饋線采用低損耗同軸線纜。

第一天線臂2和第二天線臂3分別設(shè)置于同軸饋線4的兩側(cè)且包括多個(gè)固態(tài)等離子pin二極管串，在天線處于工作狀態(tài)時(shí)，第一天線臂2和第二天線臂3根據(jù)多個(gè)固態(tài)等離子pin二極管串的導(dǎo)通與關(guān)斷實(shí)現(xiàn)天線臂長(zhǎng)度的調(diào)節(jié)。

本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了該天線的頻率可重構(gòu)且構(gòu)造無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于加工。

進(jìn)一步的，請(qǐng)參見圖1，第一天線臂2包括依次串接的第一固態(tài)等離子pin二極管串w1、第二固態(tài)等離子pin二極管串w2及第三固態(tài)等離子pin二極管串w3，第二天線臂3包括依次串接的第四固態(tài)等離子pin二極管串w4、第五固態(tài)等離子pin二極管串w5及第六固態(tài)等離子pin二極管串w6；

其中，第一固態(tài)等離子pin二極管串w1的長(zhǎng)度等于第六固態(tài)等離子pin二極管串w6的長(zhǎng)度，第二固態(tài)等離子pin二極管串w2的長(zhǎng)度等于第五固態(tài)等離子pin二極管串w5的長(zhǎng)度，第三固態(tài)等離子pin二極管串w3的長(zhǎng)度等于第四固態(tài)等離子pin二極管串w4的長(zhǎng)度。

進(jìn)一步的，請(qǐng)參見圖1，該天線還包括第一直流偏置線5、第二直流偏置線6、第三直流偏置線7、第四直流偏置線8、第五直流偏置線9、第六直流偏置線10、第七直流偏置線11、第八直流偏置線12，其中，

第一直流偏置線5設(shè)置于二極管串w3的一端，第二直流偏置線6設(shè)置于二極管串w4的一端，第三直流偏置線7設(shè)置于二極管串w1的一端，第八直流偏置線12設(shè)置于二極管串w6的一端；

第五直流偏置線9設(shè)置于二極管串w3和二極管串w2串接形成的節(jié)點(diǎn)處，第六直流偏置線10設(shè)置于二極管串w4和二極管串w5串接形成的節(jié)點(diǎn)處，第四直流偏置線8設(shè)置于二極管串w1和二極管串w2串接形成的節(jié)點(diǎn)處，第七直流偏置線11設(shè)置于二極管串w5和二極管串w6串接形成的節(jié)點(diǎn)處。

優(yōu)選的，第一直流偏置線5、第二直流偏置線6、第三直流偏置線7、第四直流偏置線8、第五直流偏置線9、第六直流偏置線10、第七直流偏置線11及第八直流偏置線12采用化學(xué)氣相淀積的方法固定于soi半導(dǎo)體基片1上，其材料為銅、鋁或經(jīng)過摻雜的多晶硅中的任意一種。

進(jìn)一步的，請(qǐng)參見圖1，同軸饋線4的內(nèi)芯線焊接于第一天線臂2的金屬片，第一天線臂2的金屬片與直流偏置線5相連；同軸饋線4的屏蔽層焊接于第二天線臂3的金屬片，第二天線臂3的金屬片與第二直流偏置線6相連；第一直流偏置線5、第二直流偏置線6均與直流偏置電壓的負(fù)極相連，以形成公共負(fù)極。

進(jìn)一步的，請(qǐng)參見圖3a-圖3r，圖3a-圖3r為本發(fā)明實(shí)施例的一種固態(tài)等離子pin二極管的制備方法示意圖，在上述實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，以制備固態(tài)等離子區(qū)域長(zhǎng)度為100微米的基于臺(tái)狀有源區(qū)的固態(tài)等離子pin二極管為例進(jìn)行詳細(xì)說明，具體步驟如下：

s10、選取soi襯底。

請(qǐng)參見圖3a，該soi襯底101的晶向?yàn)?100)，另外，該soi襯底101的摻雜類型為p型，摻雜濃度為10¹⁴cm^-3的，頂層si的厚度例如為20μm。

s20、在所述soi襯底表面淀積一層氮化硅。

請(qǐng)參見圖3b，采用化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition，簡(jiǎn)稱cvd)的方法，在soi襯底101上淀積氮化硅層201。

s30、刻蝕soi襯底形成有源區(qū)溝槽。

請(qǐng)參見圖3c-1，利用光刻工藝在所述氮化硅層上形成臺(tái)面有源區(qū)圖形，利用干法刻蝕工藝在所述有源區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述保護(hù)層及頂層硅從而形成臺(tái)面有源區(qū)301，俯視圖請(qǐng)參見圖3c-2。

s40、臺(tái)面的有源區(qū)四周平坦化處理。

請(qǐng)參見圖3d-1，氧化所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁以使所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁形成氧化層401，俯視圖請(qǐng)參見圖3d-2；

請(qǐng)參見圖3e-1，利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁氧化層以完成所述臺(tái)面有源區(qū)的四周側(cè)壁平坦化，俯視圖請(qǐng)參見圖3e-2。

s50、在所述襯底表面淀積一層sio2。

請(qǐng)參見圖3f，利用cvd方法在所述襯底上淀積一層二氧化硅601。

s60、光刻所述sio2層。

請(qǐng)參見圖3g，利用光刻工藝在所述sio2層上形成p區(qū)圖形，利用濕法刻蝕工藝去除p區(qū)圖形上的sio2層。

s70、形成p區(qū)。

請(qǐng)參見圖3h，具體做法可以是：利用原位摻雜的方法，在所述soi襯底表面的p區(qū)圖形上淀積p型硅形成p區(qū)801，通過控制氣體流量來控制p區(qū)的摻雜濃度。

s80、平整化襯底表面。

請(qǐng)參見圖3i，具體做法可以是：先利用干法刻蝕工藝使p區(qū)表面平整化，再利用濕法刻蝕工藝去除襯底表面的sio2層。

s90、在所述襯底表面淀積一層sio2。

請(qǐng)參見圖3j，具體做法可以是：利用cvd方法在所述襯底表面淀積二氧化硅層1001。

s100、光刻所述sio2層。

請(qǐng)參見圖3k，利用光刻工藝在所述sio2層上形成n區(qū)圖形；利用濕法刻蝕工藝去除n區(qū)上的sio2層。

s110、形成n區(qū)。

請(qǐng)參見圖3l，利用原位摻雜的方法，在所述soi襯底表面的n區(qū)圖形上淀積n型硅形成n區(qū)1201，通過控制氣體流量來控制n區(qū)的摻雜濃度。

s120、平整化襯底表面。

請(qǐng)參見圖3m，先利用干法刻蝕工藝使n區(qū)表面平整化，再利用濕法刻蝕工藝去除襯底表面的sio2層。

s130、淀積多晶硅層。

請(qǐng)參見圖3n，可以利用cvd的方法，在溝槽里濺射金屬層1401。

s140、在表面形成二氧化硅(sio2)層。

請(qǐng)參照?qǐng)D3o，可以利用cvd的方法，在表面淀積二氧化硅(sio2)層1501，厚度為500nm。

s150、平整表面。

請(qǐng)參照?qǐng)D3p，可以采用cmp方法去除表面二氧化硅與氮化硅(sin)層，使表面平整。

s160、雜質(zhì)激活。

在950-1150℃，退火0.5～2分鐘，使離子注入的雜質(zhì)激活、并且推進(jìn)有源區(qū)中雜質(zhì)。

s170、光刻引線孔。

請(qǐng)參照?qǐng)D3q，在二氧化硅(sio2)層上光刻引線孔1701。

s180、形成引線。

請(qǐng)參照?qǐng)D3r，可以在襯底表面濺射金屬，合金化形成金屬硅化物，并刻蝕掉表面的金屬；再在襯底表面濺射金屬1801，光刻引線。

s190、鈍化處理，光刻pad。

請(qǐng)參照?qǐng)D3s，可以通過淀積氮化硅(sin)形成鈍化層1901，光刻pad。最終形成固態(tài)等離子pin二極管，作為制備固態(tài)等離子天線材料。

實(shí)施例三

請(qǐng)參照?qǐng)D4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)等離子pin二極管的器件結(jié)構(gòu)示意圖。該固態(tài)等離子pin二極管采用上述如圖1所示的制備方法制成。具體地，該固態(tài)等離子pin二極管在soi襯底301上制備形成，且pin二極管的p區(qū)303、n區(qū)304以及橫向位于該p區(qū)303和該n區(qū)304之間的i區(qū)均位于該soi襯底的頂層硅302內(nèi)。

綜上所述，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明固態(tài)等離子pin二極管及其制備方法的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。